低關斷功耗多目標電壓熔絲燒斷修調器的制造方法
【技術領域】 [0001] ：
[0002] 本實用新型涉及一種目標電壓熔絲燒斷修調器技術領域，特別涉及一種應用于模 擬集成電路中的低關斷功耗多目標電壓熔絲燒斷修調器。
【背景技術】 [0003] ：
[0004] 隨著集成電路的普及與推廣，人們日益沉浸在高科技所帶來的幸福與愉悅之中， 與此同時對模擬集成電路精度的要求也日益嚴苛。在大規模量產中，高精度的模擬集成電 路的實現主要通過工藝修調（Trim)，由此工藝修調的可靠性與準確性及修調成本作為關鍵 考慮因素被人們越來越重視。
[0005]目前模擬集成電路的工藝修調主要實現方式有兩種：激光（Laser)燒斷與熔絲 (Fuse)燒斷。由于激光（Laser)燒斷修調的不穩定及芯片封裝前后的電氣差異，導致激光 (Laser)燒斷的修調效果不能達到大規模量產的精度要求，因此大多數芯片代工廠更加傾 向恪絲（Fuse)燒斷修調并提供恪絲（Fuse)燒斷所需工藝與器件。由此恪絲（Fuse)燒斷修 調的可靠性與準確性成為設計者考慮的重中之重。
[0006] 【實用新型內容】：
[0007] 本實用新型針對集成電路工藝修調電路研究，提出一種低關斷功耗多目標電壓熔 絲（Fuse)燒斷修調電路，能夠使熔絲（Fuse)燒斷修調電路的關斷功耗降低并能實現多目 標電壓修調。
[0008] 本實用新型解決所述技術問題，采用的技術方案是，一種低關斷功耗多目標電壓 熔絲燒斷修調器，包括電流產生電路板、修調控制電路板、熔絲修調主電路板和選擇器；所 述電流產生電路板與修調控制電路板及熔絲修調主電路板連接，所述熔絲修調主電路板與 修調控制電路板及選擇器連接，所述選擇器連接精準電壓輸出；
[0009] 所述電流產生電路板，用于產生燒斷熔絲所需電流及修調控制電路板所需參考電 壓；
[0010] 所述修調控制電路板，用于將外部輸入信號與參考電壓比較以產生修調控制信 號；
[0011] 所述熔絲修調主電路板，利用工藝提供可燒斷熔絲產生穩定的修調信號；
[0012] 所述選擇器，用于選擇所需精準電壓；
[0013] 所述精準電壓輸出，用于產生若干精準參考電壓以供選擇。
[0014] 所述電流產生電路板包括低壓電源輸入端、第一晶體管、第二晶體管、第三晶體 管、第一電阻、第一三極管及第二三極管，所述第一晶體管源端與低壓電源輸入端連接，第 一晶體管柵端及漏端與第一電阻的一端、第二晶體管的柵端、第三晶體管的柵端及修調控 制電路板連接，第一電阻另一端與第一三極管的基極及集電極連接，第一三極管的發射極 與地連接，第二晶體管的源端與低壓電源輸入端連接，第二晶體管的漏端與第二三極管的 基極及集電極連接，第二三極管的發射極與地連接，第三晶體管的源端與低壓電源輸入端 連接，第三晶體管的漏端與熔絲修調主電路板連接；
[0015] 所述修調控制電路板包括若干修調控制子級模塊；
[0016] 所述的修調控制子級模塊包括修調信號輸入端與第一遲滯比較器，所述第一遲滯 比較器正向輸入端與修調信號輸入端連接，第一遲滯比較器的反向輸入端與前述電流產生 電路板連接，第一遲滯比較器的輸出端與熔絲修調主電路板連接；
[0017] 所述熔絲修調主電路板包括若干熔絲修調子級模塊；
[0018] 所述熔絲修調子級模塊包括低壓電源輸入端、第四晶體管、第五晶體管、第六晶體 管、第七晶體管、第八晶體管及第一熔絲，所述第四晶體管柵端與第七晶體管柵端及修調控 制電路板子級對應連接，第四晶體管源端與低壓電源輸入端連接，第四晶體管漏端與第一 熔絲一端、第六晶體管漏端、第八晶體管漏端及選擇器連接，第一熔絲的另一端與低壓電源 輸入端連接，第五晶體管的柵端及漏端與第六晶體管的柵端、第七晶體管的源端及電流產 生電路板連接，第五晶體管的源端與地連接，第六晶體管的源端與地連接，第七晶體管的漏 端與第八晶體管的柵端連接，第八晶體管的源端與地連接；
[0019] 所述選擇器包括若干譯碼器，所述若干譯碼器將前述熔絲修調各子級模塊產生二 進制信號譯為對應開關信號，對應開關信號控制精準電壓輸出；
