本發明涉及電子技術領域,具體涉及一種硫化檢測方法及相關設備。
背景技術:
電子產品長時間工作在含硫的環境中會引起電阻等元器件的硫化,電阻等元器件的硫化很可能導致系統無法正常運行,因此對于機房(例如通信機房)來講,檢測機房是否發生硫化是維護機房環境、保證系統正常運行的一項很重要的工作。
目前,常用的檢測機房是否硫化的方案有兩種,第一種是掛銅片分析法定性評估,即在機房的典型位置(例如門口、通風口、疑似含硫源附近、重點設備附近等)放置銅片,且需放置較長時間(一般為30天),通過觀察銅片的腐蝕程度,據此判斷機房是否發生硫化。第二種是將機房空氣通過吸收液(或吸收管),將空氣中的含硫氣體吸收,得到空氣中硫元素的含量,再除以通過的氣體體積即可得到空氣中硫的濃度,即進行定量計算,整個檢測流程耗時也較長(一般為15天)。然而,第一種方案檢測周期長,精度低,第二種方案檢測周期也較長,且成本較高,需由專業人員操作完成,操作復雜。可見,現有的硫化檢測方法耗時太長,效率較低。
技術實現要素:
本發明實施例提供了一種硫化檢測方法及相關設備,可以快速確定通信機房的硫化情況,提高硫化檢測的實時性。
本發明實施例第一方面提供了一種硫化檢測方法,應用于通信機房,所述通信機房包括監測設備和至少一個單板,所述方法包括:
所述監測設備獲取所述至少一個單板上報的硫化電阻信息,所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數量和所述硫化電阻的位置。
所述監測設備判斷所述硫化電阻的數量是否大于或等于預設第一數值。
若是,則所述監測設備確定所述通信機房發生硫化,并輸出所述通信機房發生硫化的提示信息,所述提示信息包括所述硫化電阻的數量和/或所述硫化電阻的位置。
可選的,所述硫化電阻信息是由所述至少一個單板根據在讀內存出現錯誤檢查和糾正ECC校驗錯誤時,記錄的錯誤信息得到的。
本發明實施例第二方面提供了一種硫化檢測方法,應用于通信機房,所述通信機房包括監測設備和至少一個單板,所述方法包括:
所述至少一個單板在讀內存出現ECC校驗錯誤時記錄錯誤信息。
所述至少一個單板根據所述錯誤信息確定硫化電阻信息,所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數量和所述硫化電阻的位置。
所述至少一個單板將所述硫化電阻信息上報給所述監測設備,以便于所述監測設備在根據所述硫化電阻的數量判斷出所述通信機房發生硫化時,輸出所述通信機房發生硫化的提示信息,所述提示信息包括所述硫化電阻的數量和/或所述硫化電阻的位置。
可選的,所述錯誤信息包括錯誤地址和ECC校驗錯誤返回碼,所述至少一個單板根據所述錯誤信息確定硫化電阻信息,包括:
所述至少一個單板根據所述錯誤地址確定出錯的內存,以及根據所述ECC校驗錯誤返回碼確定出錯的數據線。
所述至少一個單板確定所述出錯的數據線連接的電阻為硫化電阻,并根據所述出錯的內存和所述出錯的數據線確定硫化電阻信息。
可選的,所述至少一個單板確定所述出錯的數據線連接的電阻為硫化電阻,并根據所述出錯的內存和所述出錯的數據線確定硫化電阻信息之前,所述方法還包括:
所述至少一個單板判斷所述出錯的內存上所述出錯的數據線在預設時長內出錯的次數是否大于或等于預設第二數值。
若是,則執行所述至少一個單板確定所述出錯的數據線連接的電阻為硫化電阻,并根據所述出錯的內存和所述出錯的數據線確定硫化電阻信息的步驟。
本發明實施例第三方面提供了一種監測設備,應用于通信機房,所述通信機房包括所述監測設備和至少一個單板,所述監測設備包括:
獲取模塊,用于獲取所述至少一個單板上報的硫化電阻信息,所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數量和所述硫化電阻的位置。
