用于改進的質譜分析的組合物和方法與流程

            文檔序號:11131609閱讀:580來源:國知局
            用于改進的質譜分析的組合物和方法與制造工藝
            相關專利申請本專利申請要求于2008年1月15日提交的美國非臨時專利申請第12/014671號的優先權,該非臨時專利申請的申請人為托馬斯·貝克爾(ThomasBecker),發明名稱為“用于改進的質譜分析的組合物和方法(COMPOSITIONSANDPROCESSESFORIMPROVEDMASSSPECTROMETRYANALYSIS)”,代理人案卷號為SEQ-6015-UT。在允許的權限內,該非臨時專利申請的全部內容通過引用結合于此,包括所有文字和附圖。發明領域本發明一般涉及用于質譜分析的組合物和方法。背景質譜分析是用于測量樣品中分析物的分子量的非常有效的分析工具。當使用飛行時間質譜儀時,離子飛行的速度比分子在電泳凝膠中遷移的速度大約快107倍,因此質譜分析提供了一種極快的分析方法,哪怕質譜測量須重復10-100次以獲得良好的信噪比。質譜分析通常最先通過各種方法使樣品離子化,例如通過基體輔助激光解吸電離(MALDI)或電噴霧電離(ES)使樣品離子化。MALDI準備和測量步驟包括:首先將分析物分子嵌在樣品容器中,使之處于固體或液體紅外或紫外吸收基質中,所述基質通常是有機酸。將包含基質和分析物的樣品容器放在質譜儀的離子源中。通過短激光脈沖使基質氣化,從而將分析物分子以非破碎態傳輸到氣相中。分析物分子通過與同時產生的基質離子碰撞并反應而離子化。施加電壓,加快離子進入無場飛行管中。由于離子的質量不同,離子源中的離子被加快到不同的速度,較小的離子比較大的離子更早到達檢測器。不同的飛行時間轉換為不同的離子質量。另一種使分析物離子化的方法是電噴霧電離(或ES)。與MALDI類似,電噴霧電離使極性分子電離/氣化。首先,將待分析的樣品溶解在溶劑中,在此溶劑中樣品某種程度上將以離子化形式存在。在常規ES方法中,隨后用泵使溶液通過被提高到高電位的薄毛細管。在大氣壓下,將較小的帶電液滴從ES毛細管中噴霧到浴氣體中,向下經過壓力和電位梯度向質譜儀高真空系統的孔口處移動。隨著液滴經過該路徑,它們脫溶劑化并且尺寸減小,使得表面庫侖力克服了表面張力。因此,液滴破碎成更小的液滴,直到離子從液滴上解吸,或者溶劑被完全除去。離子形成的確切機理還不完全清楚,但是結果是形成離子束,其被質譜儀取樣。關于ES方法的更多詳細說明見Cole編的《電噴霧電離質譜分析:基本原理、儀器和應用(ElectrosprayIonizationMassSpectrometry:Fundamentals,InstrumentationandApplications)(JohnWileyandSons,NewYork)。無論使用何種電離方法,在電離過程中形成不利的加合物會降低質譜分析所產生的譜圖的質量和分辨率。更具體地,存在不利的加合物會導致分析物的檢測和分析變得困難,特別是低豐度或低質量的分析物。概述本發明提供用于改進的質譜分析的方法和組合物。本發明提供用于質譜分析的樣品準備方法,該方法以經濟且容易實施的方式減少或最大程度地減少加合物的形成,該方式不會破壞樣品離子的電離、質量分析或檢測。本發明的改進的方法和組合物更容易識別和量化分析物的峰,從而增加正確呼叫的數目(numberofcorrectcalls)。這些改進經證明對被鈉鹽和/或銨鹽污染的樣品以及具有低分析物濃度的樣品特別有用。在下文所述的一些實施方式中使用的是抗壞血酸或其鹽、互變異構體或類似物,作為減少加合物的添加劑來減少質譜中加合物的存在,并提高信噪比(s/n)。雖然本發明的實施方式在下文中將提到使用“抗壞血酸”,但是應理解,本領域普通技術人員在本發明所述的方法和組合物中可使用抗壞血酸、抗壞血酸酯、其鹽、其互變異構體或其類似物(下文所述)。一方面,本發明提供一種方法,用于減少包含待用質譜分析的分析物的樣品中加合物的形成,該方法包括以下步驟:在用質譜對分析物進行分析之前,向樣品中加入減少加合物的添加劑,該添加劑包含抗壞血酸。在相關實施方式中,減少加合物的添加劑還可包含草酸銨。在一些實施方式中,該減少加合物的添加劑與其它減少加合物的添加劑(已知的或還未發現的減少加合物的添加劑)組合使用。在一些實施方式中,該減少加合物的添加劑與一種或多種樹脂組合使用。在一些實施方式中,分析物是核酸,例如脫氧核糖核酸或核糖核酸。文中所述的改進可用于各種在質譜分析之前的操作步驟中會產生不利的加合物的質譜形式。質譜形式的例子包括但不限于:基體輔助激光解吸/電離飛行時間(MALDI-TOF)質譜(MS)、激光解吸質譜(LDMS)、電噴霧(ES)質譜、離子回旋共振(ICR)質譜和傅立葉變換質譜。文中所述的改進容易應用于其中分析物被氣化和離子化的質譜形式(“電離質譜”,例如MALDI-TOFMS,LDMS,ESMS)。本發明還提供一種方法,用于減少包含待用質譜分析的分析物的樣品中加合物的形成,該方法包括以下步驟:在用質譜對分析物進行分析之前,向基質中加入減少加合物的添加劑,該添加劑包含抗壞血酸。該方法還包括額外的步驟:在用質譜對分析物進行分析前,向分析物(以及基質)中加入減少加合物的添加劑。在相關實施方式中,減少加合物的添加劑還可包含草酸銨。在一些實施方式中,基質組合物包括3-羥基吡啶甲酸(3-HPA)、檸檬酸二銨(DAC)或它們的組合。在一些實施方式中,分析物是核酸,例如脫氧核糖核酸或核糖核酸。在一些實施方式中,還向分析物中加入減少加合物的添加劑。在一些實施方式中,本發明提供制備適用于質譜分析的基材的方法,該方法包括以下步驟:在基材上沉積包含減少加合物的添加劑的基質材料,其中所述減少加合物的添加劑包含抗壞血酸。在相關實施方式中,減少加合物的添加劑還可包含草酸銨。在另一相關實施方式中,該方法還包括密封基材的步驟。密封基材的方法包括但不限于:通過封裝工藝實現的條件,例如真空密封和熱密封。在一些實施方式中,該方法還包括用試劑或氣體處理基材以最大程度地減少氧化的步驟。在一些實施方式中,在密封之前,用氬氣之類的惰性氣體沖洗基材。在一些實施方式中,在用質譜分析之前,對基材進行密封和/或封裝,以限制或避免其暴露于光或紫外輻射。在一些實施方式中,對基材進行密封和/或封裝,以保持給定的pH。在一些實施方式中,將基材封裝在容器中,所述容器包括但不限于聚合物容器(例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯容器)。