封裝件、電子裝置及其制造方法、電子設備以及移動體的制作方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及封裝件、電子裝置、電子裝置的制造方法、電子設備以及移動體。
【背景技術】
[0002]—直以來，在車輛中的車身控制、汽車導航系統的本車位置檢測、數碼照相機、攝像機以及移動電話等電子設備或汽車等移動體中，使用了在具有內部空間的封裝件中收納了功能元件的振子、振蕩器、加速度傳感器、角速度傳感器等電子裝置。對于這些移動體或電子設備中所使用的電子裝置的封裝件，為了提高功能元件的性能，要求了較高的氣密性。例如，如專利文獻I所記載的那樣，已知一種封裝件，其設置連通內部空間的內部和外部的貫通孔，在貫通孔中配置密封材料，通過使該密封材料熔融而堵塞貫通孔，從而氣密性地密封內部空間。
[0003]但是，設置于專利文獻I所述的封裝件上的貫通孔為，在貫通孔的剖視觀察時，從內部空間的外側趨向內側，內徑逐漸減小的形狀(錐形形狀)，在貫通孔的整個內周面上設置有金屬膜(覆蓋金屬)。因此，當在貫通孔內使密封部件熔融時，熔融的密封部件會沿著貫通孔的內周面向上爬，從而有可能從貫通孔流出至與收納空間部(內部空間)相反的一側的第一基體的表面上。由此，存在如下的課題，即，當貫通孔內的密封部件不足而產生密封不良，或由于被擠出的密封部件的熱量而在第一基體上產生裂紋時，將損害收納空間部的氣密性。
[0004]專利文獻1:日本特開2004 - 266763號公報
【發明內容】
[0005]本發明是為了解決上述問題的至少一部分而完成的發明，能夠作為以下的方式或應用例來實現。
[0006]應用例I
[0007]本應用例所涉及的封裝件的特征在于，具備:收納空間部；第一基體，其形成所述收納空間部的至少一部分，在所述第一基體上設置有第一貫通孔，所述第一貫通孔從與所述收納空間部相反的一側的第一主面朝向所述收納空間部側的第二面，所述第一貫通孔具有在所述第一貫通孔的剖視觀察時，從所述第二面朝向所述第一主面傾斜的第一傾斜部和從所述第一傾斜部的所述第一主面側的一端朝向所述第一主面傾斜的第二傾斜部，由所述第二傾斜部和所述第二面形成的第二角大于由所述第一傾斜部和所述第二面形成的第一角，所述第一貫通孔被密封部件密封。
[0008]根據本應用例，在封裝件上設置有收納空間部和用于對收納空間部進行氣密密封的第一貫通孔。收納空間部例如通過激光照射而使配置于第一貫通孔內的球狀的密封部件熔融，從而通過由密封部件堵塞第一貫通孔而使之氣密密封。第一貫通孔被設置于形成了收納空間部的第一基體上，并從與收納空間部相反的一側的第一主面朝向收納空間部側的第二面而貫通。第一貫通孔包括在第一貫通孔的剖視觀察時，從第一基體的第二面朝向第一主面按照第一傾斜部、第二傾斜部的順序而被設置的兩個傾斜部。
[0009]由于由第二傾斜部和第二面形成的第一基體側的第二角大于由第一傾斜部和第二面形成的第一基體側的第一角，因此，能夠防止在使配置于第一貫通孔的第一傾斜部上的球狀的密封部件熔融時，熔融的密封部件沿著第二傾斜部向上爬而從第一貫通孔流出至第一基體的第一主面上的情況。由此，能夠抑制因第一貫通孔內的密封部件不足而產生的密封不良或因熔融的密封部件的熱量而在第一基體上產生裂紋的情況。因此，能夠提供一種提高了收納空間部的氣密性的封裝件。
[0010]應用例2
[0011]在上述應用例所述的封裝件中，優選為，所述第二角超過90度。