判斷模塊,用于判斷所述硫化電阻的數量是否大于或等于預設第一數值。
確定模塊,用于在所述判斷模塊判斷出所述硫化電阻的數量大于或等于所述預設第一數值時,確定所述通信機房發生硫化。
輸出模塊,用于輸出所述通信機房發生硫化的提示信息,所述提示信息包括所述硫化電阻的數量和/或所述硫化電阻的位置。
可選的,所述硫化電阻信息是由所述至少一個單板根據在讀內存出現錯誤檢查和糾正ECC校驗錯誤時,記錄的錯誤信息得到的。
本發明實施例第四方面提供了一種單板,應用于通信機房,所述通信機房包括監測設備和至少一個所述單板,所述單板包括:
記錄模塊,用于在讀內存出現ECC校驗錯誤時記錄錯誤信息。
確定模塊,用于根據所述錯誤信息確定硫化電阻信息,所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數量和所述硫化電阻的位置。
上報模塊,用于將所述硫化電阻信息上報給所述監測設備,以便于所述監測設備在根據所述硫化電阻的數量判斷出所述通信機房發生硫化時,輸出所述通信機房發生硫化的提示信息,所述提示信息包括所述硫化電阻的數量和/或所述硫化電阻的位置。
可選的,所述錯誤信息包括錯誤地址和ECC校驗錯誤返回碼,所述確定模塊根據所述錯誤信息確定硫化電阻信息的具體方式為:
根據所述錯誤地址確定出錯的內存,以及根據所述ECC校驗錯誤返回碼確定出錯的數據線。
確定所述出錯的數據線連接的電阻為硫化電阻,并根據所述出錯的內存和所述出錯的數據線確定硫化電阻信息。
可選的,所述單板還包括:
判斷模塊,用于判斷所述出錯的內存上所述出錯的數據線在預設時長內出錯的次數是否大于或等于預設第二數值,并在判斷出所述出錯的內存上所述出錯的數據線在所述預設時長內出錯的次數大于或等于所述預設第二數值時,觸發所述確定模塊確定所述出錯的數據線連接的電阻為硫化電阻,并根據所述出錯的內存和所述出錯的數據線確定硫化電阻信息。
本發明實施例中,通信機房的監測設備獲取至少一個單板上報的硫化電阻信息,該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數量和該硫化電阻的位置,根據該硫化電阻的數量確定該通信機房是否發生硫化,并在確定該通信機房發生硫化時,輸出該通信機房發生硫化的提示信息,該提示信息包括該硫化電阻的數量和/或該硫化電阻的位置,從而可以快速確定通信機房的硫化情況,提高硫化檢測的實時性。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例中的技術方案,下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本發明的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創造性勞動的前提下,還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。
圖1是本發明實施例提供的一種通信機房的架構示意圖;
圖2是本發明實施例提供的一種單板的結構示意圖;
圖3是本發明實施例提供的一種硫化檢測方法的一實施例流程示意圖;
圖4是本發明實施例提供的一種監測設備的第一實施例結構示意圖;
圖5是本發明實施例提供的一種單板的第一施例結構示意圖;
圖6是本發明實施例提供的一種監測設備的第二實施例結構示意圖;
圖7是本發明實施例提供的一種單板的第二實施例結構示意圖。
具體實施方式
下面將結合本發明實施例中的附圖,對本發明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發明一部分實施例,而不是全部的實施例。基于本發明中的實施例,本領域普通技術人員在沒有作出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
