滅磁電阻能量沖擊試驗電路圖。
[0030] 圖2為本實用新型的電路圖。
【具體實施方式】
[0031] 如圖2所示，一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的電路，電源斷路器QF 連接整流電路FLZ，所述整流電路FLZ -端連接滅磁開關FMK的主觸頭，滅磁開關FMK的主 觸頭連接勵磁電流分流器Ik 一端，勵磁電流分流器Ik另一端連接滅磁開關FMK的常閉觸 頭、電感線圈L的一端。滅磁開關FMK的常閉觸頭連接滅磁電流分流器Ir，滅磁電流分流器 Ir連接滅磁電阻SIC，滅磁電阻SIC連接單向硅電壓二極管FLD的陰極。單向硅電壓二極 管FLD的陽極、電感線圈L的另一端均連接整流電路FLZ另一端。
[0032] 滅磁電流分流器Ir測量滅磁電流值，試驗中通過觀察電流值記錄下滅磁時間T1。
[0033] 勵磁電流分流器Ik測量外加電源對電感線圈L的充電電流值，根據公式W = 1/2*L X Γ2計算出電感線圈L的能量值，當電感線圈L的能量達到實驗能量W時，即Ik達 到試驗所需要求時，斷開滅磁開關FMK的主觸頭。
[0034] 所述整流電路FLZ為可控硅整流橋。
[0035] 試驗電源為AC380V三相交流電源。
[0036] 所述整流電路FLZ為可控硅三相全控整流橋。
[0037] 1 :滅磁開關FMK要求：分閘時間足夠短，使其有能力提供足夠高的放電電壓，如 CEX98系列開關分閘時間可達到或低于25ms。
[0038] 2 :滅磁開關FMK的常閉觸頭與滅磁開關FMK的主觸頭動作順序為：先合后分。
[0039] 3 :單向硅電壓二極管FLD :FLD管的正向轉折電壓，應根據導通電壓的高低來選 擇，FLD管可選擇正向轉折電壓每隔200V為一檔，配備不同型號的FLD管，用作設定不同的 初始放電電壓，如：K300、K500、K700......等多組FLD管。
[0040] 4 :應使用較大的電感線圈L模擬轉子，以滿足不同能容量的碳化硅電阻試驗，針 對目前發電廠的滅磁電阻容量，優選選擇IH左右的電感。電感線圈L可以引入超導線圈， 由于大部分能量是被電感線圈L自身內阻所消耗的，如能減小電感內阻，則能量的利用率 將提尚至90%以上。
[0041] 本實用新型用于控制滅磁時間的關鍵在于對初始放電電壓的控制：對于某個特定 的碳化娃電阻而言，對其進行固定能量大小為W的能量沖擊試驗，則初始放電電壓UO與滅 磁時間T(即碳化硅吸收完全部能量所耗費的時間）的近似對應關系為：
[0042] U02 · T a I (1)
[0043] SP，U0的平方與T成反比關系。
[0044] 一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的方法，在對碳化硅電阻進行能量沖 擊試驗時，將單向硅電壓二極管FLD串聯至滅磁回路中，通過單向硅電壓二極管FLD負阻開 關特性，控制電感線圈L對滅磁電阻SIC的初始放電電壓；同時根據規定的滅磁時間，推算 對應的初始放電電壓；通過設定單向硅電壓二極管FLD的型號，間接控制滅磁電阻SIC吸收 能量的時間。
[0045] 一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的方法，包括以下步驟：
[0046] 步驟1 :試驗前，在模擬滅磁回路中接上滅磁電阻SIC、單向硅電壓二極管FLD(正 向轉折電壓為Ul)、以及分流器；
[0047] 步驟2 :合上滅磁開關FMK的主觸頭，聯動斷開滅磁開關FMK的常閉觸頭，接通試 驗電源，開啟直流源，向電感線圈L充電；
[0048] 步驟3 :當充電電流I達到要求時，即電感線圈L的能量達到實驗能量W時，斷開 滅磁開關FMK的主觸頭，聯動合上滅磁開關FMK的常閉觸頭，此時電感線圈L兩端會感應出 高電壓，由于單向硅電壓二極管FLD串聯于滅磁電阻回路，根據單向硅電壓二極管FLD負載 開關特性，當外加電壓超過Ul時，單向硅電壓二極管FLD由截止變為導通狀態，電感線圈L 向滅磁電阻SIC放電；
[0049] 步驟4 :通過觀察電流、電壓曲線，記錄下滅磁時間Tl ;
[0050] 步驟5 :更換單向硅電壓二極管FLD，選擇正向轉折電壓在U2附近的單向硅電壓二 極管FLD，其中：
[0052] TO為發電廠規定的事故滅磁時間；
[0053] 步驟6 :待滅磁電阻SIC冷卻后，重復步驟2、3,記錄電流、電壓曲線，并觀察外觀及 測量溫升，記錄滅磁電阻SIC是否有損傷，以及是否滿足溫升要求，通過試驗數據對滅磁電 阻SIC進行性能評估。
【主權項】
1. 一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的電路，其特征在于，電源斷路器QF 連接整流電路（FLZ)，所述整流電路（FLZ) -端連接滅磁開關（FMK)的主觸頭，滅磁開關 (FMK)的主觸頭連接勵磁電流分流器（Ik) 一端，勵磁電流分流器（Ik)另一端連接滅磁開關 (FMK)的常閉觸頭、電感線圈L的一端； 滅磁開關（FMK)的常閉觸頭連接滅磁電流分流器（Ir)，滅磁電流分流器（Ir)連接滅磁 電阻（SIC)，滅磁電阻（SIC)連接單向硅電壓二極管（FLD)的陰極； 單向硅電壓二極管（FLD)的陽極、電感線圈L的另一端均連接整流電路（FLZ)另一端。2. 根據權利要求1所述一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的電路，其特征在 于，所述整流電路（FLZ)為可控硅整流橋。
【專利摘要】一種根據滅磁時間檢測碳化硅滅磁電阻性能的電路，電源斷路器QF連接整流電路FLZ，所述整流電路FLZ一端連接滅磁開關FMK的主觸頭，滅磁開關FMK的主觸頭連接勵磁電流分流器Ik一端，勵磁電流分流器Ik另一端連接滅磁開關FMK的常閉觸頭、電感線圈L的一端；滅磁開關FMK的常閉觸頭連接滅磁電流分流器Ir，滅磁電流分流器Ir連接滅磁電阻SIC，滅磁電阻SIC連接單向硅電壓二極管FLD的陰極；單向硅電壓二極管FLD的陽極、電感線圈L的另一端均連接整流電路FLZ另一端。本實用新型可以檢測碳化硅滅磁電阻能否在規定的事故滅磁時間內完成能量的吸收工作，具有較高的靈活性和通用性，有效的檢測了碳化硅滅磁電阻的性能。
【IPC分類】G01R31/00
【公開號】CN204882763
【申請號】CN201520669788
【發明人】劉祖浩, 張元棟, 胡先洪, 周興華, 張凱
【申請人】中國長江電力股份有限公司
【公開日】2015年12月16日
【申請日】2015年8月31日