數據存儲方法及固態硬盤的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明實施例涉及數據存儲技術，尤其涉及一種數據存儲方法及固態硬盤。
【背景技術】
[0002] 固態硬盤（Solid state Disk,簡稱SSD)作為最常用的存儲數據的載體，多采 用閃存作為存儲介質。閃存通過內部用于存儲數據的最小粒度單元，即存儲單元呈現的 電壓在不同電壓范圍存儲不同數據。向閃存中寫入數據，實際是采用步幅遞增脈沖編程 (Incremental St巧Pulse Programming,簡稱ISP巧方式對閃存所包括的存儲單元施加脈 沖電壓進行充電，W使得存儲單元的電壓在待寫入數據對應的電壓范圍內。該ISPP方式實 際是在施加脈沖電壓時，通過施加多個步幅電壓的方式實現。若增加步幅電壓，雖可提高編 程速度，減少存儲單元的充電時間即數據的寫入時間。但步幅電壓過大，會使得每次施加至 存儲單元的電子數過多，從而使得存儲單元產生的比特錯誤率度it Error Rate,簡稱BER) 也越大。由于寫入不同數據對應的電壓范圍不同，郝么其所需步幅電壓也不同，寫入不同數 據產生的閃存頁的邸R也不同。
[0003] 閃存通常包括多個閃存頁，而每個閃存頁包括多個存儲單元和兀余單元。其中，存 儲單元用于存儲寫入數據，兀余單元用于存儲對可對發生的其糾錯能力下的比特錯誤進行 修正的錯誤糾正碼巧rror Correction Code,簡稱ECC)。該ECC可W為在將待寫入數據寫 入存儲單元之前，通過預設的該SSD所對應的編碼方式該待寫入數據進行編碼所產生的效 驗碼。
[0004] 對于一個SSD，具有一種編碼方式，而該編碼方式則決定編碼后獲得的ECC的糾錯 能力。也就是說，SSD內部，所有閃存頁具有相同糾錯能力的ECC。然而，實際應用中，寫入 每個閃存頁的數據可能不同，郝么寫入該不同數據所產生的邸R也不同。送使得某些閃存 頁的ECC糾錯能力遠遠大于實際產生的BER，其ECC的糾錯能力得不到充分利用。
【發明內容】
[0005] 本發明實施例提供一種數據存儲方法及固態硬盤，W解決現有技術中ECC糾錯能 力得不到充分利用的問題。
[0006] 第一方面，本發明實施例提供一種數據存儲方法，所述方法應用于固態硬盤中，所 述方法包括：
[0007] 接收寫請求，所述寫請求包括待寫入數據和地址；
[0008] 根據所述地址確定目標閃存頁的類型；其中，所述目標閃存頁為所述固態硬盤中 存儲所述待寫入數據的閃存頁；
[0009] 根據確定的所述目標閃存頁的類型及所述待寫入數據，計算所述目標閃存頁的比 特錯誤率BER ;
[0010] 根據所述目標閃存頁的B邸和預設的所述目標閃存頁的邸R與步幅電壓對應關系 確定寫入所述待寫入數據的步幅電壓；其中，所述步幅電壓是根據所述固態硬盤的錯誤糾 正碼ECC糾錯能力所確定的；
[0011] 根據所述步幅電壓將所述待寫入數據寫入所述目標閃存頁。
[0012] 根據第一方面，在第一方面的第一種可能實現的方式中，所述根據所述目標閃存 頁的類型及所述待寫入數據，計算所述目標閃存頁的BER，包括：
[0013] 根據所述目標閃存頁的類型和所述待寫入數據，采用所述目標閃存頁的類型對應 的邸R計算方式，計算所述目標閃存頁的BER。
[0014] 根據第一方面的第一種可能實現的方式，在第二種可能實現的方式中，若所述目 標閃存頁為最高有效比特位MSB頁，所述BER計算方式為：
[001 引 Bmsb 二
[0016] 其中，所述Bmsb為MSB頁的BER ;所述P。。為所述待寫入數據中00所占的比例；所 述Pi。為所述待寫入數據中10所占的比例；所述為預設的寫入00發生左偏錯誤的邸R ; 所述1?*為預設的寫入10發生右偏錯誤的邸R。
[0017] 根據第一方面的第一種可能實現的方式，在第H種可能實現的方式中，若所述目 標閃存頁為最低有效比特位LSB頁，所述邸R計算方式為：
[001引 馬班3巧1X蝶+巧。:x端+? X靖+&:1 X靖I ;
[0019] 其中，所述為LSB頁的BER;所述P。為所述待寫入數據中11所占的比例；所述 Pi。為所述待寫入數據中10所占的比例；所述P。。為所述待寫入數據中00所占的比例；所述 Pm為所述待寫入數據中Ol所占的比例；所述:為預設的寫入11發生右偏錯誤的BER ;所 述島[0為預設的寫入10發生左偏錯誤的邸R ;所述B若為預設的寫入00發送右偏錯誤的邸R ; 所述為預設的寫入Ol發生左偏錯誤的邸R。
[0020] 根據第一方面至第一方面的第H種可能實現的方式中任意一種，在第四種可能實 現的方式中，所述根據所述目標閃存頁的邸R和預設的所述目標閃存頁的邸R與步幅電壓 的對應關系確定寫入所述待寫入數據的步幅電壓，包括：
