光電調變堆疊的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及一種調變堆疊，特別涉及一種光電調變堆疊。
【背景技術】
[0002] 近年來，觸控技術已經逐漸廣泛應用于一般的消費性電子商品上，例如行動通訊裝置、數字相機、數字音樂播放器(MP3)、個人數字助理器(PDA)、衛星導航器(GPS)、掌上型計算機(hand-held PC)，甚至薪新的超級行動計算機(Ultra Mobile PC, UMPC)等。然而，現有的觸控感測結構遇到良率下降的問題。
[0003]以一種習知的觸控感測堆疊來說，其包含基板及多個觸控感測組件，觸控感測組件設置于基板上用以感測使用者的觸控而產生電信號，電信號經過處理后即可得到使用者的觸控坐標。然而，由于觸控感測組件之間僅隔10 μ m?30 μ m之間的間隙，因此當工藝中有粒子掉落、刮傷產生或是彎折觸控感測組件時，左右或上下相鄰的觸控感測組件很容易形成短路，而造成觸控功能失效以及良率下降。
[0004]另外，在一揭露技術中(美國專利號US20040063041A)，基板上還設置抗眩聚亞酰胺涂層，以對外界入射光提供抗眩(ant1-glare)效果。而如何將此抗眩功能應用至觸控感測顯示器也是重要課題。此外，對發光裝置或顯示裝置而言，出光具有良好的特性也是相當重要的。
[0005]因此，如何提供一種光電調變堆疊，能夠解決上述短路的問題，并提升觸控效能、產品良率、出光特性與產品競爭力，實為當前重要課題之一。
【發明內容】
[0006] 有鑒于上述課題，本發明的目的在于提供一種光電調變堆疊，能夠解決工藝中造成短路的問題，并提升觸控效能、產品良率、出光特性與產品競爭力。
[0007]為達上述目的，本發明的一種光電調變堆疊包括基板、多個觸控感測單元、至少第一抗擾斑塊以及納米結構層。觸控感測單元共平面地設置于基板上，相鄰的觸控感測單元之間形成第一間隙區。第一抗擾斑塊設置于第一間隙區內，第一抗擾斑塊的寬度遠小于基板或觸控感測單元的寬度。納米結構層設置于第一抗擾斑塊下，并具有多個納米結構。當光線通過這些納米結構及第一抗擾斑塊時，光線的光學特性改變。
[0008] 在一個實施例中，第一抗擾斑塊呈彎折樣式。
[0009] 在一個實施例中，光電調變堆疊更包括接地單元以及至少第二抗擾斑塊。接地單元與所述多個觸控感測單元共平面，且與相鄰的觸控感測單元之間形成第二間隙區。第二抗擾斑塊設置于第二間隙區內，第二抗擾斑塊的寬度遠小于基板或觸控感測單元的寬度，納米結構層更設置于第二抗擾斑塊下。
[0010] 在一個實施例中，通過該第一抗擾斑塊設置于相鄰觸控感測單元所形成的第一間隙區之間，使相鄰觸控感測單元的間距加大、不會受到后續工藝的粒子污染而形成短路，從而提供電性抗擾的效用。
[0011]在一個實施例中，所述后續工藝至少包括機械薄化工藝、化學薄化工藝、機械化學薄化工藝、黃光工藝、薄膜沉積工藝、和/或薄膜蝕刻工藝。
[0012]在一個實施例中，光電調變堆疊更包含絕緣層，其具有抗眩(ant1-glare)性質。
[0013]在一個實施例中，基板為軟性基板或剛性基板。
[0014]在一個實施例中，納米結構包含納米銅或納米銀。
[0015]在一個實施例中，納米結構層更包括基質，這些納米結構設置于基
[0016]質內。
[0017]在一個實施例中，基質與這些納米結構的折射率不同。
[0018]承上所述，在本發明的光電調變堆疊中，將第一抗擾斑塊設置于相鄰觸控感測單元所形成的第一間隙區內，以致觸控感測單元的間距加大，例如從原本的10 μ m與30 μ m之間變為70 μ m與130 μ m之間。如此，即使有粒子掉落或刮傷產生時，相鄰的觸控感測單元也不會形成短路，第一抗擾斑塊提供電性抗擾的效用，進而避免觸控失效而能提升產品良率與可彎折性。
[〇〇19]此外，原本觸控感測單元的間距加大可能會讓人眼辨識其存在，但通過彎折圖樣的第一抗擾斑塊設置于相鄰觸控感測單元之間，而能使觸控感測單元隱形化，使得人眼不易發現，故能提供光學抗擾的效用并提升顯示效能。并且第一抗擾斑塊結合基板的曲面邊緣更能夠提供光學抗擾的效用，而能提升立體顯示效能。
[0020]另外，納米結構層的設置，使得顯示模塊發出的光線通過納米結構層與抗擾斑塊，而能改善光線的光學特性，例如消除光學色差(mura)、光學干涉(moire)及霧度、并可加大可視角度(viewing angle),提供光學抗擾的效用，也能避免工藝微粒造成短路從而提供電性抗擾。
[0021]此外，本發明的絕緣層具有抗眩性質，使能夠吸收、過濾外界入射光，降低外界入射光與金屬網柵產生的反射、干涉效果，而能增加顯示面板的亮度對比，并且能對外界入射光具抗眩效果。
[0022]此夕卜，通過使用納米材料，本發明具有低線接面電阻(wire junct1nresistance)、平滑表面、優良機械結合性與可撓性，同時維持高穿透性與低片電阻值(sheet resistance)。此外，添加納米導電粒子也有助于光學稱合效率提升并增加光學散射度，使得面板顯示視角擴大，顯示效率提升。
【附圖說明】
