一種接觸式測厚儀及晶片厚度測量裝置的制作方法

本實用新型屬于半導體制造設備領域，尤其涉及一種接觸式測厚儀及包含其的晶片厚度測量裝置。

背景技術：

參看附圖1，傳統的接觸式測厚儀包括千分表10’、中空的套筒20’、測量桿30’、測量頭40’，套筒20’貫穿千分表10’，測量桿30’的上部位于套筒20’內、下端連接測量頭40’，并且測量桿30’于套筒20’內上下移動。采用該測厚儀測量晶片厚度時，需將晶片置于一測量平臺（圖中未顯示）上，人工手動將測量桿30’抬起一定高度，然后松開讓測量桿30’自由降落，測量頭40’接觸測量平臺，此時千分表10’上顯示第一數值；隨后再次將測量桿30’抬起一定高度，然后松開讓測量桿30’自由降落，測量頭40’接觸晶片，此時千分表10’上顯示第二數值，第一數值和第二數值的差值即為晶片的厚度。

目前傳統的晶片測量時，測量桿30’自由降落至晶片表面，由于晶片厚度薄且脆，容易受測量桿30’自由降落的沖擊力損傷進而產生破損等現象，降低了晶片的生產良率。

技術實現要素：

為解決上述的問題，本實用新型提供了一種接觸式測厚儀，至少包括：千分表、中空的套筒、測量桿和測量頭，所述套筒貫穿千分表，所述測量桿的上部位于所述套筒內、下端連接測量頭，所述測量桿于所述套筒內上下移動，其特征在于：所述套筒的頂端具有一調節所述測量桿上升高度的高度調節結構，所述套筒的上部外周設置有磁性件，所述測量桿的下端通過彈性件與測量頭連接。

優選的，所述套筒頂端具有一側壁具有螺紋的第一通孔，所述高度調節結構通過第一通孔插入所述套筒內調節所述測量桿的上升高度。

優選的，所述高度調節結構呈“T”型，具有水平部分和側壁具有螺紋的垂直部分，所述垂直部分通過所述第一通孔插入所述套筒內，通過旋轉所述高度調節結構調節所述垂直部分位于所述套筒內的長度，進而調節所述測量桿上升的高度。

優選的，所述磁性件為環形磁鐵。

優選的，所述磁性件由復數個均勻分布的方形磁鐵組成。

優選的，所述彈性件為彈簧。

優選的，所述套筒下端還具有一第二通孔，所述測量桿通過第二通孔插入所述套筒內，并上下移動。

優選的，所述測量桿頂端具有一橫桿，所述橫桿的長度大于所述第二通孔的直徑。

本實用新型還提供一種晶片厚度測量裝置，至少包括：一基座、置于所述基座上的測量平臺、固定于所述測量平臺上的支架、所述支架由相互連接的豎桿和橫桿組成，其特征在于：所述厚度測量裝置還包括上述的接觸式測厚儀。

本實用新型的有益效果包括：采用本實用新型的晶片厚度測量裝置測量晶片厚度，通過調節高度調節結構的高度，選擇合適的測量桿上升高度，而當測量桿自由降落時，測量桿受磁性件提供的磁力作用，可減緩其降落的速度；另外，測量頭與晶片接觸時，彈性件也起到緩沖作用，通過設置磁性件、彈性件以及高度調節結構，避免測量桿由于快速降落至晶片表面而產生較大沖擊力導致晶片破損的現象。

附圖說明

圖1為傳統接觸式測厚儀結構示意圖。

圖2為本實用新型之接觸式測厚儀結構示意圖。

圖3為本實用新型之套筒立體圖。

圖4為本實用新型之磁性件和套筒俯視圖。

圖5為本實用新型之變形實施例中磁性件和套筒俯視圖。

圖6為本實用新型之晶片厚度測量裝置結構示意圖。

附圖標注：10（10’）.千分表；20（20’）.套筒；21.第二通孔；22.第一通孔；30（30’）.測量桿；31.橫桿；40（40’）.測量頭；50.高度調節結構；51.水平部分；52.垂直部分；60.磁性件；61.環形磁鐵；61’.方形磁鐵；70.彈性件；80.基座；90.測量平臺；100.支架；110.豎直支架；120.水平支架。

具體實施方式

以下結合附圖和具體實施例對本發明進行詳細說明。需說明的是，本發明的附圖均采用非常簡化的非精準比例，僅用以方便、明晰的輔助說明本發明。

參看附圖2，本實用新型提供了一種接觸式測厚儀，其包括：千分表10、中空的套筒20、測量桿30和測量頭40，其中，套筒20貫穿千分表10，測量桿30的上部位于套筒20內、下端連接測量頭40，并且測量桿30于套筒20內上下移動。套筒20下端還具有一第二通孔21，測量桿30通過第二通孔21插入套筒20內，并可上下移動。為避免測量桿30滑出套筒20，測量桿20頂端具有一橫桿31，橫桿31的長度大于第二通孔21的直徑。套筒20的頂端具有一調節測量桿30上升高度的高度調節結構50，高度調節結構50呈“T”型，具有水平部分51和側壁具有螺紋的垂直部分52。測量桿30的下端通過彈性件70與測量頭40連接，彈性件70優選為彈簧。

參看附圖2和3，套筒20頂端具有一側壁具有螺紋的第一通孔22，垂直部分52通過第一通孔22插入套筒20內，通過旋轉高度調節結構50調節垂直部分52位于套筒20內的長度，進而調節測量桿30上升的高度。

參看附圖4，套筒20的上部外周設置有磁性件60，磁性件60為環形磁鐵61，或者參看附圖5，磁性件60由復數個均勻分布的方形磁鐵61’組成。

另外，參看附圖6，本實用新型還提供一種晶片厚度測量裝置，其至少包括：一基座80、置于基座80上的測量平臺90、固定于測量平臺90上的支架100以及上述的測厚儀，其中支架100由相互垂直的豎向支架110和橫向支架120組成，測厚儀即固定于橫向支架120上。

采用本實用新型的晶片厚度測量裝置測量晶片厚度，通過調整高度調節結構50的高度，選擇合適的測量桿30上升高度，而當測量桿30自由降落時，測量桿30受磁性件60提供的磁力作用，可減緩其降落的速度；另外，測量頭40與晶片接觸時，彈性件70也起到緩沖作用，通過設置磁性件60、彈性件70以及高度調節結構50，避免測量桿30由于快速降落至晶片表面而產生較大沖擊力導致晶片破損的現象。

應當理解的是，上述具體實施方案為本實用新型的優選實施例，本實用新型的范圍不限于該實施例，凡依本實用新型所做的任何變更，皆屬本實用新型的保護范圍之內。