本申請(qǐng)要求2015年3月17日提交的美國(guó)專利申請(qǐng)14/660,676的優(yōu)先權(quán),其通過(guò)引用被合并到本文中。
發(fā)明背景
發(fā)明領(lǐng)域
本發(fā)明大體上涉及到電池控制系統(tǒng),更具體地,涉及到測(cè)量電池組和平臺(tái)的底架之間的隔離的方法。
隔離是物理地和電氣地分離電氣系統(tǒng)的兩個(gè)部件從而消除它們之間的接地路徑的方式。通過(guò)提供電氣隔離,可破壞接地回路,用于任何相關(guān)數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)的共模范圍可被增大,并且信號(hào)參考接地可被電平轉(zhuǎn)移至單系統(tǒng)接地。
電氣隔離測(cè)試為直流(DC)電阻測(cè)試,在分支電路公共接地和子系統(tǒng)底架之間進(jìn)行該電阻測(cè)試,以驗(yàn)證達(dá)到了隔離電阻的規(guī)定水平。測(cè)試經(jīng)常揭露可能在裝配過(guò)程中已發(fā)生的問(wèn)題,例如有缺陷的或錯(cuò)誤的組件的存在、對(duì)組件的不當(dāng)?shù)牟贾没蚨ㄏ蛞约半娋€絕緣或絕緣體缺陷。任何這些都能導(dǎo)致非有意的短路或與底架接地,從而損害電氣線路質(zhì)量和產(chǎn)品安全。
可通過(guò)使用高輸入阻抗電阻表、數(shù)字萬(wàn)用表(DMM)或限流(高壓絕緣測(cè)試(Hipot))測(cè)試儀器來(lái)獲得隔離電阻的測(cè)量結(jié)果。所選擇的設(shè)備不應(yīng)使子系統(tǒng)中的敏感電子組件過(guò)載。測(cè)試限制還應(yīng)考慮在子系統(tǒng)中的半導(dǎo)體組件,其可能由每種類型的測(cè)試儀器施加的電位激活。通常規(guī)定最小可接受電阻值(對(duì)于被測(cè)試的每個(gè)電路通常在兆歐姆(MΩ)范圍內(nèi))。只要最小可允許電阻值是基于并行電路的數(shù)量,就可同時(shí)測(cè)量具有公共回路的多個(gè)電路。
對(duì)于諸如電池組的高電壓系統(tǒng),重要的是能夠測(cè)量電池組和擱置電池組的平臺(tái)的底架之間的隔離。同樣重要的是測(cè)量諸如馬達(dá)控制器、馬達(dá)、DC/DC轉(zhuǎn)換器的任何其他連接至高電壓系統(tǒng)的組件和平臺(tái)底架之間的隔離。例如,在車輛應(yīng)用中,測(cè)量高電壓電池和車輛底盤(pán)之間的電阻是重要的。同樣重要的是當(dāng)測(cè)量?jī)x器進(jìn)行測(cè)量的時(shí)候,測(cè)量?jī)x器在高電壓系統(tǒng)和底架之間不引起故障電平電阻。
為了確保高準(zhǔn)確度并不與其他系統(tǒng)硬件相互干擾,通常用昂貴的、高精度設(shè)備進(jìn)行隔離測(cè)量。需要一種廉價(jià)的方式進(jìn)行這種隔離測(cè)量,同時(shí)保持不產(chǎn)生干擾且不犧牲準(zhǔn)確度。
附圖說(shuō)明
技術(shù)人員從示例性實(shí)施例的以下描述并結(jié)合附圖閱讀時(shí)將輕易地理解前述方面和其他方面。
圖1為根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行隔離電阻測(cè)量所需要的硬件的簡(jiǎn)化圖。
圖2示出一種計(jì)算機(jī)系統(tǒng),以編程或其他方式配置該計(jì)算機(jī)系統(tǒng),使其根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行隔離電阻測(cè)量。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
公開(kāi)了一種確定第一電池組的隔離電阻的方法。方法包括:
提供在電池組的正負(fù)極和底架地線之間的第一組高電阻電阻器網(wǎng)絡(luò),R網(wǎng)絡(luò)=R1+R2=R3+R4,其中R2=R4;
測(cè)量相對(duì)于底架地線的正高電壓Vp;
測(cè)量相對(duì)于底架地線的負(fù)高電壓Vm;
通過(guò)閉合開(kāi)關(guān)在電池組的正極和底架地線之間接入第二組高電阻電阻器網(wǎng)絡(luò),R5+R6=R網(wǎng)絡(luò);
測(cè)量開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的相對(duì)于底架地線的正高電壓Vp′;
測(cè)量開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的相對(duì)于底架地線的負(fù)高電壓Vm′;
利用以上測(cè)量的高電壓和R網(wǎng)絡(luò)來(lái)計(jì)算以下值:
Rm-從負(fù)高電壓到底架地線的電阻
Rm=R網(wǎng)絡(luò)(Vp′Vm-VpVm′)/(VpVm′-VpVp′-VmVp′)
Rp-從正高電壓到底架地線的電阻
Rp=R網(wǎng)絡(luò)RmVp/(VmR網(wǎng)絡(luò)-Rm(Vp-Vm))