在一些實施方式中,基材包括硅石或二氧化硅。本發明還提供待用質譜分析的組合物,該組合物包含分析物和減少加合物的添加劑。在一些實施方式中,減少加合物的添加劑包含抗壞血酸。在相關實施方式中,減少加合物的添加劑還可包含草酸銨。在一些實施方式中,本發明提供適用于用質譜進行分析的組合物,該組合物包含分析物和減少加合物的添加劑,所述添加劑包含抗壞血酸。該組合物還可包含草酸銨。在一些實施方式中,本發明提供用于質譜分析的靶位,該靶位包括基材和減少加合物的添加劑,所述添加劑包含抗壞血酸。該靶位還可包含草酸銨。在一些實施方式中,該靶位還可包含基質材料。在相關實施方式中,基質材料預負載在基材上。在一些實施方式中,所述靶位還可包含分析物。在一些實施方式中,所述組合物是密封的。密封基材的方法包括但不限于:真空密封和熱密封。在一些實施方式中,用試劑或氣體處理組合物,以最大程度地減少氧化。在一些實施方式中,在密封之前,用氬氣之類的惰性氣體沖洗組合物。在一些實施方式中,對組合物進行密封和/或封裝,以限制或避免其暴露于光或紫外輻射。在一些實施方式中,對組合物進行密封和/或封裝,以保持給定的pH。本發明還提供一種制備用于質譜分析的分析物的方法,該方法包括:(a)使包含分析物的溶液與包含抗壞血酸或其鹽、互變異構體或類似物的組合物接觸,從而制備用于質譜分析的樣品;(b)將該樣品引入質譜分析儀中。在一些實施方式中,所述組合物還包含草酸銨。所述分析物有時是核酸,包括但不限于脫氧核糖核酸、核糖核酸和類似的物質或它們的組合。在一些實施方式中,質譜分析選自下組:基體輔助激光解吸/電離飛行時間(MALDI-TOF)質譜、激光解吸質譜(LDMS)、電噴霧(ES)質譜、離子回旋共振(ICR)質譜和傅立葉變換質譜。在一些實施方式中,該組合物包含抗壞血酸,而在一些實施方式中,該組合物不包含抗壞血酸的類似物。本發明還提供一種通過質譜對分析物進行分析的方法,該方法包括:(a)將樣品引入質譜分析儀中,所述樣品包含分析物和抗壞血酸或其鹽、互變異構體或類似物;(b)通過質譜對樣品進行分析。在一些實施方式中,所述樣品還包含草酸銨。所述分析物有時是核酸,包括但不限于脫氧核糖核酸、核糖核酸和類似的物質或它們的組合。在一些實施方式中,該樣品包含分析物和抗壞血酸,而在一些實施方式中,該樣品不包含抗壞血酸的類似物。本發明還提供一種包括斑點陣列(arrayofspots)的基材,所述各斑點包括(i)用于基體輔助激光解吸/電離(MALDI)質譜的基質和(ii)抗壞血酸或其鹽、互變異構體或類似物。在一些實施方式中,每個斑點還包括草酸銨,而在一些實施方式中,一個或多個斑點還包括分析物。所述分析物有時是核酸,包括但不限于脫氧核糖核酸、核糖核酸和類似的物質或它們的組合。在一些實施方式中,基質包括3-羥基吡啶甲酸(3-HPA)或其它適用于通過MALDI質譜分析核酸的基質。在一些實施方式中,包含抗壞血酸和基質(例如3-HPA)的斑點的組合物吸收紫外光[例如,吸收約220nm到約300nm(例如約260nm到約270nm;266nm)的紫外光]。在一些實施方式中,基質包含適用于通過MALDI質譜分析蛋白質或肽的組分,該組分包括但不限于:阿魏酸、芥子酸、α-氰基-3-羥基-肉桂酸和α-氰基-4-羥基-肉桂酸。在一些實施方式中,基材是芯片(例如硅芯片)。在一些實施方式中,各斑點包含抗壞血酸,而在一些實施方式中,各斑點不包含抗壞血酸的類似物。可通過本發明的方法和組合物改進的質譜的例子包括但不限于:核酸測序、基因分型或甲基化分析。該分析可以是通過質譜進行的定性或定量分析。附圖簡要說明圖1顯示使用直接點樣于標準未改性基質上的17聚體合成寡核苷酸(GTGGTGGTGGTGGTGGT)產生的質譜。在該圖中,氨加合物的存在得到鑒定(峰高度約為在5335Da處的母峰高度的12%)。圖2顯示使用直接點樣于抗壞血酸改性的基體上的相同17聚體合成寡核苷酸(GTGGTGGTGGTGGTGGT)產生的質譜。如圖中所示,不再存在氨加合物。圖3顯示由點樣于標準未改性基質上的RhD基因延伸產品產生的質譜,得到在7571Da的延伸峰和在7626Da的+55Da加合物峰(NH3+K)。加合物峰導致假陽性插入呼叫(falsepositiveinsertioncall)(SNR:2;概率:88%)。圖4顯示由點樣于抗壞血酸改性的基體上的RhD基因延伸產品產生的質譜,得到在7571Da的延伸產品峰,但是沒有+55Da加合物峰。假陽性插入呼叫消除(SNR:0;概率:0%)。發明詳述質譜提供了一種高度精確和靈敏的方法用于測量核酸和肽之類的分析物的分子量。因此,質譜提供了一種對原本難以測量的分子進行分析的非常有效的工具。但是,存在不利的加合產物會導致難以精確地檢測和分析分析物,特別是低豐度或低質量的分析物。當作為多重反應的一部分在單個質譜中檢測多種分析物時,問題更加復雜。當離子(通常是陽離子)與生物分子在質譜分析條件下締合時形成加合物,由此產生不利的質量峰。樣品處理(例如生物化學、樣品操作、樣品分配等)、樣品清潔(例如,添加樹脂)、樣品離子化或樣品檢測的任何部分都可能促進加合物的形成。在基體輔助激光解吸/電離(MALDI)質譜的情況中,基體材料本身可作為形成加合物的源頭。例如,3-羥基吡啶甲酸(3-HPA)和檸檬酸二銨(DAC)的混合物常用作MALDI基核酸分析的有效紫外基質。向基質(特別是3-HPA)中加入銨鹽(例如DAC),原因在于人們已經知道對單鏈DNA(ssDNA)而言,這些銨鹽能進一步減少陽離子加合物的形成(Wu,J.K.等,質譜快訊(RapidComm.MassSpectrom.)1993,7,191;Pieles等,核酸研究(NucleicAcidResearch),1993,21,14,3191)。但是,本文給出的結果顯示,DAC是形成氨(NH3)加合物的主要源頭。例如,圖1顯示在質譜的+17Da處存在NH3加合物質量峰。另一種促進氨加合物形成的物質是氨化陽離子交換樹脂,該樹脂可用于在MALDI分析之前使分析物脫鹽(Nordhoff,E.等,質譜快訊(RapidComm.MassSpectrom.)1992,6,771)。如下文實施例中所述的,氨加合物主要是與鳥嘌呤和胸腺嘧啶堿形成的。因此,在核酸分析物富含這些堿時,分析中這些加合物的問題更突出。另外,氨化陽離子交換樹脂不能完全除去DNA主鏈中的全部鈉離子。這種去除的不充分導致在+22Da處出現鈉離子加合物質量峰。其它加合物可由基質材料形成,在存在胸腺嘧啶堿時更普遍。