請參閱圖1,為本發明實施例提供的一種通信機房的架構示意圖。本實施例中所描述的通信機房,包括監測設備和至少一個單板,其中:
單板的結構示意圖可以如圖2所示,單板包括處理器CPU以及內存,CPU與內存之間的控制線、地址線、數據線均連接有匹配電阻,內存為雙列直插式內存模塊(Dual-Inline-Memory-Modules,DIMM),內存條的數量具體為兩個,即RANK1和RANK2。
其中,CPU具有錯誤檢查和糾正(Error Correcting Code,ECC)能力,硫化的電阻其阻值會逐漸增大,由于數據線的傳輸速率最高,采樣時序要求比控制線和地址線更加嚴格,電阻硫化后阻值增大后,數據線的信號質量會變差,CPU利用ECC能力通過檢測數據線的數據采樣出錯可以及時地確定硫化的電阻。
監測設備,負責匯總各個單板檢測到的硫化電阻信息,例如硫化電阻的數量和硫化電阻的位置等,根據各個單板的硫化電阻信息可以確定整個通信機房的硫化情況。
另外,本發明實施例不僅僅適用于通信機房,對于其它需要檢測硫化情況的機房同樣適用。
需要說明的是,監測設備可以為獨立于通信機房中各個單板的專用設備,也可以將某一單板同時作為監測設備使用,本發明實施例不做限定。
請參閱圖3,為本發明實施例基于圖1所示的通信機房架構提供的一種硫化檢測方法的一實施例流程示意圖。本實施例中所描述的硫化檢測方法,包括以下步驟:
301、至少一個單板在讀內存出現ECC校驗錯誤時記錄錯誤信息。
其中,該錯誤信息包括錯誤地址和ECC校驗錯誤返回碼。
具體的,單板上電運行后,如果在讀內存過程中通過ECC算法校驗產生錯誤時,由雙倍數據速率(Double Data Rate,DDR)控制器觸發單板CPU的ECC錯誤中斷,進入中斷處理程序后,獲取ECC算法校驗產生錯誤時記錄的錯誤地址以及ECC校驗錯誤返回碼等錯誤信息。
302、所述至少一個單板根據所述錯誤信息確定硫化電阻信息,所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數量和所述硫化電阻的位置。
具體實現中,針對每個內存劃分有相應的存儲空間地址范圍,單板可以根據該錯誤地址落入的存儲空間地址范圍確定出出錯的內存。該DDR控制器的ECC譯碼表存儲有ECC校驗錯誤返回碼與數據線編號的對應關系,可以利用該DDR控制器的ECC譯碼表,查詢得到該ECC校驗錯誤返回碼對應的出錯的數據線,單板可以確定該出錯的數據線連接的電阻為硫化電阻,進而得到該單板上硫化電阻的數量和硫化電阻的位置,該硫化電阻的位置可以包括所在的內存(即該出錯的內存)和對應的數據線(即該出錯的數據線)。
需要說明的是,不同的內存或者內存地址可能共用數據線,對于出錯的內存或者內存地址不同,但對應的出錯的數據線相同的情況,判定為一個電阻硫化。
在一些可行的實施方式中,由于電阻等電子元件本身具有一定的差異性以及系統本身具有一定的出錯概率,為防止誤判,單板可以判斷同一根數據線上的ECC校驗錯誤是否為持續性錯誤,出現持續性錯誤的數據線連接的電阻才判定為硫化電阻,包括通過判斷預設時長內同一根數據線上出現ECC校驗錯誤的次數是否達到預設第二數值,如果達到該預設第二數值即判定為持續性錯誤,則確定該數據線連接的電阻為硫化電阻,具體實現上可以采用例如漏桶算法,例如漏桶容量設計為255,時長設計為300秒,當出現ECC校驗錯誤的次數達到漏桶容量并溢出時判定為持續性錯誤。
303、所述至少一個單板將所述硫化電阻信息上報給監測設備,所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數量和所述硫化電阻的位置。
