應用于壓力觸控感測器之變阻式結構的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明為一種應用于壓力觸控感測器之變阻式結構，特別是一種將變阻式結構貼附在可撓式基板上方、下方或上方以及下方，以克服現有觸控模組堆棧架構僅局限于平面式設計問題的變阻式結構。
【背景技術】
[0002]請參考圖1所示，現有技術之壓力觸控裝置(7)是包括一金屬底座(70)、一黏著膠膜層(71)、一氧化銦錫隔離層(72)、一聚酯層(73)、一銀質壓力感測裝置(74)、一背光模組
(75)、一薄膜晶體管前端數組(76)、一第一電容(77)、一第二電容(78)以及一前蓋板(79)。
[0003]該黏著膠膜層(71)設置于該金屬底座(70)之上，該氧化銦錫隔離層(72)設置于該黏著膠膜層(71)之上，該聚酯層(73)設置于該氧化銦錫隔離層(72)之上，該銀質壓力感測裝置(74)設置于該聚酯層(73)之上，該背光模組(75)設置于該銀質壓力感測裝置(74)之上，該薄膜晶體管前端數組(76)設置于該背光模組(75)之上，該第一電容(77)之一端與該銀質壓力感測裝置(74)電性連接，另一端與該背光模組(75)電性連接，該第二電容(78)之一端與該銀質壓力感測裝置(74)電性連接，另一端與該薄膜晶體管前端數組
(76)電性連接，該前蓋板(79)設置于該薄膜晶體管前端數組(76)之上。
[0004]現有技術之壓力觸控裝置為非內嵌式(in-cell)，而采用自容式(Selfcapacitance)架構進行壓力觸控。其主要原理為:外部手指下壓施力，相近的金屬層產生形變，相對于銀質壓力感測裝置的變化量，銀質壓力感測裝置偵測電容變化，最后經由算法轉化為向下施與壓力指標。
[0005]然而，現有技術之壓力觸控裝置的堆棧架構被僅限于平面式設計，而不能應用于曲面式設計。
[0006]因此，如何設計出一同時適用于平面式設計以及曲面式設計之壓力觸控設備堆棧架構，即成為相關設備廠商以及研發人員所共同期待的目標。
【發明內容】
[0007]本發明人有鑒于現有技術之壓力觸控裝置的堆棧架構被僅限于平面式設計之缺失，乃積極著手進行開發，以期可以改進上述既有之缺點，經過不斷地試驗及努力，終于開發出本發明。
[0008]本發明之目的，提供一種同時適用于平面式設計以及曲面式設計之變阻式結構。
[0009]為了達成上述之目的，本發明第一實施例之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構，設置于一壓力觸控感測器內，該應用于壓力觸控感測器之變阻式結構包括一可撓式基板、一第一變阻層以及一黏著膠膜層。
[0010]該第一變阻層由變阻式材料組成，并設置于該可撓式基板之上。該黏著膠膜層設置于該第一變阻層之上。
[0011]為了達成上述之目的，本發明第二實施例之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構，設置于一壓力觸控感測器內，該應用于壓力觸控感測器之變阻式結構包括一第一變阻層、一可撓式基板以及一黏著膠膜層。
[0012]該第一變阻層由變阻式材料組成。該可撓式基板設置于該第一變阻層之上。該黏著膠膜層設置于該可撓式基板之上。
[0013]為了達成上述之目的，本發明第三實施例之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構，設置于一壓力觸控感測器內，該應用于壓力觸控感測器之變阻式結構包括一第一變阻層、一可撓式基板、一第二變阻層以及一黏著膠膜層。
[0014]該第一變阻層由變阻式材料組成。該可撓式基板設置于該第一變阻層之上。該第二變阻層由變阻式材料組成，設置于該可撓式基板之上。該黏著膠膜層設置于該第二變阻層之上。
[0015]藉由上述之結構，本發明可克服現有觸控模組堆棧架構僅局限于平面式設計之問題，而同時適用于平面式設計以及曲面式設計之堆棧架構。
【附圖說明】
[0016]圖1是現有技術之壓力觸控裝置之示意圖；
[0017]圖2a是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置于背光模組之下，并應用于平面式設計之示意圖；
[0018]圖2b是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置于背光模組之下，并應用于曲面式設計之示意圖；
[0019]圖3a是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置于前蓋板之下，并應用于平面式設計之示意圖；
[0020]圖3b是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置于前蓋板之下，并應用于曲面式設計之示意圖；
[0021]圖4a是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置于薄膜晶體管前端數組之下，并應用于平面式設計之示意圖；
[0022]圖4b是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第一實施例設置于薄膜晶體管前端數組之下，并應用于曲面式設計之示意圖；
[0023]圖5a是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置于背光模組之下，并應用于平面式設計之示意圖；
[0024]圖5b是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置于背光模組之下，并應用于曲面式設計之示意圖；