例如,當使用3-羥基吡啶甲酸作為基質時,在94、138和188Da處發現加合物質量峰。所有這些加合物峰會整體導致對質譜結果的錯誤解釋。因此,極大地減少加合物(特別是堿性加合物和氨加合物)的量和頻率的組合物和方法可用于提高質譜分析的精確度、靈敏度和分析通量。存在減少加合物的添加劑可減少或消除不使用減少加合物的添加劑時分析的樣品中存在的加合物峰。如文中所述的,在延伸產品強度相當時,與樹脂處理的標準基質相比,加入抗壞血酸能將平均加合物形成分數(formationscore)(文中所定義的)最多減少40%(參見實施例1-3)。另外,用抗壞血酸添加劑改性的基質經證實在長達6個月的時間內保持物理和化學穩定(參見實施例4),這就使得在制造的過程中可以用抗壞血酸預處理基材。分析物本發明可以改善以下分析物的質譜分析:例如,核酸(如寡核苷酸和多核苷酸)、蛋白質、肽和脂質,包括它們的特定類似物和結合物,例如糖蛋白或脂蛋白。適用于本發明所述MALDI分析的其它物質是小分子、代謝物、天然產品和藥物。本發明的方法和組合物特別適用于主要包含鳥嘌呤和胸腺嘧啶的多核苷酸,因為這些多核苷酸更容易形成氨加合物。文中所用的術語"核酸"指單鏈和/或雙鏈多核苷酸,例如脫氧核糖核酸(DNA)和核糖核酸(RNA),以及RNA或DNA的類似物或衍生物。術語"核酸"還包括核酸的類似物,例如肽核酸(PNA)、硫代磷酸酯DNA、無環核苷和其它這種類似物和衍生物或它們的組合。多核苷酸中包含的核苷酸類似物可以是例如質量改變的核苷酸,從而使多核苷酸的質量有差異;含有可檢測標記的核苷酸,所述標記例如是熒光標記、放射性標記、發光標記或化學發光標記,從而可檢測多核苷酸;或含有活性基團的核苷酸,所述活性基團例如是生物素或硫醇基團,有助于將多核苷酸固定在固體載體上。多核苷酸還可包含一個或多個可選擇性裂解的主鏈鍵,例如,化學裂解、酶裂解或光裂解。例如,多核苷酸可包括一個或多個脫氧核糖核苷酸,隨后是一個或多個核糖核苷酸,再接著是一個或多個脫氧核糖核苷酸,這種序列可以通過堿水解在核糖核苷酸序列處裂解。多核苷酸還可包括一個或多個比較耐裂解的鍵,例如,嵌合寡核苷酸引物,該嵌合寡核苷酸引物可包括通過肽核酸鍵連接的核苷酸和至少一個在3'端的通過磷酸二酯鍵或類似的鍵連接的核苷酸,它能通過聚合酶延伸。樣品文中使用的"樣品"指含有待分析的分析物的組合物。在一些實施方式中,樣品來自"生物樣品"。生物材料通常被認為是由活體源(例如,人、動物、植物、細菌、真菌、原生生物、病毒)得到的任何材料。生物樣品可以為任何形式,包括固體材料(例如組織、細胞團粒和活組織)和生物液體[例如尿、血液、唾液、羊水和漱口水(含有口腔細胞)]。優選的是固體材料與液體混合。基質基質材料用在某些形式的質譜分析中,例如MALDI質譜。基質材料用于將分析物分子相互分離開來,吸收激光光子給予的能量,以及將能量轉移給分析物分子,從而使它們解吸和電離。一旦分析物被電離,可使用飛行時間(TOF)分析儀之類的質譜儀來測量離子質量。用于質譜分析的基質材料的選擇通常取決于分析的生物分子的類型。例如,用質譜分析核酸時,常用的基質材料是3-羥基吡啶甲酸(3-HPA)和檸檬酸二銨(DAC)的混合物。用于促進樣品分析物電離的另一種基質材料是2,5-二羥基苯甲酸(DHB)。DHB也遇到形成加合物以及產生干擾樣品分析的化學噪聲的問題。α-氰基-4-羥基肉桂酸(α-CHCA)是在基體輔助激光飛行時間質譜分析中廣泛用于電離蛋白質和肽分析物的基質的例子。但是,常常產生α-CHCA加合物,會干擾精確檢測低豐度、低質量分析物的能力。可與文中所述的自由基清除劑一起用于改善的質譜分析的其它基質參見Li等(RapidComm.MassSpectrom.12:993-998(1998),M.C.FitzgeraldandL.M.Smith(Annu.Rev.Biophys.Biomol.Struc.1995.24:117-40),和Nordhoff等(MassSpectrometryReviews,1996,15,67-138;所有文獻都通過引用結合于此),基質的例子包括但不限于:2,4,6-三羥基苯乙酮(THAP)、鄰氨基苯甲酸、煙酸、水楊酰胺、1-異喹啉醇、T-2-(3-(4-叔丁基苯基)-2-甲基-2-亞丙烯基)丙二腈(DCTB)、芥子酸(SA)、地蒽酚(DIT)、3-氨基喹啉、反式-3-吲哚丙烯酸(IAA)、2-(4-羥基苯基偶氮)苯甲酸(HABA)、琥珀酸、2,6-二羥基苯乙酮、阿魏酸、咖啡酸、丙三醇和硝基苯胺。在將基質沉積到基材上之前或之后,可將基質材料與一種或多種添加劑或分析物組合。當分析物被嵌入吸光材料基質中時,該基質通常以相對于分析物過量的量存在。對于MALDI方法而言,分析物分子在結晶的過程中以某種形式結合到常用的晶體基質材料中,或至少結合到小基質晶體之間的界面中是有利的。在一些實施方式中,首先將添加劑與基質材料在溶液中混合,將合并的基質材料/添加劑溶液沉積到基材上,在該基材上結晶。在各種實施方式中,通過以下步驟將基質沉積到基材上以形成離散斑點:將基質溶解到包含抗壞血酸和合適的溶劑如水的溶液中。將所得溶液沉積在MALDI基材上,將所得基材放在真空室中,使基質/抗壞血酸溶液在真空下干燥。在一個實施方式中,抗壞血酸單獨或與其它基質組合用作基質材料。可使用各種方法將基質、添加劑或分析物沉積到基材上。在一個實施方式中,在單獨的步驟中施加各成分。例如,可以將基質材料預負載在基材上,然后使用合適的液體分配設備[例如壓電、針式加樣頭(pintool)分配裝置]添加分析物。在一些實施方式中,所述諸成分以組合的形式沉積。例如,可首先將基質和添加劑組合(即溶解在溶劑中),一起沉積到基材上,然后添加分析物。在一些實施方式中,基質或基質/添加劑沉積物可在基材上干燥,隨著溶劑蒸發形成基質晶體。然后在干燥的基質頂部沉積分析物溶液,使干燥的基質沉積物部分溶解以及重新溶解的基質與分析物共結晶。在一些實施方式中,減少加合物的添加劑直接用作基質材料,而在一些實施方式中,減少加合物的添加劑用作基質材料的組分。在一些實施方式中,基質材料包括減少加合物的添加劑和一種或多種文中所述的質譜基質材料(例如3-HPA、DAC、DHB、CHCA、THAP、DCTB、DIT、SA、IAA、HABA中的一種或多種)。