電子設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及具有省電模式的電子設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]以往，便攜電話、便攜游戲機、便攜音樂播放器等可攜帶的便攜終端裝置已普及。這些便攜終端裝置已推進(jìn)高性能化，為了高速執(zhí)行多個應(yīng)用程序而搭載有大容量的SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory:同步動態(tài)隨機存取存儲器)。SDRAM與便攜終端裝置所包含的其它設(shè)備相比，消耗功率較大。因此，作為用于實現(xiàn)SDRAM的省電化(便攜終端裝置的省電化)的技術(shù)，已知利用SDRAM的深度掉電(De印Power Down ；DPD)模式的技術(shù)。
[0003]例如，在特開2012-88906號公報(專利文獻(xiàn)I)中，公開了具有將存儲器停止的省電模式的電子設(shè)備。電子設(shè)備具有:第I存儲器和第2存儲器，其可個別地設(shè)為停止?fàn)顟B(tài)；存儲器控制部，其切換對第I存儲器的控制信號和對第2存儲器的控制信號；以及中央控制部，其在向省電模式轉(zhuǎn)移時，使第2存儲器向停止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)移，在該第2存儲器成為可恢復(fù)為正常狀態(tài)的停止?fàn)顟B(tài)后，使第I存儲器向停止?fàn)顟B(tài)轉(zhuǎn)移，與此同時，使存儲器控制部切換對第I存儲器的控制信號和對第2存儲器的控制信號。
[0004]現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
[0005]專利文獻(xiàn)
[0006]專利文獻(xiàn)1:特開2012-88906號公報
【發(fā)明內(nèi)容】
_7] 發(fā)明要解決的問題
[0008]然而，用戶使用便攜終端裝置所包含的應(yīng)用程序時，既有利用諸如游戲等便攜終端裝置的處理器的處理負(fù)荷大的應(yīng)用程序的狀況，也有不同于此的狀況。在利用處理器的處理負(fù)荷小的應(yīng)用程序的狀況下，即使處理器的處理能力和存儲器容量比較小，用戶感覺到的性能下降也會小。因此，在該狀況下，希望盡量降低處理器和存儲器所消耗的功率。
[0009]本發(fā)明是為了解決上述這樣的問題而完成的，其目的在于，提供能根據(jù)用戶的使用狀況適當(dāng)?shù)亟档拖墓β实碾娮釉O(shè)備。
_0] 用于解決問題的方案
[0011]根據(jù)某實施方式，提供具有省電模式的電子設(shè)備。電子設(shè)備包含:控制電子設(shè)備的動作的處理器；以及以可個別地設(shè)為停止?fàn)顟B(tài)的方式構(gòu)成且處理器可利用的多個存儲器。處理器基于處理器的處理負(fù)荷，使多個存儲器中的規(guī)定數(shù)量的存儲器成為停止?fàn)顟B(tài)從而轉(zhuǎn)移到省電模式。處理器在省電模式中具有限制電子設(shè)備的一部分動作的待機狀態(tài)和正?？刂齐娮釉O(shè)備的動作的激活狀態(tài)，無論是待機狀態(tài)還是激活狀態(tài)，均維持規(guī)定數(shù)量的存儲器的停止?fàn)顟B(tài)。
_2]發(fā)明效果
[0013]能根據(jù)用戶的使用狀況適當(dāng)?shù)亟档拖墓β省?br>【附圖說明】
[0014]圖1是示出根據(jù)實施方式I的電子設(shè)備的硬件構(gòu)成的示意圖。
[0015]圖2是用于說明根據(jù)實施方式I的電子設(shè)備所具有的多個動作狀態(tài)的概念圖。
[0016]圖3是用于說明根據(jù)實施方式I的電子設(shè)備所具有的動作狀態(tài)A的另一例的概念圖。
[0017]圖4是用于說明根據(jù)實施方式I的電子設(shè)備的動作狀態(tài)A(省電模式)中的消耗功率的降低效果的時序圖。
