1.一種可調控熱點的表面增強拉曼散射芯片，包括芯片基底(1)，所述芯片基底(1)上加工有微結構陣列，所述微結構陣列表面鍍有一層金屬膜(2)，其特征在于，所述芯片基底(1)材料為壓電/電致伸縮陶瓷。
2.如權利要求1所述的一種可調控熱點的表面增強拉曼散射芯片，其特征在于，所述壓電/電致伸縮陶瓷材料為鈦酸鋇、鈦酸鈉鉍或鈮酸鈉鉀中的一種或多種。
3.如權利要求1所述的一種可調控熱點的表面增強拉曼散射芯片，其特征在于，所述微結構陣列的微結構呈柱形、錐形、球形、三角形、金字塔形或倒金字塔形。
4.如權利要求1所述的一種可調控熱點的表面增強拉曼散射芯片，其特征在于，所述微結構陣列的微結構尺寸為0.5～100μm，陣列周期為0.5～100μm。
5.如權利要求1所述的一種可調控熱點的表面增強拉曼散射芯片，其特征在于，所述金屬膜材料為Au、Ag、Pt、Cu或Pd中的一種。
6.如權利要求1所述的一種可調控熱點的表面增強拉曼散射芯片，其特征在于，所述金屬膜的厚度為5～100nm。
7.如權利要求1至6任一項所述的一種可調控熱點的表面增強拉曼散射芯片，其特征在于，所述金屬膜(2)表面修飾有可以與目標分析物特異性結合的物質(3)。
8.如權利要求7所述的一種可調控熱點的表面增強拉曼散射芯片，其特征在于，所述可以與目標分析物特異性結合的物質為經過篩選制備的能夠與目標分析物特異性作用結合的抗體、核酸適配體分子或多肽分子中的一種。
9.制備如權利要求7或8所述的一種可調控熱點的表面增強拉曼散射芯片的方法，其特征在于，包括如下步驟：
a、選取壓電/電致伸縮陶瓷作為芯片基底(1)的材料；
b、所選基底材料表面加工微結構陣列，所述微結構陣列呈柱形、錐形、球形、三角形、金字塔形或倒金字塔形；
c、在步驟b中的微結構陣列表面鍍金屬膜(2)；
d、在步驟c中的金屬膜表面修飾有可以與目標分析物特異性結合的物質(3)。
10.由權利要求1至9任一項所述的一種可調控熱點的表面增強拉曼散射芯片的方法制備的芯片在環境監測、食品安全、生物醫藥或公共安全一種或多種檢測領域中的應用。