具體的,單板和監測設備之間可以通過有線方式建立通信連接,例如光纖。也可以通過無線方式建立通信連接,例如無線局域網(Wireless Local Area Networks,WLAN)。各個單板可以周期性地將各自獲取的最新的硫化電阻信息上報給監測設備,例如可以一天上報一次,也可以是存在硫化電阻的單板才需要上報,還可以是各個單板在其上有新增的硫化電阻時才需要上報,該硫化電阻信息具體可以包括各個單板上硫化電阻的數量,以及硫化電阻在單板上的位置(包括對應的內存以及連接的數據線)。
304、所述監測設備判斷所述硫化電阻的數量是否大于或等于預設第一數值,若是,則執行步驟305;若否,則結束本次流程。
305、所述監測設備確定所述通信機房發生硫化,并輸出所述通信機房發生硫化的提示信息,所述提示信息包括所述硫化電阻的數量和/或所述硫化電阻的位置。
其中,該監測設備判斷該通信機房是否發生硫化的標準可以是達到預設第一數值個電阻硫化才判定該通信機房發生硫化,例如預設第一數值可以為2。
具體的,該監測設備根據各個單板上報的硫化電阻信息,確定當前的硫化電阻總數量,并與預設第一數值進行比較,大于或等于預設第一數值時判定該通信機房發生硫化,同時還可以通過顯示屏、警報器等輸出提示信息,也可以將提示信息上報給控制中心,以提示相關人員采取措施。其中,提示信息具體可以包括硫化電阻的總數量、各個單板上硫化電阻的數量和硫化電阻的位置等,以便于相關人員快速定位到出現問題的單板以及硫化電阻的具體位置。
舉例來說,某通信機房里有單板A1、A2和監測設備,單板A1的內存劃分為Rank1,地址范圍為0~0x1ffffffff;Rank2,地址范圍為0x200000000~0x2ffffffff,64位bit訪問。單板A2的內存劃分為Rank1,地址范圍為0~0x1ffffffff;Rank2,地址范圍為0x200000000~0x2ffffffff,64bit訪問。
單板A1和A2上電運行后,各自讀內存,如果有單bit錯誤,在進行ECC算法校驗時會產生錯誤,DDR控制器觸發CPU的ECC錯誤中斷,進入中斷處理程序后,根據ECC校驗錯誤時記錄的錯誤地址和ECC校驗錯誤返回碼,確定出錯的Rank和地址線。假設,單板A1的CPU獲取的ECC校驗錯誤時記錄的錯誤地址是0x100035600,ECC錯誤校驗返回碼Syndrome是10000011,則單板A1根據錯誤地址0x100035600可以確定出錯的是Rank1,根據該DDR控制器的ECC譯碼表(如表1所示),可以確定出錯的是第0根數據線,該第0根數據線連接的電阻即為硫化電阻。
表1 ECC譯碼表
為防止誤判,單板A1可以判斷Rank1上第0根數據線上的ECC校驗錯誤是否為持續性錯誤,出現持續性錯誤的數據線連接的電阻才判定為硫化電阻,包括通過判斷預設時長內該第0根數據線上出現ECC校驗錯誤的次數是否達到預設第二數值,如果達到該預設第二數值即判定為持續性錯誤,則確定該第0根數據線連接的電阻為硫化電阻,具體實現上可以采用例如漏桶算法,例如漏桶容量設計為255,時長設計為300秒,當出現ECC校驗錯誤的次數達到漏桶容量并溢出時判定為持續性錯誤。
進一步地,單板A1和A2將利用上述方式獲取到的硫化電阻信息上報給監測設備,監測設備根據硫化電阻信息中的硫化電阻數量確定該通信機房是否發生硫化。
本發明實施例中,通信機房的單板在讀內存出現ECC校驗錯誤時記錄錯誤信息,并根據該錯誤信息確定硫化電阻信息,該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數量和該硫化電阻的位置,并將該硫化電阻信息上報給監測設備。該監測設備在根據該硫化電阻的數量判斷出該通信機房發生硫化時,輸出該通信機房發生硫化的提示信息,該提示信息包括該硫化電阻的數量和/或該硫化電阻的位置,從而可以快速確定通信機房的硫化情況,提高硫化檢測的實時性。
