放射線成像裝置和放射線成像系統的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及放射線成像裝置和放射線成像系統。
【背景技術】
[0002]近年來，例如40cmX40cm的具有大面積的放射線成像裝置已被開發。為了實現這樣的具有大面積的放射線成像裝置，在具有堆疊結構的傳感器面板和閃爍體(scintillator)的放射線成像裝置中，傳感器面板由多個成像基板形成。例如，日本專利特開N0.2012-247401描述了具有堆疊結構的傳感器面板和閃爍體的放射線成像裝置，其中傳感器面板通過布置多個圖像傳感器來形成。
[0003]但是，在通過布置多個成像基板形成的堆疊結構的閃爍體和傳感器面板中，在成像基板之間的接合部處的變形可能比在成像基板中的變形大。這樣的變形不均勻造成閃爍體的不均勻畸變，導致由放射線成像裝置感測的圖像中的偽像。
【發明內容】
[0004]本發明的一個方面提供了有利于減小放射線成像裝置中的閃爍體的畸變的技術，該放射線成像裝置具有由多個成像基板形成的堆疊結構的閃爍體和傳感器面板。
[0005]本發明的第一方面提供一種用于感測放射線圖像的放射線成像裝置，包括:放射線成像面板，包括多個成像基板和閃爍體，該閃爍體具有彼此相對的第一面和第二面；殼體，配置成容納放射線成像面板并且包括第一板狀部和第二板狀部；第一支撐構件，定位在閃爍體的第一面和殼體的第一板狀部之間以經由所述多個成像基板支撐閃爍體；以及第二支撐構件，定位在閃爍體的第二面和殼體的第二板狀部之間以支撐閃爍體。
[0006]本發明的第二方面提供一種放射線成像系統，包括:放射線源；以及如本發明第一方面指定的放射線成像裝置。
[0007]本發明的其他特征從以下示例性實施例的描述(參考所附附圖)將變得清楚。
【附圖說明】
[0008]圖1是分離地示出根據本發明第一實施例的放射線成像裝置的部件的透視圖；
[0009]圖2A和2B分別是示出根據本發明第一實施例的放射線成像裝置的截面圖和平面圖；
[0010]圖3A和3B分別是示出根據本發明第二實施例的放射線成像裝置的截面圖和平面圖；
[0011]圖4A和4B是沿兩個方向的截面圖并且示出根據本發明第三實施例的放射線成像裝置；
[0012]圖5是示出根據本發明第三實施例的放射線成像裝置的平面圖；
[0013]圖6A和6B是各自示意性示出閃爍體(或放射線成像面板)的彎曲(變形)和支撐模式之間的關系的視圖；以及
[0014]圖7是示出根據本發明的一個實施例的放射線成像系統的配置的視圖。
【具體實施方式】
[0015]將參考附圖通過示例性實施例在以下描述本發明。
[0016]圖1分離地示出根據本發明第一實施例的放射線成像裝置100的部件。圖2A是沿著在圖1中示出的線A-A’取得的截面圖并且示出放射線成像裝置100，以及圖2B是示出放射線成像裝置100的平面圖。注意，圖1僅示出殼體150的一部分，并且圖2B通過移除其上部而示出殼體150。
[0017]放射線成像裝置100配置成感測由如下放射線形成的圖像(放射線圖像)，該放射線已經從用于發射諸如X-射線之類的放射線的放射線源發射并且穿過被檢體。放射線成像裝置100例如包括:放射線成像面板110、第一支撐構件120、第二支撐構件140、電路基板130和殼體(外構件)150。放射線成像面板110例如包括:多個成像基板112和閃爍體114，該閃爍體114具有彼此相對的第一面S1和第二面S2。放射線成像裝置100或放射線成像面板110還可以包括用于支撐多個成像基板112的基座111。