選擇兩個(gè)計(jì)算值Rm、Rp中的最小值,并且將最小值命名為第一電池組的隔離電阻。
在一種布置中,開(kāi)關(guān)為MOSFET。在一些布置中,將該方法實(shí)時(shí)地用于一個(gè)或多個(gè)使用中的電池組。這可在電池組上同時(shí)或連續(xù)地進(jìn)行。
通過(guò)使用計(jì)算機(jī)處理器和存儲(chǔ)器來(lái)實(shí)施該方法。高電壓測(cè)量結(jié)果和電阻值可被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器里。計(jì)算機(jī)處理器可從存儲(chǔ)器取回該值并進(jìn)行計(jì)算。計(jì)算機(jī)處理器還可確定計(jì)算值Rm、Rp中哪個(gè)是最小的,并且然后可將最小的識(shí)別為電池組的隔離電阻。
在本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例中,公開(kāi)了包含代碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)。當(dāng)被計(jì)算機(jī)處理器執(zhí)行時(shí),計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)實(shí)施一種確定電池組的隔離電阻的方法,如下:
在電池組的正負(fù)極和底架地線之間提供第一組高電阻電阻器網(wǎng)絡(luò),R網(wǎng)絡(luò)=R1+R2=R3+R4,其中R2=R4;
測(cè)量相對(duì)于底架地線的正高電壓Vp;
測(cè)量相對(duì)于底架地線的負(fù)高電壓Vm;
閉合開(kāi)關(guān)以在電池組的正極和底架地線之間接合第二組高電阻電阻器網(wǎng)絡(luò),R5+R6=R網(wǎng)絡(luò);
測(cè)量開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的相對(duì)于底架地線的正高電壓Vp′;
測(cè)量開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的相對(duì)于底架地線的負(fù)高電壓Vm′;
在存儲(chǔ)位置中記錄高電壓數(shù)據(jù)(如在步驟b、c、e、f中測(cè)到的Vp、Vp′、Vm、Vm′的值);
從存儲(chǔ)位置取回高電壓數(shù)據(jù)并計(jì)算以下值:
Rm-從負(fù)高電壓到底架地線的電阻
Rm=R網(wǎng)絡(luò)(Vp′Vm-VpVm′)/(VpVm′-VpVp′-VmVp′)
Rp-從正高電壓到底架地線的電阻
Rp=R網(wǎng)絡(luò)RmVp/(VmR網(wǎng)絡(luò)-Rm(Vp-Vm))
確定哪個(gè)是兩個(gè)計(jì)算值Rm、Rp中最小的,并且將最小值命名為第一電池組的隔離電阻。
在一種布置中,開(kāi)關(guān)為MOSFET。在一種布置中,將該方法實(shí)時(shí)地用于使用中的電池。
具體實(shí)施方式
優(yōu)選實(shí)施例在車輛中的高電壓電池組的環(huán)境中示出。然而,技術(shù)人員將容易地意識(shí)到本文所公開(kāi)的材料和方法能應(yīng)用于許多其他期望隔離測(cè)量的、尤其是重視成本的環(huán)境中。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,通過(guò)測(cè)量放置在高電壓電池組(正極和負(fù)極)和底架地線之間的一組高電阻電阻器網(wǎng)絡(luò)上的電壓來(lái)確定隔離電阻值。然后通過(guò)以開(kāi)關(guān)方式接入額外的高電阻網(wǎng)絡(luò)來(lái)修改電阻網(wǎng)絡(luò)并進(jìn)行重復(fù)測(cè)量。這種系統(tǒng)可通過(guò)使用低成本組件來(lái)裝配,并能夠以高精確度確定隔離電阻值。
圖1為具有硬件的隔離測(cè)量模塊101的簡(jiǎn)化圖,該硬件適應(yīng)于根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行隔離電阻測(cè)量。電氣線路形成電阻分壓器,允許對(duì)高電壓信號(hào)的測(cè)量??墒褂檬袌?chǎng)上可獲得的組件將該模塊制造在標(biāo)準(zhǔn)的印刷電路板上。
參考圖1,在一個(gè)示例中,R2、R4和R6每個(gè)為4kΩ精密電阻器,且R1、R3和R5每個(gè)為2MΩ精密電阻器。經(jīng)常選擇高電阻器值來(lái)降低到達(dá)底架的漏電流,而這種漏電流是測(cè)量此類型的信號(hào)所固有的。
隔離測(cè)量模塊101為高電壓能源系統(tǒng)進(jìn)行隔離電阻的測(cè)量(即,在HV 正極和底架地線之間)。將固定的電阻放置于高電壓正極和底架地線以及高電壓負(fù)極和底架地線之間。因此可進(jìn)行兩個(gè)測(cè)量:Vp-相對(duì)于底架地線的正(正極)高電壓以及Vm-相對(duì)于底架地線的負(fù)(負(fù)極)高電壓。在高電壓和底架之間沒(méi)有短路的系統(tǒng)中,每個(gè)測(cè)量值等于總高電壓的一半。如果高電壓和底架之間有短路(硬短路或軟短路),則測(cè)到的兩個(gè)電壓可能不相等。