對于減少加合物的添加劑與一種或多種質譜基質材料一起使用的實施方式,減少加合物的添加劑的含量范圍為占基質材料總重量的99重量%至1重量%(例如,占基質材料總重量的約5重量%、10重量%、15重量%、20重量%、25重量%、30重量%、35重量%、40重量%、45重量%、50重量%、55重量%、60重量%、65重量%、70重量%、75重量%、80重量%、85重量%、90重量%或95重量%),有時減少加合物的添加劑的摩爾比(即添加劑的摩爾數與質譜基質的摩爾數的比值)例如約為1:20、1:19、1:18、1:17、1:16、1:15、1:14、1:13、1:12、1:11、1:10、1:9、1:8、1:7、1:6、1:5、1:4、1:3或1:2。添加劑文中所用的術語“減少加合物的添加劑”是加入到任何一種或多種質譜分析所需的組分或試劑中的物質。這些組分或試劑包括樣品、分析物、基質材料、基材或它們的組合。在一些實施方式中,減少加合物的添加劑是抗壞血酸,或其具有基本相同的減少加合物效果的任何衍生物。在一些實施方式中,減少加合物的添加劑是自由基清除劑。可以使用任何適用于質譜分析,在一些情況中適用于核酸的質譜分析的自由基清除劑。自由基清除劑的例子包括但不限于:抗壞血酸、松香油、生育三烯酚、生育酚、輔酶Q10、褪黑激素、番茄紅素、葉黃素、α-胡蘿卜素、β-胡蘿卜素、玉米黃質、蝦青素、角黃素、黃酮(例如毛地黃黃酮、芹黃素、柑桔黃酮)、黃酮醇(favonols)(例如槲皮素、山奈酚、楊梅黃酮、異鼠李黃素、原花色素)、黃烷酮(favanones)(例如橙皮素(hasperetin)、柚皮素、圣草酚)、異黃酮植物雌激素(例如染料木黃酮、大豆黃素、黃豆黃素)、茋類化合物(stilbenoids)(例如白藜蘆醇、紫檀茋)、花色苷(例如氰化物(cyaniding)、翠雀素、二甲花翠素、花葵素、甲基花青素、矮牽牛素)、酚酸和酯(例如鞣花酸、沒食子酸、水楊酸、迷迭香酸、肉桂酸、綠原酸、菊苣酸、沒食子鞣質、鞣花鞣質)、非黃酮類酚類化合物(nonfalvonoidphenolics)(例如姜黃素、呫噸酮、水飛薊素、丁子香酚)和有機抗氧化劑(例如檸檬酸、草酸、植酸、木酚素、尿酸、N-乙酰半胱氨酸)。本領域普通技術人員很容易通過在如實施例中所述的并行分析(side-by-sideanalyses)中對這些清除劑進行常規測試來識別適合作為質譜的添加劑或基質的自由基清除劑。在一些實施方式中,添加劑基本不含雜質,因此不需要進行純化。如果減少加合物的添加劑的純度不夠,可以通過本領域中已知的方法純化該添加劑,以除去雜質,例如,通過離子交換樹脂純化進行該純化操作。添加劑可以液體形式溶解(例如,溶解在水中),然后沉積在預負載的基質上,或者在無預負載基質的情況下直接沉積在基材上。或者,可以將添加劑與基質混合,然后沉積在基材上。可將添加劑與基質混合,得到1到約20mg/ml的基質濃度和約5-50mM的添加劑濃度。添加劑的用量如果不足,將不能明顯減少加合物的形成,而使用過多的添加劑可能抑制質譜的母信號。本領域技術人員無需過多的實驗就能通過改變添加劑的量并判斷其對譜圖特征的影響來確定添加劑的合適量,以優化特定分析物的分析。在一些實施方式中,減少加合物的添加劑可單獨使用,或與減少或避免不利的加合物存在的其它物質組合使用。抗壞血酸添加劑可與能減少質譜背景噪聲的其它添加劑組合使用。其它已知的合適添加劑包括樹脂、揮發性銨鹽,特別是揮發性單堿式(monobasic)、二堿式(dibasic)或三堿式(tribasic)銨鹽。鹽添加劑的堿性不宜太高,以免干擾被分析的樣品。添加劑可以是單堿式磷酸鹽和硫酸鹽(例如單堿式磷酸銨)和二堿式檸檬酸鹽(例如二堿式檸檬酸銨)和三堿式檸檬酸鹽(例如三堿式檸檬酸銨)。在一些實施方式中,減少加合物的添加劑是抗壞血酸、抗壞血酸酯、其鹽、其互變異構體或具有下式結構的抗壞血酸類似物(包括類似物鹽和互變異構體):其中:R1和R2獨立地是OH、鹵素、R3、OR3、疊氮基、氰基、CH2R3、CHR3R4、SR3、NR3R4;R3和R4獨立地是H、烷基、乙炔基或氰基,或任選取代的芳基碳環、芳基雜環、非芳基碳環或非芳基雜環。文中使用的抗壞血酸類似物通常是自由基清除劑,本領域普通技術人員可確定抗壞血酸的自由基清除活性(例如,用氧化劑如2,6-二氯苯酚-靛酚(DCPIP)、碘、碘酸鹽和碘化合物混合物或N-溴代琥珀酰亞胺進行滴定)。文中使用的術語“任選取代的”表示所述的特定基團或基團組可以沒有非氫取代基,或者所述的特定基團或基團組可具有一個或多個非氫取代基。除非另有說明,可存在的取代基的總數等于未取代形式的所述基團上存在的H原子數。如果任選的取代基通過雙鍵連接,例如羰基氧(=O),則該基團占據兩個可用的價位,這樣根據可利用價位的數目,可包含的取代基的總數目減少。抗壞血酸及其類似物可具有能離子化的基團,這樣能作為鹽制得。在此情況中,無論何時提到化合物,在本領域中都應理解還可以使用藥學上可接受的鹽。這些鹽可以是涉及無機或有機酸的酸加成鹽,或者在本發明的化合物為酸形式時由無機或有機堿制備的鹽。通常,將化合物制成或用作藥學上可接受的鹽,該藥學上可接受的鹽作為藥學上可接受的酸或堿的加成產物制得。合適的藥學上可接受的酸和堿在本領域中是眾所周知的,例如用于形成酸加成鹽的鹽酸、硫酸、氫溴酸、乙酸、乳酸、檸檬酸或酒石酸,用于形成堿性鹽的氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化銨、咖啡因、各種胺等。在本領域中已經充分建立了制備合適的鹽的方法。在一些情況中,化合物可同時含有酸官能團和堿官能團,在此情況中它們可具有兩個離子化基團,但是無凈電荷。抗壞血酸類似物常常含有一個或多個手性中心。本發明包括各種獨立的立體異構形式以及不同手性純度的立體異構體混合物,包括外消旋混合物。還包括可形成的各種非對映異構體和互變異構體。本發明的化合物還可以不止一種互變異構體的形式存在;本文中描述為一種互變異構體僅僅是為了簡便起見,應理解為包括其它互變異構體形式。文中使用的術語“烷基”、“烯基”和“炔基”包括直鏈、支鏈和環狀單價烴基以及它們的組合,當它們未被取代時僅僅含有C和H。例子包括甲基、乙基、異丁基、環己基、環戊基乙基、2-丙烯基、3-丁炔基等。文中有時描述了各基團的碳原子總數,例如當基團可最多含10個碳原子時,可表示為1-10C或C1-C10或C1-10。當允許雜原子(通常為N、O和S)代替碳原子時,例如在雜烷基中,描述基團的數目盡管仍然寫為例如C1-C6,但它表示基團中碳原子數和代替所述環或鏈骨架中碳原子的雜原子的數目之和。通常,本發明的烷基、烯基和炔基取代基可含有一個10C(烷基)或兩個10C(烯基或炔基)。較佳地,它們含有一個8C(烷基)或兩個8C(烯基或炔基)。