半導體存儲器件及其操作方法、存儲器系統與流程

半導體存儲器件及其操作方法、存儲器系統對相關申請的交叉引用本申請要求2012年5月17日向韓國知識產權局提交的韓國專利申請No.10-2012-0052593的優先權，通過引用將其全部內容并入于此。技術領域各個示例實施例涉及一種半導體存儲器件，并且更具體地涉及一種控制刷新周期的半導體存儲器件、存儲器系統、以及一種操作半導體存儲器件的方法。

背景技術：
廣泛用于高性能電子系統中的半導體器件的容量和速度持續增加。動態隨機存取存儲器（DRAM）（即，半導體器件的示例）是易失性存儲器，其中通過電容器中存儲的電荷來表示數據。由于電容器中存儲的電荷隨著時間泄漏，因此DRAM存儲單元具有有限數據保持特性。周期性地執行刷新操作以便維持在DRAM的存儲單元中存儲的數據。通常基于設計規范來確定刷新周期的定時，其中對于所有存儲單元應用具有統一值的刷新周期。然而，由于工藝技術的難度級別根據連續DRAM工藝規模而增加，DRAM器件上處理的統一性劣化，這可能造成制造產量劣化。

技術實現要素：
本公開提供了一種半導體存儲器件、存儲器系統、以及操作半導體存儲器件的方法，其中通過執行適于存儲單元的數據保持特性的刷新操作來降低產量劣化。本公開還提供了一種半導體存儲器件、存儲器系統、以及操作半導體存儲器件的方法，其中可以降低根據刷新操作的功率消耗，并且可以通過根據存儲單元的數據保持特性來調節刷新周期而穩定地維持數據。根據一個實施例，提供了一種半導體存儲器件，包括：存儲單元陣列、刷新控制電路、地址計數器和地址轉換器。存儲單元陣列包括多個存儲單元。刷新控制電路被配置為接收刷新命令并在一個刷新周期期間輸出m個刷新控制信號以便刷新該半導體存儲器件的所有存儲單元。地址計數器被配置為響應于m個刷新控制信號而產生用于刷新存儲單元的計數信號。地址轉換器被配置為接收計數信號并且通過響應于周期選擇信號而轉換計數信號來輸出刷新地址。地址轉換器被配置為輸出刷新地址，使得在一個刷新周期期間的m個刷新控制信號的數量是可變的。根據一個實施例，提供了一種包括存儲單元陣列的半導體存儲器件的方法。該方法包括：響應于外部刷新命令進入刷新模式；對于存儲單元陣列的所有存儲單元，在一個刷新周期期間響應于m個刷新控制信號來產生刷新地址；并且在一個刷新周期期間響應于刷新地址來周期性地刷新存儲單元陣列的第一數量的存儲單元。在一個刷新周期期間要刷新的存儲單元的第一數量是可變的。根據一個實施例，提供了一種包括存儲單元陣列、命令譯碼器和刷新控制電路的半導體存儲器件。該存儲單元陣列包括多個存儲單元。該命令譯碼器被配置為基于外部命令產生內部刷新命令。該刷新控制電路被配置為接收該內部刷新命令并在一個刷新周期期間輸出m個刷新控制信號，以便刷新半導體存儲器件的所有存儲單元。一個刷新控制信號要刷新的存儲單元的數量是可變的。附圖說明在下面結合附圖的具體描述中，示例實施例將變得更容易被理解，在附圖中：圖1是根據一些實施例的半導體存儲器件的框圖；圖2A到圖2C是根據實施例的每個描述一個刷新控制信號所刷新的存儲單元的數量的圖；圖3是根據實施例的圖1的地址轉換器的框圖；圖4是根據實施例的圖3的地址轉換器的框圖；圖5是描述根據實施例的在一個刷新周期中刷新的存儲單元的順序的框圖；圖6是圖示根據實施例的操作半導體存儲器件的方法的流程圖；圖7A和圖7B是根據實施例的圖1的周期信息存儲電路的框圖；圖8是描述根據實施例的使用半導體存儲器件的溫度信息的地址轉換操作的框圖；圖9A和圖9B是描述根據實施例的半導體存儲器件的框圖；圖10是根據實施例的半導體存儲器件的框圖；圖11是根據實施例的存儲器模塊和存儲器系統的框圖；圖12是根據實施例的向其安裝了半導體存儲器件的計算系統的框圖；以及圖13是根據實施例的半導體存儲器件的結構圖。具體實施方式下文中，將參考附圖具體描述示例實施例，參考附圖以便獲得對示例實施例的充分理解。如這里使用的，術語“和/或”包括關聯列出項目中一個或多個的任何和所有組合。將理解，盡管這里可以使用術語“第一”、“第二”等來描述各種元素、組件、區域、層和/或部分，但是這些元素、組件、區域、層和/或部分不應受到這些術語的限制。除非另有指示，否則這些術語僅僅被用來將一個元素、組件、區域、層或部分與另一元素、組件、區域、層或部分區分開。因此，下面討論的第一元素、組件、區域、層或部分可以被稱為第二元素、組件、區域、層或部分，而沒有偏離本公開的教導。這里使用的術語僅僅用于描述特定實施例，而不意圖作為對本公開的限制。如這里所使用的，單數形式“一”、“一個”和“該”同樣意圖包括復數形式，除非上下文清楚地指示不包括復數形式。還將理解，當在該說明書中使用術語“包括”和/或“包含”時，這樣的術語規定出現所敘述的特征、整數、步驟、操作、元素、組件和/或其編組，但是不排除出現或增加一個或多個其它特征、整數、步驟、操作、元素、組件和/或其編組。除非另有定義，否則這里使用的所有術語（包括技術術語和科學術語）具有與本發明所屬技術領域的技術人員通常理解的含義相同的含義。還將理解，諸如在公用字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與其在相關領域和該說明書的背景下的含義相同的含義，并且將不被解釋為理想化的或過于形式的含義，除非在這里明確地定義應被這樣解釋。除非這里按照特定順序明確定義，否則在本公開中描述的各個步驟可以按照其它順序執行。也就是說，可以按照特定順序、基本上同時、或者按照相反順序執行各個步驟。下文中，將參考附圖具體描述示例實施例。使用刷新系統，以便將數據維持在動態隨機存取存儲器（DRAM）中。刷新操作的示例包括響應于接收到外部刷新命令或外部刷新地址而執行的常規刷新操作、以及內部地產生刷新地址的自動刷新或自刷新操作。圖1是根據一些實施例的半導體存儲器件1000的框圖。