利用ate測量線路上寄生電容的方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及集成電路測試領域，尤其是一種利用ATE測量線路上寄生電容的方 法。
【背景技術】
[0002] 集成電路器件在銷售前需要進行ATE量產測試。一般情況下，待測器件測試規范 要求待測器件的輸出端口在一定負載電容下，在此過程中需要用負載板將待所述測器件連 接到ATE(AutomaticTestEquipment,集成電路測試時使用的自動測試設備）的標準接口。 一般的，所述負載板是一塊印刷電路板，在所述印刷電路板上可放置測試所需外圍電路，并 將所述待測器件的引腳連接到ATE測試的資源如電源、數字通道的引腳。
[0003] 但由于所述負載板上的每個通道上連接的走線、外圍電路均會產生一定的寄生電 容，所述寄生電容會對所述待測器件測試的結果造成影響，特別是時序參數的影響。因此， 需要對測試通路和所述負載板上的電容進行測量，從而對所述待測器件的測試結果進行校 正修正W滿足測試規范的要求。
[0004] 現有技術中，通常有兩種方法實現對所述測試通路和所述負載板上的電容進行測 量。方法一；W所述ATE測試機本身的規格參數作為參考。具體的，所述ATE測試機的出 廠規格書上會表明所述ATE的測試組件模塊容性負載的大小，可此作為所述測試通路 的電容。但是，在該只是所述ATE測試機本身負載電容的大小，而在實際測試過程中，所 述測試通路中還包括其他連接組件，例如，如果是對娃晶圓進行測試，所述ATE需要通過 DIB值eviceInter化ceBoard,測試接口板）、化goTower(彈黃轉接板）才能與一探針卡 之間進行連接，而所述測試接口板、所述Tower本身W及各部件之間的連線均會增加所述 測試通路上的負載電容。因此，W所述ATE測試機本身的規格參數作為所述測試通路上的 電容，將導致所述測試通路上的電容測量不準確，進而影響所述待測器件的測量精度。
[0005] 方法二：利用LCR等分離儀器對所述測試通路進行測量。具體的，如果所述待測器 件對所述測試通路上的寄生電容有比較嚴格的要求時，需要采用LCR等分離儀對所述測試 通路的電容進行測量。但是，所述ATE測試機的通道至少有幾百個，多達兩千多個，而且不 同的負載板導致測試通路上的電容也不一樣，需要重新測量。因此，該種測量方法麻煩且效 率低下。
【發明內容】
[0006] 本發明的目的在于提供一種利用ATE測量線路上寄生電容的方法，W解決ATE測 試過程中測試通路中寄生電容無法快速準確測量的問題。
[0007] 為了達到上述目的，本發明提供了一種利用ATE測量線路上寄生電容的方法，包 括W下步驟：
[000引選定需要量測的測試通路；
[0009] ATE定義一矢量發生數據和一矢量，并根據所述矢量發生數據和所述矢量向所述 測試通路上施加一第一電壓對所述測試通路進行充電；
[0010] 所述ATE向所述測試通路上施加一第一恒定電流，W維持所述測試通路在測試過 程中的電流為一恒定值；
[0011] 當所述測試通路達到規定充電時間后，所述ATE停止向所述測試通路上施加所述 第一電壓，所述測試通路進行放電，所述ATEW-矢量周期周期性的測量所述測試通路的 輸出電壓；
[0012] 所述ATE將所述輸出電壓與一第二電壓進行比較判斷，當所述輸出電壓小于所述 第二電壓時，所述矢量的測試顯示為失效，則計算從放電開始到輸出電壓小于所述第二電 壓的過程中所述矢量運行的矢量行數；
[0013] 計算所述測試通路上的寄生電容：
[0014] 寄生電容=所述第一恒定電流* (所述矢量周期*所述矢量行數）/(所述第一電 壓-所述第二電壓）。
[0015] 優選的，在上述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法中，所述第一電壓大于所 述第二電壓。
[0016] 優選的，在上述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法中，所述矢量發生數據由 所述ATE上的PinElectronic組件生成。
[0017] 優選的，在上述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法中，所述矢量發生數據與 所述測試通路一一對應。
[001引優選的，在上述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法中，所述ATE通過Pin Electronic組件向所述測試通路上施加所述第一電壓。
[0019] 優選的，在上述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法中，所述ATE通過PPMU組 件向所述測試通路上施加所述第一恒定電流。
[0020] 優選的，在上述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法中，所述ATE通過Pin Electronic組件測量所述測試通路的輸出電壓。
[0021] 優選的，在上述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法中，所述ATE通過Pin Electronic組件將所述輸出電壓和所述第二電壓進行比較判斷。
[0022] 優選的，在上述的利用ATE測量線路上寄生電容的方法中，所述第一恒定電流和 所述第一電壓同時被施加到所述測試通路中。
[002引在本發明提供的利用ATE測量線路上寄生電容的方法中，利用所述ATE測試設備 本身的測量組件測量出所述測試通路上的穩定充電電壓和放電電壓，即所述第一電壓和所 述第二電壓，W及所述測試通路上的電壓從所述第一電壓變化到所述第二電壓所需要的時 間，即（所述矢量周期*所述矢量行數），從而可W快速準確的對所述測試通路上的寄生電 容進行測量。當變更所述ATE的測試通道及負載板時，僅通過修改所述矢量發生數據即可 快速、方便的實現不同測試通路上寄生電容的測量。
【附圖說明】
[0024] 圖1為本發明實施例中利用ATE測量線路上寄生電容的方法的流程圖；
[00巧]Ui-第一電壓化-第二電壓；n-矢量行數；T-矢量周期；I-第一擔定電流；C-寄生 電容。
【具體實施方式】
[0026] 下面將結合示意圖對本發明的【具體實施方式】進行更詳細的描述。根據下列描述和 權利要求書，本發明的優點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式且均 使用非精準的比例，僅用W方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
[0027] 本發明提供了一種利用ATE測量線路上寄生電容的方法，如圖1所示，包括W下步 驟：
[002引 S1 ;選定需要量測的測試通路。
[0029]S2 ;ATE定義一矢量發生數據和一矢量，并根據所述矢量發生數據和所述矢量向 所述測試通路上施加一第一電壓Ui對所述測試通路進行充電。
[0030] 所述ATE測試機上有幾百個，多達兩千多個測試通道，再結合不同的負載可W形 成幾千個甚至上萬個測試通路，根據實際測量的需要定義一個需要的測試通路，并且利用 所述ATE測試機定義一矢量發生數據，所述矢量發生數據與所述測試通路一一對應，當修 改所述矢量發生數據時，就可W根據修改的所述矢量發生數據測量不同的測試通路。
[0031] 針對所選取的所述測試通路，所述ATE根據上述矢量發生數據向所述測試通路上 施加一第一電壓Ui對所述測試通路進行充電。
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