一種大容量NOR Flash存儲(chǔ)芯片及其擴(kuò)展方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種大容量NOR Flash存儲(chǔ)芯片及其擴(kuò)展方法。
【背景技術(shù)】
[0002]NOR Flash是現(xiàn)在市場上主要的非易失閃存技術(shù)之一。NOR Flash芯片具有可靠性高、體積小、密度大、可擦除、可重寫等優(yōu)點(diǎn)，并且N0R地址線和數(shù)據(jù)線分開，所以N0R芯片可以像SRAM —樣連在數(shù)據(jù)線上。N0R芯片的使用也類似于通常的內(nèi)存芯片，它的傳輸效率很高，可執(zhí)行程序可以在芯片內(nèi)執(zhí)行，這樣應(yīng)用程序可以直接在flash閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。由于N0R的這個(gè)特點(diǎn)，嵌入式系統(tǒng)中經(jīng)常將N0R芯片做啟動(dòng)芯片使用。因此NOR Flash作為一種存儲(chǔ)器在信息技術(shù)設(shè)備上得到越來越廣泛的應(yīng)用。
[0003]在以太網(wǎng)交換機(jī)的硬件電路中，NOR Flash既可用作存儲(chǔ)啟動(dòng)代碼和嵌入式操作系統(tǒng)的啟動(dòng)Flash，也可以用作存儲(chǔ)關(guān)鍵配置參數(shù)和重要用戶數(shù)據(jù)的應(yīng)用Flash。但是對于大容量，如16Mbit以上的場合，單片的NOR Flash芯片還很難做到，或者即使能做到的話，對于普通用戶而言要么不方便購買，要么是供貨不穩(wěn)定。但是對于小容量的NOR Flash芯片，其購買比較容易，供貨也比較穩(wěn)定。因此，提供一種由小容量的NOR Flash芯片構(gòu)成的大容量存儲(chǔ)芯片，成為目前亟待解決的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0004]鑒于上述問題，本申請記載了一種大容量NOR Flash存儲(chǔ)芯片，所述存儲(chǔ)芯片包括:
[0005]若干個(gè)NOR Flash芯片，用以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)；
[0006]復(fù)雜可編程邏輯器件，所述復(fù)雜可編程邏輯器件的10 口與所述NOR Flash芯片的地址引腳和控制引腳相連，用以根據(jù)地址信息向相應(yīng)的NOR Flash芯片輸送使能信號(hào)；
[0007]CPU，與所述復(fù)雜可編程邏輯器件的10 口相連以及通過數(shù)據(jù)線與NOR Flash芯片相連，用以向所述復(fù)雜可編程邏輯器件發(fā)送所述地址信息。
[0008]較佳的，所述存儲(chǔ)芯片還包括:
[0009]測試單元，與所述復(fù)雜可編程邏輯器件相連，用以對所述復(fù)雜可編程邏輯器件進(jìn)行測試；
[0010]時(shí)鐘單元，與所述復(fù)雜可編程邏輯器件相連，用以向所述復(fù)雜可編程邏輯器件輸送時(shí)鐘信號(hào)。
[0011]較佳的，所述測試單元包括與所述復(fù)雜可編程邏輯器件相連的JTAG接口，所述JTAG接口的第四腳接入固定電壓。
[0012]較佳的，所述測試單元還包括第一電阻、第二電阻以及第三電阻，所述第一電阻和所述第二電阻一端均接入固定電壓，另一端均與所述JTAG接口以及所述復(fù)雜可編程邏輯器件相連；所述第三電阻的一端接地，另一端與所述JTAG接口以及所述復(fù)雜可編程邏輯器件相連。
[0013]較佳的，所述時(shí)鐘單元為晶體振蕩器，所述晶體振蕩器的一端接入固定電壓，另一端與所述復(fù)雜可編程邏輯器件相連。
[0014]較佳的，所述固定電壓為3.3V。
[0015]較佳的，所述復(fù)雜可編程邏輯器件的型號(hào)為EPM240T100 ;所述NOR Flash芯片的型號(hào)為 SST39VF040。
[0016]本發(fā)明還提供了一種大容量NOR Flash存儲(chǔ)芯片的擴(kuò)展方法，所述方法包括步驟:
