使用結合的XPS和XRF技術測定鍺化硅厚度和組成的制作方法

本申請要求于2014年4月25日提交的美國臨時申請第61/984,286號的權益，本文中通過引證將其全部內容合并于此。

背景技術：

1)技術領域

本發明的實施方式為結合的XPS和XRF技術領域，具體地使用結合的XPS和XRF技術測量鍺化硅厚度和組成。

2)相關技術的描述

X射線光電子能譜(XPS)是一種測量存在于材料內的元素組成、實驗式、元素的化學狀態和電子狀態的定量的能譜技術。可以通過用X射線的束照射材料且同時地測量從頂部(例如，被分析的材料的1至10nm)逃逸的電子的動能和數量來獲得XPS譜。XPS分析普遍采用單色的鋁Kα(AlKα)X射線，其可以通過用聚焦的電子束轟擊鋁陽極表面產生。隨后由聚焦單色光鏡截留一部分產生的AlKαX射線，并使窄的X射線能帶聚焦于樣品表面的分析位點上。在樣品表面上的AlKαX射線的X射線通量取決于電子束電流、鋁陽極表面的厚度和完整性以及單色光鏡的晶體質量、尺寸和穩定性。

X射線熒光(XRF)是來自通過用更高能量的X射線或伽馬射線轟擊來激發的材料的特有的“次級”(或熒光)X射線的發射。這種現象廣泛地用于元素分析和化學分析，特別是在金屬、玻璃、陶瓷和建筑材料中的研究以及用于地球化學、法醫學和考古學中的研究。

XPS分析和XRF分析作為用于樣品表征的技術各自具有它們自己的優勢。因此，需要基于XPS和/或XRF檢測的分析上的進步。

技術實現要素：

一種或多種實施方式旨在使用結合的XPS和XRF技術測量鍺化硅厚度和組成。

在實施方式中，用于表征鍺化硅膜的方法包括產生X射線束。將樣品定位于所述X射線束的路徑中。收集通過用所述X射線束轟擊所述樣品產生的X射線光電子能譜(XPS)信號。還收集通過用所述X射線束轟擊所述樣品所產生的X射線熒光(XRF)信號。由XRF信號和XPS信號測定鍺化硅膜的厚度。

在另一實施方式中，用于表征鍺化硅膜的方法包括產生X射線束。將樣品定位于所述X射線束的路徑中。收集通過用所述X射線束轟擊所述樣品產生的X射線光電子能譜(XPS)信號。還收集通過用所述X射線束轟擊所述樣品所產生的X射線熒光(XRF)信號。由XRF信號和XPS信號測定鍺化硅膜的組成。

在另一實施方式中，用于表征鍺化硅膜的系統包括用于產生X射線束的X射線源。該系統還包括用于將樣品定位于所述X射線束的路徑中的樣品架。該系統還包括用于收集通過用所述X射線束轟擊所述樣品而產生的X射線光電子能譜(XPS)信號的第一探測器。該系統還包括用于收集通過用所述X射線束轟擊所述樣品而產生的X射線熒光(XRF)信號的第二探測器。XRF信號或XPS信號或兩者用于確定鍺化硅膜的厚度或組成或兩者。

