觸摸屏的觸摸掃描方法與流程

本申請涉及觸摸屏技術(shù)領(lǐng)域，具體地說，涉及一種觸摸屏的觸摸掃描方法。

背景技術(shù)：

近年來，數(shù)字信息和無線移動通信的技術(shù)快速發(fā)展，為達(dá)到攜帶便利、體積輕巧化以及操作人性化的目的，許多電子信息產(chǎn)品，如移動電話等的輸入方式已由采用傳統(tǒng)的鍵盤或鼠標(biāo)等裝置進(jìn)行輸入轉(zhuǎn)變?yōu)槭褂糜|控面板作為輸入設(shè)備，以提升操作的便利性。

觸摸屏按照組成結(jié)構(gòu)可以分為：外掛式觸摸屏(addonmodetouchpanel)、覆蓋表面式觸摸屏(oncelltouchpanel)以及內(nèi)嵌式觸摸屏(incelltouchpanel)。其中，內(nèi)嵌式觸摸屏是將觸摸屏的觸控電極設(shè)置在液晶顯示屏的內(nèi)部，可以減薄模組整體的厚度，又可以大大降低觸摸屏的制作成本，受到消費(fèi)者和面板廠商的青睞。觸摸屏按照工作原理可分為：電阻式觸摸屏和電容式觸摸屏等。其中，電容式觸摸屏支持多點(diǎn)觸控功能，擁有較高的透光率和較低的整體功耗，其接觸面硬度高，使用壽命較長。

圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中包含觸控電極陣列的顯示面板一種結(jié)構(gòu)示意圖，目前，現(xiàn)有的一種電容式內(nèi)嵌觸摸屏是將現(xiàn)有的顯示面板300上的公共電極在豎直方向上劃分成多塊，構(gòu)成觸控電極302陣列，每個(gè)觸控電極302均通過信號引線303與控制芯片301電連接，通常，觸摸檢測的過程是控制芯片301向觸控電極302發(fā)出檢測脈沖，然后控制芯片301通過檢測信號引線303上的電流變化來計(jì)算電容的變化，再判斷觸控電極302是否發(fā)生了觸控。通常，在觸摸檢測的過程中，一幀時(shí)間內(nèi)，每半幀預(yù)留8段觸控時(shí)間，分別為t1～t8，在t1～t3的觸控時(shí)間段內(nèi)，對所有觸控電極進(jìn)行觸控檢測，t4～t8為空閑的預(yù)留時(shí)間。也就是說，在一幀時(shí)間內(nèi)的6個(gè)觸控時(shí)間段要對所有觸控電極進(jìn)行觸控檢測，如此造成了觸控額外增加的功耗變大，增加了面板的整體功耗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

有鑒于此，本申請所要解決的技術(shù)問題是提供了一種觸摸屏的觸摸掃描方法，有利于降低觸摸屏的整體功耗。

為了解決上述技術(shù)問題，本申請有如下技術(shù)方案：

一種觸摸屏的觸摸掃描方法，所述觸摸屏包含呈陣列分布的多個(gè)自容式電極，每個(gè)所述自容式電極與至少一條觸控信號線電連接，觸摸掃描包括多個(gè)觸控掃描周期，各所述觸控掃描周期至少包括第一觸控階段和第二觸控階段，所述掃描方法包括：

在所述第一觸控階段，通過所述觸控信號線對至多一半數(shù)量的所述自容式電極進(jìn)行觸控檢測，獲取電容變化量最大的自容式電極，所述電容變化量最大的自容式電極為第一自容式電極；

在所述第二觸控階段，通過所述觸控信號線對所述第一自容式電極及所述第一自容式電極周圍的多個(gè)自容式電極進(jìn)行觸控檢測。

可選地，其中：

所述第二觸控階段包括多個(gè)第二觸控子階段。

可選地，其中：

一個(gè)所述觸控掃描周期對應(yīng)1幀顯示，其中前半幀顯示包括所述第一觸控階段和所述第二觸控階段，后半幀包括第三觸控階段和第四觸控階段。

可選地，其中：

將每幀顯示分為8個(gè)連續(xù)的1/8幀，所述第一觸控階段對應(yīng)第1個(gè)1/8幀，所述第二觸控階段對應(yīng)第2至4個(gè)1/8幀，所述第三觸控階段對應(yīng)第5個(gè)1/8幀，所述第四觸控階段對應(yīng)第6至8個(gè)1/8幀。