[0018]閃爍體114可以被定位成使得多個成像基板112被夾在或被布置在閃爍體114和基座111之間，或者被定位成使得閃爍體114被夾在或被布置在多個成像基板112和基座111之間。閃爍體114可以是由摻陀碘化銫(Tl-doped Csl)制成的柱狀結構的集合體。閃爍體114將放射線160轉換為光。多個成像基板112被一維或二維地布置以形成成像面或成像區域。每個成像基板112可以具有有著短邊和長邊的矩形形狀。撓性電路基板113連接到每個成像基板112。例如，每個成像基板112可以是由晶體硅制成的CMOS傳感器或者是由非晶硅制成的PIN傳感器或MIS傳感器。每個成像基板112包括用于檢測由閃爍體114從放射線轉換而來的光的多個像素。每個像素包括光電轉換器。
[0019]殼體150配置成容納放射線成像面板110，并且具有第一板狀部P1、第二板狀部P2和側壁SW。放射線160的入射側是第二板狀部P2 —側。第一板狀部P1和第二板狀部P2被定位成彼此面對，并且側壁SW接合第一板狀部P1和第二板狀部P2。第一支撐構件120被定位在閃爍體114的第一面S1和殼體150的第一板狀部P1之間以支撐閃爍體114或放射線成像面板110。第一支撐構件120的一部分可以直接或間接接合到放射線成像面板110，并且第一支撐構件120的另一部分可以直接或間接接合到殼體150的第一板狀部P1。第二支撐構件140被定位在閃爍體114的第二面S2和殼體150的第二板狀部P2之間以支撐閃爍體114或放射線成像面板110。第二支撐構件140的一部分可以直接或間接接合到放射線成像面板110，并且第二支撐構件140的另一部分可以直接或間接接合到殼體150的第二板狀部P2。
[0020]電路基板130可以被定位在第一支撐構件120和殼體150的第一板狀部P1之間，并且電路基板130可以由第一支撐構件120支撐。電路基板130通過撓性電路基板113連接到多個成像基板112。電路基板130驅動多個成像基板112，并且處理從多個成像基板112輸出的信號。
[0021]殼體150的第二板狀部P2和放射線成像面板110或閃爍體114之間提供有空間(間隙)。即使當外部壓力被施加到放射線成像裝置100而使殼體150變形時，這也可以防止殼體150和放射線成像面板110變得彼此接觸，從而防止損壞放射線成像面板110或閃爍體114。
[0022]另一方面，當振動被施加到放射線成像裝置100或者放射線成像裝置100被維持為設置水平或傾斜的成像面時，放射線成像面板110可能變形。通常，在成像基板112之間的接合部處的放射線成像面板110的變形可能比在單個成像基板112中的放射線成像面板110的變形大。這樣的變形不均勻造成閃爍體114的不均勻畸變，導致由放射線成像裝置100感測的圖像中的偽像。隨著成像基板112的數量增加，放射線成像面板110的畸變變大。
[0023]提供了增加基座111的厚度以減小放射線成像面板110的畸變的方法。但是，在這樣的方法中，放射線成像裝置100的厚度和重量也增加。此外，僅增加基座111的厚度對減少偽像施加限制。為解決這一問題，在第一實施例中，第二支撐構件140被定位在閃爍體114的第二面S2和殼體150的第二板狀部P2之間以支撐放射線成像面板110。第二支撐構件140可以配置成支撐閃爍體114的周邊部分而不支撐周邊部分內側的中央部分。從另一視角而言，第二支撐構件140可以配置成在由多個成像基板112形成的成像區域外側的部分或區域支撐閃爍體114。
[0024]每個成像基板112具有有著短邊和長邊的矩形形狀。在X和y方向上的多個成像基板112的陣列中，布置在y方向(第一方向)上的成像基板112的數量(在圖1、2A和2B示出的示例中為4)比布置在垂直于y方向的X方向(第二方向)上的成像基板112的數量(在圖1、2A和2B示出的示例中為2)大。第二支撐構件140優選