附圖說明

圖1示出了根據本發明的實施方式的XPS和XRF結合工具的角視圖。

圖2示出了根據本發明的實施方式的溝道鍺化硅(cSiGe)膜疊層模型。

圖3A包括根據本發明的實施方式，描述與圖2的膜疊層模型相關的強度混合模型的方程式(1)至(3)。

圖3B包括根據本發明的實施方式，描述SiGe膜的厚度和各個強度之間的關系的展開的圖3A的方程式(1)-(3)。

圖4是示出根據本發明的實施方式，對于給定的XRF和XPS強度，如由圖3A和3B的方程式(1)至(3)所描述的Ge組成和SiGe厚度之間的相關性的圖表。

圖5包括示出根據本發明的實施方式，如由SiGe/Si樣品同時獲得的XPS(Ge3d區域)、XPS(Si2p區域)和XRF(GeLα)譜的實例的圖表。

圖6包括根據本發明的實施方式針對標稱SiGe組成和SiGe厚度所繪制的歸一化的測量值。

圖7包括示出根據本發明的實施方式，XPS測量的SiGe原子組成與XRD參考的SiGe厚度之間的良好線性的曲線。

圖8A包括根據本發明的實施方式的來自靜態精度測量的SiGe厚度和Ge％的圖表。

圖8B包括根據本發明的實施方式的來自動態精度測量的SiGe厚度和Ge％的圖表。

圖9包括示出根據本發明的實施方式的測量精度的概括的表。

圖10示出了根據本發明的實施方式的對于SiGe厚度和對于歸一化的Ge％AC在4個月期間內記錄的統計過程控制(SPC)數據。

圖11示出了根據本發明的實施方式的示例性計算機系統的框圖。

具體實施方式

一個或更多個實施方式旨在與實際材料混合模型結合，檢測并使用來自鍺化硅(SiGe)薄膜中的硅(Si)和鍺(Ge)原子的光電子和X射線熒光信號以允許可用于實際的工廠生產(fab production)需要的SiGe厚度和Ge％原子組成的唯一、清楚的和穩定的測定。在以下的描述中，闡述了許多具體細節以便提供對本發明的實施方式的透徹理解。對于本領域技術人員顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節的情況下實踐本發明的實施方式。在其他情形下，為了不會不必要地模糊本發明的實施方式，沒有詳細地描述如整個半導體設備疊層的眾所周知的特征。此外，應當理解，附圖中所示的各種實施方式是說明性的表示，并且不一定按比例繪制。

本發明的實施方式解決了鍺化硅厚度和Ge％原子組成的同時測定和過程控制的問題。本發明的實施方式的技術優勢包括提供在用于生產用途的工廠環境中的薄SiGe厚度和Ge％組成的精確的、可重復測定的新能力。

更一般地，本發明的一個或更多個實施方式與實際的膜疊層模型一起采用XPS和XRF信號結合以同時地測定薄膜SiGe厚度和組成的膜特性。使用XPS(Si，Ge3d)和XRF(GeLα)測量的強度兩者，可以采用新的膜疊層算法以最精確和穩健地測定大范圍內的SiGe厚度和Ge組成(％)。在示例性實施方式中，為了合適地表示在SiGe層中的Si和Ge物質的真實組成的變化，使用了(i)解釋來自SiGe膜和晶體硅基板(如果合適的話)兩者的Si XPS信號的發生的通用膜疊層模型，以及(ii)衡量相對于其他的純Ge膜的XPS和XRF Ge信號的預測強度的實際材料層混合模型，將膜剩余的部分限制為Si。

為了提供背景，在過去十年內，SiGe技術已經在p型場效應晶體管(pFET)性能提高和閥值電壓(V_t)可調性方面發揮越來越重要的作用。值得注意的是，在源-漏區中嵌入的SiGe(e-SiGe)在p型金屬氧化物半導體(PMOS)溝道中生產單軸向的應變。近來，SiGe正被認為是對常規Si溝道的替代以獲得更高的空穴遷移率。因此，SiGe，特別是溝道SiGe(cSiGe)的厚度和組成已經變為半導體設備性能的一個關鍵的控制參數。直接在產物晶圓上的在線計量的能力在高產量制造上是高度期望的。

現有的光學計量不直接測量組成并且要求參考計量以驗證通常僅僅在窄范圍濃度和厚度內起作用的模型。X射線衍射(XRD)是用于SiGe膠測量的另一種普遍使用的技術。然而，XRD遭受弛豫導致的不確定性、在具有小于100埃厚度的膜上較差的精度和緩慢的測量速度。這樣的缺點對于當前的XRD解決方案，特別是在產物環境中的高產量制造過程控制顯示出挑戰。根據本文中的一種或多種實施方式，用同時的XPS和XRF測量實現了在各種基板如塊狀Si、絕緣體上硅(SOI)和超薄SOI上的薄SiGe膜的組成和厚度兩者的測量。

提供進一步的背景，最近XPS已經被證明了對于超薄膜(例如，厚度小于約100埃)是有效的計量，對組成和厚度兩者均具有良好的靈敏度。具體地，其是對在32nm、28nm和20nm設備制造以及16/14nm鰭式場效應晶體管(FinFET)工藝開發中的各種高k金屬柵(HKMG)膜的選擇的計量。然而，對于在Si(或含Si)基板上的薄cSiGe膜的情形，XPS不能區分來自SiGe膜的Si信號和來自Si基板的信號。使用僅一種獨立信號(其為Ge XPS信號)，單獨的XPS不能獨立地測定組成和厚度的兩個變量。根據本文中所描述的一種或更多種實施方式，通過利用在XPS測量期間還在同時產生的GeLαXRF信號解決該問題。XRF信號提供了在與XPS信號結合時允許測量厚度和組成兩者的另外的獨立信號。