請參閱圖4,為本發明實施例提供的一種監測設備的第一實施例結構示意圖。本實施例中所描述的監測設備,應用于圖1所示的通信機房,所述通信機房包括所述監測設備和至少一個單板,所述監測設備包括:
獲取模塊401,用于獲取所述至少一個單板上報的硫化電阻信息,所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數量和所述硫化電阻的位置。
判斷模塊402,用于判斷所述硫化電阻的數量是否大于或等于預設第一數值。
確定模塊403,用于在所述判斷模塊判斷出所述硫化電阻的數量大于或等于所述預設第一數值時,確定所述通信機房發生硫化。
輸出模塊404,用于輸出所述通信機房發生硫化的提示信息,所述提示信包括所述硫化電阻的數量和/或所述硫化電阻的位置。
在一些可行的實施方式中,所述硫化電阻信息是由所述至少一個單板根據在讀內存出現錯誤檢查和糾正ECC校驗錯誤時,記錄的錯誤信息得到的。
需要說明的是,本發明實施例的監測設備的各功能模塊的功能可根據上述方法實施例中的方法具體實現,其具體實現過程可以參照上述方法實施例的相關描述,此處不再贅述。
本發明實施例中,通信機房的監測設備獲取至少一個單板上報的硫化電阻信息,該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數量和該硫化電阻的位置,根據該硫化電阻的數量確定該通信機房是否發生硫化,并在確定該通信機房發生硫化時,輸出該通信機房發生硫化的提示信息,該提示信息包括該硫化電阻的數量和/或該硫化電阻的位置,從而可以快速確定通信機房的硫化情況,提高硫化檢測的實時性。
請參閱圖5,為本發明實施例提供的一種單板的第一實施例結構示意圖。本實施例中所描述的單板,應用于圖1所示的通信機房,所述通信機房包括監測設備和至少一個所述單板,所述單板包括:
記錄模塊501,用于在讀內存出現ECC校驗錯誤時記錄錯誤信息。
確定模塊502,用于根據所述錯誤信息確定硫化電阻信息,所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數量和所述硫化電阻的位置。
上報模塊503,用于將所述硫化電阻信息上報給所述監測設備,以便于所述監測設備在根據所述硫化電阻的數量判斷出所述通信機房發生硫化時,輸出所述通信機房發生硫化的提示信息,所述提示信息包括所述硫化電阻的數量和/或所述硫化電阻的位置。
在一些可行的實施方式中,所述錯誤信息包括錯誤地址和ECC校驗錯誤返回碼,所述確定模塊502根據所述錯誤信息確定硫化電阻信息的具體方式為:
根據所述錯誤地址確定出錯的內存,以及根據所述ECC校驗錯誤返回碼確定出錯的數據線。
確定所述出錯的數據線連接的電阻為硫化電阻,并根據所述出錯的內存和所述出錯的數據線確定硫化電阻信息。
在一些可行的實施方式中,所述單板還包括:
判斷模塊504,用于判斷所述出錯的內存上所述出錯的數據線在預設時長內出錯的次數是否大于或等于預設第二數值,并在判斷出所述出錯的內存上所述出錯的數據線在所述預設時長內出錯的次數大于或等于所述預設第二數值時,觸發所述確定模塊確定所述出錯的數據線連接的電阻為硫化電阻,并根據所述出錯的內存和所述出錯的數據線確定硫化電阻信息。
需要說明的是,本發明實施例的單板的各功能模塊的功能可根據上述方法實施例中的方法具體實現,其具體實現過程可以參照上述方法實施例的相關描述,此處不再贅述。