如圖1所示，半導體存儲器件1000可以包括：包括多個存儲單元的存儲單元陣列1110、驅動存儲單元陣列1110的行（例如，字線WL）的行譯碼器1120、驅動存儲單元陣列1110的列（例如列選擇線CSL）的列譯碼器1130、以及讀出并放大數據的讀出放大器1140。而且，半導體存儲器件1000可以包括命令譯碼器1200、刷新控制電路1300、地址計數器1400和地址選擇器1600作為外圍電路，以訪問存儲單元陣列1110和/或執行刷新操作。半導體存儲器件1000可以是單片集成電路，諸如半導體芯片。替換地，半導體存儲器件1000可以包括半導體封裝中的一組芯片，諸如一堆半導體存儲器芯片。在該替換例中，每個芯片可以形成存儲單元陣列1110的一部分。主半導體芯片可以包括這里描述的在圖1所示的半導體存儲器件1000外部的、用于訪問和/或刷新存儲單元陣列1110的一些電路或所有電路。半導體存儲器件1000的電路還可以包括：地址轉換器1500，用于接收地址計數器1400所產生的計數信號Add_cnt，并且通過轉換計數信號Add_cnt的至少一個比特來輸出刷新地址Add_Ref；周期信息存儲電路1700，用于根據與刷新周期（refreshcycle）相關的輸入INPUT來存儲刷新周期信息；以及周期選擇器1800，用于響應于存儲在周期信息存儲電路1700中的刷新周期信息來輸出周期選擇信號Ctrl。命令譯碼器1200通過譯碼從半導體存儲器件1000外部接收的外部命令來產生內部命令。當外部命令是刷新命令CMD時，命令譯碼器1200譯碼該刷新命令CMD以產生內部刷新命令Int_CMD并將該內部刷新命令Int_CMD提供給刷新控制電路1300。刷新控制電路1300接收該內部刷新命令Int_CMD，并且響應于該內部刷新命令Int_CMD產生刷新控制信號C_Ref。例如，為了刷新在存儲單元陣列1110中包括的所有存儲單元，可以在一個刷新周期中從半導體存儲器件1000外部提供多個刷新命令CMD，并且可以為每個刷新命令CMD產生內部刷新命令Int_CMD和刷新控制信號C_Ref。替換地，半導體存儲器件1000可以接收用于指令半導體存儲器件1000進入自刷新模式的外部命令。在自刷新模式中，刷新控制電路1300可以響應于內部時鐘信號（例如，利用半導體存儲器件1000中的振蕩器（未示出）周期性地產生的內部時鐘信號）來產生刷新控制信號C_Ref。自刷新模式可以連續，使得依序執行多個刷新周期（直至退出自刷新模式為止），其中每個刷新周期包括針對有效的存儲單元陣列1110的多個行或全部行的刷新操作。地址計數器1400通過響應于刷新控制信號C_Ref執行計數操作，來產生計數信號Add_cnt。為了對存儲單元陣列1110執行刷新操作，計數信號Add_cnt包括與用于驅動行的地址相關的信息。存儲單元陣列1110包括多個區域，并且計數信號Add_cnt包括至少一個地址比特。上述的存儲單元陣列1110的區域可以是以通過一個行地址選擇的頁為單位，其中根據計數信號Add_cnt的比特值選擇至少一頁，并且包括在所選擇的頁中的存儲單元被刷新。地址轉換器1500通過轉換計數信號Add_cnt的至少一個比特來產生刷新地址Add_Ref，并且當所產生的刷新地址Add_Ref被提供給行譯碼器1120時，選擇存儲單元陣列1110的要刷新的區域。通過根據地址轉換器1500的地址轉換操作的一個內部刷新命令Int_CMD，來調節要刷新的存儲單元的數量（或頁的數量）。替換地，可以通過一個刷新命令CMD或一個刷新控制信號C_Ref來調節要刷新的存儲單元的數量（或頁的數量）。地址轉換器1500的地址轉換操作可以包括不關心處理（don’tcareprocess）計數信號Add_cnt的至少一個比特或關心處理計數信號Add_cnt的至少一個比特的操作。通過不關心處理計數信號Add_cnt的至少一個比特，可以增加要通過一個刷新控制信號C_Ref刷新的存儲單元的數量；或者通過關心處理計數信號Add_cnt的至少一個比特，可以減少要通過一個刷新控制信號C_Ref刷新的存儲單元的數量。地址選擇器1600接收刷新地址Add_Ref連同從半導體存儲器件1000外部提供的地址Add。來自半導體存儲器件1000外部的地址Add可以被提供用于半導體存儲器件1000的常規操作，其中地址選擇器1600根據半導體存儲器件1000的操作模式，選擇性地輸出刷新地址Add_Ref或地址Add。地址Add可以包括提供給行譯碼器1120的行地址和提供給列譯碼器1130的列地址，并且刷新地址Add_Ref可以具有用于選擇存儲單元陣列1110的至少一頁的地址值。周期信息存儲電路1700根據與刷新周期相關的輸入INPUT，以非易失性方式存儲半導體存儲器件1000的刷新周期信息。周期信息存儲電路1700是用于存儲信息的器件，并且可以包括諸如寄存器或熔絲（包括常規熔絲或反熔絲）的存儲器件，或者可以通過用于通過金屬線固定地存儲信息的單元來實現。例如，周期信息存儲電路1700可以以包括熔絲（包括常規熔絲或反熔絲）的陣列、或以存儲半導體存儲器件1000的操作模式的模式寄存器組（MRS）來實現。當周期信息存儲電路1700以金屬線或激光熔絲（其在通過激光束切斷熔絲時存儲信息）實現時，半導體存儲器件1000的刷新周期信息可以具有固定值。另一方面，當周期信息存儲電路1700以包括多個寄存器的MRS、或者電熔絲（其通過電信號（或電壓信號）存儲信息）實現時，半導體存儲器件1000的刷新周期信息可以由用戶任意設置，并且根據由用戶設置的刷新周期來執行刷新操作。周期選擇器1800從周期信息存儲電路1700接收刷新周期信息，并且響應于該刷新周期信息而產生用于控制地址轉換操作的周期選擇信號Ctrl。