本發明涉及非易失性存儲器領域，特別是涉及一種非易失性存儲器擦寫控制電路。本發明還涉及一種非易失性存儲器擦寫控制方法。
背景技術：
對于非易失性存儲器，擦寫所需的功耗往往要比讀所需的功耗大三到四個數量級，同時擦寫所需的時間也比讀所需的時間大三到四個數量級。對應同一個非易失性存儲器的不同擦寫單位塊，其所需的擦寫時間與擦寫功耗也不盡相同，能相差一個數量級以上。并且，隨著使用次數的增多，存儲器單元電路會老化，從而會要求更長的擦寫時間與擦寫功耗。由于應用時，有的塊的擦寫次數會遠遠大于其它塊，所以隨著應用時間的增長，各個擦寫塊之間需要的擦寫時間與擦寫功耗的差異會越來越大。目前的非易失性存儲器擦寫控制電路是在電路測試后，用一組對應固定的擦寫功耗與擦寫時間的參數來進行擦寫的。而這組參數必須保證在有效的使用壽命內，對所有的擦寫單元都有效，這樣雖然操作方便，但在性能上來說并非最優。
技術實現要素：
本發明要解決的技術問題是提供一種非易失性存儲器擦寫控制電路，能優化非易失性存儲器的擦寫時間，減少擦寫期間的功耗，提高擦寫性能； 為此，本發明還要提供一種非易失性存儲器擦寫控制方法。
為解決上述技術問題，本發明的非易失性存儲器擦寫控制電路，包括：
一主控電路，根據輸入的擦寫啟動信號和待擦寫數據，發出寫使能信號與待擦寫數據；
一參數寄存器電路，與所述主控電路相連接，根據主控電路發出的參數選擇信號，輸出擦寫參數；
一擦寫控制電路，與所述主控電路和參數寄存器電路相連接，根據主控電路發出的擦寫存儲器使能信號和參數寄存器電路輸出的擦寫參數，產生并輸出擦寫存儲器控制信號；
一數據緩存區電路，與所述主控電路相連接，根據該主控電路發出的寫使能信號，對待擦寫數據進行緩存；根據主控電路發出的讀使能信號，輸出緩存的待擦寫數據；
一讀控制電路，與所述主控電路相連接，根據該主控電路發出的讀存儲器使能信號，產生并輸出讀存儲器控制信號，以及從存儲器中讀出的數據；
一比較電路，與所述主控電路、數據緩存區電路和讀控制電路相連接，根據主控電路發出的使能信號對數據緩存區電路輸出緩存的待擦寫數據，和讀控制電路輸出的存儲器中讀出的數據進行比較，并將比較結果傳送給主控電路；如果比較結果顯示數據一致，則主控模塊輸出擦寫完成信號，表示本次存儲器擦寫完成。
所述非易失性存儲器擦寫控制方法是采用如下技術方案實現的：
在每次擦寫非易失性存儲器的過程中，首先嘗試用對應與低功耗，短的擦寫時間的配置參數去擦寫；
在本次嘗試擦寫完成后，回讀并且與存儲在數據緩存區中的數據比較；如果數據不一致，則采用對應更大功耗，更長擦寫時間的配置參數再次去嘗試擦寫，重復以上過程，直到回讀后比較結果顯示數據一致，則結束本次非易失性存儲器的擦寫工作。
采用本發明，可以嘗試對不同的擦寫單元(存儲器)用不同的擦寫功耗與擦寫時間參數來擦寫，這樣能優化非易失性存儲器的擦寫時間，減少擦寫期間的功耗，從而提高擦寫性能。特別適用于電可擦除只讀存儲器和閃存的擦寫控制。
附圖說明
下面結合附圖與具體實施方式對本發明作進一步詳細的說明：
附圖是所述非易失性存儲器擦寫控制電路結構圖。
具體實施方式
結合附圖所示，所述非易失性存儲器擦寫控制電路，包括：一主控電路，一參數寄存器電路，一比較電路，一數據緩存區電路，一擦寫控制電路和一讀控制電路。
所述主控電路接收到擦寫啟動信號與待擦寫數據后，發出寫使能信號，把待擦寫數據寫入數據緩存區電路；然后主控電路發送參數選擇信號給參 數寄存器電路。參數寄存器電路選擇對應擦寫功耗小，擦寫時間短的擦寫參數，送給擦寫控制電路，并且主控電路發送擦寫存儲器使能信號。擦寫控制電路收到擦寫參數與擦寫存儲器使能信號后，產生擦寫存儲器所需的擦寫存儲器控制信號。主控電路等到擦寫完成后，產生讀存儲器使能信號，啟動讀控制電路。讀控制電路收到讀存儲器使能信號后產生讀存儲器所需的讀存儲器控制信號，于此同時主控電路產生讀使能信號讀數據緩存區電路里緩存的待擦寫數據，并且產生比較電路的使能信號。數據緩存區電路輸出緩存的待擦寫數據。讀控制電路輸出從存儲器中讀出的數據。比較電路在使能信號有效期間，對輸入的緩存的待擦寫數據與存儲器中讀出的數據進行比較，送出比較結果給主控模塊。如果比較結果顯示數據一致，那么主控模塊就輸出擦寫完成信號，表示本次存儲器擦寫完成；如果比較結果不一致，則改變參數選擇信號，選擇對應更大功耗與更長擦寫時間的擦寫參數，重復以上過程，直到最后的比較結果一致，輸出擦寫完成信號。
這樣，本發明就通過對不同的擦寫單元，由對應低功耗，短時間的擦寫參數開始不斷嘗試擦寫參數，直到回讀比較顯示擦寫數據正確。于是，對每個擦寫單元來說，其擦寫所用的參數就是這個單元能擦寫成功所對應的最小功耗和最短擦寫時間的擦寫參數。由于讀時間與擦寫時間相比可以忽略不計，所以與之前統一用能滿足所有擦寫單元的擦寫參數相比，性能上孰好孰壞就取決于擦寫嘗試的次數，這個嘗試次數與對應同一存儲器的不同擦寫單元所需的參數差別相關，當這個差別比較大時，如有個別擦寫單元需要大的擦寫功耗與長的擦寫時間，而其它的大部分擦寫單元不需要 時，運用本發明就可以使總的擦寫時間更短并且總的擦寫功耗更小。
以上通過具體實施方式對本發明進行了詳細的說明，但這些并非構成對本發明的限制。在不脫離本發明原理的情況下，本領域的技術人員還可做出許多變形和改進，這些也應視為本發明的保護范圍。