本發明實施例中,通信機房的單板在讀內存出現ECC校驗錯誤時記錄錯誤信息,并根據該錯誤信息確定硫化電阻信息,該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數量和該硫化電阻的位置,并將該硫化電阻信息上報給監測設備,使得該監測設備在根據該硫化電阻的數量判斷出該通信機房發生硫化時,輸出該通信機房發生硫化的提示信息,該提示信息包括該硫化電阻的數量和/或該硫化電阻的位置,從而可以快速確定通信機房的硫化情況,提高硫化檢測的實時性。
請參閱圖6,為本發明實施例提供的一種監測設備的第二實施例結構示意圖。本實施例中所描述的監測設備,應用于圖1所示的通信機房,所述通信機房包括所述監測設備和至少一個單板,所述監測設備包括:處理器601、網絡接口602、存儲器603及用戶接口604。其中,監測設備內的處理器601、網絡接口602、存儲器603及用戶接口604可通過總線或其他方式連接,在本發明實施例所示圖6中以通過總線連接為例。
其中,處理器601(或稱中央處理器(Central Processing Unit,CPU))是監測設備的計算核心以及控制核心。網絡接口602可選的可以包括標準的有線接口、無線接口(如WI-FI、移動通信接口等)。存儲器603(Memory)是監測設備中的記憶設備,用于存放程序和數據。可以理解的是,此處的存儲器603可以是高速RAM存儲器,也可以是非不穩定的存儲器(non-volatile memory),例如至少一個磁盤存儲器;可選的還可以是至少一個位于遠離前述處理器601的存儲裝置。存儲器603提供存儲空間,該存儲空間存儲了監測設備的操作系統,可包括但不限于:Windows系統(一種操作系統)、Linux(一種操作系統)系統等等。用戶接口604是實現用戶與監測設備進行交互和信息交換的媒介,其具體體現可以包括用于輸出的顯示屏(Display)、觸控屏、用于輸入的鍵盤(Keyboard)等等,需要說明的是,此處的顯示屏和觸控屏可以為一體化設計,鍵盤既可以為實體鍵盤,也可以為觸屏虛擬鍵盤,還可以為實體與觸屏虛擬相結合的鍵盤。處理器601用于執行存儲器603存儲的程序。其中:
處理器601,用于通過網絡接口602獲取至少一個單板上報的硫化電阻信息,所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數量和所述硫化電阻的位置。
所述處理器601,還用于判斷所述硫化電阻的數量是否大于或等于預設第一數值。
所述處理器601,還用于在判斷出所述硫化電阻的數量大于或等于所述預設第一數值時,確定所述通信機房發生硫化,并通過用戶接口604輸出所述通信機房發生硫化的提示信息,所述提示信息包括所述硫化電阻的數量和/或所述硫化電阻的位置。
在一些可行的實施方式中,所述硫化電阻信息是由所述至少一個單板根據在讀內存出現錯誤檢查和糾正ECC校驗錯誤時,記錄的錯誤信息得到的。
具體實現中,本發明實施例中所描述的處理器601、網絡接口603、用戶接口604可執行本發明實施例圖3提供的硫化檢測方法中所描述的監測設備的實現方式,也可執行本發明實施例圖4所描述的監測設備的實現方式,在此不再贅述。
本發明實施例中,通信機房的監測設備獲取至少一個單板上報的硫化電阻信息,該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數量和該硫化電阻的位置,根據該硫化電阻的數量確定該通信機房是否發生硫化,并在確定該通信機房發生硫化時,輸出該通信機房發生硫化的提示信息,該提示信息包括該硫化電阻的數量和/或該硫化電阻的位置,從而可以快速確定通信機房的硫化情況,提高硫化檢測的實時性。
請參閱圖7,為本發明實施例提供的一種單板的第二實施例結構示意圖。本實施例中所描述的單板,應用于圖1所示的通信機房,所述通信機房包括監測設備和至少一個所述單板,所述單板包括:處理器701、網絡接口702及存儲器703。其中,單板內的處理器701、網絡接口702及存儲器703可通過總線或其他方式連接,在本發明實施例所示圖7中以通過總線連接為例。