[002。 根據所述目標閃存頁的邸R和邸R步幅電壓對應表確定寫入所述待寫入數據的步 幅電壓；其中，所述邸R步幅電壓對應表包括；所述目標閃存頁的邸R與步幅電壓的對應關 系。
[0022] 第二方面，本發明實施例提供一種固態硬盤，包括：控制器及存儲器；其中，所述 存儲器包括；至少一個閃存頁；所述控制器與所述存儲器中的所述至少一個閃存頁連接；
[0023] 所述控制器，用于接收寫請求，所述寫請求包括待寫入數據和地址，根據所述地址 確定目標閃存頁的類型，根據確定的所述目標閃存頁的類型及所述待寫入數據計算所述目 標閃存頁的BER，根據所述目標閃存頁的邸R和預設的所述目標閃存頁的邸R與步幅電壓對 應關系確定寫入所述待寫入數據的步幅電壓，并根據所述步幅電壓將所述待寫入數據寫入 所述目標閃存頁；其中，所述目標閃存頁為所述固態硬盤中存儲所述待寫入數據的閃存頁； 所述步幅電壓是根據所述固態硬盤的ECC糾錯能力所確定的；
[0024] 所述存儲器，用于存儲所述待寫入數據。
[0025] 根據第二方面，在第二方面的第一種可能實現的方式中，所述控制器，還用于根據 所述目標閃存頁的類型和所述待寫入數據，采用所述目標閃存頁的類型對應的BER計算方 式，計算所述目標閃存頁的BER。
[0026] 根據第二方面的第一種可能實現的方式，在第二種可能實現的方式中，若所述目 標閃存頁為MSB頁，所述邸R計算方式為：
[0027] Bmsb 二 Au X B告 + Pio X ;
[002引其中，所述Bmsb為MSB頁的邸R ;所述P。。為所述待寫入數據中00所占的比例；所 述Pi。為所述待寫入數據中10所占的比例；所述嘩為預設的寫入00發生左偏錯誤的邸R ; 所述Bif為預設的寫入10發生右偏錯誤的邸R。
[0029] 根據第二方面的第一種可能實現的方式，在第H種可能實現的方式中，若所述目 標閃存頁為LSB頁，所述邸R計算方式為：
[0030] Blsb=P,, 巧。XB>P。。XB^e+P。, X巧；
[00引]其中，所述Blsb為LSB頁的邸R ;所述Pu為所述待寫入數據中11所占的比例；所 述Pi。為所述待寫入數據中10所占的比例；所述P。。為所述待寫入數據中00所占的比例；所 述Pei為所述待寫入數據中Ol所占的比例；所述巧_1為預設的寫入11發生右偏錯誤的BER ; 所達為預設的寫入10發生左偏錯誤的BER ;所述為預設的寫入00發送右偏錯誤的 邸R ;所述為預設的寫入Ol發生左偏錯誤的邸R。
[0032] 根據第二方面至第二方面的第H種可能實現的方式中任意一種，在第四種可能實 現的方式中，所述控制器，具體用于根據所述目標閃存頁的邸R和邸R步幅電壓對應表確定 寫入所述待寫入數據的步幅電壓；其中，所述BER步幅電壓對應表包括：所述目標閃存頁的 B邸與步帖電壓的對應關系。
[0033] 本發明實施例的數據存儲方法及固態硬盤，可根據寫請求中的地址確定目標閃存 頁的類型，根據該目標閃存頁的類型及該待寫入數據計算該目標閃存頁的BER，從而根據該 目標閃存頁的邸R和預設的目標閃存頁的邸R與步幅電壓的對應關系確定步幅電壓，該步 幅電壓為根據固態硬盤的ECC糾錯能力確定的，根據該步幅電壓將該待寫入數據寫入該目 標閃存頁，可有效減小該閃存頁實際所產生的B邸與ECC糾錯能力之間的差距，使得ECC糾 錯能力得到充分的利用。
【附圖說明】
[0034] 為了更清楚地說明本發明實施例或現有技術中的技術方案，下面將對實施例或現 有技術描述中所需要使用的附圖做一簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發 明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動性的前提下，還可W 根據送些附圖獲得其他的附圖。
[0035] 圖1為本發明實施例一所提供的數據存儲方法的流程圖；
[0036] 圖2為本發明實施例二所提供的數據存儲方法的流程圖；
[0037] 圖3為本發明實施例H所提供的固態硬盤的結構示意圖；
[0038] 圖4為本發明實施例四所提供的固態硬盤的結構示意圖。
【具體實施方式】
[0039] 為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本發明實施例 中的附圖，對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是 本發明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例，本領域普通技術人員 在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發明保護的范圍。
[0040] 實施例一
[0041] 本發明實施例提供一種數據存儲方法。該方法可應用于固態硬盤中，可由該固態 硬盤內的控制器所