工藝流程的變更方法、對變更的工藝流程進行監控的方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及集成電路制造領域，特別涉及工藝流程的變更方法及對變更的工藝流程進行監控的方法。
【背景技術】
[0002]在集成電路的生產制造中，每一個晶片(Wafer)從原料最終形成產品都需要經過成百乃至上千道工序，晶片所經過的所有工序組成了工藝流程。在正常情況下，晶片按照預先設定好的工藝流程一步一步地執行每一道工序，也就是說，預先設定好了工藝流程中每一道工序的內容，每一道工序的內容還包括具體的工藝參數，還預先設定好了每一道工序執行的時間順序，工藝流程驅動引擎根據預先設定好的工藝流程，控制晶片依次執行每一道工序。
[0003]但隨著集成電路制程的復雜化，工藝制造的不斷更新，工程變更在集成電路的生產過程中會頻繁發生。這些變更對集成電路制程的改善，半導體工藝良率的提升及生產效率的提聞有著決定的意義。
[0004]工程變更主要涉及工藝流程的改變，包括工藝變更(process engineeringchange),和程序(procedure)或者OI的變更。在很多情況下，晶片需要根據工程師的要求在工藝流程中的某一道工序或某幾道工序上按照變更后的工藝參數進行處理。
[0005]一種工藝流程的變更方法包括:當執行到某道工序時，將一組晶片分為若干批(Lot)，人為地選擇幾批按照原工藝參數進行制造，而其他批按照變更后的工藝參數進行制造。現有技術還包括對變更的工藝流程進行監控的方法，包括對變更后的工藝參數進行驗證，以確保廣品良率的提聞。
[0006]但是，半導體的工藝流程及其復雜，變更各種參數或者制程的方式比較粗放，現有技術僅人為地選批對晶片進行工藝流程的變更，再通過對變更的工藝流程的檢測結果進行驗證及再變更，以獲得預期效果。這種分批變更方式很難兼顧選批中晶片所涉及的工序及工序之間的影響范圍，人為地對晶片進行選批變更，很大程度上會提高工藝流程的變更重復率和變更成本，特別是錯誤的變更還會降低產品的良率，導致生產效率的低下。
【發明內容】
[0007]本發明技術方案所解決的技術問題為:如何降低工藝流程的變更重復率和變更成本。
[0008]為了解決上述技術問題，本發明技術方案提供了一種工藝流程的變更方法，基于至少一次變更申請，包括:
[0009]對晶片組進行預分批，以得到若干晶片批次；
[0010]根據當前的變更申請選擇可適用所述變更申請的晶片批次，所述晶片批次的晶片包括基準晶片；
[0011]從所選擇的可適用所述變更申請的晶片批次中選擇除所述基準晶片以外的變更晶片，以獲取晶片組分批結果；
[0012]基于所述晶片組分批結果執行所述工藝流程。
[0013]可選的，所述晶片批次包括第一變更等級的晶片批次及第二變更等級的晶片批次；所述第一變更等級的晶片批次僅可同時適用一次變更申請，所述第二變更等級的晶片批次可同時適用多次變更申請。
[0014]可選的，所述根據當前的變更申請選擇可適用所述變更申請的晶片批次包括:
[0015]查找進行中的變更申請單；
[0016]檢測本次晶片批次是否可適用所述進行中的變更申請單:
[0017]當所述本次晶片批次為第一變更等級的晶片批次，檢查本次晶片批次是否已被應用于其他變更申請單中:若是則更換下一晶片批次繼續檢測或等待本次晶片批次在其他變更申請單中應用完畢，若否則選擇本次晶片批次為所述可適用所述變更申請的晶片批次；
[0018]當所述本次晶片批次為第二變更等級的晶片批次，選擇本次晶片批次為所述可適用所述變更申請的晶片批次。
[0019]為了解決上述技術問題，本發明技術方案還提供了一種工藝流程的變更方法，基于至少一次變更申請，包括:
[0020]對晶片組進行預分批，以得到若干晶片批次；
[0021]根據當前的變更申請選擇可適用所述變更申請的晶片批次，所述晶片批次的晶片包括基準晶片和可適用所述變更申請的晶片；
[0022]從所選擇的可適用所述變更申請的晶片批次的可適用所述變更申請的晶片中選擇變更晶片，以獲取晶片組分批結果；