[0018]圖5是用于說明根據(jù)實施方式I的電子設(shè)備的動作狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的時序圖。
[0019]圖6是用于說明根據(jù)實施方式I的電子設(shè)備的動作狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的另一時序圖。
[0020]圖7是示出根據(jù)實施方式I的電子設(shè)備的SDRAM容量的控制處理的流程圖。
[0021]圖8是示出根據(jù)實施方式2的電子設(shè)備的硬件構(gòu)成的示意圖。
[0022]圖9是用于說明根據(jù)實施方式2的電子設(shè)備所具有的多個動作狀態(tài)的概念圖。
[0023]圖10是用于說明根據(jù)實施方式2的電子設(shè)備的動作狀態(tài)Al (省電模式)中的消耗功率的降低效果的時序圖。
[0024]圖11是用于說明根據(jù)實施方式2的電子設(shè)備的動作狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的時序圖。
[0025]圖12是用于說明根據(jù)實施方式2的電子設(shè)備的動作狀態(tài)的轉(zhuǎn)變的另一時序圖。
[0026]圖13是示出根據(jù)實施方式2的電子設(shè)備的SDRAM容量的控制處理的流程圖。
【具體實施方式】
[0027]以下，參照附圖來說明本發(fā)明的實施方式。在以下的說明中，對相同的部件標(biāo)注有相同的附圖標(biāo)記。它們的名稱和功能也相同。因此，不重復(fù)關(guān)于它們的詳細(xì)說明。
[0028][實施方式I]
[0029]〈硬件構(gòu)成〉
[0030]圖1是示出根據(jù)實施方式I的電子設(shè)備100的硬件構(gòu)成的示意圖。在以下的說明中，說明電子設(shè)備100為智能手機的情況。不過，電子設(shè)備100不問種類而能夠作為任意的裝置實現(xiàn)。例如，電子設(shè)備100也能夠作為平板電腦終端裝置、PDA (Personal DigitalAssistance:個人數(shù)字助理)、筆記本PC (Personal Computer:個人電腦)等實現(xiàn)。
[0031]參照圖1，電子設(shè)備100的主要構(gòu)成要素包含:多內(nèi)核處理器(以下，也簡稱為“多內(nèi)核”。)10 ;非易失性存儲器30 ;輸入裝置40 ;控制器50A、50B(以下，也簡單地總稱為“控制器 50”。) ;SDRAM60A、60B、60C、60D(以下也總稱為“SDRAM60”。);通信接口 (I/F)70;以及顯不器80。
[0032]多內(nèi)核10具有多個內(nèi)核(CPU(Central Processing Unit:中央處理單元))11?14。多內(nèi)核10通過內(nèi)核11?14中的至少I個以上的內(nèi)核，控制電子設(shè)備100的各部的動作。多內(nèi)核10是搭載有4個以高速的頻率動作(信息處理能力高)但消耗功率大的內(nèi)核的多內(nèi)核處理器。以下，為了容易說明，假定至少內(nèi)核11為激活內(nèi)核。此外，所謂激活內(nèi)核，是至少在某特定的時點執(zhí)行著命令或者可用于執(zhí)行命令的內(nèi)核。
[0033]多內(nèi)核10通過將存儲于非易失性存儲器30的程序和存儲于SDRAM60的數(shù)據(jù)讀出并執(zhí)行，來控制電子設(shè)備100的各部的動作。多內(nèi)核10通過執(zhí)行該程序來實現(xiàn)后述的電子設(shè)備100的每個處理(步驟)。另外，多內(nèi)核10為了控制CPU動作頻率和激活內(nèi)核數(shù)，以一定的周期監(jiān)視內(nèi)核11、12、13、14的動作頻率和使用率，管理整個多內(nèi)核10的動作頻率和激活內(nèi)核數(shù)。
[0034]非易失性存儲器30由閃存、硬盤等實現(xiàn)。非易失性存儲器30存儲由多內(nèi)核10執(zhí)行的程序或者由多內(nèi)核10利用的數(shù)據(jù)等。