[0017]當(dāng)需要讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)時(shí)，CPU向復(fù)雜可編程邏輯器件發(fā)送讀取或?qū)懭霐?shù)據(jù)所需地址的地址信息；
[0018]所述復(fù)雜可編程邏輯器件判斷所述地址信息所對應(yīng)的NOR Flash芯片；
[0019]所述復(fù)雜可編程邏輯器件向所述NOR Flash芯片的控制管腳輸入使能信號(hào)；
[0020]從所述NOR Flash芯片中讀取數(shù)據(jù)或在所述NOR Flash芯片中寫入數(shù)據(jù)。
[0021]較佳的，當(dāng)從所述NOR Flash芯片中讀取數(shù)據(jù)后，所述NOR Flash芯片通過數(shù)據(jù)線將所述數(shù)據(jù)傳遞至所述CPU。
[0022]上述技術(shù)方案具有如下優(yōu)點(diǎn)或有益效果:一種大容量NOR Flash存儲(chǔ)芯片及其擴(kuò)展方法中，CPU通過CPLD擴(kuò)展NOR Flash, CPU原有的程序無需變更。在實(shí)際應(yīng)用中，可根據(jù)實(shí)際需要，決定擴(kuò)展NOR Flash的數(shù)量。與現(xiàn)有技術(shù)相比本發(fā)明可以較為方便的使用多個(gè)容量較小的NOR Flash應(yīng)用于需要大容量NOR Flash容量的場合，并且可以根據(jù)實(shí)際需要決定擴(kuò)展NOR Flash的數(shù)量。容量較小的NOR Flash貨源較多，價(jià)格較為便宜，本發(fā)明可以有效的降低成本。
【附圖說明】
[0023]參考所附附圖，以更加充分的描述本發(fā)明的實(shí)施例。然而，所附附圖僅用于說明和闡述，并不構(gòu)成對本發(fā)明范圍的限制。
[0024]圖1為本發(fā)明一種大容量NORFlash存儲(chǔ)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖一；
[0025]圖2為本發(fā)明一種大容量NORFlash存儲(chǔ)芯片的結(jié)構(gòu)示意圖二 ；
[0026]圖3為本發(fā)明一種大容量NORFlash存儲(chǔ)芯片的電路圖；
[0027]圖4為本發(fā)明一種大容量NORFlash存儲(chǔ)芯片的擴(kuò)展方法的流程示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明一種大容量NOR Flash存儲(chǔ)芯片及其擴(kuò)展方法進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0029]實(shí)施例一
[0030]如圖1所示，一種大容量NOR Flash存儲(chǔ)芯片，包括:
[0031 ] CPU，用以將地址信息發(fā)送至CPLD中；
[0032]CPLD (Complex Programmable Logic Device，復(fù)雜可編程邏輯器件)，與所述 CPU相連，用以根據(jù)所述地址信息控制相應(yīng)的NOR Flash芯片；
[0033]若干個(gè)NOR Flash芯片，均分別與所述CPLD以及CPU相連，用以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
[0034]具體來說，存儲(chǔ)芯片中包括多個(gè)小容量的NOR Flash芯片，所有的小容量NORFlash芯片的均與CPLD相連。具體來說，CPU的NOR Flash接口與CPLD的10引腳相連，同時(shí)NOR Flash芯片的地址引腳和控制引腳也與CPLD的10引腳相連，NOR Flash芯片通過數(shù)據(jù)線與CPU相連。當(dāng)CPU需要從存儲(chǔ)芯片中讀取數(shù)據(jù)時(shí)，CPU通過與CPLD相連的地址線發(fā)送地址信息至CPLD，CPLD接收到該地址信息后，判斷該地址信息對應(yīng)的地址范圍屬于哪個(gè)NOR Flash芯片，然后向該NOR Flash芯片的控制引腳輸送使能電壓。最后，該NOR Flash芯片將相應(yīng)的數(shù)據(jù)通過與CPU相連的數(shù)據(jù)線傳遞至CPU。
[0035]如圖2所示，所述大容量NOR Flash存儲(chǔ)芯片還包括