應(yīng)注意,如果在底架和正好一半的電池組(exactly mid-pack)(在一半的高電壓處)之間有短路,測(cè)量值同樣將相等并且等于高電壓的一半。為了了解是否存在這種情況,除了固定的電阻測(cè)量之外,通過(guò)將諸如MOSFET的開(kāi)關(guān)閉合而包含進(jìn)額外的電阻器網(wǎng)絡(luò),以實(shí)現(xiàn)對(duì)一半的電池組的短路的檢測(cè)。在一種布置中,額外的電阻器網(wǎng)絡(luò)被放置在正高電壓和底架地線之間,然而如果將其放置在負(fù)高電壓和底架地線之間也能獲得相似的結(jié)果。閉合開(kāi)關(guān)并從而使用額外的電阻器網(wǎng)絡(luò)允許進(jìn)行兩個(gè)額外的測(cè)量:Vp′-開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的相對(duì)于底架地線的正(正極)高電壓;以及Vm′-開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的相對(duì)于底架地線的負(fù)(負(fù)極)高電壓。
然后模塊使用四個(gè)測(cè)量結(jié)果以計(jì)算在高電壓系統(tǒng)和底架之間測(cè)量的最小的隔離電阻。
本系統(tǒng)不需要昂貴的固態(tài)繼電器,因?yàn)楫?dāng)確定高電壓系統(tǒng)的隔離電阻時(shí)可忽略通過(guò)開(kāi)關(guān)設(shè)備的較小的電阻。此外,通過(guò)使用高電阻網(wǎng)絡(luò),這種系統(tǒng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)好于所允許的漏電安全水平(FMVSS 305規(guī)定的是500歐姆/V)。
隔離測(cè)量模塊可擴(kuò)展至可變的高電壓系統(tǒng)電壓。在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,對(duì)于在高電壓和底架地線之間進(jìn)行測(cè)量的目標(biāo)系統(tǒng)電阻特性(resistance)大約為2000歐姆/V。應(yīng)注意到,對(duì)于高電壓應(yīng)用,國(guó)際汽車工程協(xié)會(huì)(SAE International)推薦2000歐姆/V。在一個(gè)示例性電路中,(當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí))在正高電壓和底架地線之間的電阻器網(wǎng)絡(luò)將是最小電阻特性,且被設(shè)計(jì)成符合2000(歐姆/V)水平。
如以上所討論的,為了確定在高電壓電池系統(tǒng)和底架地線之間的隔離電阻特性,進(jìn)行了四個(gè)測(cè)量。
1.Vp-當(dāng)MOSFET開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)的相對(duì)于底架地線的正(正極)高電壓;
2.Vp′-當(dāng)MOSFET開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的相對(duì)于底架地線的正(正極)高電壓;
3.Vm-當(dāng)MOSFET開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)的相對(duì)于底架地線的負(fù)(負(fù)極)高電壓;以及
4.Vm′-當(dāng)MOSFET開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的相對(duì)于底架地線的負(fù)(負(fù)極)高電壓。
一旦進(jìn)行了測(cè)量,就可以用以下公式計(jì)算隔離電阻:
·從負(fù)高電壓到底架地線的電阻Rm:
o Rm=R網(wǎng)絡(luò)(Vp′Vm-VpVm′)/(VpVm′-VpVp′-VmVp′)
·從正高電壓到底架地線的電阻Rp:
o Rp=R網(wǎng)絡(luò)RmVp/(VmR網(wǎng)絡(luò)-Rm(Vp-Vm))
·隔離測(cè)量網(wǎng)絡(luò)中所使用的電阻值R網(wǎng)絡(luò):
o R網(wǎng)絡(luò)=R1+R2=R3+R4=R5+R6
然后通過(guò)識(shí)別Rm和Rp中較小的來(lái)確定總電阻,然后將Rm和Rp中較小的命名為總隔離電阻。應(yīng)注意R2=R4且R網(wǎng)絡(luò)為高電壓測(cè)量網(wǎng)絡(luò)的單個(gè)支路(single leg)上的電阻。
進(jìn)行額外的計(jì)算,以確定所要用的電阻,從而達(dá)到2000歐姆/V的推薦值。
