18A可W具有PTC或NTC。在圖2的實例中,溫度傳感器18A可W具有NTC。同樣正如前面 所討論的那樣,可W利用由電流源20A生成的恒定電流(1。。。,,)來偏置溫度傳感器18A。在 任何情況下,溫度模塊6A可W將所述電壓信號輸出到闊值電流模塊8A。
[0051]闊值模塊8A可W至少部分地基于接收自溫度模塊6A的電壓信號確定闊值電流。 舉例來說,正如前面所討論的那樣,放大器22A、電阻器24A和晶體管26A可W將所述電壓 信號轉換成電流。在某些實例中,所述電流可W是闊值電流。在某些實例中,闊值電流模塊 8A可W對所述電流實施另外的操作,W便確定闊值電流。在該樣的實例中,由放大器22A、 電阻器24A和晶體管26A確定的電流可W被視為中間闊值電流。在某些實例中,所述闊值 電流模塊可W包括一個或更多電流鏡,其被配置成對中間闊值電流進行鏡像W便確定闊值 電流。舉例來說,第一電流鏡27A可W對中間闊值電流進行鏡像,并且向第二電流鏡31A提 供第二中間闊值電流。第二電流鏡31A可W對第二中間闊值電流進行鏡像,W便確定闊值 電流。在任何情況下,闊值電流模塊8A都可從隱闊值電流(1,胃)輸出到電流控制模塊10A。 [005引電流控制模塊10A可W從闊值電流模塊8A接收闊值電流,并且基于闊值電流調節 流向負載14的電流量。舉例來說,電流控制模塊10A的控制器40A可W確定流向負載14 的電流量是否大于闊值電流。在某些實例中,如果電阻器48上的電壓大于電阻器38上的 電壓,則控制器40A可W確定流向負載14的電流量大于闊值電流。響應于確定流向負載14 的電流量大于闊值電流,控制器40A可W向驅動器42輸出信號,其使得驅動器42調節由電 力供應裝置12提供給負載14的電流量。在某些實例中,控制器40A可W向驅動器42輸出 所述信號,從而使得驅動器42去激活電力供應裝置12。通過該種方式,當流向負載14的電 流量大于闊值電流時,控制器40A可解扣(trip)"。在某些實例中,控制器40A可W向 驅動器42輸出所述信號,從而使得驅動器42把由電力供應裝置12提供的電力量減小到闊 值電流W下。通過該種方式,當流向負載14的電流量大于闊值電流時,控制器40A可W進 行"調節"。
[0053] 圖3是示出了根據本公開內容的一種或更多種技術的可W限制提供給負載的電 流量的另一種示例性系統的細節的方框圖。如圖3的實例中所示,其可W包括器件4B和負 載14。如圖3的實例中所示的器件4B可W包括溫度模塊6B、闊值電流模塊8B、電流控制模 塊10A和電力供應裝置12。
[0054] 溫度模塊6B可W被配置成實施類似于圖1的溫度模塊6的操作。舉例來說,溫度 模塊6B可W被配置成確定器件4B的一個或更多組件的溫度。
[0055] 闊值電流模塊8B可W被配置成實施類似于圖1的闊值電流模塊8和/或圖2的 闊值電流模塊8A的操作。舉例來說,闊值電流模塊8B可W被配置成至少基于接收自溫度 模塊6B的溫度來確定闊值電流。在某些實例中,闊值電流模塊8B可W被配置成至少部分 地基于接收自溫度模塊6B的溫度和第二溫度來確定闊值電流。如圖3中的實例中所示,闊 值電流模塊8B可W包括放大器22B、電阻器24B、晶體管26B、第一電流鏡27B、第=電流鏡 51和電流源56。放大器22B、電阻器24B、晶體管26B和第一電流鏡27B的特征和功能類似 于前面參照圖2描述的放大器22A、電阻器24A、晶體管26A和第一電流鏡27A的功能。
