去尾端 效應調整，可能增加接觸區域分離的可能性。不過，此類接觸區域分離通常是不良的，因為 它可能引起兩個單獨接觸的檢測（和位置計算）而不是實際的大導電體（例如，諸如胖手 指）的單個接觸。
[0195] 為解決這個缺點，在某些實施例中，本文所述的技術提供僅校正在具有最大RX索 引值的傳感器元件下游的那些傳感器元件的尾端效應。（需要指出，在此背景下，下游指的 是遠離藉此布線RX電極的傳感器陣列邊緣的方向。）
[0196] 圖13示出考慮大導電體（例如，諸如胖手指）接觸的調整尾端效應并避免接觸區 域分離的示例方法。圖13中的方法包括如圖12中的方法的相同塊，除了如與圖12中的塊 1136A相比，藉此選擇不同元件的塊1136B以外。
[0197] 圖13中的各塊的操作在后文被描述為通過處理邏輯來執行（例如，諸如圖1中的 處理邏輯102)。不過需要指出，各個實施和實施例可以使用不同并且可能多個組件來執行 圖13中的方法。因此，在后文中，圖13中如通過處理邏輯執行的方法的描述應被視為說明 性的含義而非限制性的含義。
[0198] 在塊1304,用于傳感器陣列的TX電極的斜率參數（或系數）值a已被計算并以與 它們對應的TX電極相關聯的方式被存儲。在塊1132中，處理邏輯執行將"txlndex"變量 初始化到零的操作，"txlndex"變量表示當前TX電極的TX索引值。在塊1134中，處理邏輯 確定是否有需要被處理的任何剩余TX電極。例如，如果"txlndex"變量小于"txLast"變 量，那么，至少當前TX電極仍需要被處理，并且該處理邏輯繼續執行在塊1136B至1144中 的操作。如果"txlndex"變量不小于"txLast"變量，那么，用于所有TX電極的傳感器元件 的差分信號值均已被處理，并且該處理邏輯繼續進行在塊1350中的操作。
[0199] 在塊1136B中，處理邏輯僅選擇對其RX電極在作為正被處理的掃描操作的一部分 被檢測到具有最大差分信號值的RX電極下游的那些傳感器元件的尾端效應調整。例如，處 理邏輯將"rxlndex"變量初始化到高于變量（"rxMax"）值的值，變量（"rxMax"）表示沿 當前TX電極被檢測到具有最高差分信號值的RX電極的RX索引值。為執行該初始化，處理 邏輯可以執行下列操作
[0200] rxlndex = rxMax+1
[0201] 為了上述操作的目的，用于每個TX電極的"rxMax"變量可以被找到并在線性近似 系數計算期間，以與該TX電極相關聯的方式保存（例如，作為圖11中塊1112至1124中的 操作的一部分）。通過以這種方式設定"rxlndex"變量，本文所述的技術提供將僅被校正 用于其RX索引值在所有TX電極的"rxMax"索引值范圍之外的那些傳感器元件的差分信號 值。如果傳感器陣列是雙布線的，那么，塊1136B中的操作可以被單獨應用于藉此布線RX 電極的傳感器陣列的每一面。
[0202] 在塊1138中，處理邏輯確定是否有需要被處理用于當前TX電極的任何剩余RX電 極。例如，如果"rxlndex"變量小于"rxLast"變量，那么，至少當前RX電極仍需要被處理，并 且該處理邏輯繼續執行在塊1140和1142中的操作。如果"rxlndex"變量不小于"rxLast" 變量，那么，來自沿當前TX電極的RX電極的差分信號值已被處理，并且處理邏輯繼續執行 在塊1144中的操作（該塊設定用于處理的下一個TX電極）。
[0203] 在塊1140中，處理邏輯調整用于當前傳感器元件（其通過"rxlndex"變量指示的 當前RX電極和"txlndex"變量指示的當前TX電極形成）的尾端效應的差分信號值。例如， 處理邏輯執行下列操作
[0204]信號校正=信號一Coef[txIndex] *rxlndex
[0205] 需要指出，值（即，乘積）"Coef [txlndex]*rxlndex"表示校正當前傳感器元件的 尾端效應的調整值。
