on)， 固定座250另包括溝槽251。溝槽251可將固定座250分隔成相互電性絕緣的外固定座 250a與內固定座25化。內固定座25化為第二N型半導體層2222。外固定座250a也為第 二N型半導體層2222。固定座250還包括第二導電層2302、第二絕緣層2702及W及導電 柱252。第二絕緣層2702設置于內固定座25化、外固定座250aW及溝槽251上。第二導 電層2302設置于第二絕緣層上2702。導電柱252貫穿固定座250的第二絕緣層2702且連 接固定座250的第二導電層2302與外固定座250a。
[0130] 微機電裝置200的彈黃262包括第HN型半導體層2223、第H絕緣層2703及第H 導電層2303。第H絕緣層2703設置于第HN型半導體層2223上且第H導電層2303設置 于第H絕緣層2703上，使第HN型半導體層2223與第H導電層2303電性絕緣。
[0131] 此外，彈黃262的第HN型半導體層2223連接可動質量塊220的第一N型半導體 層221及內固定座25化的第二N型半導體層2222,W形成可使第一N型半導體層221電性 禪接第二極化電壓（化）的電性通道。
[0132]為了使電流能供給至可動質量塊220上的第一導電層230，第一彈黃260的第H導 電層2303連接第一固定座240的第二導電層2302及第一導電層230的第一端230a，W形 成可使第一端230a電性連結接地端GND的電性通道。此外，彈黃262的第H導電層2303 連接固定座250的第二導電層2302及第一導電層230的第二端23化，W形成可使第二端 23化電性禪接交流電源的電性通道。
[0133] 在一實施例中，微機電裝置200在進行磁場量測時，可使第一P型半導體層221電 性禪接第一極化電壓（化）且使第一N型半導體層222電性禪接第二極化電壓（化），其中第 二極化電壓（化）的大于或等于第一極化電壓（化）。此外，第一導電層230的第一端230a 電性連結接地端GND且第一導電層230的第二端23化電性禪接交流電源，并由于第一端 230a與第二端23化之間的電位差，而于第一導電層230上產生電流。另外，電極211則是 與第一端230a共同電性連結接地端GND。
[0134] 當微機電裝置200所在的環境有沿Y軸方向的磁場B或磁場B的分量存在時，第一 導電層230中的電流便會與磁場B發生交互作用而產生勞倫茲力F。此勞倫茲力F會施加 在可動質量塊220上，進而使可動質量塊220WA-A'軸線為旋轉軸產生轉動（rotation)。 可動質量塊220的轉動會造成第一P型半導體層221與電極211間的電容發生改變。因此， 微機電裝置200可借著感測出的電容改變，然后通過特用集成電路（ASIC)的計算，求得磁 力B的大小。
[0135] 此外，如上述實施例，由于第二極化電壓（化）大于或等于第一極化電壓（化），第 一P型半導體層221與第二半導體層222之間的第一PN界面223具有逆向偏壓。因此，在 交流電壓轉換的過程中，第一P型半導體層221的下表面的電荷維持相同的帶電電性。換 言之，在交流電壓轉換的過程中，電極211不會產生感應電流，也不會造成讀取電路輸出的 電壓信號的改變。如此，微機電裝置200因而能避免量測到異常信號，進而增加微機電裝置 200量測磁力的準確度。
[0136] 圖6A是根據本發明另一實施例繪示的微機電裝置的俯視圖，圖6B是圖6A的微機 電裝置沿B-B'線的剖面示意圖，圖6C是圖6A的微機電裝置沿C-C'線的剖面示意圖。請 參考圖6A、圖她及6C。
