發光二極管測試裝置的制作方法

本實用新型是關于一種測試裝置，且特別是有關一種發光二極管測試裝置。

背景技術：

一般而言，在有關發光二極管(Light emitting diode；LED)的測試中，針對覆晶(Flip chip)的測試多以下收光架構為主。例如以探針點測位于膠膜上的發光二極管，并在發光二極管下方設置光偵測器，以確認發光二極管是否能正常發光或其發出的光線是否有達到標準，藉此來確保產品的合格率。

由于已知的發光二極管測試設備多是用來測試發出可見光的發光二極管，例如藍光發光二極管，因此位于發光二極管下方的膠膜其材質一般為聚乙烯(Polyethylene；PE)或聚丙烯(Polyproylene；PP)。然而，聚乙烯或聚丙烯材質的膠膜對于紫外光發光二極管所發出的紫外光吸收過多，導致紫外光無法穿過并傳遞至光偵測器，因此已知的膠膜無法應用于紫外光波段。

技術實現要素：

本實用新型的一技術態樣為一種發光二極管測試裝置。

根據本實用新型一實施方式，一種發光二極管測試裝置包含承載盤、紫外光膜、至少一探針與紫外光偵測器。承載盤具有透光部。紫外光膜位于承載盤的透光部上。紫外光膜用以承載紫外光發光二極管并供紫外光發光二極管的紫外光穿過。探針位于承載盤上方。探針用以對紫外光發光二極管供電而使其發出紫外光。紫外光偵測器位于承載盤下方。紫外光偵測器用以接收從紫外光膜與承載盤的透光部穿過的紫外光。

在本實用新型一實施方式中，上述紫外光膜包含粘膠層與透光層。透光層位于粘膠層與透光部之間。

在本實用新型一實施方式中，上述紫外光膜位于承載盤的透光部與探針之間。

在本實用新型一實施方式中，上述紫外光膜在承載盤的正投影與透光部重疊。

在本實用新型一實施方式中，上述紫外光膜對于紫外光的穿透率介于20％至60％。

在本實用新型一實施方式中，上述承載盤位于探針與紫外光偵測器之間。

在本實用新型一實施方式中，上述承載盤的正投影與紫外光偵測器重疊。

在本實用新型一實施方式中，上述當紫外光膜承載紫外光發光二極管且探針對紫外光發光二極管供電時，紫外光膜接觸紫外光發光二極管的發光面，且探針電性接觸紫外光發光二極管背對發光面的接點。

在本實用新型一實施方式中，上述紫外光膜為聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)膠帶。

在本實用新型一實施方式中，上述承載盤的透光部為石英玻璃片。

在本實用新型上述實施方式中，由于承載盤具有透光部，且紫外光膜位于承載盤的透光部上，因此當紫外光發光二極管位于紫外光膜上且朝紫外光偵測器發出紫外光時，紫外光可穿過紫外光膜與透光部而傳遞至紫外光偵測器。如此一來，紫外光偵測器便可檢測紫外光發光二極管是否能正常發光或其發出的紫外光是否有達到標準，以確保產品的合格率。

附圖說明

圖1繪示根據本實用新型一實施方式的發光二極管測試裝置的示意圖；

圖2繪示圖1的發光二極管測試裝置沿線段2-2的剖面圖；

圖3繪示圖1的發光二極管測試裝置使用時的剖面圖；

圖4繪示圖1的發光二極管測試裝置的紫外光膜與已知透光膜對光線的穿透率-波長關系圖。

具體實施方式

以下配合附圖說明本實用新型的多個實施方式，為簡化附圖，一些已知慣用的結構與元件將以簡單示意的方式繪示。

圖1繪示根據本實用新型一實施方式的發光二極管測試裝置100的示意圖。圖2繪示圖1的發光二極管測試裝置100沿線段2-2的剖面圖。同時參閱圖1與圖2，發光二極管測試裝置100包含承載盤110、紫外光膜120、至少一探針130與紫外光偵測器140。其中，承載盤110具有透光部112，透光部112可位于承載盤110的中央區域。承載盤110的透光部112可以為石英玻璃片，但并不用以限制本實用新型。在本實施方式中，紫外光膜120凸出于承載盤110邊緣區域的上表面，但并不用以限制本實用新型。舉例來說，紫外光膜120亦可與承載盤110邊緣區域的上表面共平面，或凹陷于承載盤110的邊緣區域，依設計者需求而定。

