一種逆變發(fā)電機用逆變器可控整流相位檢測電路的制作方法

本發(fā)明涉及一種檢測電路，特別涉及一種逆變發(fā)電機用逆變器可控整流相位檢測電路。

背景技術：

目前，公知的逆變發(fā)電機用逆變器的相控整流電路中需要對輸入三相交流電壓的相位進行檢測。目前此技術是使用電阻對三相交流電壓進行采樣，然后通過光電耦合器進行隔離后輸入到單片機進行三相交流電壓的相位檢測。

此方式線路結(jié)構(gòu)復雜，故障率高，元器件成本高，生產(chǎn)效率低。

技術實現(xiàn)要素：

為了解決現(xiàn)有技術的問題，本發(fā)明提供了一種逆變發(fā)電機用逆變器可控整流相位檢測電路，其通過轉(zhuǎn)速檢測信號的相位計算出三相交流電壓的相位，結(jié)構(gòu)簡單，性能穩(wěn)定，且成本低廉。

本發(fā)明所采用的技術方案如下：

一種逆變發(fā)電機用逆變器可控整流相位檢測電路，包括發(fā)電機輸出三相電壓模塊，三相相控整流電路模塊和發(fā)動機轉(zhuǎn)速檢測電路模塊，所述的發(fā)電機輸出三相電壓模塊的三相繞組分別并聯(lián)三相相控整流電路模塊和三組發(fā)動機轉(zhuǎn)速檢測電路模塊。

發(fā)電機輸出三相電壓模塊包括A、B、C三相繞組，三相繞組之間采用Y型連接。

三相相控整流電路模塊包括第一二極管、第二二極管、第三二極管，第一可控硅，第二可控硅、第三可控硅和濾波電容，其中，串接的第一二極管與第一可控硅、第二二極管與第二可控硅、第三二極管與第三可控硅相互并聯(lián)，并共同并接在所述濾波電容的兩端。

發(fā)電機轉(zhuǎn)速檢測電路模塊包括線圈，所述線圈的一端通過限流電阻連接光電偶合器的1腳，另一端連接光電偶合器的2腳，所述的光電偶合器的1腳和2腳之間并接有二極管，所述的光電偶合器的4腳連接電阻和單片機，所述的光電偶合器的3腳接地。

本發(fā)明的主結(jié)構(gòu)采用三個二極管和三個可控硅組成的三相相控整流電路，觸發(fā)方式采用由單片機給出控制信號，經(jīng)放大隔離后觸發(fā)可控硅的方式，發(fā)動機轉(zhuǎn)速檢測電路采用光電耦合器的導通和截止為單片機提供脈沖信號，然后通過單片機計算三相交流電壓的相位。

本發(fā)明提供的技術方案帶來的有益效果是：

本發(fā)明的技術是利用原有的轉(zhuǎn)速檢測電路的轉(zhuǎn)速相位通過計算代替現(xiàn)有的三相交流輸入的相位檢測，從而達到可以省略三相交流輸入的相位檢測電路，簡化了三相交流輸入的相位檢測，降低了逆變器的成本。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明的一種逆變發(fā)電機用逆變器可控整流相位檢測電路的發(fā)電機輸出三相電壓模塊和三相相控整流電路模塊的電路原理圖；

圖2為本發(fā)明的一種逆變發(fā)電機用逆變器可控整流相位檢測電路的發(fā)動機轉(zhuǎn)速檢測電路模塊的電路原理圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的目的、技術方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明實施方式作進一步地詳細描述。

如圖1、2所示，一種逆變發(fā)電機用逆變器可控整流相位檢測電路，包括發(fā)電機輸出三相電壓模塊1，三相相控整流電路模塊2和發(fā)動機轉(zhuǎn)速檢測電路模塊3。

在本實施例中，上述發(fā)電機輸出三相電壓模塊1包括A、B、C三相繞組，三相繞組采用Y型連接，在變化的永磁磁場中三相繞組的輸出端輸出三相電壓。

在本實施例中，上述三相相控整流電路模塊2包括：

第一二極管DM1、第二二極管DM2、第三二極管DM3，第一可控硅SCR1，第二可控硅SCR2、第三可控硅SCR3、濾波電容CM1，三相交流電通過可控硅相位控制的半控整流電路，再經(jīng)過濾波電容CM1濾波后輸出穩(wěn)定的直流電壓。

在本實施例中，上述發(fā)電機轉(zhuǎn)速檢測電路模塊3包括線圈D，限流電阻R1，二極管D20，光電偶合器PH1，電阻R4，單片機TACK；在發(fā)電機轉(zhuǎn)動過程中，線圈D產(chǎn)生的電壓通過電阻R1限流后為光電耦合器PH1供電，光電耦合器PH1的端1、端2導通后光電耦合器PH1的端3、端4導通接地，此時處于高電平狀態(tài)的電阻R4與光電耦合器PH1的端4連接的一側(cè)則瞬間變?yōu)榈碗娖?，單片機通過高低電平信號轉(zhuǎn)換計算三相交流電壓的相位。

以上所述僅為本發(fā)明的較佳實施例，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。