地址轉換器1500的地址轉換操作可以由來自周期選擇器1800的周期選擇信號Ctrl控制，其中，每個刷新控制信號C_Ref刷新的存儲單元的數量根據地址轉換操作而變化。因此，可以根據來自周期選擇器1800的周期選擇信號Ctrl來控制刷新周期（或者刷新存儲單元陣列1110的所有存儲單元所花費的時間）。周期選擇信號Ctrl可以包括用于控制計數信號Add_cnt的至少一個比特的轉換的至少一個控制信號。根據刷新控制信號C_Ref的產生，至少一個控制信號可以具有不同的值，并且因此可以將刷新控制信號C_Ref提供給周期選擇器1800。在圖1中，周期信息存儲電路1700和周期選擇器1800被圖示為不同的功能塊，但本公開實施例不限于此。例如，周期信息存儲電路1700和周期選擇器1800可以被實現為相同的功能塊，其中，可以根據所存儲的刷新周期信息來產生周期選擇信號Ctrl，并將其提供給地址轉換器1500。存儲單元陣列1110包括多個區域，例如n個區域。而且，可以響應于刷新命令CMD或內部時鐘信號（未示出）來產生刷新控制信號C_Ref，并且當通過一個刷新控制信號C_Ref來刷新在存儲單元陣列1110的一個區域中包括的存儲單元時，可以通過n個刷新控制信號C_Ref來刷新存儲單元陣列1110的所有區域中的存儲單元。替換地，可以通過一個刷新控制信號C_Ref來刷新在兩個區域中包括的存儲單元，此時刷新周期減半。根據實施例，基于周期選擇器1800的周期選擇操作和地址轉換器1500的地址轉換操作，被刷新的存儲單元的數量可以根據刷新命令CMD的輸入（或者刷新控制信號C_Ref或內部刷新命令Int_CMD的產生）而變化。因此，在一個刷新周期中被刷新控制信號C_Ref刷新的存儲單元的平均數量可能按照預定參考數量（例如a）的整數倍增加或減少，并且按照預定參考數量的正實數倍（例如1.25*a）增加或減少。換句話說，半導體存儲器件1000的刷新周期可以按照預定參考周期（例如64ms）的整數倍增加或減少，并且按照預定參考周期的正實數倍增加或減少。根據這里公開的實施例，由于根據存儲單元的數據保持特性，刷新周期可以按照精確間隔增加或減少，因此可以設置最優于存儲單元的特性的刷新周期，并且可以防止由于存儲單元的刷新特性偏離規范而產生的產量劣化。而且，如果根據存儲單元的特性，刷新周期需要短，則可以以參考周期的小數倍為單位來調節刷新周期，而不是以參考周期的整數倍為單位（例如，參考周期的兩倍）來調節刷新周期，因此可以防止由于頻繁刷新而引起的功率消耗增加。圖2A到圖2C是每個描述根據實施例的一個刷新控制信號所刷新的存儲單元的數量的圖。在圖2A到圖2C中，橫軸表示時間t，縱軸表示存儲單元的數量（單元數目）。橫軸上示出的數字可以表示依序產生的n個刷新控制信號（下文中，稱為第一到第n刷新控制信號）。現在將參考圖1和圖2A到圖2C來描述根據實施例的半導體存儲器件的操作。圖2A的圖示出了每個刷新控制信號C_Ref刷新相同數量的存儲單元的示例。在圖2A的圖中，一個刷新控制信號C_Ref要刷新的存儲單元的數量與預定參考數量（例如a）的小數倍（例如，整數值或非整數的小數值）對應。例如，預定參考數量可以指示當半導體存儲器件1000的總刷新周期為64ms時一個刷新控制信號C_Ref要刷新的存儲單元的數量。替換地，可以將刷新控制信號C_Ref基于另一刷新周期要刷新的存儲單元的數量確定為預定參考數量。根據實施例，根據一個刷新控制信號C_Ref，取代參考數量的整數倍，可以刷新與小數倍（例如，1.25*a）對應數量的存儲單元。在一個實施例中，半導體存儲器件1000可以具有分別由四個刷新控制信號（C_RefA到D）控制的四個存儲體（A到D）。例如，響應于每個控制信號（例如邏輯電平“H”）在一個刷新周期期間要刷新的每個存儲體的存儲單元的數量為“a”，而響應于每個控制信號（例如邏輯電平“L”）在一個刷新周期期間要刷新的每個存儲體的存儲單元的數量為“2*a”。當控制信號C_RefA為L,H,H,H,L,H,H,H...、控制信號C_RefB為H,L,H,H,H,L,H,H...、控制信號C_RefC為H,H,L,H,H,H,L,H...、以及控制信號C_RefD為H,H,H,L,H,H,H,L…時，相應的刷新控制信號要刷新的半導體存儲器件1000的存儲單元的平均數量為1.25*a。在一個實施例中，存儲單元陣列1110可以包括多個存儲體（例如，4個存儲體）。每個存儲體包括多個區域，并且按照刷新地址Add_Ref來刷新每個存儲體的區域中的存儲單元。可以對多個存儲體同時執行刷新操作，其中在每個存儲器中刷新的存儲單元的數量可以由地址轉換器1500的地址轉換操作不同地控制。例如，為了指定任一個存儲體（例如，第一存儲體）中要刷新的區域，對計數信號Add_cnt的至少一個比特進行不關心處理，使得刷新地址Add_Ref是至少一個比特處于不關心狀態。因此，第一存儲體的至少兩個區域中的存儲單元被同時刷新。另一方面，不對其余存儲體的刷新地址Add_Ref進行不關心處理，因此每個存儲體的一個區域中的存儲單元被刷新。然后，用于指定響應于接下來的刷新控制信號C_Ref要刷新的另一存儲體（例如，第二存儲體）的區域的刷新地址的至少一個比特被返回到不關心狀態，而其余存儲體的刷新地址未被返回到不關心狀態。通過對所有存儲體這樣依序執行刷新操作，在一個刷新周期中根據每個刷新控制信號C_Ref要刷新的存儲單元的平均數量可以具有與預定參考數量“a”的小數倍對應的值（例如，1.25*a）。圖2B的圖示出了根據每個刷新控制信號C_Ref刷新不同數量的存儲單元的示例。在圖2B的圖中，將一個存儲體（例如第一存儲體）描述為示例，而可以以與第一存儲體相同或相似的方式來刷新其它存儲體。根據第一刷新控制信號C_Ref，將用于指定第一存儲體的要刷新的區域的刷新地址Add_Ref的至少一個比特返回到不關心狀態，因此選擇了第一存儲體的多個區域（例如兩個區域）中的存儲單元。