電容式觸控面板的制作方法
【專利說明】
【技術領域】
[0001]本發明涉及觸控技術領域，特別涉及一種電容式觸控面板。
【【背景技術】】
[0002]觸控設備因其便于操作、呈像效果好、功能多元化等優點逐漸受到電子通訊行業的青睞，并廣泛應用于資訊系統設備、家電設備、通訊設備、個人便攜設備等產品上。
[0003]伴隨近年來觸摸屏在通訊行業的迅速崛起，特別是在手機通訊行業的蓬勃發展，觸摸屏一舉成為現今成像顯示設備的首選產品。使用率最高的觸摸屏主要是電阻式觸摸屏和電容式觸摸屏，但是使用者出于可控性，易用性和表面外觀的考慮，大多會選用電容式觸摸屏作為其最佳首選設備。
[0004]在傳統智能手機，如iphone等的電容式觸摸屏中，觸控電極的材料通常為氧化銦錫(簡稱為ΙΤ0)。ITO的透光率很高，導電性能較好。但ITO價格昂貴，ITO較脆，柔韌性差，彎曲時容易斷裂造成功能不良，即使在遇到較小物理應力的彎曲也非常容易被破壞，ITO導電率一般大于70歐姆/方阻，隨著觸摸屏尺寸的逐步增大，特別是應用于15寸以上的面板時，ITO的缺陷越來越突出，其中最明顯的缺陷就是ITO的面電阻過大，ITO已經無法滿足目前觸控產品對于電阻率的要求，無法保證大尺寸觸摸屏良好的導電性能與足夠的靈敏度，也無法適用于電子產品不斷低價化的發展趨勢。
[0005]另外，在制造方法上，原來的ITO需要真空腔、較高的沉積溫度和/或高退火溫度以獲得高傳導性，造成ITO的整體制作成本非常昂貴。制程中ITO —般采用濺鍍和黃光光阻涂布，曝光，顯影，蝕刻，剝膜，高溫烘烤等繁雜工序，成本高且耗時長。
[0006]請參閱圖1與圖2，傳統的觸控面板110中，在一個基板1101的上表面和下表面上分別形成ITO的第一導電層1103和第二導電層1105，或者是在兩張基板上分別形成第一導電層1103和第二導電層1105，然后將第一導電層1103通過ITO走線或金屬導電走線1109導通連接至第一 FPC1107上，第二導電層1105通過ITO走線或金屬導電走線1109導通連接至第二 FPC1108上。這種結構的觸控面板110需要經過兩次濺鍍，黃光，及壓合制程且耗費兩張FPCl 107和1108，耗時耗成本。
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【發明內容】
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[0007]為克服現有ITO觸控面板制程中所存在的制程復雜，成本較高的技術問題，本發明提供了一種生產成本低，制程簡單的電容式觸控面板。
[0008]本發明解決技術問題的技術方案是提供一種電容式觸控面板，包括一基板，第一納米銀線導電層和第二納米銀線導電層，第二納米銀線導電層成形于基板的其中一表面上，第一納米銀線導電層包括復數第一導電電極及復數第一走線，第二納米銀線導電層包括復數第二導電電極、復數第二走線、復數連接線及連接區域，所述電容式觸控面板還包括復數通孔，第一走線和連接線通過通孔電性連接。
[0009]優選地,所述通孔的直徑大小為Φ20ιιηι到1mm。
[0010]優選地,所述通孔的直徑大小為Φ200ιιηι到600um。
[0011]優選地，所述通孔內設有導電材料。
[0012]優選地,第一走線和第二走線的寬度為5um_35um,相鄰第一走線或相鄰第二走線的線距為5um_35um。
[0013]優選地，所述的第一導電電極兩端分別通過第一走線將電訊信號引出，所述的第二導電電極兩端分別通過第二走線將電訊信號弓I出。
[0014]優選地，第一納米銀線導電層與第二納米銀線導電層分別設置于所述基板的兩個表面上，通孔貫穿基板。
[0015]優選地,進一步包括一蓋板,包括第一表面和第二表面，第一表面為觸控操作面，第一納米銀線導電層成形于蓋板的第二表面上，通孔貫穿所述基板。
[0016]優選地，進一步包括一第二基板，第一納米銀線導電層成形于第二基板上，通孔貫穿基板和/或第二基板。
[0017]優選地，所述的第一納米銀線導電層和所述的第二納米銀線導電層兩側可設置增粘層，平整層，光學匹配層之中的一層或多層，所述的增粘層，平整層，光學匹配層可以設置在所述的第一納米銀線導電層和所述的第二納米銀線導電層的同側或不同側，所述的增粘層，平整層，光學匹配層三者之間的位置可互換。