有時它們含有一個4C(烷基)或兩個4C(烯基或炔基)。單獨一個基團可包括不止一種類型的多重鍵,或不止一個多重建;當這些基團含有至少一個碳碳雙鍵時,它們包括在術語“烯基”的定義中,當這些基團含有至少一個碳碳三鍵時,它們包括在術語“炔基”的定義中。烷基、烯基和炔基通常任選地被取代到一定程度,只要這些取代在化學上是有意義的。典型的取代基包括但不限于鹵素、=O、=N-CN、=N-OR、=NR、OR、NR2、SR、SO2R、SO2NR2、NRSO2R、NRCONR2、NRCOOR、NRCOR、CN、COOR、CONR2、OOCR、COR和NO2,其中各R獨立地是H、C1-C8烷基、C2-C8雜烷基、C1-C8酰基、C2-C8雜酰基、C2-C8烯基、C2-C8雜烯基、C2-C8炔基、C2-C8雜炔基、C6-C10芳基或C5-C10雜芳基,各R任選地被以下基團取代:鹵素、=O、=N-CN、=N-OR’、=NR’、OR’、NR’2、SR’、SO2R’、SO2NR’2、NR’SO2R’、NR’CONR’2、NR’COOR’、NR’COR’、CN、COOR’、CONR’2、OOCR’、COR’和NO2,其中各R’獨立地是H、C1-C8烷基、C2-C8雜烷基、C1-C8酰基、C2-C8雜酰基、C6-C10芳基或C5-C10雜芳基。烷基、烯基和炔基還可被C1-C8酰基、C2-C8雜酰基、C6-C10芳基或C5-C10雜芳基取代,這些取代基各自可以被適合具體基團的取代基取代。“乙炔”取代基是任選被取代的2-10C炔基,通式為-C≡C-Ra,其中Ra是H或C1-C8烷基、C2-C8雜烷基、C2-C8烯基、C2-C8雜烯基、C2-C8炔基、C2-C8雜炔基、C1-C8酰基、C2-C8雜酰基、C6-C10芳基、C5-C10雜芳基、C7-C12芳基烷基或C6-C12雜芳基烷基,各Ra基任選地被一個或多個選自下組的取代基取代:鹵素、=O、=N-CN、=N-OR’、=NR’、OR’、NR’2、SR’、SO2R’、SO2NR’2、NR’SO2R’、NR’CONR’2、NR’COOR’、NR’COR’、CN、COOR’、CONR’2、OOCR’、COR’和NO2,其中各R’獨立地是H、C1-C6烷基、C2-C6雜烷基、C1-C6酰基、C2-C6雜酰基、C6-C10芳基、C5-C10雜芳基、C7-12芳基烷基或C6-12雜芳基烷基,這些取代基各自任選地被一個或多個選自下組的基團取代:鹵素、C1-C4烷基、C1-C4雜烷基、C1-C6酰基、C1-C6雜酰基、羥基、氨基和=O;其中兩個R’可連接形成3-7元環,該環任選地最多含有三個選自N、O和S的雜原子。在一些實施方式中,-C≡C-Ra中的Ra是H或Me。“雜烷基”、“雜烯基”和“雜炔基”等的定義與相應的烴基(烷基、烯基和炔基)類似,但是‘雜’表示該基團在它們的主鏈殘基中含有1-3個O、S或N雜原子或它們的組合;這樣相應的烷基、烯基或炔基中的至少一個碳原子被指定的雜原子之一代替,形成雜烷基、雜烯基或雜炔基。烷基、烯基和炔基的雜化形式的典型和優選的尺寸通常與相應的烴基相同,存在于雜化形式上的取代基與烴基中所述的相同。出于化學穩定性的考慮,還應理解,除非另有說明,這些基團不包括兩個以上相鄰的雜原子,除非在N或S上存在氧代基,例如硝基或磺酰基。雖然文中所述的“烷基”包括環烷基和環烷基烷基,文中可使用術語“環烷基”描述通過環碳原子連接的碳環非芳族基,可使用“環烷基烷基”描述通過烷基連接基與分子連接的碳環非芳族基。類似地,可使用“雜環基”描述含有至少一個雜原子作為環原子且通過環原子(可以為C或N)與分子連接的非芳族環基;可使用“雜環基烷基”描述通過連接基與另一個分子連接的這種基團。適用于環烷基、環烷基烷基、雜環基和雜環基烷基的尺寸和取代基與烷基中所述的相同。文中使用的這些術語還包括含有一個或兩個雙鍵的環,只要該環是非芳族的。文中使用的“酰基”包括這樣一類基團,該基團包含烷基、烯基、炔基、芳基或烷基芳基,它們連接在羰基碳原子的兩個可利用價位的一個上,雜酰基指羰基碳之外的至少一個碳原子被選自N、O和S的雜原子代替的相應基團。因此,雜酰基包括例如-C(=O)OR和–C(=O)NR2,以及–C(=O)-雜芳基。酰基和雜酰基通過羰基碳原子的開放價位與任何基團或分子連接。通常,它們是C1-C8酰基,包括甲酰基、乙酰基、新戊酰基和苯甲酰基,C2-C8雜酰基,包括甲氧基乙酰基、乙氧基羰基和4-吡啶酰基。可包含酰基或雜酰基的這類基團的烴基、芳基和雜原子可被上文中所述的通常適合作為酰基或雜酰基的各相應部分的取代基的取代基取代。“芳族”部分或“芳基”部分指具有眾所周知的芳香性的單環或稠合雙環部分;例子包括苯基和萘基。類似地,“雜芳族”和“雜芳基”指含有一個或多個選自O、S和N的雜原子作為環原子的這類單環或稠合雙環體系。包含雜原子可以保持5元環和6元環的芳香性。典型的雜芳族體系包括單環C5-C6芳族基,例如吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噻吩基、呋喃基、吡咯基、吡唑基、噻唑基、噁唑基和咪唑基,通過這些單環基中的一個與苯環或任何雜芳族單環基稠合形成的稠合雙環部分,形成C8-C10雙環基,例如吲哚基、苯并咪唑基、吲唑基、苯并三唑基、異喹啉基、喹啉基、苯并噻唑基、苯并呋喃基、吡唑并吡啶基、喹唑啉基、喹喔啉基、噌啉基等。從整個環體系的電子分布考慮具有芳香性的任何單環或稠合雙環體系都包括在該定義中。該定義中還包括至少直接連接在分子殘余部分上的環具有芳香性的雙環基團。通常,環體系含有5-12個環原子。優選單環雜芳基含有5-6個環原子,雙環雜芳基含有8-10個環原子。芳基和雜芳基部分可被各種取代基取代,這些取代基包括C1-C8烷基、C2-C8烯基、C2-C8炔基、C5-C12芳基、C1-C8酰基和它們的雜化形式,這些取代基本身可進一步被取代;用于芳基和雜芳基部分的其它取代基包括鹵素、OR、NR2、SR、SO2R、SO2NR2、NRSO2R、NRCONR2、NRCOOR、NRCOR、CN、COOR、CONR2、OOCR、COR和NO2,其中各R獨立地是H、C1-C8烷基、C2-C8雜烷基、C2-C8烯基、C2-C8雜烯基、C2-C8炔基、C2-C8雜炔基、C6-C10芳基、C5-C10雜芳基、C7-C12芳基烷基或C6-C12雜芳基烷基,各R任選地如上文在烷基中所述的方式被取代。芳基或雜芳基上的取代基當然可進一步被上文中所述的適合這些取代基中每種類型的取代基或適合取代基的每個組分的基團取代。