可選地，其中：

所述第三觸控階段與所述第一觸控階段相同，所述第四觸控階段與所述第二觸控階段相同。

可選地，其中：

在所述第一觸控階段，對一半數(shù)量的所述自容式電極進(jìn)行觸控檢測，所述一半數(shù)量的所述自容式電極均勻排布在所述觸摸屏上。

可選地，其中：

在所述第一觸控階段，對1/3數(shù)量的所述自容式電極進(jìn)行觸控檢測，所述1/3數(shù)量的所述自容式電極均勻排布在所述觸摸屏上。

可選地，其中：

所述在所述第一觸控階段，通過所述觸控信號線對至多一半數(shù)量的所述自容式電極進(jìn)行觸控檢測為：通過所述觸控信號線向至多一半數(shù)量的所述自容式電極發(fā)送觸控檢測信號，并接收所述自容式電極的反饋信號，根據(jù)所述反饋信號獲取電容變化量最大的自容式電極。

可選地，其中：

述在所述第二觸控階段，通過所述觸控信號線對以所述第一自容式電極為中心的多個(gè)自容式電極進(jìn)行觸控檢測為：通過所述觸控信號線對以所述第一自容式電極為中心的m*m個(gè)自容式電極發(fā)送觸控檢測信號，并接收m*m個(gè)自容式電極的反饋信號，根據(jù)所述反饋信號獲取精確的觸控位置，其中，m為整數(shù)，3≤m≤5。

可選地，其中：

所述通過所述觸控信號線對以所述第一自容式電極為中心的m*m個(gè)自容式電極發(fā)送觸控檢測信號，并接收m*m個(gè)自容式電極的反饋信號，根據(jù)所述反饋信號獲取精確的觸控位置為：根據(jù)m*m個(gè)自容式電極的反饋信號，判斷m*m個(gè)自容式電極所在區(qū)域中電容變化量最大的區(qū)域，所述電容變化量最大的區(qū)域?yàn)樗鼍_的觸控位置。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請所述的觸摸屏的觸摸掃描方法，達(dá)到了如下效果：

本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中，在檢測到觸控時(shí)，先進(jìn)行粗略檢測，即通過觸控信號線對至多一半數(shù)量的自容式電極進(jìn)行觸控檢測，獲得第一自容式電極，該第一自容式電極為所檢測的至多一半數(shù)量的自容式電極中電容量最大的電極，然后再進(jìn)行精確檢測，即對第一自容式電極及第一自容式電極周圍的多個(gè)自容式電極進(jìn)行觸控檢測，從而得到最終的觸控位置。與現(xiàn)有技術(shù)中對全部電極進(jìn)行觸摸檢測的方法相比，本申請中對自容式電極進(jìn)行觸摸檢測時(shí)，在粗略檢測的過程中僅對至多一半數(shù)量的自容式電極進(jìn)行觸控檢測，在精確檢測的過程中，僅對第一自容式電極及第一自容式電極周圍的多個(gè)自容式電極進(jìn)行觸控檢測，因此，在發(fā)生觸摸時(shí)，對自容式電極進(jìn)行檢測的過程中被檢測的自容式電極的數(shù)量大大減小，因此有利于降低觸摸屏在觸控過程中的功耗，進(jìn)而有利于降低觸摸屏的整體功耗。

附圖說明

此處所說明的附圖用來提供對本申請的進(jìn)一步理解，構(gòu)成本申請的一部分，本申請的示意性實(shí)施例及其說明用于解釋本申請，并不構(gòu)成對本申請的不當(dāng)限定。在附圖中：

圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中包含觸控電極陣列的顯示面板一種結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法的一種流程圖；