因此，刷新與參考數量的兩倍（2*a）對應數量的存儲單元。然后，根據第二刷新控制信號C_Ref，刷新地址Add_Ref未處于不關心狀態，因此選擇并刷新與第一存儲體的一個區域對應的存儲單元（1*a）。然后，根據接下來的刷新控制信號C_Ref，可以交替執行以上操作。在此情況下，在一個刷新周期中根據每個刷新控制信號C_Ref刷新的存儲單元的平均數量可以與參考數量的小數倍對應。例如，在圖2B的圖的實施例中，根據每個刷新控制信號C_Ref刷新的存儲單元的平均數量可以為1.5*a。由于增加了根據每個刷新控制信號C_Ref刷新的存儲單元的平均數量，因此減小了用于刷新存儲單元陣列1110的所有存儲單元的刷新周期。替換地，根據相應的刷新控制信號C_Ref，將用于指定第一存儲體的要刷新的區域的刷新地址Add_Ref的至少一個比特返回到不關心狀態，因此選擇第一存儲體的多個區域（例如兩個區域）中的存儲單元。因此，刷新與參考數量的兩倍（2*a）對應數量的存儲單元。在此情況下，在一個刷新周期中根據每個刷新控制信號C_Ref刷新的存儲單元的平均數量可以與參考數量的整數倍對應。例如，根據每個刷新控制信號C_Ref刷新的存儲單元的平均數量可以為2*a。圖2C的圖示出了根據每個刷新控制信號C_Ref刷新不同數量的存儲單元的示例，具體地是更精確地控制刷新周期的示例。在圖2C的圖中，一個存儲體（例如第一存儲體）被描述為示例，可以以與第一存儲體相同或相似的方式刷新其它存儲體。與圖2B的圖的示例不同，不關心處理刷新地址的至少一個比特的時間間隔被設置得較大，例如，每三個刷新控制信號C_Ref執行一次不關心轉換。例如，在圖2C的圖的示例中，根據每個刷新控制信號C_Ref要刷新的存儲單元的平均數量可以為1.33*a。這里，與圖2B的圖的示例相比，可以進一步降低根據每個刷新控制信號C_Ref要刷新的存儲單元的平均數量。圖3是根據實施例的圖1的地址轉換器1500的框圖。為了便于描述，除了地址轉換器1500外，圖3還圖示了周期信息存儲電路1700和周期選擇器1800。周期信息存儲電路1700可以被實現為以非易失性方式存儲信息的各種電路中的任何一種。例如，如圖3所示，周期信息存儲電路1700可以包括MRS或熔絲單元（例如常規熔絲或反熔絲）。可以將用戶可編程的電熔絲用作熔絲單元，或者替換地，當周期信息存儲電路1700被實現為MRS時，可以根據用戶的輸入來設置并轉換周期信息。周期選擇器1800響應于來自周期信息存儲電路1700的刷新周期信息，產生周期選擇信號Ctrl。周期選擇信號Ctrl包括至少一個控制信號，并且例如，當在計數信號Add_cnt中包括的兩個比特控制是否執行不關心處理時，周期選擇信號Ctrl可以包括第一和第二控制信號Ctrl1和Ctrl2。當計數信號Add_cnt中其它數量的比特控制是否執行不關心處理時，周期選擇信號Ctrl可以包括其它數量的控制信號。地址轉換器1500包括至少一個比特轉換器，并且例如，當計數信號Add_cnt包括m個比特時，地址轉換器1500可以包括第一到第m比特轉換器1500_1到1500_m。第一到第m比特轉換器1500_1到1500_m分別接收計數信號Add_cnt的m個比特。第一比特轉換器1500_1可以接收作為計數信號Add_cnt的最高有效比特的第m比特AC[m]，且第m比特轉換器1500_m可以接收作為計數信號Add_cnt的最低有效比特的第一比特AC[1]。在轉換計數信號Add_cnt的至少一個比特時，可以使用來自周期選擇器1800的控制信號（例如，第一和第二控制信號Ctrl1和Ctrl2）。在比特轉換操作期間，計數信號Add_cnt的至少一個比特可以被不關心處理或可以不被不關心處理。當控制對計數信號Add_cnt的兩個最高有效比特進行不關心處理時，第一比特轉換器1500_1接收第m比特AC[m]并響應于第一控制信號Ctrl1來控制是否對第m比特AC[m]進行不關心處理。例如，當第一控制信號Ctrl1處于第一邏輯狀態時，第一比特轉換器1500_1對第m比特AC[m]進行不關心處理，并且當第一控制信號Ctrl1處于第二邏輯狀態時，第一比特轉換器1500_1不對第m比特AC[m]進行不關心處理。當第m比特AC[m]被不關心處理時，與第m比特AC[m]對應的互補輸出AR[m]和ARB[m]處于相同狀態。另一方面，當第m比特AC[m]未被不關心處理時，與第m比特AC[m]對應的互補輸出AR[m]和ARB[m]處于不同狀態。互補輸出AR[m]和ARB[m]包括與刷新地址Add_Ref的任一比特對應的信息。類似地，第二比特轉換器1500_2接收第m-1比特AC[m-1]并響應于第二控制信號Ctrl2來控制是否對第m-1比特AC[m-1]進行不關心處理。當第m-1比特AC[m-1]被不關心處理時，與第m-1比特AC[m-1]對應的互補輸出AR[m-1]和ARB[m-1]處于相同狀態。另一方面，當第m-1比特AC[m-1]未被不關心處理時，互補輸出AR[m-1]和ARB[m-1]處于不同狀態。例如，當刷新地址Add_Ref包括與6比特對應的信息并且僅僅控制計數信號Add_cnt的第m比特AC[m]的不關心狀態時，根據第m比特AC[m]的不關心狀態改變由刷新地址Add_Ref指定的存儲單元陣列1110的區域。換句話說，當第m比特AC[m]未被不關心處理時，可以基于刷新地址Add_Ref的6比特信息來刷新64個區域中任一區域中的存儲單元。另一方面，當第m比特AC[m]被不關心處理時，僅僅基于刷新地址Add_Ref中的其余比特的信息來選擇區域，而與第m比特AC[m]無關，因此可以刷新64個區域中兩個區域中的存儲單元。換句話說，通過控制是否對刷新地址Add_Ref的至少一個比特進行不關心處理，可以通過一個刷新控制信號來控制要刷新的存儲單元的數量。