因此,例如,芳基烷基取代基可以在芳基部分上被上文中所述的通常用于芳基的取代基取代,它可以進一步在烷基部分上被上文中所述的通常或適合用于烷基的取代基取代。類似地,“芳基烷基”和“雜芳基烷基”指通過連接基與它們的連接點連接的芳族和雜芳族環體系,所述連接基例如是亞烷基,包括取代或未取代的、飽和或不飽和的、有環或無環的連接基。典型的連接基是C1-C8烷基或它們的雜化形式。這些連接基還可包括羰基,使得它們能提供作為酰基或雜酰基部分的取代基。芳基烷基或雜芳基烷基中的芳環或雜芳環可被上文中所述同樣用于芳基的取代基取代。較佳地,芳基烷基包括任選地被上文定義的用于芳基的基團取代的苯環和未取代的或被一個或兩個C1-C4烷基或雜烷基取代的C1-C4亞烷基,其中烷基或雜烷基可任選地環化形成環丙烷、二氧戊環或氧雜環戊烷之類的環。類似地,雜芳基烷基優選包括任選地被上文所述常作為芳基上的取代基的基團取代的C5-C6單環雜芳基和未取代的或被一個或兩個C1-C4烷基或雜烷基取代的C1-C4亞烷基,或者雜芳基烷基包括任選取代的苯環或C5-C6單環雜芳基和未取代的或被一個或兩個C1-C4烷基或雜烷基取代的C1-C4雜亞烷基,其中烷基或雜烷基可任選地環化形成環丙烷、二氧戊環或氧雜環戊烷之類的環。當描述芳基烷基或雜芳基烷基任選被取代時,取代基可以在基團的烷基或雜烷基部分上或者在芳基或雜芳基部分上。任選存在于烷基或雜烷基部分上的取代基與上文中所述常用于烷基的取代基相同;任選存在于芳基或雜芳基部分上的取代基與上文中所述常用于芳基的取代基相同。文中使用的“芳基烷基”如果未被取代,則是烴基,用環和亞烷基或類似連接基中的碳原子總數進行描述。因此,芐基是C7-芳基烷基,苯基乙基是C8-芳基烷基。上文所述的“雜芳基烷基”指包含通過連接基連接的芳基的部分,與“芳基烷基”的區別在于芳基部分的至少一個環原子或連接基的一個原子是選自N,O和S的雜原子。在本文中依據環和連接基的總原子數描述雜芳基烷基,它們包括通過雜烷基連接基連接的芳基;通過烴基連接基(例如亞烷基)連接的雜芳基;通過雜烷基連接基連接的雜芳基。因此,例如C7-雜芳基烷基包括吡啶基甲基、苯氧基和N-吡咯基甲氧基。文中使用的“亞烷基”指二價烴基;因為該基團是二價的,所以它可以將兩個其它基團連接在一起。通常,亞烷基指–(CH2)n-,其中n是1-8,優選n是1-4,但是在特別指出的情況中,亞烷基也可以被其它基團取代,可以為其它長度,開放的價位不一定需要在鏈的兩端。因此,–CH(Me)-和–C(Me)2-也可以稱為亞烷基,環基如環丙-1,1-二基也可以稱為亞烷基。在亞烷基被取代時,取代基包括文中所述常存在于烷基上的取代基。通常,取代基中包含的任何烷基、烯基、炔基、酰基、芳基或芳基烷基、或這些基團之一的任何雜化形式本身可任選地被其它取代基取代。如果沒有另外描述這些取代基,則這些取代基的性質與就初級取代基所述的性質相似。因此,在例如R7是烷基的實施方式中,該烷基可任選地被作為R7的實施方式所列的其余的取代基取代,只要這種取代在化學上是有意義的,并且這種取代不會破壞烷基本身的尺寸限制;例如,被烷基或烯基取代的烷基只是延長了這些實施方式的碳原子數上限,它不包括在內。但是,被芳基、氨基、烷氧基、=O等取代的烷基包括在本發明的范圍內,這些取代基的原子不計入用于描述所述烷基、烯基等基團的原子數。在不特別指定取代基數目時,依據這些烷基、烯基、炔基、酰基或芳基的可用價位,它們都可以被多個取代基取代;尤其是,例如,這些基團都可以在任何或全部可用價位被氟原子取代。文中使用的“雜化形式”是指烷基、芳基或酰基之類的基團的衍生物,其中所指定的碳環基的至少一個碳原子已經被選自N、O和S的雜原子代替。因此,烷基、烯基、炔基、酰基、芳基和芳基烷基的雜化形式分別是雜烷基、雜烯基、雜炔基、雜酰基、雜芳基和雜芳基烷基。應理解,通常不超過兩個N、O或S是連續連接的,除非氧代基連接在N或S上形成硝基或磺酰基。文中使用的“鹵素”包括氟、氯、溴和碘。通常優選的是氟和氯。文中使用的“氨基”指NH2,但是在將氨基描述為“取代的”或“任選取代的”時,該術語包括NR’R”,其中R’和R”各自獨立地是H,或者是烷基、烯基、炔基、酰基、芳基或芳基烷基或這些基團之一的雜化形式,烷基、烯基、炔基、酰基、芳基或芳基烷基或這些基團之一的雜化形式都任選地被文中所述適合相應基團的取代基取代。該術語還包括其中R’和R”連接在一起形成3-8元環的形式,所述3-8元環可以是飽和的、不飽和的或芳香性的,它包含1-3個獨立地選自N、O和S的雜原子作為環原子,該環任選地被文中所述適合烷基的取代基取代,或者如果NR’R”是芳基,則該環任選地被文中所述常用于雜芳基的取代基取代。文中使用的術語“碳環”指在環中只含有碳原子的環化合物,而“雜環”指包含雜原子的環化合物。碳環和雜環結構包括具有單環、雙環或多環體系的化合物。文中使用的術語“雜原子”指碳或氫以外的任何原子,例如氮、氧或硫。雜環的說明性例子包括但不限于四氫呋喃、1,3-二氧戊環、2,3-二氫呋喃、吡喃、四氫吡喃、苯并呋喃、異苯并呋喃、1,3-二氫異苯并呋喃、異噁唑、4,5-二氫異噁唑、哌啶、吡咯烷、吡咯烷-2-酮、吡咯、吡啶、嘧啶、八氫吡咯并[3,4b]吡啶、哌嗪、吡嗪、嗎啉、硫代嗎啉、咪唑、咪唑烷-2,4-二酮、1,3-二氫苯并咪唑-2-酮、吲哚、噻唑、苯并噻唑、噻二唑、噻吩、四氫噻吩-1,1-二氧化物、二氮、三唑、胍、二氮雜雙環[2.2.1]庚烷、2,5-二氮雜雙環[2.2.1]庚烷、2,3,4,4a,9,9a-六氫-1H-β-咔啉、環氧乙烷、環氧丙烷、四氫吡喃、二噁烷、內酯、氮丙啶、吖丁啶、哌啶、內酰胺,也可以包括雜芳基。其它雜芳基的說明性例子包括但不限于呋喃、吡咯、吡啶、嘧啶、咪唑、苯并咪唑和三唑。基材文中使用的"基材"指不溶性載體,在該載體上沉積分析物并且進行分析。基材可包括但不限于硅石、玻璃(例如玻璃、控孔玻璃(controlled-poreglass,CPG))、尼龍、王氏樹脂(Wangresin)、梅里菲爾德樹脂(Merrifieldresin)、葡聚糖凝膠(Sephadex)、瓊脂糖凝膠(Sepharose)、纖維素、磁珠、戴娜珠(Dynabeads)、金屬表面(例如鋼、金、銀、鋁、硅和銅)、塑性材料(例如聚乙烯、聚丙烯、聚酰胺、聚酯、聚偏二氟乙烯(PVDF))、或插針(pin)(例如,適用于組合合成或分析的插針陣列,或平坦表面凹陷中的珠粒,平坦表面例如是具有或不具有板的晶片(例如硅晶片)。