一種提高固態硬盤壽命的方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及計算機芯片讀取優化領域，尤其涉及一種提高固態硬盤壽命的方法。
【背景技術】
[0002] 相比于機械硬盤（HDD)，固態硬盤（SSD)以其具有抗震抗摔、讀取速度快、功耗低、 重量低、噪音低等優越性，已經被越來越多的使用到了筆記本硬盤、微硬盤、移動固態硬盤 等計算機領域。盡管認為固態硬盤（SSD)已經進入存儲市場的主流行列，但其價格仍較為 昂貴，容量較低，耐用性（壽命）較短。
[0003] 例如在服務器領域中，系統結構如圖1所示。（1)讀取數據時，數據從數據存儲結 構中的固態硬盤（SSD)中導入到內存，然后再從內存中傳給中央處理器（CPU)。（2)寫入數 據時，數據通過中央處理器（CPU)寫入內存，將數據從內存保存到數據存儲結構中的固態 硬盤（SSD)中。
[0004] 在系統中，如果同一數據在短時間內經常由內存寫回固態硬盤（SSD)中，這樣就 會造成短時間內頻繁對固態硬盤（SSD)進行寫操作，那么就會導致使用壽命下降。如果系 統長時間且頻繁的對固態硬盤（SSD)進行寫操作，則其使用的壽命就會更短。一旦固態硬 盤（SSD)達到擦寫上限，用戶或服務供應商就不得不重新購買新的固態硬盤（SSD)。
[0005] 所以亟需一種能夠提高固態硬盤壽命的方法。
【發明內容】
[0006] 針對上述存在的問題，本發明公開了一種提高固態硬盤壽命的方法，其具體的技 術方案為：
[0007] -種提高固態硬盤壽命的方法，其特征在于，包括：
[0008] 將第一數據由內存寫至固態硬盤；
[0009] 在預設時間范圍內，當所述第一數據由所述內存寫回所述固態硬盤的次數達到預 設次數后，強制所述第一數據僅在所述內存中更新，不寫回至所述固態硬盤。
[0010] 上述的方法，其特征在于，所述固態硬盤包括單一NAND存儲芯片和/或混合NAND 存儲芯片。
[0011] 上述的方法，其特征在于，所述混合NAND存儲芯片包括單層單元型NAND芯片、雙 層單元型NAND芯片、三層單元型NAND芯片和3D-NAND型芯片。
[0012] 上述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
[0013] 使用所述第一數據的用戶或應用程序退出使用時，更新后的所述第一數據寫至所 述固態硬盤。
[0014] 上述的方法，其特征在于，所述方法還包括：
[0015] 使用所述第一數據的服務器關機前或使用所述第一數據的服務器閑置時，更新后 的所述第一數據寫至所述固態硬盤。
[0016] 上述的方法，其特征在于，所述固態硬盤包括相變存儲器、磁性隨機存儲器、阻變 式存儲器和鐵電存儲器。
[0017] 上述的方法，其特征在于，預設次數大于零。
[0018] 上述技術方案具有如下優點或有益效果：
[0019] 本申請設計的一種提高固態硬盤壽命的方法，當用戶或程序對同一數據在短時間 頻繁寫回固態硬盤（SSD)時，系統強制將數據僅在內存中更新，而不寫回固態硬盤（SSD) 中，減少對固態硬盤（SSD)的擦寫次數，使其從整體上減少對固態硬盤（SSD)的擦寫次數， 從而有效的提尚固態硬盤（SSD)使用壽命。
【附圖說明】
[0020] 通過閱讀參照以下附圖對非限制性實施例所作的詳細描述，本發明及其特征、外 形和優點將會變得更加明顯。在全部附圖中相同的標記指示相同的部分。并未可以按照比 例繪制附圖，重點在于示出本發明的主旨。
[0021] 圖1是服務器系統結構示意圖；
[0022] 圖2本申請中服務器系統結構對數據處理的示意圖；
[0023] 圖3是本申請實施例中對數據的處理示意圖。
【具體實施方式】
[0024] 下面結合附圖和具體的實施例對本發明作進一步的說明，但是不作為本發明的限 定。
[0025] 固態硬盤雖然讀寫速度快，但同時也具有擦寫次數受限制的問題。固態硬盤按 存儲類型分為單層單元型NAND芯片、雙層單元型NAND芯片、三層單元型NAND芯片和 3D-NAND型芯片等芯片，其中單層單元型NAND芯片（SLC(Single-LevelCell))即lbit/ cell，讀寫速度最快，擦寫次數最多，但其容量最小，成本最高；雙層單元型NAND芯片 (MLC(Multi-LevelCell))即2bit/cell，與單層單元型NAND芯片相比，容量大，成本低，但 速度略遜色于單層單元型NAND芯片，可擦寫次數也不及單層單元型NAND芯片；三層單元型 NAND芯片（TLC(Trinary-LevelCell))即3bit/cell,其相比單層單元型NAND芯片、雙層 單元型NAND芯片，容量大，成本低，但是三層單元型NAND芯片的讀寫速度和擦寫次數都不 及單層單元型NAND芯片、雙層單元型NAND芯片；3D-NAND的容量最大，成本最低，但其讀寫 的速度是最慢的，可擦寫的次數也是最少的。在相同工藝節點下，這幾種類型的存儲器的可 擦寫次數如下表所示：
[0026]
[0027] 而且，單層單元型NAND芯片、雙層單元型NAND芯片、三層單元型NAND芯片和 3D-NAND型芯片的壽命隨著工藝特征尺寸的縮小，可擦寫的次數是下降的。
[0028] 所以本發明設計一種提高固態硬盤壽命的方法，具體的是：
[0029] 將系統中的第一數據由內存寫至固態硬盤中，然后內存從固態硬盤中讀出寫入的 第一數據，這樣內存和固態硬盤反復讀寫第一數據若干次后。這里的若干次是經過預先設 定的，并不是說不限次數的讀寫，具體的預設次數根據固態硬盤的最大可讀寫次數和每次 讀寫時間來設定。在達到預設次數后，強制該第一數據在內存中進行更新，且在該第一數據 更新后不立即寫入固態硬盤中，而是當使用第一數據的用戶或者是應用程序退出使用，或 者是服務器關機之前，或者是服務器空閑