圖3所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中觸摸屏的第一種俯視圖；

圖4所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中觸摸屏的第二種俯視圖；

圖5所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中觸控掃描周期的構(gòu)成示意圖；

圖6所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中觸摸屏的第三種俯視圖；

圖7所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中觸摸屏的第四種俯視圖。

具體實(shí)施方式

如在說明書及權(quán)利要求當(dāng)中使用了某些詞匯來指稱特定組件。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)可理解，硬件制造商可能會用不同名詞來稱呼同一個(gè)組件。本說明書及權(quán)利要求并不以名稱的差異來作為區(qū)分組件的方式，而是以組件在功能上的差異來作為區(qū)分的準(zhǔn)則。如在通篇說明書及權(quán)利要求當(dāng)中所提及的“包含”為一開放式用語，故應(yīng)解釋成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的誤差范圍內(nèi)，本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠在一定誤差范圍內(nèi)解決所述技術(shù)問題，基本達(dá)到所述技術(shù)效果。此外，“耦接”一詞在此包含任何直接及間接的電性耦接手段。因此，若文中描述一第一裝置耦接于一第二裝置，則代表所述第一裝置可直接電性耦接于所述第二裝置，或通過其他裝置或耦接手段間接地電性耦接至所述第二裝置。說明書后續(xù)描述為實(shí)施本申請的較佳實(shí)施方式，然所述描述乃以說明本申請的一般原則為目的，并非用以限定本申請的范圍。本申請的保護(hù)范圍當(dāng)視所附權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。

圖2所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法的一種流程圖，圖3所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中觸摸屏的第一種俯視圖，圖4所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中觸摸屏的第二種俯視圖，圖5所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中觸控掃描周期的構(gòu)成示意圖。結(jié)合圖2-圖5，本申請?zhí)峁┮环N觸摸屏的觸摸掃描方法，該觸摸屏100包含呈陣列分布的多個(gè)自容式電極10，每個(gè)自容式電極10與至少一條觸控信號線30電連接(需要說明的是，圖3和圖4中僅示意性地示出了幾個(gè)自容式電極10與觸控信號線30的連接關(guān)系，并未示出與所有自容式電極10連接的觸控信號線30)，其中，觸摸掃描包括多個(gè)觸控掃描周期，各觸控掃描周期至少包括第一觸控階段和第二觸控階段，掃描方法包括：

在第一觸控階段，通過觸控信號線30對至多一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，獲取電容變化量最大的自容式電極，電容變化量最大的自容式電極為第一自容式電極11；

在第二觸控階段，通過觸控信號線30對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測。

具體地，本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中，在檢測到觸控時(shí)，先進(jìn)行粗略檢測，即通過觸控信號線30對至多一半數(shù)量的自容式電極10(圖4中標(biāo)注a的自容式電極10)進(jìn)行觸控檢測，獲得第一自容式電極11，該第一自容式電極11為所檢測的至多一半數(shù)量的自容式電極10中電容量最大的電極，然后再進(jìn)行精確檢測，即對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10(圖4中標(biāo)注b的自容式電極10)進(jìn)行觸控檢測，從而計(jì)算得到最終的觸控位置。與現(xiàn)有技術(shù)中對全部電極進(jìn)行觸摸檢測的方法相比，本申請中對自容式電極10進(jìn)行觸摸檢測時(shí)，在粗略檢測的過程中僅對至多一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，在精確檢測的過程中，僅對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，因此，在發(fā)生觸摸時(shí)，對自容式電極10進(jìn)行檢測的過程中被檢測的自容式電極10的數(shù)量大大減小，因此有利于降低觸摸屏100在觸控過程中的功耗，進(jìn)而有利于降低觸摸屏100的整體功耗。需要說明的是，在粗略檢測的過程中，檢測的至多一半數(shù)量的自容式電極10所在的區(qū)域包括觸摸位置。

可選地，參見圖5，本申請中的第二觸控階段包括多個(gè)第二觸控子階段。

具體地，請參見圖5，本申請通過第二觸控階段對第一觸控階段得到的第一自容式電極11以及該第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，本申請將第二觸控階段分為多個(gè)第二觸控子階段，即t2-t4，通過第二觸控子階段對第一自容式電極11以及該第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行多次觸控檢測，通過多個(gè)第二觸控子階段進(jìn)行多次觸控檢測，綜合多次觸控檢測的結(jié)果得到的最終觸摸位置更加準(zhǔn)確，而且多次第二觸控子階段僅對第一自容式電極11以及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，并不對所有自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，此種方式有利于降低觸摸屏100在觸控過程中的功耗，進(jìn)而有利于降低觸摸屏100的整體功耗。

可選地，請繼續(xù)參見圖5，一個(gè)觸控掃描周期對應(yīng)1幀顯示，其中前半幀顯示包括第一觸控階段和第二觸控階段，后半幀包括第三觸控階段和第四觸控階段。

具體地，本申請?jiān)?幀顯示時(shí)間內(nèi)的前半幀時(shí)間包括第一觸控階段，進(jìn)行粗略檢測，對至多一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，獲得第一自容式電極11，還包括第二觸控階段，進(jìn)行精確檢測，對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測。如此，在半幀時(shí)間內(nèi)就完成了對觸摸屏100的粗略檢測和精確檢測，相比現(xiàn)有技術(shù)中在一幀時(shí)間內(nèi)完成觸控檢測的方式，本申請的方式更有利于提高觸摸檢測效率。