[0012]根據本應用例，由于在第一貫通孔的第二傾斜部中，在第一貫通孔的剖視觀察時，由第二傾斜部和第二面形成的第一基體側的第二角超過90度，因此，能夠提高如下的效果，即，防止在使配置于第一貫通孔的第一傾斜部上的球狀的密封部件熔融時，熔融的密封部件沿著第二傾斜部向上爬而從第一貫通孔流出至第一基體的第一主面上的情況的效果。
[0013]應用例3
[0014]在上述應用例所述的封裝件中，優選為，在所述第一貫通孔上設置有金屬膜，所述第二傾斜部的至少一部分露出了所述第一基體。
[0015]根據本應用例，由于在第一貫通孔的第一傾斜部的內壁上設置有金屬膜，因此，當使配置于第一傾斜部上的球狀的密封部件熔融時，熔融的密封部件將在第一貫通孔的第一傾斜部內潤濕并擴散，從而能夠通過密封部件可靠地對第一貫通孔進行密封。另外，第二傾斜部的至少一部分露出了第一基體。換言之，由于第二傾斜部具有未設置有金屬膜的區域，因此，能夠在使配置于第一傾斜部上的球狀的密封部件熔融時，在未設置有金屬膜的區域內使熔融的密封部件的潤濕擴散(向上爬)減弱。由此，能夠更加提高如下的效果，即，防止熔融的密封部件沿著第二傾斜部向上爬而從第一貫通孔流出至第一基體的第一主面上的情況。
[0016]應用例4
[0017]在上述應用例所述的封裝件中，優選為，所述第一基體以硅為主要材料，所述第一主面沿著所述硅的(100)面的結晶面。
[0018]根據本應用例，第一基體的主要材料使用了在形成第一貫通孔的第一主面上具有
(100)面方位的硅。利用硅的各向異性蝕刻技術，通過從第一主面側向第二面進行濕法蝕亥IJ，從而能夠容易地形成第一傾斜部或第二傾斜部的傾斜。
[0019]應用例5
[0020]本應用例所涉及的電子裝置的特征在于，具備:收納空間部；第一基體，其形成所述收納空間部的至少一部分；功能元件，其被收納于所述收納空間部內，在所述第一基體上設置有第一貫通孔，所述第一貫通孔從與所述收納空間部相反的一側的第一主面朝向所述收納空間部側的第二面，所述第一貫通孔具有在所述第一貫通孔的剖視觀察時，從所述第二面朝向所述第一主面傾斜的第一傾斜部和從所述第一傾斜部的所述第一主面側的一端朝向所述第一主面傾斜的第二傾斜部，由所述第二傾斜部和所述第二面形成的第二角大于由所述第一傾斜部和所述第二面形成的第一角，所述第一貫通孔被密封部件密封。
[0021 ] 根據本應用例，在電子裝置中設置有收納有功能元件的收納空間部和用于對收納空間部進行氣密密封的第一貫通孔。收納空間部例如通過激光照射而使配置于第一貫通孔內的球狀的密封部件熔融，從而通過由密封部件堵塞第一貫通孔而使之氣密密封。第一貫通孔被設置于形成了收納空間部的第一基體上，并從與收納空間部相反的一側的第一主面朝向收納空間部側的第二面而貫通。第一貫通孔包括在第一貫通孔的剖視觀察時，從第一基體的第二面朝向第一主面按照第一傾斜部、第二傾斜部的順序而被設置的兩個傾斜部。
[0022]由于由第二傾斜部和第二面形成的第一基體側的第二角大于由第一傾斜部和第二面形成的第一基體側的第一角，因此，能夠防止在使配置于第一貫通孔的第一傾斜部上的球狀的密封部件熔融時，熔融的密封部件沿著第二傾斜部向上爬而從第一貫通孔流出至第一基體的第一主面上的情況。由此，能夠抑制由第一貫通孔內的密封部件不足而產生的密封不良或由于熔融的密封部件的熱量而在第一基體上產生裂紋的情況。因此，能夠提供一種提高了氣密性的可靠性較高的電子裝置。
[0023]應用例6