[0206] 在塊1142中，處理邏輯設定需要被處理的下一個RX電極的RX索引值并繼續在塊 1138中的操作。在來自沿當前TX電極的選定RX電極的差分信號值已被處理后，在塊1138 中處理邏輯確定當前"rxlndex"變量不小于"rxLast"變量。因此，處理邏輯繼續在塊1144 中的操作。在塊1144中處理邏輯設定需要被處理的下一個TX電極的TX索引值并繼續在 塊1134中的操作。在所有TX電極的傳感器元件的差分信號值被以上述方式調整后，在塊 1134中處理邏輯確定當前"txlndex"變量不小于"txLast"變量。因此，處理邏輯繼續在塊 1350中的操作。在塊1350中，處理邏輯執行在圖11中的塊1150中描述的操作（例如，諸 如使用尾端效應已校正信號值計算導電體在傳感器陣列上的定位位置的操作）。
[0207] 在某些實施例中，本文所述的技術的簡單（例如，更快）實施可以包括計算僅用于 在接觸區域中間的那些TX電極的斜率參數值，以及調整僅通過那些TX電極形成的那些傳 感器元件的尾端效應。在這些實施例中，用于校正尾端效應的方法類似于在圖11和12中 示出的方法，除了取代循環通過所有TX電極以外，這些方法將提供僅選擇TX電極的子集的 操作（例如，諸如僅包括在接觸區域中間的那些TX電極的子集）。
[0208] 在某些實施例中，本文所述的用于校正尾端效應的技術不僅可以用于互電容式傳 感器陣列，而且可以用于具有自電容設計的傳感器陣列。本文所述的技術的此類應用對于 自電容式傳感器陣列是可能的，因為它們也提供能夠被激活并且能夠產生能被分析的信號 分布圖的多個傳感器。此外，本文所述的技術不只與電容式感應應用相關聯，而且可以用于 其他感應技術（例如，去除光學感應應用中的陰影），以及可用于提供能夠接收與線性分布 圖耦合的寄生信號的傳感器元件陣列的任何其他類型的設計。
[0209] 本文所述的用于校正尾端效應的技術的各個實施例可以包括各種操作。這些操作 可以通過硬件組件、軟件、固件或它們的組合來執行。如本文所使用的，術語"耦合于"可以 意指直接耦合后通過一個或多個插入組件間接耦合。本文所述的在各個總線上提供的任何 信號可以與其他信號時分多路復用并被在一個或多個公用總線上提供。另外，各電路組件 或各塊之間的互連可以被示出為各總線或單信號線。每個總線可以另選是一個或多個單信 號線，以及每個單信號線可以另選是各總線。
[0210] 特定實施例可以被實施為計算機程序產品，該程序產品可以包括儲存在非臨時性 計算機可讀介質（例如，諸如易失性儲存器和/或非易失性儲存器）上。這些指令可用于 編程包括一個或多個通用或專用處理器（例如，諸如中央處理單元或CPU)或其等效物（例 如，諸如處理核，處理引擎，微控制器等）的一個或多個裝置，使得當該指令被處理器或其 等效物執行時，該指令促使該裝置執行所述的用于校正本文所述的尾端效應的操作。計算 機可讀介質還可以包括用于以機器（例如，諸如裝置或計算機）可讀的形式（例如，諸如 軟件、處理應用）存儲或傳送信息的一個或多個機制。非臨時性計算機可讀存儲介質可以 包括但不限于電磁存儲介質（例如，軟盤、硬盤等）、光學存儲介質（例如，CD-ROM)、磁光存 儲介質、只讀存儲器（R0M)、隨機存取存儲器（RAM)、可擦除可編程存儲器（例如，EPROM和 EEPR0M)、閃存或適用于存儲信息的另一種現在已知或以后開發類型的介質。
[0211] 雖然本文方法的操作以特定次序示出和描述，但是每種方法的操作次序可以被改 變，使得特定操作可以以相反次序執行，或使得特定操作可與其他操作至少部分并行執行。 在其他實施例中，各指令或不同操作的子操作可以以間歇和/或交替的方式。
[0212] 在前述說明書中，本發明已關于其特定示例性實施例進行了描述。不過很顯然，可 以對其做出各種更改和改變，而不偏離如在所附權利要求中闡述的本發明的較廣闊的實質 和范圍。因此，本說明書和附圖應被視為是示例性的含義而不是限制性的含義。