[0023]基于所述晶片組分批結果執行所述工藝流程。
[0024]可選的，所述晶片批次包括第一變更等級的晶片批次及第二變更等級的晶片批次；所述第一變更等級的晶片批次僅可同時適用一次變更申請，所述第二變更等級的晶片批次可同時適用多次變更申請；
[0025]所述第二變更等級的晶片批次中除所述基準晶片以外晶片包括第一變更等級的晶片和第二變更等級的晶片，所述第一變更等級的晶片僅可同時適用一次變更申請，所述第二變更等級的晶片可同時適用多次變更申請。
[0026]可選的，所述根據當前的變更申請選擇可適用所述變更申請的晶片批次包括:
[0027]查找進行中的變更申請單；
[0028]檢測本次晶片批次是否可適用所述進行中的變更申請單:
[0029]當所述本次晶片批次為第一變更等級的晶片批次，檢查本次晶片批次是否已被應用于其他變更申請單中:若是則更換下一晶片批次繼續檢測或等待本次晶片批次在其他變更申請單中應用完畢，若否則選擇本次晶片批次為所述可適用所述變更申請的晶片批次；
[0030]當所述本次晶片批次為第二變更等級的晶片批次，選擇本次晶片批次為所述可適用所述變更申請的晶片批次。
[0031]可選的，當所述可適用所述變更申請的晶片批次為第一變更等級的晶片批次，所述可適用所述變更申請的晶片為該晶片批次中除所述基準晶片以外的晶片；
[0032]當所述可適用所述變更申請的晶片批次為第二變更等級的晶片批次:
[0033]若該晶片批次中除所述基準晶片以外晶片為第一變更等級的晶片，則所述可適用所述變更申請的晶片為除所述基準晶片以外、未被應用于其他變更申請的晶片；
[0034]若該晶片批次中除所述基準晶片以外晶片為第二變更等級的晶片，則所述可適用所述變更申請的晶片為除所述基準晶片以外的晶片。
[0035]為了解決上述技術問題，本發明技術方案還提供了一種工藝流程的變更方法，基于至少一次變更申請，包括:
[0036]對晶片組進行預分批，以得到若干晶片批次；
[0037]所述晶片批次的類型包括第一變更等級的晶片批次、第二變更等級的晶片批次及第三變更等級的晶片批次，基于所述晶片批次的類型從可適用所述變更申請的晶片批次中選擇變更晶片，以獲取晶片組分批結果；
[0038]基于所述晶片組分批結果執行所述工藝流程。
[0039]為了解決上述技術問題，本發明技術方案還提供了對變更的工藝流程進行監控的方法，包括:
[0040]基于如上所述的工藝流程的變更方法執行工藝流程；
[0041]獲取所述工藝流程執行過程中晶片組分批結果及與所述晶片批次中的基準晶片和變更晶片相關信息；
[0042]將所述基準晶片的參數變化與變更晶片的參數變化進行比較，以對所述變更的工藝流程進行監測。
[0043]本發明技術方案的有益效果至少包括:
[0044]本發明技術方案通過對選擇適用于當前變更申請的晶片批次，進行變更晶片的選擇，并以此獲取晶片組的分批結果，基于所述分批結果來執行工藝流程，從而完成工藝流程的變更。不同于現有技術，本發明技術方案的晶片批次并非人為選擇，而是基于當前變更申請進行選擇的，其可避免與其他變更申請的變更沖突，降低對工藝流程的影響力，其次，本發明技術方案的分批結果還包括變更晶片的信息，提高了信息傳遞的有效性；基于上述，本發明技術方案既保證了工藝流程的變更過程不會受到其他變更的影響，又保證了工藝變更過程最大效率的利用，能夠降低變更重復率和變更成本，提供產品的生產效率。
[0045]在可選方案中，本發明技術方案還提供了一種晶片批次的分類方式，以供系統區分和選擇可適用所述變更申請的晶片批次。基于上述晶片批次的分類方式，能夠快速決策可適用所述變更申請的晶片批次，并且可以賦予晶片批次以充分利用率，確保工藝流程的有效運行。
[0046]在本發明的另一種技術方案中，本發明技術方案的晶片批次和變更晶片分別是根據當前變更申請進行選擇的，不僅防止了晶片批次的執行沖突，還從變更晶片上，更細致地區分了工藝流程的變更內容，進一步降低變更晶片所帶來的工藝影響，提高產生的生成效率,降低生成