[0018]與現有技術相比，本發明電容式觸控面板采用納米銀線導電層制作第一納米銀線導電層和第二納米銀線導電層。首先，納米銀線材料本身具有電阻低，光透過率在85%以上，方阻在12-120ohm/Sq的優越性，使得第一納米銀線導電層和第二納米銀線導電層具有良好的導電性，電容式觸控面板的觸控靈敏度高。因納米銀線的透光性好電阻低，如果使用納米銀線做走線無需使用遮蔽層遮蔽，從而實現電容式觸控面板無邊框設計，無邊框電容式觸控面板使得用戶視覺上更開闊，增加用戶體驗。
[0019]其次，本發明在該電容式觸控面板層狀結構中，增加增粘層，平整層和光學匹配層，增粘層解決了納米銀線材料因可撓性基板的膨脹或收縮而引起的一系列問題。增加平整層并進行一定的工藝處理，使得納米銀線之間的搭接變得良好，從而使導電率得到有效保證，并使電容式觸控面板的表面平整度得到極大提升。通過光學匹配層實現對電容式觸控面板霧度的調節，而且對于光學匹配層的位置要求靈活多變，靈活有效的實現對電容式觸控面板霧度的降低。
[0020]再次，本發明電容式觸控面板走線采用納米銀線材料并采用雙邊走線設計可以加強傳輸信號，防止電容式觸控面板走線在信號傳輸過程中可能出現的一邊斷路導致信號無法傳輸到觸控IC上的情況，提高電容式觸控面板的觸控靈敏度。納米銀走線和電極一體成型，無搭接不良，搭接電阻偏高的問題。
[0021]另外，本發明電容式觸控面板采用走線通孔設計，納米銀線的導電層和走線涂布制程中相對于傳統ITO和金屬濺鍍制程對第一基板平整性要求不是很高，不會造成蝕刻不凈，殘留，裂紋等問題，同時由于其納米級別的尺寸效應，使得其具有優異的透光性與耐曲撓性，因此可用作為優選地替代ITO作為觸控電極和走線材料。
[0022]本發明的電容式觸控面板制作方法中，采用納米銀線作為走線材料，第一導電電極及其走線可以在同一道制程中完成，第二導電電極及其走線也可以在同一道制程中完成，簡化了工藝，耗時少，成本低。電容式觸控面板的走線采用通孔設計，只需要使用一張柔性電路板，一次壓合(bonding)制程，進一步簡化了電容式觸控面板O制作流程，耗時短，節省材料，降低成本。
【【附圖說明】】
[0023]圖1是現有技術觸控面板的剖切結構示意圖，其包括第一導電層和第二導電層。
[0024]圖2是現有技術觸控面板的導電圖案平面結構示意圖。
[0025]圖3是本發明納米銀線薄膜的截面結構示意圖。
[0026]圖4是本發明納米銀線薄膜的平面示意圖。
[0027]圖5是本發明第一實施例觸控面板剖切結構示意圖。
[0028]圖6是圖5所示觸控面板的第一納米銀線導電層的平面結構示意圖。
[0029]圖7是圖5所示觸控面板的第二納米銀線導電層的平面結構示意圖。
[0030]圖8是本發明第一實施例觸控面板的無邊框設計的平面示意圖。
[0031]圖9本發明第二實施例觸控面板的第二納米銀線導電層及對應走線的平面結構示意圖。
[0032]圖10是本發明觸控面板第三實施例的剖切結構示意圖，在第一基板與第一納米銀線導電層和第二納米銀線導電層之間增加一增粘層。
[0033]圖11是本發明觸控面板第四實施例的剖切結構示意圖，在第一納米銀線導電層和第二納米銀線導電層上增加一平整層。
[0034]圖12是本發明觸控面板第五實施例的爆炸結構圖，在第一基板與第一納米銀線導電層和第二納米銀線導電層之間增加一光學匹配層。
[0035]圖13是本發明第六實施例觸控面板的制作方法流程圖。
[0036]圖14是本發明第七實施例觸控面板剖切結構示意圖。
[0037]圖15是本發明第八實施例觸控面板剖切結構示意圖。
【【具體實施方式】】
[0038]為了使本發明的目的，技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖及實施實例，對本發明進行進一步詳細說明。應當理解，此處所描述的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0039]請參閱圖3與圖4，系納米銀線導電薄膜800的剖切結構示意圖，其包括襯底807和制作在襯底807上的納米銀線導電層805，納米銀線導電層805包括嵌入在基質803中的多根納米銀線801，襯底807 —般為透明絕緣材料，納米銀線排布其中相互搭接形成導電網絡。納米銀線801線徑越大電阻越低，線長越長越容易搭接形成導電網絡，但同時納米銀線801表面積也隨之增大，表面反射光漫射導致的霧度問題越明顯，因此納米銀線801 (silvernano wires,簡稱SNW)的線長為10-300 μ m,優選20-100 μ m,最好其長度20-50 μ m,納米銀線801的線徑小于500nm或小于200nm，lOOnm，優選為小于50nm，且其長寬比(線長與線徑之比)大于10,優選大于50,更優選大于4