深硅刻蝕工藝控制的方法及系統的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明涉及MEMS加工領域，尤其涉及一種深硅刻蝕工藝控制的方法及系統。
【背景技術】
[0002] 隨著微機電系統（MEMS,Micro-Electro-MechanicSystem)和MEMS器件被越來越 廣泛的應用于汽車和消費電子領域，以及通孔刻蝕（TSV,ThroughSiliconEtch)技術在未 來封裝領域的廣闊前景，干法等離子體深硅刻蝕工藝逐漸成為MEMS加工領域及TSV技術中 最炎手可熱工藝之一。
[0003]目前主流的深硅刻蝕工藝整個刻蝕過程為一個循環單元的多次重復，該循環單元 包括刻蝕步驟和沉積步驟，即整個刻蝕過程是刻蝕步驟與沉積步驟的交替循環。每個步驟 的持續時間一般在Is到4s。以刻蝕步驟為例，單個工藝步驟的時間由兩部分組成：1.工藝 各參數設置時間，2.刻蝕時間。一般工藝控制中工藝各參數的設置用時長，影響工藝生產的 產量。
【發明內容】
[0004] 基于此，有必要提供一種能夠有效縮短工藝中工藝各參數設置時間的深硅刻蝕工 藝控制的方法及系統。
[0005] 為實現本發明目的提供的一種深硅刻蝕工藝控制的方法，包括設置氣體流量的步 驟，設置擺閥壓力或者擺閥位置的步驟，設置上匹配器位置的步驟，設置下匹配器位置的步 驟，設置上射頻功率的步驟，以及設置下射頻功率的步驟，還包括以下步驟：
[0006] 判斷所述深硅刻蝕工藝的當前工藝步驟中的調整參數與所述當前工藝步驟的前 一工藝步驟中相應值是否相同；
[0007] 對所述當前工藝步驟中與所述當前工藝步驟的前一工藝步驟中相應值不同的調 整參數，根據工藝表單中所述當前工藝步驟的相應值進行設置；
[0008] 對所述當前工藝步驟中與所述當前工藝步驟的前一工藝步驟中相應值相同的調 整參數，不進行調整參數設置；
[0009] 所述調整參數為氣體流量，擺閥壓力或者擺閥位置，上匹配器位置，下匹配器位 置，上射頻功率，以及下射頻功率。
[0010] 其中，還包括以下步驟：
[0011] 創建包含所述調整參數名稱及前一工藝步驟參數值的Map虛擬表格；
[0012] 當完成當前步驟的所述調整參數設置之后，將所設置的當前工藝步驟的調整參數 的參數值寫入到所述Map虛擬表格中，得到新的前一工藝步驟參數值。
[0013] 作為一種可實施方式，還包括以下步驟：
[0014] 初始化所述Map虛擬表格，將所述前一工藝步驟參數值設定在工藝參數值域之 外。
[0015] 作為一種可實施方式，將所述前一工藝步驟參數值設定為負值。
[0016] 作為一種可實施方式，還包括以下步驟：
[0017] 判斷當前的循環次數是否小于等于預設的循環次數，若是則進行進一步的判斷， 否則結束所述深硅刻蝕工藝；
[0018] 判斷當前執行的工藝步驟的數目是否小于等于預設工藝步驟數目，若是則對所述 調整參數進行設置，否則進入下一工藝步驟循環。
[0019] 基于同一發明構思的一種深硅刻蝕工藝控制的系統，包括設置模塊，用于設置氣 體流量、設置擺閥壓力或者擺閥位置、設置上匹配器位置、設置下匹配器位置、設置上射頻 功率、以及設置下射頻功率，還包括第一判斷模塊，第一調整模塊，以及第二調整模塊，其 中：
[0020] 所述第一判斷模塊，用于判斷所述深硅刻蝕工藝的當前工藝步驟中的調整參數與 所述當前工藝步驟的前一工藝步驟中相應值是否相同；
[0021] 所述第一調整模塊，用于對所述當前工藝步驟中與所述當前工藝步驟的前一工藝 步驟中相應值不同的調整參數，根據工藝表單中所述當前工藝步驟的相應值進行設置；
[0022] 所述第二調整模塊，用于對所述當前工藝步驟中與所述當前工藝步驟的前一工藝 步驟中相應值相同的調整參數，不進行調整參數設置；
[0023] 所述調整參數為氣體流量，擺閥壓力或者擺閥位置，上匹配器位置，下匹配器位 置，上射頻功率，以及下射頻功率。
[0024] 作為一種可實施方式，還包括表格創建模塊及參數值寫入模塊，其中：
[0025] 所述表格創建模塊，用于創建包含所述調整參數名稱及前一工藝步驟參數值的 Map虛擬表格；
[0026] 所述參數值寫入模塊，用于當完成當前步驟的所述調整參數設置之后，將所設置 的當前工藝步驟的調整參數的參數值寫入到所述Map虛擬表格中，得到新的前一工藝步驟 參數值。
[0027] 作為一種可實施方式，還包括初始化模塊，用于初始化所述Map虛擬表格，將所述 前一工藝步驟參數值設定在工藝參數值域之外。
[0028] 作為一種可實施方式，所述初始化模塊將所述前一工藝步驟參數值設定為負值。
[0029] 作為一種可實施方式，還包括第二判斷模塊及第三判斷模塊，其中：
[0030] 所述第二判斷模塊，用于判斷當前的循環次數是否小于等于預設的循環次數，若 是則進一步對工藝步驟進行判斷，否則結束所述深硅刻蝕工藝；
[0031] 所述第三判斷模塊，用于判斷當前執行的工藝步驟的數目是否小于等于預設工藝 步驟數目，若是則對所述調整參數進行設置，否則進入下一工藝步驟循環。
[0032] 本發明的有益效果包括：
[0033] 本發明提供的一種深硅刻蝕工藝控制的方法及系統，通過增加判斷的步驟，在當 前工藝步驟中的參數值與前一工藝步驟參數相同時，不再對相應參數進行設置，節省了設 置時間，從整體上縮短工藝步驟中參數設置的時間，提高生產效率。
【附圖說明】
[0034]圖1為本發明一種深硅刻蝕工藝控制的方法的一具體實施例的流程圖；
[0035] 圖2為本發明一種深硅刻蝕工藝控制的方法的另一具體實施例的流程圖；
[0036]圖3為本發明一種深硅刻蝕工藝控制的系統的一具體實施例的系統結構示意圖。
【具體實施方式】
[0037] 為了使本發明的目的、技術方案及優點更加清楚明白，以下結合附圖對本發明實 施例的深硅刻蝕工藝控制的方法及系統的【具體實施方式】進行說明。應當理解，此處所描述 的具體實施例僅僅用以解釋本發明，并不用于限定本發明。
[0038]本發明實施例的一種深硅刻蝕工藝控制的方法，如圖1所示，包括：
[0039] S100,設置氣體流量的步驟；
[0040] S200,設置擺閥壓力或者擺閥位置的步驟；
[0041] S300,設置上匹配器位置的步驟；
[0042] S400,設置下匹配器位置的步驟；
[0043] S500,設置上射頻功率的步驟；以及
[0044] S600,設置下射頻功率的步驟；還包括以下步驟：
[0045] A100,判斷所述深硅刻蝕工藝的當前工藝步驟中的調整參數與所述當前工藝步驟 的前一工藝步驟中相應值是否相同；
[0046] A200,對所述當前工藝步驟中與所述當前工藝步驟的前一工藝步驟中相應值不同 的調整參數，根據工藝表單中所述當前