紫外光膜120位于承載盤110的透光部112上。也就是說，紫外光膜120在承載盤110的正投影與透光部112重疊。紫外光膜120背對透光部112的表面(即圖1紫外光膜120的上表面)可用來承載紫外光發光二極管，并供其發出的紫外光穿過。紫外光膜120可包含粘膠層122與透光層124，且透光層124位于粘膠層122與承載盤110的透光部112之間。在本實施方式中，紫外光膜120對于紫外光的穿透率可介于20％至60％，紫外光膜120可以為聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate；PET)膠帶，但并不用以限制本實用新型。

探針130位于承載盤110上方，紫外光膜120位于承載盤110的透光部112與探針130之間。探針130與紫外光膜120之間的距離可藉由向下移動探針130或向上移動承載盤110而改變。

此外，紫外光偵測器140位于承載盤110下方，使得承載盤110位于探針130與紫外光偵測器140之間。在本實施方式中，承載盤110的正投影與紫外光偵測器140重疊，使得紫外光偵測器140可接收從紫外光膜120與透光部112向下穿過的紫外光。

應了解到，已敘述過的元件連接關系與材料將不再重復贅述，合先敘明。在以下敘述中，將說明發光二極管測試裝置100在使用時的狀態。

圖3繪示圖1的發光二極管測試裝置100使用時的剖面圖。當使用發光二極管測試裝置100時，紫外光膜120承載紫外光發光二極管210。更詳細地說，紫外光膜120的粘膠層122因具有粘性，因此可定位紫外光發光二極管210。在此狀態下，探針130可電性接觸紫外光發光二極管210而對紫外光發光二極管210供電。

在本實施方式中，紫外光發光二極管210可以為覆晶(Flip chip)，紫外光發光二極管210的相對兩表面可分別具有發光面212與接點214。紫外光膜120可接觸紫外光發光二極管210的發光面212，也就是發光面212貼附于紫外光膜120的粘膠層122。探針130可電性接觸紫外光發光二極管210背對發光面212的接點214，使探針130可導通紫外光發光二極管210。如此一來，紫外光發光二極管210便可被點亮而朝向紫外光偵測器140的方向出光。

在本實施方式中，探針130與紫外光發光二極管210的接點214數量可皆為二，例如兩探針130分別電性接觸紫外光發光二極管210的正極與負極接點214，以對紫外光發光二極管210供電。

由于承載盤110的中央部分設有透光部112，且紫外光膜120位于承載盤110的透光部112上，因此當紫外光發光二極管210位于紫外光膜120上且朝紫外光偵測器140發出紫外光時，紫外光可穿過紫外光膜120與承載盤110的透光部112，進而傳遞至紫外光偵測器140，例如圖3兩虛線間的紫外光范圍。這樣的設計，紫外光偵測器140便可檢測紫外光發光二極管210是否能正常發光，或檢測紫外光發光二極管210發出的紫外光是否有達到所要求的標準(例如光強度)，以確保產品的合格率。

圖4繪示圖1的發光二極管測試裝置100的紫外光膜120與已知透光膜對光線的穿透率-波長關系圖。如圖所示，連線L1為不同波長光線穿過紫外光膜120(見圖1)的量測數據，而連線L2為不同波長光線穿過已知透光膜(例如PP膜或PE膜)的量測數據。其中，連線L2在波長介于230nm至260nm的波段顯示出穿透率不穩定的情況，此情況為量測到的實驗值過小所造成。

一般而言，紫外光波長可介于230nm至400nm，在此波段中，連線L1的量測數據明顯高于連線L2的量測數據，紫外光膜120對于紫外光的穿透率可介于20％至60％。此外，紫外光-C(UVC)的波長可介于230nm至300nm，在此波段中，紫外光膜120對于紫外光的穿透率可達到20％至50％。

雖然本實用新型已以實施方式揭露如上，然其并非用以限定本實用新型，任何熟悉此技藝者，在不脫離本實用新型的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾，因此本實用新型的保護范圍當視所附的權利要求書所界定的范圍為準。