圖4是根據實施例的圖3的地址轉換器1500的電路圖。如圖4所示，地址轉換器1500可以包括第一到第m比特轉換器1500_1到1500_m。而且，第一到第m比特轉換器1500_1到1500_m中的每個可以包括至少一個邏輯元件。例如，當第一比特轉換器1500_1響應于來自周期選擇器1800的周期選擇信號Ctrl執行用于控制是否進行不關心處理的轉換操作時，第一比特轉換器1500_1除了包括反相器外，還可以包括接收第一控制信號Ctrl1的至少一個邏輯元件（例如NAND門）。另一方面，第m比特轉換器1500_m可以包括一個或多個反相器，用于通過使用計數信號Add_cnt的對應比特來產生互補輸出（AR[1]和ARB[1]），而無需控制是否對該對應比特進行不關心處理。地址轉換器1500的互補輸出AR[1]和ARB[1]到AR[m]和ARB[m]被提供為刷新地址Add_Ref。現在將參考第一比特轉換器1500_1來描述根據第一和第二控制信號Ctrl1和Ctrl2的地址轉換操作。當第一控制信號Ctrl1處于第一邏輯狀態（例如邏輯低）時，第一比特轉換器1500_1產生處于相同狀態（例如邏輯高）的互補輸出AR[m]和ARB[m]，而與計數信號Add_cnt的第m比特AC[m]的邏輯狀態無關。第一比特轉換器1500_1的互補輸出AR[m]和ARB[m]是關于刷新地址Add_Ref的第m比特的信息，并且被提供給圖1的行譯碼器1120。由于刷新地址Add_Ref的第m比特被不關心處理，因此至少兩個區域中的存儲單元被刷新。另一方面，當第一控制信號Ctrl1處于第二邏輯狀態（例如邏輯高）時，第一比特轉換器1500_1產生與計數信號Add_cnt的第m比特AC[m]的邏輯狀態對應的互補輸出AR[m]和ARB[m]。例如，當計數信號Add_cnt的第m比特AC[m]處于邏輯高時，互補輸出的一個輸出AR[m]處于邏輯高，而互補輸出的另一輸出ARB[m]處于邏輯低。處于不同狀態的互補輸出AR[m]和ARB[m]被提供給行譯碼器1120，并且刷新與互補輸出AR[m]和ARB[m]的狀態對應的任一區域中的存儲單元。圖5是描述根據實施例的在一個刷新周期中刷新的存儲單元的順序的框圖。為了便于描述，圖5圖示了一個存儲塊包括8頁的示例。然而，可以在存儲塊中包括更多頁，并且顯然基于圖5的示例可以以相同或類似方式刷新包括多個存儲塊的存儲體。如果計數信號Add_cnt具有3個比特，則當一個刷新周期開始時，響應于外部命令（或內部時鐘信號）產生第一內部刷新命令Int_CMD1。根據與第一內部刷新命令Int_CMD1對應的第一刷新控制信號來產生計數信號Add_cnt。計數信號Add_cnt可以首先具有值“000”，并且根據地址轉換操作，計數信號Add_cnt的最高有效比特被不關心處理。因此，選擇與地址“x00”對應的頁，并且例如刷新第一頁（頁[1]）和第五頁（頁[5]）中的存儲單元。然后，響應于接下來的命令產生第二內部刷新命令Int_CMD2，并產生具有值“001”的計數信號Add_cnt。而且，在地址轉換操作期間，計數信號Add_cnt的最高有效比特未被不關心處理，因此選擇與地址“001”對應的頁，并且例如刷新第二頁（頁[2]）中的存儲單元。然后，響應于接下來的命令產生第三內部刷新命令Int_CMD3，并且通過對與最高有效比特對應的比特進行計數來產生具有值“101”的計數信號Add_cnt。而且，在地址轉換操作期間，計數信號Add_cnt的最高有效比特未被不關心處理，因此選擇與地址“101”對應的頁，并且例如刷新第六頁（頁[6]）中的存儲單元。同時，響應于接下來的命令產生第四內部刷新命令Int_CMD4，并且可以通過對最低有效比特和最高有效比特執行計數操作來產生具有值“010”的計數信號Add_cnt。而且，在地址轉換操作期間，計數信號Add_cnt的最高有效比特被不關心處理。因此，選擇與地址“x10”對應的頁，并且例如刷新第三頁和第七頁（頁[3]和頁[7]）中的存儲單元。接下來，響應于接下來的命令依序產生第五和第六內部刷新命令Int_CMD5和Int_CMD6。通過根據第五內部刷新命令Int_CMD5產生的刷新控制信號來執行計數操作，并且在沒有對所產生的計數信號Add_cnt產生不關心比特的情況下刷新第四頁（頁[4]）中的存儲單元。而且，通過根據第六內部刷新命令Int_CMD6產生的刷新控制信號，刷新第八頁（頁[8]）中的存儲單元。根據圖5所示的實施例，在刷新存儲單元陣列中的多個區域時，可以以小數倍而非整數倍來增加或減少每個刷新控制信號要刷新的存儲單元的數量。例如，在刷新圖5中8頁的所有存儲單元時，通過6個而非8個（×1倍）刷新控制信號（或內部刷新命令）或4個（×2倍）刷新控制信號，來刷新全部存儲單元。換句話說，當通過8個（×1倍）刷新控制信號刷新全部存儲單元時，其刷新周期被定義為64ms（參考周期），根據圖5的實施例，刷新周期可以被控制為參考周期的小數倍而非參考周期的整數倍（諸如64ms、32ms、128ms）。換句話說，當存儲單元陣列包括2*n個區域，并且在其中通過2*n個刷新控制信號刷新該存儲單元陣列中的全部存儲單元的刷新周期被定義為參考周期，根據本發明構思實施例，可以通過少于2*n個刷新控制信號來刷新存儲單元陣列的全部存儲單元。替換地，在一個刷新周期中每個刷新控制信號要刷新的存儲單元的平均數量方面，可以如下地描述本公開實施例。當假設在參考刷新周期中通過未處于不關心狀態的一個刷新地址來選擇存儲單元陣列中的存儲單元時，根據實施例，在一個刷新周期中每個刷新控制信號要刷新的存儲單元的平均數量可以具有a的整數倍之外的值。換句話說，如上所述，在控制刷新周期的同時，除了a的整數倍（諸如2*a或3*a）之外，還可以將每個刷新控制信號要刷新的存儲單元的平均數量控制為a的小數倍（諸如1.25*a或1.5*a）。