[0056] 在某些實例中,闊值電流模塊8B可W包括電流源56,其可W被配置成輸出電流 (Istatt)。在某些實例中,電流源56可W被配置成基于第二溫度輸出所述電流,從而使得如 果電力供應裝置12的溫度低于第二溫度,則不調節流向負載14的電流量。在某些實例中, 第二溫度可W被固定在預定數值。在某些實例中,所述預定數值可W基于負載14的一項或 更多項特性。在某些實例中,第二溫度可W是周圍環境溫度,其可W由第二溫度模塊的溫度 傳感器測量。在某些情況下,所述周圍環境溫度可W是器件4B所處的周圍環境溫度。換句 話說,所述周圍環境溫度可W是周圍環境巧片溫度。
[0057] 在某些實例中,闊值電流模塊8B可W包括第S電流鏡51,其可W被配置成接收第 一電流并且輸出對應于第一電流的第二電流。在某些實例中,第=電流鏡51可W包括晶體 管52和晶體管54。在某些實例中,晶體管52和晶體管54可W是n型晶體管(例如NM0S晶 體管)。在某些實例中,晶體管52和晶體管54可W是P型晶體管(例如PM0S晶體管)。在 某些實例中,第=電流鏡51可W被配置成向器件4B的一個或更多其他組件(比如電流控制 模塊10A的電阻器38)輸出第二電流(其對應于第一電流)。
[005引 電流控制模塊10A可W被配置成實施類似于圖1的電流控制模塊10和/或圖2 的電流控制模塊10A的操作。舉例來說,控制電流模塊10A可W被配置成控制提供給負載 14的電流量。
[0059] 電力供應裝置12可W被配置成實施類似于圖1-2的電力供應裝置12的操作。舉 例來說,電力供應裝置12可W被配置成向負載14提供電力(例如基于接收自電流控制模塊 10A的驅動器42的信號)。
[0060] 根據本公開內容的一種或更多種技術,器件4B可W至少部分地基于溫度數值來 限制提供給負載14的電流量。在第一時間處,響應于通過輸入端44接收到信號,驅動器42 可W向電力供應裝置12輸出信號,其使得電力供應裝置12向負載14提供電流。在開始從 電力供應裝置12接收電力時,負載14可W變為通電并且吸取涌入電流量。在某些實例中, 比如在負載14包括一個或更多發光器件的情況下,所述涌入電流量可能大于負載14在穩 定狀態下所吸取的電流量。此外,作為向負載14提供電力的結果,電力供應裝置12的溫度 可能開始升高。
[0061] 該一溫度升高可W由溫度模塊6B的溫度傳感器18B測量。舉例來說,溫度傳感器 18B可W將電力供應裝置12的溫度轉換成電壓信號。正如前面所討論的那樣,溫度傳感器 18B可W具有PTC或NTC。在圖3的實例中,溫度傳感器18B可W具有NTC。同樣正如前面 所討論的那樣,可W利用由電流源20B生成的恒定電流(1。。。,,)來偏置溫度傳感器18B。在 任何情況下,溫度模塊6B可W將所述電壓信號輸出到闊值電流模塊8B。
[0062] 闊值模塊8B可W至少部分地基于接收自溫度模塊6B的電壓信號確定闊值電流。 舉例來說,正如前面所討論的那樣,放大器22B、電阻器24B和晶體管26B可W將所述電壓 信號轉換成電流。在某些實例中,所述電流可W是闊值電流。在某些實例中,闊值電流模塊 8B可W對所述電流實施另外的操作,W便確定闊值電流。在該樣的實例中,由放大器22B、 電阻器24B和晶體管26B確定的電流可W被視為中間闊值電流。在某些實例中,所述闊值 電流模塊可W包括一個或更多電流鏡,其被配置成對中間闊值電流進行鏡像W便確定闊值 電流。舉例來說,第一電流鏡27B可W對中間闊值電流進行鏡像,并且向第=電流鏡51提 供第二中間闊值電流。