固體載體可以為任何所需的形式,包括但不限于:珠粒、芯片、毛細管、板、隔膜、晶片、梳狀物、插針、具有插針的晶片、基本平坦的表面、凹陷或納升井(nanoliterwells)的陣列,和本領域技術人員已知的其它幾何形狀和形式。優選的載體是設計用于在不連續的位置接受或連接樣品的平坦表面。最優選的是具有疏水區域的平坦表面,所述疏水區域包圍用于接受、容納或結合樣品的親水位置。基材對在處理中使用的裝置或試劑的操作可以是惰性的,包括常用于MALDI質譜的基質材料和溶劑。在基材上,基質或基質/添加劑或基質/分析物/添加劑的斑點通常具有一定的特征。基材上各斑點的直徑可以約為200μm到1mm。斑點直徑通常是基本均勻的,斑點到斑點的直徑變化通常應最小化(例如,變化約為20μm)。可用于質譜分析的基材上的斑點的中心與中心之間的距離可以為任何值,例如中心與中心之間的距離為2.25mm或1.125mm,例如,基材上斑點的中心與中心之間的距離通常是基本均勻的。基材上斑點的厚度約為10μm到100μm。基材上各斑點的厚度往往是基本均勻的,斑點到斑點的厚度之間的變化通常應最小化(例如,約30μm)。靶位文中使用的術語"靶位"指基材上特定的位置,材料(例如基質材料,基質材料與添加劑,或分析物)可以沉積并保留在該位置。基材可包括一個或多個靶位,它們可以無規或以有序的陣列或其它圖案排列。當用于質譜分析(例如MALDI分析)時,靶位或具有沉積材料的所得靶位的尺寸優選等于或小于將聚焦在基材上引起解吸的激光斑點的尺寸。因此,靶位可以是例如設置在固體載體表面上的井或凹陷,插針或珠粒,或物理阻礙物,或者它們的組合,例如芯片上的珠粒,井中的芯片,等等。靶位可以通過物理方式放置在基材上,可以蝕刻到基材表面上,可以是在某個位置周圍蝕刻后留下的"塔",或者可以是通過物理-化學參數例如相對親水性、疏水性或任何其它表面化學性質限定的,將液體保留在其中或其上的位置。平臺本發明的方法和和組合物可與任何電離源聯合使用,這些電離源包括大氣壓化學電離(APCI)、化學電離(CI)、電子沖擊(EI)、電噴霧電離(ESI或ES)、快速原子轟擊(FAB)、場解吸/場電離(FD/FI)、基質輔助激光解吸電離(MALDI)和熱噴霧電離(TSP)。在一些實施方式中,電離源是MALDI或ES。本發明的方法和組合物可與任何質量分析儀聯合使用。目前可用的質量分析儀有多種,其中比較常見的是四極飛行時間(TOF)分析儀,扇形磁場,以及傅立葉變換和四極離子阱。另外,該分析儀可以串聯使用,成為串聯(tandemastandem)(MS-MS)質譜儀。在一些實施方式中,質量分析儀是TOF分析儀。在一些實施方式中,通過質譜分析對分析物進行分析,而不用光譜法分析分析物。在一些實施方式中,不通過紅外光譜(例如傅立葉變換紅外光譜)對分析物進行分析,該方法通常測量某些分子的振動頻率,通常不包括分析物的電離和對電離的分析物質量的測量。實施例以下實施例是非限制性的,用來說明本發明的某些實施方式。實施例1:分析物的添加劑在以下實施例中,將來自SequenomiPLEXTM反應的分析物與納米純水或抗壞血酸添加劑混合,以確定添加劑對加合物形成的影響。依據以下文獻所述的SequenomiPLEXTM規程平行地處理各塊板:Jurinke,C.,Oeth,P.,vandenBoom,D.,MALDI-TOFmassspectrometry:aversatiletoolforhigh-performanceDNAanalysis(MALDI-TOF質譜:一種多功能高效DNA分析工具),Mol.Biotechnol.26,147-164(2004);Oeth,P.等,iPLEXTMAssay:IncreasedPlexingEfficiencyandFlexibilityforSystemthroughsinglebaseprimerextensionwithmass-modifiedTerminators(iPLEXTM測試:通過單堿基引物延長和質量修飾終止子提高的體系的叢效率和靈活性),SEQUENOMApplicationNote(2005),兩篇文獻都通過參考結合于此。在稀釋/調理步驟中,按照標準規程所指示,將9口l分析物溶液與25口l納米純水混合,同時還將其它的板與抗壞血酸混合,產生最終的抗壞血酸濃度為20mM。為了除去抗壞血酸中殘余的陽離子,以及排除氨化的陽離子交換樹脂可能帶來的任何干擾,用1g/ml的質子化樹脂對抗壞血酸儲備溶液進行脫鹽化處理。根據工作流程,添加劑可直接與分析物混合,或者進一步稀釋,然后加入樣品中。在此具體實施例中,稀釋步驟在自動化液體處理器上完成,稀釋溶液在加入到分析物溶液之前以1/25的體積比儲備在50ml盤中。在各稀釋/調理步驟后,使用Sequenom納米分配器將兩塊板都以10納升/區域分配到預基質化的標準SpectroChipTM(300mM3-HPA/25mMDAC)上,在SequenomAnalyzerCompact上進行分析。結果:使用抗壞血酸導致對抗壞血酸處理過的樣品的呼叫數增加8%。在抗壞血酸處理過的樣品中,鈉和氨加合物被抑制到檢測下限。這樣導致對抗壞血酸處理過的樣品不存在由于氨和/或鈉加合物導致的假陽性呼叫,而水調理的樣品中的氨加合物導致一次測試反復指向異合子(假陽性呼叫)。實施例2:基質的添加劑在以下實施例中,顯示包含抗壞血酸(AA)的新的基質組合物能減少加合物形成,從而改善譜圖質量。基質溶液由以下儲備溶液和納米純水制備基質組合(不同基質組分的儲備溶液依據組分的官能團用陽離子交換樹脂進行處理-H+形式的帶有交換樹脂的酸,NH4+形式的帶有樹脂的氨鹽):3-HPA:350mM,在30%的乙腈水溶液中。AA:1M的水溶液。DAC:226mg1Min水溶液。用300mM3HPA和25mMDAC制備標準基質,而用300mM3HPA、20mMNH4-草酸鹽和20mM抗壞血酸制備新基質。參見表1。使用GesimNanoplotter將最終的基質以15-20nl分配到SpectroChip上。表1合成寡核苷酸樣品使用直接點樣于表1基質上的合成寡核苷酸進行兩次實驗。在第一實驗中,在“老的”樹脂處理過的基質和“新的”抗壞血酸改性的基質上都測試了17聚體合成寡核苷酸(GTGGTGGTGGTGGTGGT)。在圖1(老基質)中,明顯存在氨加合物(峰高度約為在5335Da處的母峰高度的12%),而圖2中沒有氨加合物。新基質也稱為“基質63C”。在第二個實驗中,測試了低質量17聚體合成寡核苷酸(5044Da)和高質量28聚體合成寡核苷酸(8436Da)的加合物形成和脫嘌呤作用。