在圖5的實施例中，控制對計數信號Add_cnt的最高有效比特的不關心處理，其中可以控制對計數信號Add_cnt的其它比特的不關心處理。換句話說，通過不同地設置計數操作或用于控制計數信號Add_cnt的不關心處理的操作，可以改變一個存儲塊中刷新的頁的順序。圖6是圖示根據實施例的操作半導體存儲器件的方法的流程圖。如圖6所示，在操作S11中，設置并在半導體存儲器件中的存儲電路中存儲刷新周期信息。可以通過使用金屬線或激光熔絲固定地存儲信息的單元、或者通過使用電熔絲或寄存器組能夠由用戶設置并改變信息的單元，來存儲刷新周期信息。在操作S12中，半導體存儲器件響應于外部刷新命令的接收而進入刷新模式。通過進入刷新模式，通過在半導體存儲器件中包括的計數器產生用于指派要刷新的區域的計數信號。可以響應于外部刷新命令、或者由產生時鐘信號的電路（諸如半導體存儲器件中的振蕩器）來執行計數操作。在操作S13中，根據該計數操作執行第k地址計數并且由此產生計數信號。以與上述方式相同或類似的方式對該計數信號執行地址轉換操作，并且地址轉換操作可以包括用于控制是否對該計數信號的至少一個比特進行不關心處理的操作。在操作S14中，對根據第k地址計數的計數信號的至少一個比特進行不關心處理，響應于其中至少一個比特被不關心處理的刷新地址來選擇存儲單元陣列的一些區域，并且刷新在所選擇的區域中包括的A數量的存儲單元。然后，響應于接下來的刷新命令（或接下來的時鐘信號）執行計數操作。在操作S15中，根據該計數操作，執行第k+1地址計數并且因此產生計數信號。不對根據第k+1地址計數的計數信號執行用于產生不關心比特的地址轉換操作，并且因此響應于未處于不關心狀態的刷新地址來選擇存儲單元陣列中的一些其它區域。因此，在操作S16中刷新B數量的存儲單元，其中A和B具有不同值。圖7A和圖7B是根據實施例的圖1的周期信息存儲電路1700的框圖。在圖7A的圖中，周期信息存儲電路1700被實現為熔絲陣列或反熔絲陣列1700A。熔絲陣列或反熔絲陣列1700A可以包括以矩陣形式布置的多個熔絲或反熔絲。如上所示，當通過激光束對熔絲或反熔絲編程時，可以以非易失性方式存儲刷新周期信息。替換地，當通過電信號（例如高電壓信號）對熔絲或反熔絲編程時，可以根據用戶輸入以非易失性方式存儲刷新周期信息。在熔絲陣列或反熔絲陣列1700A中存儲的刷新周期信息以熔絲數據形式被提供給周期選擇器1800。周期選擇器1800響應于包括刷新周期信息的熔絲數據，產生包括至少一個控制信號的周期選擇信號Ctrl。同時，在圖7B的圖中，周期信息存儲電路1700被實現為MRS1700B。MRS1700B可以是在半導體存儲器件中包括的用于存儲操作模式信息的MRS。根據實施例，MRS1700B除了存儲操作模式信息之外，還存儲刷新周期信息，并且刷新周期信息可以根據用戶輸入的設置信息而被存儲在MRS1700B中。在半導體存儲器件的初始操作期間，刷新周期信息以來自MRS1700B的MRS碼的形式被提供給周期選擇器1800。周期選擇器1800響應于包括刷新周期信息的MRS碼，產生包括至少一個控制信號的周期選擇信號Ctrl。圖8是描述根據實施例的使用圖1的半導體存儲器件1000的溫度信息的地址轉換操作的框圖。如圖8所示，根據實施例的半導體存儲器件1000除了包括上述的周期信息存儲電路1700、周期選擇器1800和地址轉換器1500之外，還包括溫度傳感器1900。可以與各種操作的控制（諸如改變半導體存儲器件1000的操作電壓）相關地使用從溫度傳感器1900輸出的溫度信息（TempInfo）。根據實施例，溫度信息TempInfo被提供給周期選擇器1800，以便根據溫度信息TempInfo來改變刷新周期。周期信息存儲電路1700以非易失性方式存儲用于刷新半導體存儲器件1000的刷新周期信息，并且例如可以存儲可由用戶設置并改變的信息。周期選擇器1800通過將來自溫度傳感器1900的溫度信息TempInfo和用戶設置的周期信息（用戶信息，UserInfo）用作刷新周期信息，產生周期選擇信號Ctrl。如上所述，周期選擇信號Ctrl可以包括至少一個控制信號。通過在周期選擇信號Ctrl中包括的至少一個控制信號來控制對計數信號Add_cnt的至少一個比特的不關心處理，并且響應于一個刷新控制信號來控制要刷新的存儲單元的數量。根據溫度信息TempInfo產生周期選擇信號Ctrl，因此可以根據測量半導體存儲器件1000內部的溫度的結果來設置優化的刷新周期。例如，當半導體存儲器件1000內部的溫度升高時，存儲單元可以被更頻繁地刷新，并且因此當半導體存儲器件1000內部的溫度升高時刷新周期可以被設置得較短。根據溫度信息TempInfo輸出具有不同值的周期選擇信號Ctrl，因此計數信號Add_cnt中被不關心處理的一個或多個比特的數量增加。在此情況下，由于在一個刷新周期中每個刷新控制信號要刷新的存儲單元的平均數量可以增加并且刷新全部存儲單元所花費的時間可以減少，因此可以將刷新周期設置得較短。另一方面，當半導體存儲器件1000內部的溫度降低時，可以將刷新周期設置得較長。周期選擇器1800根據溫度信息TempInfo產生周期選擇信號Ctrl，并將該周期選擇信號Ctrl提供給地址轉換器1500。由于半導體存儲器件1000內部的溫度降低，因此計數信號Add_cnt中被不關心處理的一個或多個比特的數量降低，因此在一個刷新周期中每個刷新控制信號要刷新的存儲單元的平均數量可以降低。刷新周期可以根據每個刷新控制信號要刷新的存儲單元的平均數量的降低率而增加。圖9A和圖9B是描述根據一個實施例的半導體存儲器件2000的框圖。在圖9A中，第一到第四存儲體2110到2140被包括在半導體存儲器件2000中作為多個存儲體。如圖9A所示，半導體存儲器件2000包括：存儲單元陣列，其包括第一到第四存儲體2110到2140；以及用于驅動該存儲單元陣列的外圍電路區域。