[0137] 微機電裝置300包括基板310、電極311、可動質量塊320、第一導電層330、第一絕 緣層370、第一固定座340,350、第二固定座380、第一彈黃360、365及第二彈黃390、395。 [013引第一固定座340、350、第二固定座380及電極311分別設置于基板310的上表面。 第一絕緣層370可設置于可動質量塊320與第一導電層330之間。更詳細地說，第一絕緣 層370可設置于可動質量塊320上且第一導電層330可設置于第一絕緣層370上，W使可動 質量塊320與第一導電層330電性絕緣。第一彈黃360、365分別連接第一固定座350,340 及可動質量塊320。第二彈黃390、395分別連接至第二固定座380及可動質量塊320而使 可動質量塊320息浮于電極311上方。此外，第一導電層330可W是單圈或多圈的導電線 圈，也可W是于可動質量塊320的上表面形成整面的導電層。
[0139] 微機電裝置300的可動質量塊320包括第一P型半導體層321、第一N型半導體 層322。第一N型半導體層322連接第一P型半導體層321W形成第一PN界面323。換言 之，第一PN界面323形成于第一P型半導體層321與第一N型半導體層322之間的連接面。 舉例而言，第一P型半導體層321的下表面面向電極311，第一N型半導體層322其下表面 與第一P型半導體層321的上表面連接。此外，第一絕緣層370設置于第一N型半導體層 322的上表面，第一導電層330設置于第一絕緣層370上。
[0140] 微機電裝置300的第一固定座340包括第二P型半導體層3212、第二N型半導體 層3222。第二N型半導體層3222連接第二P型半導體層3212W形成第二PN界面3232。 也就是說，第二PN界面3232形成于第二P型半導體層3212與第二N型半導體層3222的連 接面。此外，第二P型半導體層3212設置于第二N型半導體層3222的底面S1與側面S2。
[0141] 微機電裝置300的第一彈黃365包括第HP型半導體層3213、第HN型半導體層 3223。第HN型半導體層3223連接第HP型半導體層3213W形成第HPN界面3233。換 言之，第HPN界面3233形成于第HP型半導體層3213與第HN型半導體層3223的連接 面。此外，第一彈黃365另包含第H絕緣層3703設置于第HN型半導體層3223上。
[0142] 第一彈黃365的第HP型半導體層3213連接第一固定座340的第二P型半導體 層3212。第一固定座340的第二P型半導體層3212包覆第一固定座340的第二N型半導 體層3222的整個底面S1。第一彈黃365的第HP型半導體層3213連接可動質量塊320的 第一P型半導體層321，W形成第一P型半導體層321電性禪接第一極化電壓（化）的電性 通道。
[0143] 為了增加微機電裝置300的電性通道，第一固定座350可另包括第一溝槽351。第 一溝槽351可將第一固定座350分隔成相互電性絕緣的第一內固定座35化與第一外固定 座350a。第一內固定座35化包含第二N型半導體層3222。第一外固定座340a包含第二 N型半導體層3222。
[0144] 第一固定座350還包括第二絕緣層3702、第二導電層3302及W及導電柱352。第 二絕緣層3702設置于第一內固定座35化、第一外固定座350a及第一溝槽351上。第二導 電層3302設置于第二絕緣層上3702。導電柱352貫穿第一固定座350的第二絕緣層3702 且連接第一固定座350的第二導電層3302與第一外固定座350a。
[0145] 微機電裝置300的另一第一彈黃360包括第HP型半導體層3213、第HN型半導 體層3223。第HN型半導體層3223連接第HP型半導體層3213W形成第HPN界面3233。 換言之，第HPN界面3233形成于第HP型半導體層3213與第HN型半導體層3223的連 接面。此外，第一彈黃360另包含第H絕緣層3703及第H導電層3303。第H絕緣層3703 設置于第HN型半導體層3223上。第H導電層3303設置于第H絕緣層3703上，W使第H N型半導體層3223與第H導電層3303電性絕緣。