在一個方面，可以由單個計量工具獲得XPS和XRF信息兩者。在實例中，根據本發明的實施方式，圖1示出了結合的XPS和XRF工具100的角視圖。在序列的XPS和XRF結合工具如結合工具100上進行本文中所描述的測量。在一個實施方式中，XPS和XRF結合工具100能夠在50μm²計量區(metrology box)內測量300mm的晶圓。

參照圖1，在保持于小于約1.0E-7托的基礎壓力下的同時運行XPS和XRF結合工具100。使用LaB₆電子槍102在約600μΑ的標稱束電流下，在1486.7eV下由鋁陽極106產生x射線104。隨后由高質量的石英晶體單色光鏡112將單色的AlKαx射線108聚焦于晶圓110。晶圓110下的磁透鏡114產生晶圓110附近的磁場，并且將產生的光電子116聚焦至包括XPS輸入光學器件118、XPS能量分析器120(例如，球形電容器分析器(SCA))和XPS探測器122的XPS譜儀中。XPS譜儀電子光學器件118引導且成形光電子束116，以最佳地傳輸至XPS能量分析器120中。XPS能量分析器120以球體之間的固定電壓差運行，并且通常使用141.2eV的通能。

再次參照圖1，同時地，單色的AlKαx射線108從晶圓110激發低能量的x射線熒光(LE-XRF)124。通過使用晶圓110表面上方約1mm，位于接近于分析點的硅漂移探測器(SDD)126探測LE-XRF 124。在一個實施方式中，通過雙重珀耳帖冷卻器(Peltier cooler)將SDD探測器126冷卻，且運行溫度保持在大約-30℃。為了過濾掉散逸電子(stray electron)和UV光，可以在SDD 126入口處使用超薄鋁窗。將SDD 126連接至XRF探測器組件128。將XRF探測器組件128連接至SDD電子設備130。

如在圖1中示出的，XPS和XRF結合工具100也可以包括單色光鏡后通量探測器199。盡管沒有示出，但是XPS和XRF結合工具100也可以裝配有視覺照相機。例如，可以包括晶圓-XY照相機用于晶圓上的特征發現和圖案識別。可以包括晶圓-Z照相機用于確定晶圓z高度，用于最佳的x射線點聚焦和定位。可以包括監測陽極的陽極照相機，用于最佳的e-束聚焦。可以將數據獲取集成至系統軟件，其中同時地收集XPS和XRF信號兩者。在一個這種實施方式中，總收集時間為約每位點24s。

在另一方面，解決了分析和算法開發的考慮。例如，在實施方式中，為了確保一致的測量，在數據分析中使用了XPS信號的比值以消除來自x射線源的變化。通常地，對于大部分的XPS數據分析，將Si信號用作為參考。在XRF信號的情形下，相對于進入的x射線通量將XRF信號歸一化，用于穩定的測量。在一個這種實施方式中，通過在數據收集期間實時地監測單色光鏡后x射線通量(例如，在單色光鏡后通量探測器199處)實現了相對于進入的x射線通量的歸一化。

在實施方式中，采用新的膜疊層算法以使用XPS(Si，Ge3d)和XRF(GeLα)測量的強度兩者最精確和穩健地在大范圍內測定SiGe厚度和Ge組成(％)。在具體的實施方式中，為了合適地表示在SiGe層中的Si和Ge物質的真實組成變化，需要(a)解釋來自SiGe膜和晶體硅基板(如果合適的話)兩者的Si XPS信號的發生的通用膜疊層模型，以及(b)相對于其他的純Ge膜衡量XPS和XRF Ge信號的預測強度的實際材料層混合模型，將膜的剩余部分限制為Si。

作為實例，圖2示出了根據本發明的實施方式的溝道鍺化硅(cSiGe)膜疊層模型200。參照圖2，f代表cSiGe膜中溝道Ge(cGe)的分數。由1-f表示cSiGe膜中溝道Si(cSi)的分數。I_Ge和I_Si是由XPS測量的強度，而I_GeLα是測量的XRF強度。