[0025]圖6a是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置于前蓋板之下，并應用于平面式設計之示意圖；
[0026]圖6b是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置于前蓋板之下，并應用于曲面式設計之示意圖；
[0027]圖7a是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置于薄膜晶體管前端數組之下，并應用于平面式設計之示意圖；
[0028]圖7b是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第二實施例設置于薄膜晶體管前端數組之下，并應用于曲面式設計之示意圖；
[0029]圖8a是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置于背光模組之下，并應用于平面式設計之示意圖；
[0030]圖Sb是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置于背光模組之下，并應用于曲面式設計之示意圖；
[0031]圖9a是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置于前蓋板之下，并應用于平面式設計之示意圖；
[0032]圖9b是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置于前蓋板之下，并應用于曲面式設計之示意圖；
[0033]圖1Oa是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置于薄膜晶體管前端數組之下，并應用于平面式設計之示意圖；
[0034]圖1Ob是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構第三實施例設置于薄膜晶體管前端數組之下，并應用于曲面式設計之示意圖；
[0035]圖11是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構量測方式之電路圖；以及
[0036]圖12是本發明之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構以惠斯登電橋進行量測之電路圖。
[0037]附圖標號說明:
[0038]現有技術:
[0039](70)金屬底座
[0040](71)黏著膠膜層
[0041](72)氧化銦錫隔離層
[0042](73)聚酯層
[0043](74)銀質壓力感測裝置
[0044](75)背光模組
[0045](76)薄膜晶體管前端數組
[0046](77)第一電容
[0047](78)第二電容
[0048](79)前蓋板
[0049]本發明:
[0050](Ula, Ib)應用于壓力觸控感測器之變阻式結構
[0051](10、10a、1b)可撓式基板
[0052](11、11a、Ilb)第一變阻層
[0053](12、12a、12b)黏著膠膜層
[0054](13)第二變阻層
[0055](2、2a、2b)壓力觸控感測器
[0056](20、20a、20b)金屬底座
[0057](21、21a、21b)背光模組
[0058](22、22a、22b)薄膜晶體管前端數組
[0059](23、23a、23b)前蓋板
[0060]本發明目的的實現、功能特點及優點將結合實施例，參照附圖做進一步說明。
【具體實施方式】
[0061]為使熟悉該項技藝人士了解本發明之目的，茲配合圖式將本發明之較佳實施例詳細說明如下。
[0062]請參考圖2a以及圖2b所示，本發明第一實施例之應用于壓力觸控感測器之變阻式結構(I)，設置于一壓力觸控感測器(2)內，該應用于壓力觸控感測器之變阻式結構(I)包括一可撓式基板(10)、一第一變阻層(11)以及一黏著膠膜層(12)。
[0063]該第一變阻層(11)由變阻式材料組成，并設置于該可撓式基板(10)之上，在本發明之一較佳實施例中，該第一變阻層(11)由氧化銦錫或有機高分子材料組成。該第一變阻層(11)由變阻性材料所構成的感測架構，可為單一(single)架構或是矩陣(Matrix)架構，若為矩陣架構，感測組件的尺寸可相同或不同。
[0064]該第一變阻層(11)偵測向下施與的壓力變化。
[0065]該黏著膠膜層(12)設置于該第一變阻層(11)之上。
[0066]該壓力觸控感測器(2)包括一金屬底座(20)、一背光模組(21)、一薄膜晶體管前端數組(22)以及一前蓋板(23)，該可撓式基板(10)設置于該金屬底座(20)之上，該背光模組(21)設置于該黏著膠膜層(12)之上，該薄膜晶體管前端數組(22)設置于該背光模組
(21)之上，該前蓋板(23)設置于該薄膜晶體管前端數組(22)之上。
[0067]請參考圖3a以及圖3b所示，在本發明之另一實施例中，該背光模組(21)設置于該金屬底座(20)之上，該薄膜晶體管前端數組(22)設置于該背光模組(21)之上，該可撓式基板(10)設置于該薄膜晶體管前端數組(22)之上，該前蓋板(23)設置于該黏著膠膜層
(12)之上。
[0068]請參考圖4a以及圖4b所示，在本發明之又一實施例中，該背光模組(21)設置于該金屬底座(20)之上，該可撓式基板(10)設置于該背光模組(21)之上，該薄膜晶體管前端數組(22)設置于該黏著膠膜層(12)之上，該前蓋板(23)設置于該薄膜晶體管前端數組
(22)之上。<