可選地，請繼續(xù)參見圖5，將每幀顯示分為8個(gè)連續(xù)的1/8幀，第一觸控階段對應(yīng)第1個(gè)1/8幀(即t1)，第二觸控階段對應(yīng)第2至4個(gè)1/8幀(即t2-t4)，第三觸控階段對應(yīng)第5個(gè)1/8幀(即t5)，第四觸控階段對應(yīng)第6至8個(gè)1/8幀(即t6-t8)。

具體地，本申請?jiān)诘?個(gè)1/8幀的時(shí)間內(nèi)，即t1對應(yīng)的時(shí)間內(nèi)，進(jìn)行粗略檢測，對至多一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，獲得第一自容式電極11；在第2至4個(gè)1/8幀的時(shí)間內(nèi)，即t2-t4對應(yīng)的時(shí)間內(nèi)，進(jìn)行精確檢測，對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測。也就是說，第一觸控階段對應(yīng)第1個(gè)1/8幀的時(shí)間，第二觸控階段對應(yīng)接下來的3個(gè)1/8幀的時(shí)間，相當(dāng)于第二觸控階段包括3個(gè)第二觸控子階段，即t2-t4，通過3個(gè)第二觸控子階段對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行三次觸控檢測，通過多個(gè)第二觸控子階段進(jìn)行三次觸控檢測，綜合三次觸控檢測的結(jié)果得到的最終觸摸位置更加準(zhǔn)確。

可選地，圖5所示實(shí)施例中，第三觸控階段與第一觸控階段相同，第四觸控階段與第二觸控階段相同。

具體地，本申請將一幀時(shí)間內(nèi)的第三觸控階段設(shè)計(jì)的與第一觸控階段相同，在第三觸控階段再次進(jìn)行粗略檢測，對至多一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，獲得第一自容式電極11；將第四觸控階段與第二觸控階段設(shè)計(jì)的相同，在第四觸控階段再次進(jìn)行精確檢測，對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測。也就是說，在一幀時(shí)間內(nèi)，本申請通過第一觸控階段和第三觸控階段進(jìn)行了兩次粗略檢測，通過第二觸控階段和第四觸控階段進(jìn)行了兩次精確檢測，相比現(xiàn)有技術(shù)中在一幀時(shí)間內(nèi)僅進(jìn)行一次粗略檢測和一次精確檢測的方式相比，本申請的方式更加有利于提高觸摸檢測效率。此外，本申請中對自容式電極10進(jìn)行觸摸檢測時(shí)，在第一觸控階段和第三觸控階段僅對至多一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，在第二觸控階段和第四觸控階段，僅對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，因此，在發(fā)生觸摸時(shí)，相比現(xiàn)有技術(shù)對所有自容式電極10進(jìn)行檢測的方式相比，本申請對自容式電極10進(jìn)行檢測的過程中被檢測的自容式電極10的數(shù)量大大減小，因此有利于降低觸摸屏100在觸控過程中的功耗，進(jìn)而有利于降低觸摸屏100的整體功耗。

可選地，參見圖3，在第一觸控階段，對一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，一半數(shù)量的自容式電極10均勻排布在觸摸屏100上。

具體地，參見圖3，本申請?jiān)诖致詸z測的過程中，也就是在第一觸控階段和第三觸控階段，僅對一半數(shù)量的自容式電極10(即圖3中標(biāo)注a的自容式電極10)進(jìn)行觸控檢測，從該一半數(shù)量的自容式電極10中獲取電容變化量最大的自容式電極，該電容變化量最大的自容式電極為第一自容式電極11；在第二觸控階段和第四觸控階段，對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測。與現(xiàn)有技術(shù)中對全部電極進(jìn)行觸摸檢測的方法相比，本申請中對自容式電極10進(jìn)行觸摸檢測時(shí)，在第一觸控該階段和第三觸控階段僅對一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，在第二觸控階段和第四觸控階段，僅對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，因此，在發(fā)生觸摸時(shí)，對自容式電極10進(jìn)行檢測的過程中被檢測的自容式電極10的數(shù)量大大減小，因此有利于降低觸摸屏100在觸控過程中的功耗，進(jìn)而有利于降低觸摸屏100的整體功耗。需要說明的是，在對一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行檢測時(shí)，圖3僅示出了一半數(shù)量的自容式電極10的一種排布方式，除此種方式外，該一半數(shù)量的自容式電極10還可采用其他排布方式，本申請對此不作具體限定。