[0063] 第S電流鏡51可W對其輸入電流進行鏡像,W便確定闊值電流。在某些實例中, 第S電流鏡的輸入電流可W是由第一電流鏡27B輸出的第二中間電流與由電流源56提供 的電流(即1st。,,)之和。正如前面所討論的那樣,由電流源56提供的電流可W基于第二溫 度。通過該種方式,第S電流鏡51的輸出電流(即闊值電流)可W基于電力供應裝置12的 溫度和第二溫度。在任何情況下,闊值電流模塊8B可W向電流控制模塊10A輸出闊值電流 (lTemp)°
[0064] 電流控制模塊10A可W接收來自闊值電流模塊8B的闊值電流,并且基于闊值電流 調節流向負載14的電流量。正如前面所討論的那樣,電流源36輸出參考電流lew。在某些 實例中,比如圖3的實例,闊值電流可W是負的,從而使得可W根據下面的等式2確定流過 電阻器38的電流。前面參照圖2提供了電流控制模塊10A的操作的進一步細節。
[0065] 圖4是根據本公開內容的一種或更多種技術的可W限制提供給負載的電流量的 另一種示例性系統的方框圖。如圖4的實例中所示,其可W包括器件4C和負載14。如圖4 的實例中所示的器件4C可W包括溫度模塊6B、闊值電流模塊8B、電流控制模塊10B和電力 供應裝置12。前面參照圖1-3討論了溫度模塊6B、闊值電流模塊8B和電力供應裝置12的 特征和功能。
[0066] 電流控制模塊10B可W被配置成實施類似于圖1的電流控制模塊10和/或圖2-3 的電流控制模塊10A的操作。舉例來說,控制電流模塊10B可W被配置成控制提供給負載 14的電流量。如圖4中所示,電流控制模塊10B可W包括控制器40B、驅動器42、輸入端44、 晶體管46和電阻器48。前面參照圖1-3討論了驅動器42、輸入端44、晶體管46和電阻器 48的特征和功能。
[0067] 在某些實例中,電流控制模塊10B可W包括控制器40B,其可W被配置成基于第一 電壓和第二電壓確定一個信號。如圖4中所示,控制器40B可W包括電流源50、電流源52、 晶體管54、晶體管56和反相器58。
[0068] 在某些實例中,控制器40B可W包括電流源50,其可W被配置成輸出第一偏置電 流()。在某些實例中,控制器40B可W包括電流源52,其可W被配置成輸出第二偏置電 流(Im。,)。在某些實例中,由電流源50輸出的第一偏置電流可W等效于由電流源52輸出的 第二電流。在某些實例中,由電流源50輸出的第一偏置電流可W不等效于由電流源52輸 出的第二電流。
[0069] 在某些實例中,控制器40B可W包括晶體管54,其可W被配置成控制電流。舉例來 說,在"開啟"狀態下,晶體管54可W被配置成允許電流流向電阻器48與晶體管46之間的 節點。在某些實例中,控制器40B可W包括晶體管56,其可W被配置成控制電流。舉例來 說,在"開啟"狀態下,晶體管56可W被配置成允許電流流向電阻器48與電力供應裝置12 之間的節點。在某些實例中,比如如果晶體管54和晶體管56是雙極結型晶體管(BJT),則晶 體管56可W具有大于晶體管54的發射極面積。作為一個實例,晶體管56可W具有是晶體 管54的發射極面積的2倍、4倍、6倍、8倍的發射極面積。作為另一個實例,晶體管56可W 包括多個晶體管,其具有是晶體管54的發射極面積的2倍、4倍、6倍、8倍的組合的發射極 面積。通過該種方式,晶體管54和晶體管56可W生成固有偏移量,其可W被稱作AVb。。在 某些實例中,比如如果晶體管54和晶體管56是金屬氧化物半導體場效應晶體管(