【主權項】
1. 一種裝置，包括： 傳感器陣列，所述傳感器陣列包括多個接收RX電極和多個發送TX電極，其中，所述多 個RX電極和多個TX電極在所述傳感器陣列的基板上的單層中的觸摸感應區域中彼此交錯 而沒有交叉； 傳感器，所述傳感器經配置測量來自所述傳感器陣列的多個測量結果，其中，所述多個 測量結果代表導電體與所述傳感器陣列接觸或接近所述傳感器陣列；以及 與所述傳感器耦合的處理邏輯，其中，所述處理邏輯經配置至少執行以下操作： 確定對應于與所述多個測量結果相關聯的尾端效應的調整值的集合；以及 基于所述調整值的集合生成對應于所述多個測量結果的調整后的測量結果，其中，所 述調整后的測量結果校正所述尾端效應。2. 如權利要求1所述的裝置，其中，所述尾端效應包括由受所述導電體影響的RX電極 的主跡線和TX電極之間的寄生耦合引起的寄生信號增加或寄生信號減少，其中，所述RX電 極的所述主跡線鄰近所述TX電極布線。3. 如權利要求2所述的裝置，其中，所述RX電極的所述主跡線和所述RX電極的成形部 被布置在所述傳感器陣列的所述觸摸感應區域中，但是，所述RX電極的所述成形部不受所 述導電體影響。4. 如權利要求1所述的裝置，其中，所述傳感器陣列包括在所述傳感器陣列的相對側 上的第一非感應區域和第二非感應區域，其中，所述多個RX電極的第一子集和所述多個TX 電極的第一子集從所述第一非感應區域布線，并且所述多個RX電極的第二子集和所述多 個TX電極的第二子集從所述第二非感應區域布線。5. 如權利要求1所述的裝置，其中，所述處理邏輯還經配置基于所述調整后的測量結 果確定所述導電體在所述傳感器陣列上的位置坐標。6. 如權利要求1所述的裝置，其中，所述多個測量結果包括通過所述傳感器陣列的特 定TX電極形成的傳感器元件的信號值，并且其中，所述調整后的測量結果包括對應于所述 信號值的調整值。7. 如權利要求6所述的裝置，其中，為了確定關于所述特定TX電極的所述調整值，所述 處理邏輯經配置執行以下操作： 計算沿所述特定TX電極形成所述傳感器元件的RX電極的索引的總和； 計算沿所述特定TX電極的所述傳感器元件的所述信號值的總和； 基于所述索引的總和和所述信號值總和計算參數值；以及 至少基于：每個所述信號值、所述參數值、以及對應RX電極的索引調整所述信號值中 的每個信號值，以獲得對應的調整值。8. 如權利要求6所述的裝置，其中，通過所述特定TX電極形成的所述傳感器元件的所 述信號值小于尾端效應閾值值。9. 如權利要求6所述的裝置，其中，沿所述特定TX電極形成所述傳感器元件的所述RX 電極具有大于形成具有峰值信號值的傳感器元件的RX電極的索引的索引。10. -種方法，包括： 接收從傳感器陣列測量的多個測量結果，其中，所述多個測量結果代表導電體與所述 傳感器陣列接觸或接近所述傳感器陣列； 其中，所述傳感器陣列包括多個接收RX電極和多個發送TX電極，其中，所述多個RX電 極和所述多個TX電極在所述傳感器陣列的基板上的單層中的觸摸感應區域中彼此交錯而 沒有交叉； 處理裝置確定對應于與所述多個測量結果相關聯的尾端效應的調整值的集合；以及 基于所述調整值的集合生成對應于所述多個測量結果的調整后的測量結果，其中，所 述調整后的測量結果校正所述尾端效應。11. 如權利要求10所述的方法，其中，所述尾端效應包括由受所述導電體影響的RX電 極的主跡線和TX電極之間的寄生耦合引起的寄生信號增加或寄生信號減少，并且其中，所 述RX電極的所述主跡線鄰近所述TX電極布線。12. 如權利要求11所述的方法，其中，所述RX電極的主跡線和所述RX電極的成形部被 布置在所述傳感器陣列的所述觸摸感應區域中，但是，所述RX電極的所述成形部不受所述 導電體影響。13. 