技術(shù)特征：
技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種磁傳感器，其具備：基板；與電源端子連接且磁敏方向相同的兩個(gè)磁阻效應(yīng)元件；與接地端子連接且磁敏方向相同的兩個(gè)磁阻效應(yīng)元件；以及包含第一偏置施加部和第二偏置施加部的偏置線圈，該第一偏置施加部向配置有與電源端子連接的磁阻效應(yīng)元件的一方以及與接地端子連接的磁阻效應(yīng)元件的一方的第一區(qū)域施加偏置磁場，該第二偏置施加部向配置有與電源端子連接的磁阻效應(yīng)元件的另一方以及與接地端子連接的磁阻效應(yīng)元件的另一方的第二區(qū)域施加偏置磁場，所述第一偏置施加部的截面積與所述第二偏置施加部的截面積之差為35.4％以下。
技術(shù)研發(fā)人員：高木保規(guī);阿部泰典;川上誠
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日立金屬株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2015.11.18
技術(shù)公布日：2017.08.29