圖3A包括描述了與圖2的膜疊層模型200相關的強度混合模型的方程式(1)至(3)。參考圖3A的方程式(1)、(2)和(3)，K是相應的材料常數，并且A是穿過SiGe膜的相應的衰減項，其取決于厚度(t)和等效衰減長度(λ)。在一個實施方式中，通過非線性回歸分析同時地確定導致模型和數據之間最佳一致的SiGe厚度(t)和Ge混合分數(f)兩者的最佳值。圖3B包括描述了SiGe膜的厚度和各個強度之間的關系的圖3A的展開方程式(1)-(3)。參照圖3B，t、K和λ是相應的膜厚度、材料常數和等效衰減長度。

在示例性的實施方式中，對于小于10納米厚的薄SiGe層，來自基板的光電子歸于測量的Si2p XPS強度。圖4是示出對于給定的XRF和XPS強度，如由圖3A和3B的方程式(1)至(3)所描述的Ge組成和SiGe厚度之間的關聯的圖表相關性。圖表400還圖解地證實了通過使用XPS和XRF信號兩者，如何可以找到唯一解以確定Ge％和SiGe厚度。圖表400的虛線曲線代表了對于給定的Ge熒光強度，所有可能的Ge％和SiGe厚度的解。

圖5包括分別示出根據本發明的實施方式，如同時地由SiGe/Si樣品獲得的XPS(Ge3d區域)、XPS(Si2p區域)和XRF(GeLα)譜的實例的圖表502、504、506。除了Ge3d峰之外，Ge3d區域可以顯示從Ge-O至O2s的峰(圖表502)。在Si2p區域中，觀察到Si-O峰是常見的(圖表504)，其中信號源自表面處的自然氧化物。可以在約1230eV下觀察到GeLαXRF信號(圖表506)。在一個實施方式中，使用背景減除和Gaussian/Gauss-Lorentz峰擬合的完善的方法實現XPS和XRF強度的提取。對于XRF的情形，具體地，純的Gaussian多峰擬合通常導致0.97的擬合質量值的擬合優度(GOF)。

在另一方面，研究了在Si上(或在厚的SOI上)的SiGe的實際樣品。具體地，研究了來自無圖案晶圓(blanket wafer)和圖案化晶圓的外延SiGe的300mm的晶圓樣品。使用了裸Si(l00)和SOI基板兩者。應當理解，由于XPS穿透深度限于大約10納米，從XPS測量視角，厚SOI和塊狀Si上的樣品是相似的。

在實施方式中，為了評估XPS-XRF測量的靈敏度，用不同的SiGe組成和厚度產生一組實驗設計(DOE)晶圓。DOE由具有在寬范圍內分離的六個不同的SiGe厚度的17個晶圓以及以小于5％的原子組成(AC)差異分離的四種組成構成。研究了在SiGe上的XPS-XRF測量的靈敏度，以及其在厚得多的膜如大于大約150埃的膜上的適用性。還測試了膜分析模型的有效性。在每晶圓九個位點和21個位點兩者上進行測量，但是發現結果非常相似。圖6包括根據本發明的實施方式針對標稱組成(圖表602)和厚度(圖表604)所繪制的歸一化的測量值。

參照圖6，提供了歸一化測量的Ge％AC(圖表602)和SiGe厚度(圖表604)對比目標值的圖表。該圖表示出了測量值和目標值之間優異的相關性，具有接近于1.0的斜率，且R²>0.97。因此，測量對于工藝變化是高靈敏度的。此外，數據示出了組成測量和厚度測量是分離的。結果還表示，使用由圖2以及圖3A和3B的方程式(1)至(3)表示的XPS和XRF信號兩者，膜疊層模型非常好地代表了SiGe/Si系統。

通過將樣品與高分辨率的x射線衍射(HR-XRD)參考計量比較，使用無圖案晶圓上具有不同的Ge％AC和SiGe厚度的單獨組的樣品以評價XPS-XRF測量的準確度。在該組的晶圓樣品中使用寬的組成范圍，25％至75％的總Ge含量。由于使用較厚的膜，HR-XRD測量是更可靠的，因此厚度范圍從約100埃至約400埃。圖7包括示出根據本發明的實施方式，XPS測量的SiGe原子組成(圖表702)和XRD參考的SiGe厚度(圖表704)之間的良好線性的圖表。