如權利要求10所述的方法，還包括基于所接收到的多個測量結果確定所述傳感器 陣列的傳感器元件的差分信號。14. 如權利要求10所述的方法，其中： 所述多個測量結果包括通過所述傳感器陣列的特定TX電極形成的傳感器元件的信號 值；并且 所述處理裝置確定所述調整后的測量結果包括： 計算沿所述特定TX電極形成所述傳感器元件的RX電極的索引的總和； 計算沿所述特定TX電極的所述傳感器元件的所述信號值的總和； 基于所述索引的總和和所述信號值的所述總和計算參數值；以及 至少基于：每個所述信號值、所述參數值、以及對應RX電極的索引調整所述信號值中 的每個信號值，以獲得對應的調整值。15. 如權利要求14所述的方法，其中，所述處理裝置確定所述調整后的測量結果還包 括： 通過將所述多個測量結果和尾端效應閾值值進行比較，選擇通過所述傳感器陣列的所 述特定TX電極形成的所述傳感器元件的所述信號值。16. 如權利要求14所述的方法，其中，所述處理裝置確定所述調整后的測量結果還包 括： 確定形成具有峰值信號值的傳感器元件的RX電極的第一索引；以及 通過只選擇小于尾端效應閾值值并且具有大于所述第一索引的索引的那些信號值來 選擇通過所述傳感器陣列的所述特定TX電極形成的所述傳感器元件的所述信號值。17. 如權利要求10所述的方法，還包括，基于所述調整后的測量結果確定所述導電體 在所述傳感器陣列上的位置坐標。18. -種系統，包括： 電容式傳感器陣列，所述電容式傳感器陣列包括多個接收RX電極和多個發送TX電極， 其中，所述多個RX電極和所述多個TX電極在所述電容式傳感器陣列的基板上的單層中的 觸摸感應區域中彼此交錯而沒有交叉； 電容式傳感器，所述電容式傳感器與所述電容式傳感器陣列耦合，所述電容式傳感器 經配置從所述多個RX電極測量多個測量結果，其中，所述多個測量結果代表導電體與所述 電容式傳感器陣列接觸或接近所述電容式傳感器陣列；以及 處理邏輯，所述處理邏輯與所述電容式傳感器耦合，其中，所述處理邏輯經配置至少執 行以下操作： 確定對應于與所述多個測量結果相關聯的尾端效應的調整值的集合；以及 基于所述調整值的集合生成對應于所述多個測量結果的調整后的測量結果，其中，所 述調整后的測量結果校正所述尾端效應。19. 如權利要求18所述的系統，其中： 所述尾端效應包括由受所述導電體影響的RX電極的主跡線和TX電極之間的寄生電容 耦合引起的寄生信號增加或寄生信號減少，其中，所述RX電極的所述主跡線鄰近所述TX電 極布線；并且 所述RX電極的所述主跡線和所述RX電極的成形部被布置在所述電容式傳感器陣列的 所述觸摸感應區域中，但是，所述RX電極的所述成形部不受所述導電體影響。20. 如權利要求18所述的系統，其中，所述電容式傳感器陣列包括在所述電容式傳感 器陣列的相對側上的第一非感應區域和第二非感應區域，其中，所述多個RX電極的第一子 集和所述多個TX電極的第一子集從所述第一非感應區域布線，而所述多個RX電極的第二 子集和所述多個TX電極的第二子集從所述第二非感應區域布線。
【專利摘要】本文描述用于校正尾端效應的技術。在示例實施例中，裝置包括與處理邏輯耦合的傳感器。該傳感器經配置測量來自傳感器陣列的多個測量結果，其中，所述測量結果代表導電體與該傳感器陣列接觸或接近該傳感器陣列。該傳感器陣列包括在該傳感器陣列的基板上的單層中彼此交錯而沒有交叉的RX電極和TX電極。處理邏輯經配置確定對應于和該測量結果相關聯的尾端效應的調整值的集合，并且基于該調整值的集合生成調整后的測量結果，其中，該調整后的測量結果校正尾端效應的寄生信號變化。
【IPC分類】G06F3/041
【公開號】CN105027038
【申請號】CN201380064976
【發明人】佩特羅·科桑德扎克, 瓦席爾·曼奇, 伊戈爾·科萊奇, 馬紹·巴達耶
【申請人】賽普拉斯半導體公司
【公開日】2015年11月4日
【申請日】2013年9月27日