[0024]本應用例所涉及的電子裝置的制造方法的特征在于，所述電子裝置具備:收納空間部；第一基體，其形成所述收納空間部的至少一部分；功能元件，其被收納于所述收納空間部內，在所述第一基體上設置有第一貫通孔，所述第一貫通孔從與所述收納空間部相反的一側的第一主面朝向所述收納空間部側的第二面，所述第一貫通孔具有在所述第一貫通孔的剖視觀察時，從所述第二面朝向所述第一主面傾斜的第一傾斜部和從所述第一傾斜部的所述第一主面側的一端朝向所述第一主面傾斜的第二傾斜部，由所述第二傾斜部和所述第二面形成的第二角大于由所述第一傾斜部和所述第二面形成的第一角，所述第一貫通孔被密封部件密封，所述第一基體以硅為主要材料，所述第一主面沿著所述硅的(100)面的結晶面，所述電子裝置的制造方法包括:通過干法處理對所述第一基體的所述第一主面進行半蝕刻的干法蝕刻工序；通過濕法處理的蝕刻而形成所述第一貫通孔的所述第一傾斜部和所述第二傾斜部的濕法蝕刻工序。
[0025]根據本應用例，電子裝置的制造方法包括通過干法處理對第一基體的第一主面進行半蝕刻的干法蝕刻工序和通過濕法處理蝕刻出第一傾斜部和第二傾斜部的濕法蝕刻工序。
[0026]第一基體的主要材料使用了在形成第一貫通孔的第一主面上具有(100)面的結晶面的硅。通過在第一基體上從第一主面朝向第二面進行利用了干法處理的半蝕刻，從而在第一主面上形成有凹部。接下來，通過從凹部側至第二面進行利用了硅的各向異性蝕刻技術的濕法蝕刻，從而形成包括第一傾斜部和第二傾斜部的第一貫通孔。
[0027]在第一貫通孔的剖視觀察時，由第二傾斜部和第二面形成的第二角大于由第一傾斜部和第二面形成的第一角，并且，第二角大于90度。換言之，第二傾斜部的內壁從第一傾斜部的第一主面側的一端朝向第一主面而伸出為突出(overhang)狀。根據這種形狀，能夠防止在使配置于第一傾斜部上的球狀的密封部件熔融時，熔融的密封部件沿著第二傾斜部向上爬從而從第一貫通孔流出至第一主面上的情況。由此，能夠抑制因第一貫通孔內的密封部件不足而產生的密封不良或由于熔融的密封部件的熱量而在第一基體上產生裂紋的情況。因此，能夠提供一種提高了氣密性的電子裝置的制造方法。
[0028]應用例7
[0029]本應用例所涉及的電子裝置的制造方法的特征在于，所述電子裝置具備:收納空間部；第一基體，其形成所述收納空間部的至少一部分；功能元件，其被收納于所述收納空間部內，在所述第一基體上設置有第一貫通孔，所述第一貫通孔從與所述收納空間部相反的一側的第一主面朝向所述收納空間部側的第二面，所述第一貫通孔具有在所述第一貫通孔的剖視觀察時，從所述第二面朝向所述第一主面傾斜的第一傾斜部和從所述第一傾斜部的所述第一主面側的一端朝向所述第一主面傾斜的第二傾斜部，由所述第二傾斜部和所述第二面形成的第二角大于由所述第一傾斜部和所述第二面形成的第一角，所述第一貫通孔被密封部件密封，所述第一基體以硅為主要材料，所述第一主面沿著所述硅的(100)面的結晶面，所述電子裝置的制造方法包括:通過濕法處理的蝕刻而對所述第一基體的所述第一主面進行蝕刻的濕法蝕刻工序；通過干法處理的蝕刻而形成所述第一貫通孔的所述第二傾斜部的干法蝕刻工序。
[0030]根據本應用例，電子裝置的制造方法包括通過濕法處理而從第一基體的第一主面起進行蝕刻的濕法蝕刻工序和通過利用干法處理而從第一主面側進行蝕刻從而形成第二傾斜部的干法蝕刻工序。
[0031]第一基體的主要材料使用了在形成第一貫通孔的第一主面上具有(100)面的結晶面的硅。通過利用硅的各向異性蝕刻技術從第一主