參照圖7，兩種測量相關非常良好，并且在厚度和組成的寬范圍內是高度線性的。根據本文中所描述的一個或更多個實施方式，由通常對于XPS測量是過厚的這種較厚的SiGe膜的測量，示出了同時的XRF-XPS計量可以擴展常規的XPS能力。然而，在一個這種實施方式中，擴展能力涉及假定SiGe組成在整個膜內保持恒定。

在另一個方面，作為SiGe應用的變體，研究了包括合并有用于全耗盡絕緣體上硅(fully depleted silicon on insulator)(FDSOI)設備的超薄體和隱埋氧化物(ultra-thin body and buried oxide)(UTBB)的SiGe層的結構。這種設備的pFET溝道可以與SiGe壓縮應變。根據本發明的實施方式，可以使用Ge富集以在絕緣體樣品上產生SiGe并且獲得薄的壓縮應變層。用沉積的薄氧化物層引發Ge富集以穩定SiGe層的表面，隨后標準的快速熱氧化(RTO)過程以氧化SiGe且將Ge原子推動至在下面的SOI中，產生大約7nm的含有大約15-35％范圍的Ge的SGOI。

在實施方式中，UTBB SiGe應用可以用于結合的XPS-XRF計量工具的精度評估。在實施例中，用UTBB FDSOI產物晶圓評估靜態和動態精度兩者。在50μm²計量區上進行測量，以評估可能影響在高產量生產中的產物晶圓測量的精度的因素如x射線束尺寸一致性和溢出。

通過測量相同的位點30次，平均兩個位點來收集靜態精度，也被稱為測量可重復性。通過測量每晶圓五個位點，通過晶圓負載/卸載總共18次以重復測量來評價動態精度，也被稱為測量再現性。在分析動態精度數據時，首先分別地測定每個測量位點的標準偏差，然后將5個位點的相對標準偏差(RSD)平均。因此，以平均值的RSD報告精度。圖8A包括來自靜態精度測量的SiGe厚度(圖表802)和Ge％(圖表804)的圖表。圖8B包括來自動態精度測量的SiGe厚度(圖表852)和Ge％(圖表854)的圖表。

參照圖8A和8B，提供了來自XPS+XRF測量的SiGe厚度和Ge％AC的精度評估。該圖表包括SiGe厚度和Ge％原子組成的歸一化的測量。小于1％的測量的RSD表示非常穩定的、可再現的和有生產價值的計量工具。在圖9的表900中還列出了RSD數值。

根據本發明的實施方式，為進一步測定結合的XPS-XRF計量工具如結合圖1所描述的工具的生產價值，通過在延長的時期內收集來自該工具的統計過程控制(SPC)數據來評估長期穩定性。為了該目的使用對照SiGe晶圓。將對照SiGe晶圓覆蓋有大約13埃的二氧化鉿(HfO₂)膜以最小化SiO₂或GeO₂的形成，否則其可能隨著時間改變SiGe組成和厚度。用工廠自動化的協助，將相同的對照晶圓每周測量約3-4次。圖10示出了根據本發明的實施方式，在4個月的時期內記錄的SiGe厚度(圖表1002)和歸一化的Ge％AC(圖表1004)的統計過程控制(SPC)數據。

參照圖10，在4個月的時期內的SiGe厚度和Ge％AC的歸一化的晶圓平均值示出了測量是非常穩定的，其中SiGe厚度RSD在大約0.53％且Ge％AC RSD在大約0.33％。在圖9的表900中也列出了該值。因此，在實施方式中，用XPS與XRF測量的結合，可以容易地獲得用于在高產量制造環境中的有關SiGe的過程技術的計量，同時保持測量的靈敏性、精度和穩定性。

概括以上評估，根據本發明的實施方式，可以通過同時的小點XPS和XRF測量來進行鍺化硅組成和厚度測定。可以使用同時的XPS和XRF測量來進行SiGe膜的厚度和組成測定。如以上描述的，已經探索了在各種應用中SiGe膜的測量。該測量在寬得多的SiGe厚度范圍是靈敏的和線性的，具有優良的精度。也示出了測量的長期穩定性是非常良好的。