[0020] 所述精準電壓輸出包括低壓電源輸入端、第一運算放大器、第九晶體管及若干串 聯電阻，所述第九晶體管漏端與低壓電源輸入端連接，第九晶體管柵端與第一運算放大器 的輸出端連接，第一運算放大器的正向輸入端與基準電壓連接，第一運算放大器的反向輸 入端與第九晶體管的源端及若干串聯電阻的一端連接，若干串聯電阻的另一端與地連接；
[0021] 所述若干串聯電阻的串聯節點與若干開關晶體管的源端連接，若干開關晶體管的 柵端與前述選擇器產生的開關信號連接，若干開關晶體管的漏端與精準電壓輸出端連接。
[0022] 本實用新型優點在于：通過電流產生電路板產生參考電流與參考電壓，在修調信 號輸入與參考電壓比較結果為正時開啟熔絲修調主電路板，并產生穩定的修調信號輸出， 然后通過選擇器進行內部所需精準電壓的微調，同時能使熔絲燒斷電流產生電路板徹底關 斷后將修調信號連接到固定電位，而不是浮空，從而使熔絲（Fuse)燒斷修調電路板的關斷 功耗降低并能實現多目標電壓修調。
【附圖說明】 [0023] ：
[0024] 圖1為本實用新型低關斷功耗多目標電壓熔絲燒斷修調器的結構框圖；
[0025] 圖2為本實用新型實施例中電流產生電路板的電路圖；
[0026] 圖3為本實用新型實施例中修調控制電路板及熔絲修調主電路板的電路圖
[0027] 圖4為本實用新型實施例中精準電壓輸出的電路圖
[0028] 其中，VDD為低壓電源輸入端，Rl為第一電阻，Ql為第一三極管，Q2為第二三極管， PIN_N為修調信號輸入端，C0MP_N為修調控制子級中第一遲滯比較器，FUSE為第一熔絲，OP 為第一運算放大器，VSET為基準電壓，Ml為第一晶體管，M2為第二晶體管，M3為第三晶體 管，M4為第四晶體管，M5為第五晶體管，M6為第六晶體管，M7為第七晶體管，M8為第八晶 體管，M9為第九晶體管。
【具體實施方式】 [0029] ：
[0030] 下面結合附圖及實施例詳細描述本實用新型的技術方案：
[0031] 本實用新型針對集成電路工藝修調電路研究，提出一種低關斷功耗多目標電壓熔 絲（Fuse)燒斷修調電路，如圖1所示，包括電流產生電路板、修調控制電路板、熔絲修調主 電路板和選擇器；所述電流產生電路板與修調控制電路板及熔絲修調主電路板連接，所述 熔絲修調主電路板與修調控制電路板及選擇器連接，所述選擇器連接精準電壓輸出；其中， 所述電流產生電路板，用于產生燒斷熔絲所需電流及修調控制電路板所需參考電壓；所述 修調控制電路板，用于將外部輸入信號與參考電壓比較以產生修調控制信號；所述熔絲修 調主電路板，利用工藝提供可燒斷熔絲產生穩定的修調信號；所述選擇器，用于選擇所需精 準電壓；所述精準電壓輸出，用于產生若干精準參考電壓以供選擇，通過電流產生電路板產 生參考電流與參考電壓，在修調信號輸入與參考電壓比較結果為正時開啟熔絲修調主電路 板，并產生穩定的修調信號輸出，然后通過選擇器進行內部所需精準電壓的微調，同時能使 熔絲燒斷電流產生電路板徹底關斷后將修調信號連接到固定電位，而不是浮空，從而使熔 絲（Fuse)燒斷修調電路的關斷功耗降低并能實現多目標電壓修調。 實施例
[0032] 現有工藝修調大多包含若干修調單元，本例僅以其中一個單元為例。
[0033] 本例中，一種低關斷功耗多目標電壓熔絲（Fuse)燒斷修調電路，如圖2所示，電流 產生電路板包括低壓電源輸入端VDD、第一晶體管M1、第二晶體管M2、第三晶體管M3、第一 電阻RU第一三極管Ql及第二三極管Q2,所述第一晶體管Ml源端與低壓電源輸入端VDD 連接，第一晶體管Ml柵端及漏端與第一電阻Rl的一端、第二晶體管M2的柵端、第三晶體管 M3的柵端及修調控制電路板連接，第一電阻Rl另一端與第一三極管Ql的基極及集電極連 接，第一三極管Ql的發射極與地連接，第二晶體管M2的源端與低壓電源輸入端VDD連接， 第二晶體管M2的漏端與第二三極管Q2的基極及集電極連接，第二三極管Q2的發射極與地 連接，第三晶體管M3的源端與低壓電源輸入端VDD連接，第三晶體管M3的漏端與熔絲修調 主電路板連接；
[0034] 其中流過第一晶體管Ml的電流
[0035] 如圖3所示，修調控制電路板包括若干修調控制子級；本例中僅表示出其中一級， 修調控制子級包括修調信號輸入端PIN_N與第一遲滯比較器C0MP_