其中,處理器701(或稱中央處理器(Central Processing Unit,CPU))是單板的計算核心以及控制核心。網絡接口702可選的可以包括標準的有線接口、無線接口(如WI-FI、移動通信接口等)。存儲器703(Memory)是單板中的記憶設備,包括內存,用于存放程序和數據。可以理解的是,此處的存儲器703可以是高速RAM存儲器,也可以是非不穩定的存儲器(non-volatile memory),例如至少一個磁盤存儲器;可選的還可以是至少一個位于遠離前述處理器701的存儲裝置。存儲器703提供存儲空間,該存儲空間存儲了單板的操作系統,可包括但不限于:Windows系統(一種操作系統)、Linux(一種操作系統)系統等等。處理器701用于執行存儲器703存儲的程序。其中:
處理器701,用于在讀內存出現ECC校驗錯誤時記錄錯誤信息。
所述處理器701,還用于根據所述錯誤信息確定硫化電阻信息,所述硫化電阻信息包括所述硫化電阻的數量和所述硫化電阻的位置。
所述處理器701,還用于通過網絡接口702將所述硫化電阻信息上報給所述監測設備,以便于所述監測設備在根據所述硫化電阻的數量判斷出所述通信機房發生硫化時,輸出所述通信機房發生硫化的提示信息,所述提示信息包括所述硫化電阻的數量和/或所述硫化電阻的位置。
在一些可行的實施方式中,所述錯誤信息包括錯誤地址和ECC校驗錯誤返回碼,所述處理器701根據所述錯誤信息確定硫化電阻信息的具體方式為:
根據所述錯誤地址確定出錯的內存,以及根據所述ECC校驗錯誤返回碼確定出錯的數據線。
確定所述出錯的數據線連接的電阻為硫化電阻,并根據所述出錯的內存和所述出錯的數據線確定硫化電阻信息。
在一些可行的實施方式中,所述處理器701,還用于判斷所述出錯的內存上所述出錯的數據線在預設時長內出錯的次數是否大于或等于預設第二數值,并在判斷出所述出錯的內存上所述出錯的數據線在所述預設時長內出錯的次數大于或等于所述預設第二數值時,確定所述出錯的數據線連接的電阻為硫化電阻,并根據所述出錯的內存和所述出錯的數據線確定硫化電阻信息。
具體實現中,本發明實施例中所描述的處理器701、網絡接口702可執行本發明實施例圖3提供的硫化檢測方法中所描述的單板的實現方式,也可執行本發明實施例圖5所描述的單板的實現方式,在此不再贅述。
本發明實施例中,通信機房的單板在讀內存出現ECC校驗錯誤時記錄錯誤信息,并根據該錯誤信息確定硫化電阻信息,該硫化電阻信息包括該硫化電阻的數量和該硫化電阻的位置,并將該硫化電阻信息上報給監測設備,使得該監測設備在根據該硫化電阻的數量判斷出該通信機房發生硫化時,輸出該通信機房發生硫化的提示信息,該提示信息包括該硫化電阻的數量和/或該硫化電阻的位置,從而可以快速確定通信機房的硫化情況,提高硫化檢測的實時性。
本領域普通技術人員可以理解實現上述實施例方法中的全部或部分流程,是可以通過計算機程序來指令相關的硬件來完成,所述的程序可存儲于一計算機可讀取存儲介質中,該程序在執行時,可包括如上述各方法的實施例的流程。其中,所述的存儲介質可為磁碟、光盤、只讀存儲記憶體(Read-Only Memory,ROM)或隨機存取存儲器(Random Access Memory,簡稱RAM)等。
以上對本發明實施例所提供的一種硫化檢測方法及相關設備進行了詳細介紹,本文中應用了具體個例對本發明的原理及實施方式進行了闡述,以上實施例的說明只是用于幫助理解本發明的方法及其核心思想;同時,對于本領域的一般技術人員,依據本發明的思想,在具體實施方式及應用范圍上均會有改變之處,綜上所述,本說明書內容不應理解為對本發明的限制。