可選地，圖6所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中觸摸屏的第三種俯視圖，圖7所示為本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中觸摸屏的第四種俯視圖，參見圖5-圖7，在第一觸控階段，對1/3數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，1/3數(shù)量的自容式電極10均勻排布在觸摸屏100上。

具體地，本申請?jiān)诖致詸z測的過程中，也就是在第一觸控階段和第三觸控階段，僅對1/3數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，從該1/3數(shù)量的自容式電極10(即圖6中標(biāo)注a的自容式電極10)中獲取電容變化量最大的自容式電極，該電容變化量最大的自容式電極為第一自容式電極11；在第二觸控階段和第四觸控階段，對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10(即圖6中標(biāo)注b的自容式電極10)進(jìn)行觸控檢測。與現(xiàn)有技術(shù)中對全部電極進(jìn)行觸摸檢測的方法相比，本申請中對自容式電極10進(jìn)行觸摸檢測時(shí)，在第一觸控該階段和第三觸控階段僅對1/3數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，在第二觸控階段和第四觸控階段，僅對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，因此，在發(fā)生觸摸時(shí)，對自容式電極10進(jìn)行檢測的過程中被檢測的自容式電極10的數(shù)量大大減小，因此有利于降低觸摸屏100在觸控過程中的功耗，進(jìn)而有利于降低觸摸屏100的整體功耗。需要說明的是，在對1/3數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行檢測時(shí)，圖6僅示出了一半數(shù)量的自容式電極10的一種排布方式，除此種方式外，該1/3數(shù)量的自容式電極10還可采用其他排布方式，本申請對此不作具體限定。

可選地，在第一觸控階段，通過觸控信號線30對至多一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測為：通過觸控信號線30向至多一半數(shù)量的自容式電極10發(fā)送觸控檢測信號，并接收自容式電極10的反饋信號，根據(jù)反饋信號獲取電容變化量最大的自容式電極10。

具體地，本申請?jiān)诘谝挥|控階段對至多一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測時(shí)，通過與自容式電極10連接的觸控信號線30向?qū)?yīng)的自容式電極10發(fā)送觸控檢測信號，自容式電極10在接收到觸控檢測信號后會進(jìn)行信號反饋；在接收到自容式電極10的反饋信號后，根據(jù)反饋信號能夠計(jì)算到至多一半數(shù)量的自容式電極10中各自容式電極10的電容量，獲取至多一半數(shù)量的自容式電極10中電容變化量最大的自容式電極，該電容變化量最大的自容式電極為第一自容式電極11，作為后續(xù)第二觸控階段中用于計(jì)算觸控位置的基礎(chǔ)。

可選地，在第二觸控階段，通過觸控信號線30對以第一自容式電極11為中心的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測為：通過觸控信號線30對以第一自容式電極11為中心的m*m個(gè)自容式電極10發(fā)送觸控檢測信號，并接收m*m個(gè)自容式電極10的反饋信號，根據(jù)反饋信號獲取精確的觸控位置，其中，m為整數(shù)，3≤m≤5。圖7所示實(shí)施例中對第一自容式電極11和以第一自容式電極11為中心的3*3個(gè)自容式電極10進(jìn)行檢測，除此種方式外，還可對4*4或5*5個(gè)自容式電極10進(jìn)行檢測，當(dāng)然也可對其他數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行檢測，本申請對此不進(jìn)行具體限定。

具體地，本申請?jiān)诘诙|控階段通過觸控信號線30對第一自容式電極11為中心的m*m個(gè)自容式電極10發(fā)送觸控檢測信號，m*m個(gè)自容式電極10在接收到觸控檢測信號后會進(jìn)行信號反饋；在接收到m*m個(gè)自容式電極10的反饋信號后，根據(jù)反饋信號能夠計(jì)算到這些自容式電極10中各自容式電極10的電容量，通過判斷這些自容式電極10的電容量來確定電容量變化最大的自容式電極10，該自容式電極10所在區(qū)域即為精確的觸控位置。當(dāng)將本申請的第二觸控階段分成3個(gè)第二觸控子階段時(shí)，這3個(gè)第二觸控子階段可分別對第一自容式電極11為中心的m*m個(gè)自容式電極10發(fā)送觸控檢測信號，通過每個(gè)第二觸控子階段獲得一個(gè)觸控位置，綜合得到的三個(gè)觸控位置計(jì)算出的最終的精確的觸控位置更加準(zhǔn)確。當(dāng)然，除了上述方式中3個(gè)第二觸控子階段執(zhí)行相同的檢測流程外，還可在第1個(gè)第二觸控子階段對m*m個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，根據(jù)檢測結(jié)果，逐漸縮小檢測范圍，在第2個(gè)觸控子階段可對(m-1)*(m-1)個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，在第3個(gè)觸控子階段在對(m-2)*(m-2)個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，最終得到精確的觸控位置，通過此種方式同樣能夠或得到精確的觸控位置。