[0035]輸入裝置40接受對電子設(shè)備100的操作輸入。輸入裝置40例如由鍵盤、按鈕、鼠標(biāo)等實現(xiàn)。另外，輸入裝置40也可以作為觸摸面板實現(xiàn)。
[0036]控制器50控制每個SDRAM60。典型的是，控制器50控制存儲于SDRAM60的數(shù)據(jù)的讀出、數(shù)據(jù)的寫入、刷新動作等。
[0037]SDRAM60A?60D是多內(nèi)核10執(zhí)行應(yīng)用程序時利用的易失性存儲器。SDRAM60例如是 DDR (Double-Data-Rate:雙倍數(shù)據(jù)速率)移動 RAM (Mobi Ie RAM)。SDRAM60 以基于多內(nèi)核10的指示可個別地轉(zhuǎn)移到DH)狀態(tài)的方式構(gòu)成。當(dāng)轉(zhuǎn)移到DH)模式時，SDRAM60不進(jìn)行刷新動作，因此，無法保持所存儲的數(shù)據(jù)，但能夠大幅抑制消耗功率。
[0038]通信接口(I/F) 70是用于在電子設(shè)備100與外部裝置之間交換各種數(shù)據(jù)的通信接口。此外，作為通信方式，例如可以是基于Bluetooth (藍(lán)牙；注冊商標(biāo))、無線LAN(LocalArea Network:局域網(wǎng)絡(luò))等的無線通信，也可以是利用了 USB (Universal Serial Bus:通用串行總線)等的有線通信。電子設(shè)備100也可以通過通信接口 70連接到移動通信網(wǎng)，進(jìn)行用于無線通信的信號的發(fā)送和接收。由此，電子設(shè)備100例如能通過第3代移動通信系統(tǒng)(3G)、LTE(Long Term Evolut1n:長期演進(jìn))等移動通信網(wǎng)與通信裝置進(jìn)行通信。
[0039]顯示器80基于來自多內(nèi)核10的信號，在顯示畫面顯示圖像、文本、其它信息。此夕卜，電子設(shè)備100也可以具有麥克風(fēng)、揚聲器、照相機、存儲器接口等外圍電路。
[0040]<動作狀態(tài)>
[0041]圖2是用于說明根據(jù)實施方式I的電子設(shè)備100所具有的多個動作狀態(tài)的概念圖。此外，在圖2中，為了容易說明，僅圖示出多內(nèi)核10、控制器50和SDRAM60。另外，假定每個SDRAM60的容量為IGB。
[0042]圖2(a)所示的電子設(shè)備100的動作狀態(tài)是以內(nèi)核11、12為激活內(nèi)核的多內(nèi)核10通過控制器50A利用SDRAM60A，通過控制器50B利用SDRAM60C，并且控制電子設(shè)備100的動作的狀態(tài)(以下也稱為“動作狀態(tài)A”。)。在動作狀態(tài)A中，SDRAM60B、60D轉(zhuǎn)移到DH)模式狀態(tài)(停止?fàn)顟B(tài))。因此，多內(nèi)核10能夠利用2GB的存儲器容量。
[0043]圖2(b)所示的電子設(shè)備100的動作狀態(tài)是以內(nèi)核11?13為激活內(nèi)核的多內(nèi)核10通過控制器50A利用SDRAM60A、60B，通過控制器50B利用SDRAM60C、60D，并且控制電子設(shè)備100的動作的狀態(tài)(以下也稱為“動作狀態(tài)B”。)。在動作狀態(tài)B中，不存在轉(zhuǎn)移到Dro模式狀態(tài)(以下，也稱為“Dro狀態(tài)”。)的SDRAM60。因此，多內(nèi)核10能夠利用整個SDRAM60 (4GB的存儲器容量)。
[0044]圖2(c)所示的電子設(shè)備100的動作狀態(tài)是以內(nèi)核11、12為激活內(nèi)核的多內(nèi)核10通過控制器50A利用SDRAM60A、60B，通過控制器50B利用SDRAM60C、60D，并且控制整個電子設(shè)備100的動作的狀態(tài)(以下也稱為“動作狀態(tài)C”。)。在動作狀態(tài)C中，與動作狀態(tài)B同樣，不存在轉(zhuǎn)移到DH)狀態(tài)的SDRAM60。因此，多內(nèi)核10能夠利用