為了驅動存儲單元陣列，可以在半導體存儲器件2000中包括第一和第二行譯碼器2210和2220、以及第一和第二列譯碼器2310和2320，并且為了控制對存儲單元陣列的刷新操作，可以在半導體存儲器件2000中包括周期選擇器2400和地址轉換器2500。現在將參考第一和第二存儲體2110和2120來描述刷新操作。地址轉換器2500通過基于來自周期選擇器2400的周期選擇信號Ctrl對計數信號（未示出）的至少一個比特執行地址轉換操作，來產生刷新地址Add_Ref。刷新地址Add_Ref可以被共同地提供給用于驅動第一存儲體2110的第一行譯碼器2210、以及用于驅動第二存儲體2120的第二行譯碼器2220。根據實施例，可以響應于任一刷新控制信號或任一刷新地址Add_Ref，刷新第一和第二存儲體2110和2120中不同數量的存儲單元。例如，響應于被共同地提供給第一和第二存儲體2110和2120的刷新地址Add_Ref，可以刷新在第一存儲體2110的一頁中包括的存儲單元，而可以刷新在第二存儲體2120的兩頁中包括的存儲單元。第一和第二行譯碼器2210和2220中的每個接收并譯碼刷新地址Add_Ref以選擇要刷新的區域。刷新地址Add_Ref中的每個比特具有互補輸出，并且根據地址轉換操作的結果，刷新地址Add_Ref的至少一個比特可以處于不關心狀態。第一行譯碼器2210和/或第二行譯碼器2220可以包括用于改變互補輸出的至少一個值的邏輯元件（未示出），并且可以通過在刷新操作期間選擇性地驅動該邏輯元件來控制在每個存儲體中要刷新的存儲單元的數量。圖9B圖示了刷新第一和第二存儲體2110和2120的存儲單元的示例。如圖9B所示，在第一存儲體2110中，同時刷新兩頁中的存儲單元，這是由于當產生第二和第三內部刷新命令Int_CMD2和Int_CMD3或刷新控制信號Ctrl2和Ctrl3時應用了不關心狀態；然而在第二存儲體2120中，同時刷新兩頁中的存儲單元，這是由于當產生第一和第四內部刷新命令Int_CMD1和Int_CMD4或刷新控制信號Ctrl1和Ctrl4時應用了不關心狀態。圖10是根據一個實施例的半導體存儲器件3000的框圖。在圖10中，在半導體存儲器件3000中包括多個第一和第二周期選擇器3410和3420、以及多個第一和第二地址轉換器3510和3520，以便驅動每個存儲體。如圖10所示，半導體存儲器件3000包括：存儲單元陣列，其包括第一到第四存儲體3110到3140；以及用于驅動該存儲單元陣列的第一和第二行譯碼器3210和3220以及第一和第二列譯碼器3310和3320。第一行譯碼器3210可以驅動至少一個存儲體，例如第一和第三存儲體3110到3130。而且，第二行譯碼器3220可以驅動至少一個存儲體，例如第二和第四存儲體3120和3140。為了針對一個刷新控制信號根據存儲體刷新不同數量的存儲單元，可以在半導體存儲器件3000中包括至少兩個周期選擇器和地址轉換器。例如，可以在半導體存儲器件3000中包括第一和第二周期選擇器3410和3420以及第一和第二地址轉換器3510和3520。可以將刷新周期信息（CycleInfo）提供給第一和第二周期選擇器3410和3420中的每一個，并且第一和第二周期選擇器3410和3420可以響應于該刷新周期信息CycleInfo而產生不同的周期控制信號Ctrla和Ctrlb。第一地址轉換器3510響應于來自第一周期選擇器3410的周期控制信號Ctrla，產生第一刷新地址Add_Ref1，且第二地址轉換器3520響應于來自第二周期選擇器3420的周期控制信號Ctrlb，產生第二刷新地址Add_Ref2。參考第一和第二存儲體3110和3120，即使刷新周期相同，通過不同地設置應用不關心狀態的定時，每個刷新控制信號也可以刷新第一和第二存儲體3110和3120中不同數量的存儲單元。同時，根據當前實施例，可以在每個存儲器中根據不同的刷新周期來執行刷新操作。例如，可以將具有不同值的刷新周期信息CycleInfo提供給第一和第二周期選擇器3410和3420，并且第一和第二周期選擇器3410和3420根據對應的刷新周期信息CycleInfo來產生周期控制信號Ctrla和Ctrlb。例如，當第一存儲體3110的刷新周期小于第二存儲體3120的刷新周期時，第一刷新地址Add_Ref1的至少一個比特可以頻繁地處于不關心狀態，使得在一個刷新周期中每個刷新控制信號要刷新的第一存儲體3110中的存儲單元的平均數量高于在一個刷新周期中每個刷新控制信號要刷新的第二存儲體3120中的存儲單元的平均數量。圖11是根據實施例的存儲器模塊4200和存儲器系統4000的框圖。如圖11所示，根據實施例，存儲器系統4000包括存儲器控制器4100和存儲器模塊4200。而且，存儲器模塊4200包括在模塊板上提供的一個或多個半導體存儲器件4210，其中半導體存儲器件4210可以是動態隨機存取存儲器（DRAM）芯片。而且，用于管理半導體存儲器件4210的存儲器操作的存儲器管理芯片4220也可以被提供在模塊板上。存儲器控制器4100提供用于控制在存儲器模塊4200中包括的半導體存儲器件4210的各種信號，例如命令/地址CMD/ADD和時鐘信號CLK，并且通過與存儲器模塊4200通信而向或從半導體存儲器件4210提供或接收數據信號DQ。存儲器管理芯片4220管理半導體存儲器件4210的存儲器操作，并且還管理根據本發明構思的實施例的刷新操作。為了管理刷新操作，存儲器管理芯片4220可以包括芯片信息存儲單元4221和刷新調度器4222。芯片信息存儲單元4221以非易失性方式存儲存儲器特性信息，并且如上所述可以以使用熔絲或反熔絲的熔絲陣列來實現。芯片信息存儲單元4221可以將半導體存儲器件4210的刷新周期信息存儲為各種存儲器特性信息中的一種。