可選地，通過觸控信號線30對以第一自容式電極11為中心的m*m個(gè)自容式電極10發(fā)送觸控檢測信號，并接收m*m個(gè)自容式電極10的反饋信號，根據(jù)反饋信號獲取精確的觸控位置為：根據(jù)m*m個(gè)自容式電極10的反饋信號，判斷m*m個(gè)自容式電極10所在區(qū)域中電容變化量最大的區(qū)域，電容變化量最大的區(qū)域?yàn)榫_的觸控位置。

具體地，本申請?jiān)诘诙|控階段對以第一自容式電極11為中心的m*m個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測時(shí)，通過與自容式電極10連接的觸控信號線30向?qū)?yīng)的自容式電極10發(fā)送觸控檢測信號，自容式電極10在接收到觸控檢測信號后會進(jìn)行信號反饋；在接收到自容式電極10的反饋信號后，根據(jù)反饋信號能夠計(jì)算出對應(yīng)的自容式電極10的電容量，獲取該m*m個(gè)自容式電極10中電容變化量最大的自容式電極10，電容變化量最大的自容式電極10所在區(qū)域即為精確的觸控位置。

需要說明的是，本申請中的觸摸屏100還包括控制芯片20，參見圖3、圖4、圖6和圖7，在第一觸控階段和第三觸控階段，控制芯片20通過觸控信號線30向至多一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，獲取電容變化量最大的自容式電極，該電容變化量最大的自容式電極為第一自容式電極11；在第二觸控階段和第四觸控階段，控制芯片20通過觸控信號線30對第一自容式電極11及第一自容式電極11周圍的多個(gè)自容式電極10進(jìn)行觸控檢測。此外，圖3、圖4、圖6和圖7中，僅示意性地示出了與幾個(gè)自容式電極10連接的觸控信號線30的情形，并未示出與所有自容式電極10連接的所有觸控信號線30。

通過以上各實(shí)施例可知，本申請存在的有益效果是：

本申請所提供的觸摸屏的觸摸掃描方法中，在檢測到觸控時(shí)，先進(jìn)行粗略檢測，即通過觸控信號線對至多一半數(shù)量的自容式電極進(jìn)行觸控檢測，獲得第一自容式電極，該第一自容式電極為所檢測的至多一半數(shù)量的自容式電極中電容量最大的電極，然后再進(jìn)行精確檢測，即對第一自容式電極及第一自容式電極周圍的多個(gè)自容式電極進(jìn)行觸控檢測，從而得到最終的觸控位置。與現(xiàn)有技術(shù)中對全部電極進(jìn)行觸摸檢測的方法相比，本申請中對自容式電極進(jìn)行觸摸檢測時(shí)，在粗略檢測的過程中僅對至多一半數(shù)量的自容式電極10進(jìn)行觸控檢測，在精確檢測的過程中，僅對第一自容式電極及第一自容式電極周圍的多個(gè)自容式電極進(jìn)行觸控檢測，因此，在發(fā)生觸摸時(shí)，對自容式電極進(jìn)行檢測的過程中被檢測的自容式電極的數(shù)量大大減小，因此有利于降低觸摸屏在觸控過程中的功耗，進(jìn)而有利于降低觸摸屏的整體功耗。

上述說明示出并描述了本申請的若干優(yōu)選實(shí)施例，但如前所述，應(yīng)當(dāng)理解本申請并非局限于本文所披露的形式，不應(yīng)看作是對其他實(shí)施例的排除，而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境，并能夠在本文所述發(fā)明構(gòu)想范圍內(nèi)，通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進(jìn)行改動。而本領(lǐng)域人員所進(jìn)行的改動和變化不脫離本申請的精神和范圍，則都應(yīng)在本申請所附權(quán)利要求的保護(hù)范圍內(nèi)。