在兩次實驗中,使用GesimNanoplotter將合成寡核苷酸分析物以10nl/斑點分配到表1的基質上。低質量寡核苷酸和高質量寡核苷酸的結果分別顯示在表2和表3中。表2A:17聚體加合物表2B:17聚體探針高度和信噪比(SNR)表3A:28聚體加合物表3B:28聚體探針高度和信噪比(SNR)探針探針高度(平均值/標準偏差)20/528/731/7探針SNR(平均值/標準偏差)93/19134/27164/31基質比較是基于相對加合物和脫嘌呤作用峰高度,以及探針高度和SNR。在分析中引入加合物形成分數來說明超過峰分數閥值的斑塊(pad)的相對頻率:加合物形成分數==(超過閥值的斑塊的相對頻率)*(平均加合物峰高度)術語基材上的“斑塊”和“斑點”可互換使用。平均加合物峰高度的標準偏差較低,對于所有基質都相當,并未報告在表中。與經過樹脂處理的標準基質相比,對于合成17聚體,在新基質上的平均加合物形成分數小13%(表2A),對于合成28聚體,在新基質上的平均加合物形成分數小29%(表3A)。引物延伸樣品使用指向RhD和AMG基因的多態性的有效Sequenom基因型試驗來進行額外的實驗。這些試驗使用iPLEXTM試驗和技術進行(Jurinke,C.,Oeth,P.,vandenBoom,D.,MALDI-TOFmassspectrometry:aversatiletoolforhigh-performanceDNAanalysis(MALDI-TOF質譜:一種萬能的高性能DNA分析工具),Mol.Biotechnol.26,147-164(2004);Oeth,P.等,iPLEXTMAssay:IncreasedPlexingEfficiencyandFlexibilityforSystemthroughsinglebaseprimerextensionwithmass-modifiedTerminators(iPLEXTM測試:通過單堿基引物延長和質量修飾終止子提高的質譜分析體系的叢效率和靈活性),SEQUENOMApplicationNote(2005),這兩篇文獻都通過參考結合于此)。簡而言之,圍繞SNP的靶區域首先用PCR擴增。隨后,將寡核苷酸引物與PCR產物退火,并用4種終止子核苷酸和DNA聚合酶的混合物通過單個核苷酸等位基因特異性延伸。將延伸產物轉移到小型化的芯片陣列上,用MALDI-TOF質譜進行分析。延伸產物的分子量的確定可以明確地識別樣品中存在的SNP等位基因。由質量信號的峰面積比可以預測給定樣品中等位基因的相對豐度。在此實驗中,對點樣于表1所示的基質上的7316DaAMG引物延伸產物使用高20%的激光能量(與上述合成寡核苷酸實驗相比)。如表4和5所示,與標準基質相比,分配在新基質上的延伸產物的平均加合物形成分數減小(減小40-50%),增加的激光能量對加合物形成無負面影響。表4A:AMG試驗(7316Da)加合物–標準激光能量表4B:AMG試驗(7316Da)高度和信噪比(SNR)表5:AMG試驗(7316Da)加合物–增加的激光能量為了測試在較多分析物存在下新基質的有效性,在表1的基質上分析量增加的(10,15和20nl)7528DaAMG引物延伸產物。參見下表6。在分析物體積為10和15nl時新基質的平均加合物形成分數較低;而在20nl時,對兩種基質觀察到相同的分數(0.6)。表6:AMG試驗(7528Da)加合物–基質上分析物樣品增多改進的質譜圖3和圖4顯示了HD-4-psi3-i基因型試驗的結果,由此清楚地表明減少加合物形成對消除假陽性呼叫的重要性。在7626Da的峰不是對標準基質所報道的插入峰(insertion)(圖3),而是距離7571Da處的延伸產物峰55Da的(NH3+K)加合物峰。在新基質中該加合物峰已經清楚地消除(圖4)。實施例3:基質和分析物的添加劑還測試了新的抗壞血酸改性的基質與加入到分析物溶液的抗壞血酸的組合(位于8289Da的AMG引物延伸產物)。如實施例1和實施例2的表2-6所示,添加到分析物中或與標準基質組合的抗壞血酸明顯減少了氨和鈉加合物。參見下表7。對標準基質上用抗壞血酸處理過的分析物而言,減少率達到43%,對分配在新基質上的用抗壞血酸處理過的分析物而言,減少率達到57%(與分配在未經處理的基質上的未經處理的分析物相比)。表7:添加給分析物和基質的抗壞血酸實施例4:穩定性測試在6個月的時間內,進行了四組穩定性測試,以確定抗壞血酸減少加合物的性質隨時間的變化。沒有跡象表明所測試的基質在該段時間內表現出性能下降。相反,所得到的SNR以及對氨和堿性加合物穩定的加合物形成分數證實了3-HPA及其添加劑DAC、NH4-草酸鹽與抗壞血酸的組合的穩定性。在本文中引用的各專利、專利申請、出版物和文獻的全部內容都通過引用結合于此。上述專利、專利申請、出版物和文獻的引用并不表示申請人承認上述任何內容是相關的現有技術,也并不表示承認這些出版物或文獻的內容或日期。在不背離本發明基本方面的情況下,可以對上述內容進行改變。盡管參考一個或多個具體實施方式詳細描述了本發明,但是本領域普通技術人員將認識到可對本申請中具體揭示的實施方式進行改變,只要這些改變和改進在本發明的范圍和精神內。在本文中適當描述的本發明可以在無本文中具體揭示的任何元素存在下實施。因此,例如,在本文的各個例子中,術語“包含”、“基本由……組成”和“由……組成”中的任何一個都可以用其它兩個中的任何一個代替。已經使用的術語和表達用作說明而非限制性的術語,這些術語和表達的使用并不排除所顯示和所描述的特征或其部分的任何等同特征或其部分,以及在要求專利權的本發明范圍內的各種可行的改變。術語“一個”或“一種”修飾某個元素時,表示一個或一種該元素或者多個或多種該元素(例如“一個裝置”可表示一個或多個裝置),除非由上下文可以清楚地知道所描述的是一種元素還是不止一種元素。文中所使用的術語“約”表示在基礎參數的10%范圍內的值(即±10%),在一列值的開頭處使用術語“約”表示該術語修飾該列值中的每個值(即,“約1、2和3”是約1,約2和約3)。例如,“約100克”的重量可包括在90克到110克之間的重量。因此,應理解盡管本發明通過代表性實施方式和任選的特征進行了具體描述,但是本領域技術人員能夠想到本文所揭示的內容的改變和變體,這些改變和變體應認為落在本發明的范圍內。在所附權利要求書中陳述了本發明的實施方式。當前第1頁1 2 3 
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