[0146] 第一彈黃360的第HN型半導體層3223連接可動質量塊320的第一N型半導體 層322及第一內固定座35化的第二N型半導體層3222,W形成可動質量塊320的第一N型 半導體層322電性禪接第二極化電壓（化）的電性通道。
[0147] 微機電裝置300的可動質量塊320為中央縷空的框架。第二固定座380包含：第 二溝槽381，用W將第二固定座380分隔為相互電性絕緣的第二內固定座38化與第二外固 定座380a。第二絕緣層3702設置于第二內固定座38化、第二外固定座380a及第二溝槽 381上。第二導電層3302,設置于第二絕緣層3702上。導電柱382貫穿第二固定座380的 第二絕緣層3702且連接第二固定座380的第二導電層巡膽及第二內固定座38化。第二 內固定座38化包含第二N型半導體層3222。第二外固定座380a包含第二N型半導體層 3222。在本實施例中，不會限制第二溝槽381的形狀。例如，第二溝槽381的形狀可W是一 圓形環或一方形環。
[014引微機電裝置300的第二彈黃390、395設置于框架320內，并沿B-B'軸線的方向連 接可動質量塊320。第二彈黃390、395與第一彈黃360、365位于同一軸線B-B'的延伸方 向上，使框架320適于繞軸線B-B'旋轉。微機電裝置300的第二彈黃390、395包括第HN 型半導體層3223、第H絕緣層3703及第H導電層3303。第H絕緣層3703設置于第HN型 半導體層3223上且第H導電層3303設置于第H絕緣層3703上，使第HN型半導體層3223 與第H導電層3303電性絕緣。
[0149] 第二彈黃390、395的第HN型半導體層3223連接可動質量塊320的第一N型半 導體層322及第二外固定座380a的第二N型半導體層3222,W形成一電性通道。
[0150] 為了提供電流能給可動質量塊320上的第一導電層330,分別需要二條相互絕緣 的電性通道。例如，第一彈黃360的第H導電層3303可連接第一固定座350的第二導電層 3302及第一導電層330的第一端330a，W形成可使第一端330a電性連結接地端GND的電 性通道。第二彈黃390的第H導電層3303連接第二固定座380的第二導電層3302及第一 導電層330的第二端33化，W形成可使第二端33化可電性禪接交流電源Vac的電性通道。 如此，便能使電流流入可動質量塊320上的第一導電層330。
[0151] 借著不同的電性禪接，微機電裝置300具有感測磁場及感測加速度的能力。當微 機電裝置300要進行磁場量測時，互使第一P型半導體層321電性禪接第一極化電壓（化）， 且使第一N型半導體層322電性禪接第二極化電壓（化），其中第二極化電壓（化）大于或等 于第一極化電壓（化）。此外，第一導電層330的第一端330a電性連結接地端GND且第一導 電層330的第二端33化電性禪接交流電源，W使第一導電層的第一端330a與第二端33化 之間具有一電位差而產生交流電流流入第一導電層330。再者，電極311與第一端330a共 同電性連結接地端GND。當第一導電層330禪接交流電源的第一端330a與電性連結接地端 GND的第二端33化產生與上述高低電位相反的電位差，并且產生交流電流流入第一導電層 330。
[0152] 當微機電裝置300所在的環境有沿Y軸方向的磁場B存在時或沿Y軸方向有磁場 B的分量存在時，第一導電層330中的電流便會與磁場B發生交互作用而產生勞倫茲力F。 此勞倫茲力F會施加在可動質量塊（框架）320上，進而使可動質量塊320WB-B'軸線為旋 轉軸產生轉動。可動質量塊320的轉動會造成第一P型半導體層321與電極311間的電容 發生改變。因此，微機電裝置300可借著感測出的電容改變，然后通過特用集成電路（ASIC) 的計算，求得磁力B的大小。此外，在交流電壓轉換的過程中，由于第二極化電壓（化）大于 或等于第一極化電壓（化），第一P型半導體與321與第一N型半導體322之間的第一PN界 面323具有逆向偏壓使第一P型半導體層321的下表面與電極311分別...