[0023]圖1為本發明一個實施例的光電調變堆疊的剖面示意圖。
[0024]圖2至圖10為本發明不同實施例的光電調變堆疊的示意圖。
【具體實施方式】
[0025]以下將參照相關附圖，說明根據本發明較佳實施例的一種光電調變堆疊，其中相同的組件將以相同的參照符號加以說明。
[0026]圖1為本發明一個實施例的光電調變堆疊1的剖面示意圖。如圖1所示，光電調變堆疊1包含基板11、多個觸控感測單元12、至少第一抗擾斑塊13以及納米結構層14。
[0027]基板11可為透光基板或非透光基板。其中透光基板例如是玻璃基板、塑料基板或其它材質的基板，在此以玻璃基板為例。基板11可為剛性基板或軟性基板，當為軟性基板時，其可應用于可撓性顯示器。在應用上，基板11可為透光蓋板(cover glass)以減少應用的顯示面板的厚度，在透光蓋板邊緣可為曲面，以提升立體顯示的效果。
[0028]觸控感測單元12共平面地設置于基板11上，在此以設置在基板11的一表面111上而形成共平面設置。相鄰的觸控感測單元12之間形成第一間隙區121。觸控感測單元12可由透光導電材質制成，例如由氧化銦錫(Indium tin oxide, ΙΤ0)或其它金屬氧化物制成。圖1所示的兩個觸控感測單元12以相互絕緣為例。
[0029]第一抗擾斑塊13設置于第一間隙區121內，且第一抗擾斑塊13的寬度遠小于基板11或觸控感測單元12的寬度(圖中尺寸僅為示意不代表真實尺寸)，例如第一抗擾斑塊13的寬度小于基板11或觸控感測單元12的寬度的五分之一。在實施上，為減少工藝步驟，可令第一抗擾斑塊13與觸控感測單元12在同一工藝中制造而成，且二者具有相同的材質。然而，本發明不以此為限。在此，第一抗擾斑塊13由導電材質制成，且其電性浮接，且第一抗擾斑塊13與相鄰的觸控感測單元12之間間隔一距離。通過將第一抗擾斑塊13設置于第一間隙區121內，可使觸控感測單元12的間距(第一間隙區121)加大，如此一來，即使有粒子P掉落或刮傷產生時，相鄰的觸控感測單元12也不會形成短路，因而避免觸控失效并能提升產品良率。粒子P例如來自后續工藝，后續工藝可至少包括機械薄化工藝、化學薄化工藝、機械化學薄化工藝、黃光工藝、薄膜沉積工藝、和/或薄膜蝕刻工藝。通過第一抗擾斑塊13設置于相鄰觸控感測單元12所形成的第一間隙區121之間，可使相鄰觸控感測單元的間距加大、不會受到后續工藝的粒子污染或彎曲使用而造成短路，從而提供電性抗擾的效用。
[0030]此外，原本觸控感測單元12的間距加大可能會讓人眼辨識其存在，但通過第一抗擾斑塊13設置于相鄰觸控感測單元12之間，使得人眼不易發現，因而能維持顯示效能。舉例來說，第一抗擾斑塊13的寬度介于50μπι與70μπι之間，第一間隙區121的寬度介于70μπι與130μπι之間。在一個實施例中，第一抗擾斑塊13的材質可包含金屬氧化物。另夕卜，第一抗擾斑塊的圖樣13可為塊狀斑塊或包含至少彎折狀斑塊。第一抗擾斑塊13可呈彎折圖樣。
[0031]納米結構層14設置于第一抗擾斑塊13下，并具有多個納米結構141。納米結構層14可與第一抗擾斑塊13直接連接或間接連接。并且，納米結構層14可為圖案化或不具圖案，當納米結構層14為圖案化時，其圖案可與第一抗擾斑塊13的圖案相同，當納米結構層14為非圖案化時，其可為連續不間斷的平坦層。另外，納米結構層14可與第一抗擾斑塊13設置于基板11的同一側或不同側。于此，納米結構層14為圖案化，且其圖案與第一抗擾斑塊13的圖案相同，即二者完全重疊，并且，納米結構層14與第一抗擾斑塊13設置于基板11的同一側。當光線通過這些納米結構141及第一抗擾斑塊13時，光線的光學特性改變，例如消除光學色差(mura)、光學干涉(moire)及霧度、并可加大可視角度(viewing angle),提供光學抗擾的效用。并且納米結構層14的設置也能避免工藝微粒造成短路從而提供電性抗擾。
[0032]納米結構141例如為納米粒子或納米線，其材質可為納米銀(Silvernanowires)、納米鎂銀合金或納米銅。納米粒子例如為納米導電粒子，其材質包括氧化銦錫(ΙΤ0)、氧化銦鎵鋅(IGZ0)、摻鋅氧化銦(ΙΖ0)、ΑΖ0(摻鋁的ZNO)、GZ0(摻鎵的ΖΝ0)、碳納米管(CNT)、或石墨烯。另外，納米結構層14、第一抗擾斑塊13及/或觸控感測單元12可由納米導電粒子添加在納米金屬線(metal nanowires)的復合材料所構成。納米結構層14例如通過印刷(printing)、噴墨印刷(inkjet printing)、網版印刷(screen printing)、涂布(coating)、雷射或微影工藝而形成。
[0033]納米結構層14可更包括基質142,這些納米結構141設置于基質142內。基質142與納米結構141的折射率可不同，藉以達到某種光學目的，例如使光擴散。
[0034]另外，以下是納米銀線的制造方法的實施例。首先，納米銀線溶液(SeashellTechnology，AgNW-115)是以1000r/min的速度在PET基板上旋轉60秒以形成不規則散布的納米銀線網絡，并