可以將本發明的實施方式提供為計算機程序產品或軟件，其可以包括具有存儲于其上的指令的機器可讀介質，其可以用于編程計算機系統(或其他電子設備)以進行根據本發明的實施方式的方法。在一個實施方式中，將計算機系統與結合圖1描述的XPS+XRF結合工具連接。機器可讀介質包括用于以機器(例如，計算機)可讀形式存儲或傳輸信息的任何機制。例如，機器可讀(例如，計算機可讀)介質包括機器(例如，計算機)可讀存儲介質(例如，只讀存儲器(“ROM”)、隨機存取存儲器(“RAM”)、磁盤存儲介質、光存儲介質、閃存設備等)，機器(例如，計算機)可讀傳輸介質(電、光、聲或其他形式的傳播信號(例如，紅外信號、數字信號等)等。

圖11示出了計算機系統1100的示例性形式的機器的圖形表示，其中可以執行用于使機器進行本文所討論的任何一種或多種方法的一組指令。在可替代的實施方式中，機器可以連接(例如，聯網)至局域網(LAN)、內聯網、外聯網或互聯網中的其他機器。機器可以在客戶端-服務器網絡環境中以服務器或客戶端機器的身份運作，或者在對等(或分布式)網絡環境中作為對等機器運作。機器可以是個人計算機(PC)、平板PC、機頂盒(STB)、個人數字助理(PDA)、移動電話、網絡設備、服務器、網絡路由器、交換機或網橋，或者能夠執行指定要由該機器所進行的行為的一組指令(順序的或其他的)的任何機器。進一步，盡管僅示出了單個機器，但是術語“機器”也應被認為包括單獨地或聯合地執行一組(或多組)指令以進行任何一種或多種在本文中討論的方法的任何機器(例如，計算機)的集合。例如，在實施方式中，將機器配置為執行一組或多組用于將XPS信號測量與XRF信號測量校準的指令。

示例性的計算機系統1100包括處理器1102、主存儲器1104(例如，只讀存儲器(ROM)、閃存、動態隨機存取存儲器(DRAM)如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等)、靜態存儲器1106(例如，閃存、靜態隨機存取存儲器(SRAM)等)和二級存儲器1118(例如，數據存儲設備)，其通過總線1130彼此通信。

處理器1102表示一種或多種通用處理設備，如微處理器，中央處理單元等。更具體地，處理器1102可以是復雜指令集計算(CISC)微處理器、精簡指令集計算(RISC)微處理器、超長指令字(VLIW)微處理器、實施其他指令集的處理器或實施指令集的組合的處理器。處理器1102還可以是一種或多種專用處理設備，如專用集成電路(ASIC)、現場可編程門陣列(FPGA)、數字信號處理器(DSP)、網絡處理器等。將處理器1102配置為執行用于進行本文中所討論的操作的處理邏輯1126。

計算機系統1100可以進一步包括網絡接口設備1108。計算機系統1100也可以包括視頻顯示單元1110(例如，液晶顯示器(LCD)或陰極射線管(CRT))、字母數字輸入設備1112(例如，鍵盤)、光標控制設備1114(例如，鼠標)和信號生成設備1116(例如，揚聲器)。

二級存儲器1118可以包括機器可訪問存儲介質(或更具體地，計算機可讀存儲介質)1131，在其上存儲體現一種或多種在本文描述的方法或功能的一組或多組指令(例如，軟件1122)。在它們由計算機系統1100、主存儲器1104和也構成機器可讀存儲介質的處理器1102執行期間，軟件1122也可以完全地或至少部分地駐留在主存儲器1104內和/或在處理器1102內。軟件1122可以進一步通過網絡接口設備1108進一步在網絡1120上傳輸或接收。

雖然在示例性的實施方式中機器可訪問存儲介質1131示出為單個介質，但是術語“機器可讀存儲介質”應被認為包括存儲一組或多組指令的單個介質或多個介質(例如，集中式或分散式數據庫和/或相關聯的緩存和服務器)。術語“機器可讀存儲介質”還應被認為包括能夠存儲或編碼用于由機器執行的一組指令以及使機器進行本發明的任何一種或多種方法的任何介質。因此，術語“機器可讀存儲介質”應被理解為包括但不限于，固態存儲器和光學及磁介質。

因此，已經公開了使用結合的XPS和XRF技術測量鍺化硅厚度和組成的系統和途徑。