如上所述，刷新周期信息可以被固定地存儲在芯片信息存儲單元4221中，或者可以由用戶設置地或可改變地存儲。刷新調度器4222管理半導體存儲器件4210的刷新操作。例如，刷新調度器4222響應于外部刷新命令或在自刷新模式期間產生的內部時鐘信號來產生計數信號，并且以與上述方式相同或相似的方式基于刷新周期信息來轉換該計數信號的至少一個比特。因此，根據半導體存儲器件4210產生刷新地址Add_Ref#1-n，并且將其提供給對應的半導體存儲器件4210。如上所述，可以控制每個半導體存儲器件4210的刷新周期。替換地，根據半導體存儲器件4210，每個刷新控制信號可以刷新不同數量的存儲單元，或者對于每個半導體存儲器件4210，可以根據不同的刷新周期來執行刷新操作。同時，在圖11的實施例中，通過導線在存儲器控制器4100和存儲器模塊4200之間、以及在存儲器模塊4200中的半導體存儲器件4210和存儲器管理芯片4220之間傳遞信號，但是本發明構思的實施例不限于此。例如，可以通過光學輸入/輸出（IO）連接在存儲器控制器4100和存儲器模塊4200之間、在半導體存儲器件4210和存儲器管理芯片4220之間、或者在多個半導體存儲器件4210之間傳遞信號。例如，可以通過使用利用射頻（RF）波或超聲波的輻射方法、利用磁感應的感應耦合方法、或者利用磁諧振的非輻射方法來傳遞信號。輻射方法是通過使用天線（諸如單極或平面倒-F天線（planarinverted-FantennaPIFA））無線地傳遞信號的方法。當根據時間而改變的電場或磁場彼此影響時產生輻射，并且當存在具有相同頻率的天線時根據入射波的極化特性可以接收信號。感應耦合方法是通過將線圈纏繞多次來沿一個方向產生強磁場并且通過使在相似頻率處諧振的線圈彼此接近來產生耦合的方法。非輻射方法是使用衰逝波耦合通過短距電磁場在相同頻率處諧振的兩個介質之間移動電磁波的方法。圖12是根據實施例的向其安裝了半導體存儲器件的計算系統的框圖。根據實施例的半導體存儲器件可以作為隨機存取存儲器（RAM）5200被安裝到信息處理系統，諸如移動設備或桌上型計算機。被作為RAM5200安裝的半導體存儲器件可以是根據上述實施例中的任一個實施例。例如，RAM5200可以是根據以上實施例的半導體存儲器件或存儲器模塊。替換地，圖12的RAM5200可以具有包括半導體存儲器件和存儲器控制器的存儲器系統的構思。根據實施例的計算系統5000包括中央處理單元（CPU）5100、RAM520、用戶接口5300、以及非易失性存儲器5400，其中CPU5100、RAM520、用戶接口5300、以及非易失性存儲器5400中的每個電連接到總線5500。非易失性存儲器5400可以是大容量存儲單元，諸如固態驅動器（SSD）或硬盤驅動器（HDD）。在計算系統5000中，RAM5200可以包括包含DRAM單元的DRAM芯片，作為用于存儲數據的半導體存儲器件，如在以上實施例中描述的。數據可以被臨時存儲在RAM5200中以操作計算系統5000，且RAM5200可以周期性地執行刷新操作以維持在RAM5200中存儲的數據。當執行刷新操作時，可以在考慮RAM5200的存儲器特性（例如數據保持特性）的同時控制刷新周期，其中，可以通過控制每個刷新控制信號要刷新的存儲單元的數量來控制刷新周期。圖13是根據一個實施例的半導體存儲器件6000的結構圖。如圖13所示，半導體存儲器件6000可以包括多個半導體層LA1到LAn。半導體層LA1到LAn中的每一層可以是包括DRAM單元的存儲器芯片，或者半導體層LA1到LAn中的一些層可以是與外部控制器形成接口的主芯片，而其余層可以是存儲數據的從芯片。在圖13中，假設位于底部的半導體層LA1是主芯片，而其它半導體層LA2到LAn是從芯片。半導體層LA1到LAn通過基板通孔（例如硅通孔）或TSV相對于彼此發送和接收信號，并且作為主芯片的半導體層LA1通過在半導體存儲器件6000的外表面上形成的導電單元（未示出）與外部存儲器控制器（未示出）通信。現在，將基于作為主芯片的第一半導體層LA1和作為從芯片的第n半導體層LAn來描述半導體存儲器件6000的結構和操作。第一半導體層LA1包括用于驅動從芯片中包括的單元陣列6210的各個電路。例如，第一半導體層LA1可以包括用于驅動單元陣列6210的字線的行驅動器6110、用于驅動單元陣列6210的位線的列譯碼器6120、用于控制數據的輸入和輸出的數據輸入/輸出單元6130、用于從半導體存儲器件6000外部接收刷新命令CMD的命令緩存器6140、以及用于緩存從半導體存儲器件6000外部接收的地址的地址緩存器6150。而且，第一半導體層LA1還可以包括用于管理從芯片的存儲器操作的DRAM管理單元6160。DRAM管理單元6160可以如上所述地控制每個刷新控制信號要刷新的單元的數量，并且因此DRAM管理單元6160可以包括周期選擇器6161和地址轉換器6162。同時，第n半導體層LAn可以包括單元陣列6210和外圍電路區域6220，在該外圍電路區域6220中布置用于驅動單元陣列6210的其它外圍電路，諸如用于選擇單元陣列6210的行和列的行/列選擇器（未示出）以及位線讀出放大器（未示出）。根據上述的半導體存儲器件、存儲器系統、以及操作半導體存儲器期間的方法，可以與工藝難度級別無關地提高產量，這是因為可以根據存儲單元的數據保持特性而精確地控制刷新周期并且可以執行優化的刷新操作。而且，根據半導體存儲器件、存儲器系統、以及操作半導體存儲器期間的方法，通過根據存儲單元的數據保持特性來控制刷新周期，可以降低刷新操作期間的功率消耗并且可以穩定地維持數據。盡管已經參考本公開的示例實施例具體示出并描述了本公開，但將理解可以在其中做出形式和細節上的各種改變，而沒有偏離由所附權利要求書限定的精神和范圍。