·Rfx=R1+R2;其中Rfx為固定網(wǎng)絡(luò)(即,當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)的網(wǎng)絡(luò))的總電阻;
·Rsw=R5+R6;其中Rsw為切換接入網(wǎng)絡(luò)(即,當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)的網(wǎng)絡(luò))的總電阻;以及
·Rfx=Rsw=R網(wǎng)絡(luò)
確定推薦的等價(jià)電阻的公式為:
·R等價(jià)=((R1+R2)*(R5+R6))/(R1+R2+R5+R6)
替換以上公式(將單獨(dú)的電阻器結(jié)合到同一個(gè)網(wǎng)絡(luò)中以創(chuàng)建固定網(wǎng)絡(luò)(Rfx)和切換接入網(wǎng)絡(luò)(Rsw)),并且可以得出這兩個(gè)網(wǎng)絡(luò)在結(jié)果上是等效的,所述結(jié)果如以下公式所示。
·R等價(jià)=(Rn*Rn)/(Rn+Rn)或
·R等價(jià)=Rn/2
確定為系統(tǒng)電壓V系統(tǒng)推薦的電阻V系統(tǒng):
·R等價(jià)=V系統(tǒng)*2000=Rn/2
·Rn=4000*V系統(tǒng)
在一個(gè)示例性實(shí)施例中,確定了用于500V(V系統(tǒng))電池組的隔離電阻。Rn=4000*V系統(tǒng),因此Rn為2MΩ。因此,R1+R2之和以及R5+R6之和每個(gè)都大約為2MΩ。在此限定中,選擇R1、R2、R5和R6中的每個(gè)以最大化模擬到數(shù)字轉(zhuǎn)換器的分辨率。
圖2示出計(jì)算機(jī)系統(tǒng)200,其被編程或其他方式配置,以確定高電壓電池系統(tǒng)和底架地線之間的最小隔離電阻。
可用計(jì)算機(jī)系統(tǒng)輔助實(shí)現(xiàn)本公開(kāi)的方法,其中包含用于確定最小隔離電阻的算法的應(yīng)用。圖2示出計(jì)算機(jī)系統(tǒng)200,其被編程或以其他方式配置,以確定最小隔離電阻。系統(tǒng)200包含中央處理器(CPU,在本文中也被稱為“處理器”和“計(jì)算機(jī)處理器”)210,其可以是單核或多核處理器或用于并行處理的多個(gè)處理器。系統(tǒng)200還包含計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)器220(例如,隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器、閃速存儲(chǔ)器)、電子數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元230(例如,硬盤(pán))、用于與一個(gè)或多個(gè)其他系統(tǒng)和/或組件(例如,電池)進(jìn)行通信的通信接口240(例如,網(wǎng)絡(luò)適配器)和諸如高速緩沖存儲(chǔ)器、其他存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)和/或電子顯示適配器的外圍設(shè)備250。存儲(chǔ)器(或存儲(chǔ)位置)220、存儲(chǔ)單元230、接口240和外圍設(shè)備250通過(guò)諸如母板的通信總線(實(shí)線)與CPU 210進(jìn)行通信。存儲(chǔ)單元230可以是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元(或數(shù)據(jù)儲(chǔ)存庫(kù))。
在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中,隔離測(cè)量模塊從主控制器(CPU 210)接收命令,以便開(kāi)始進(jìn)行電壓測(cè)量。模塊進(jìn)行一系列四個(gè)測(cè)量(如上所述,當(dāng)開(kāi)關(guān)斷開(kāi)時(shí)兩個(gè)和當(dāng)開(kāi)關(guān)閉合時(shí)兩個(gè))。測(cè)量值被存儲(chǔ)在存儲(chǔ)位置220中。CPU 210進(jìn)行一系列計(jì)算(如上所述),以便確定在高電壓電池組和底架地線之間的隔離電阻。
在一些情況下,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)200包含單一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。在其他情況下,計(jì)算機(jī)系統(tǒng)200包含多個(gè)例如通過(guò)直接連接或通過(guò)內(nèi)聯(lián)網(wǎng)和/或互聯(lián)網(wǎng)相互進(jìn)行通信的計(jì)算機(jī)系統(tǒng)。
本文所述的方法可通過(guò)機(jī)器(或計(jì)算機(jī)處理器)可執(zhí)行代碼(或軟件)的方式實(shí)現(xiàn),該代碼(或軟件)被存儲(chǔ)在諸如存儲(chǔ)器220或電子存儲(chǔ)單元230的系統(tǒng)200的電子存儲(chǔ)位置上。使用期間,代碼可被處理器210執(zhí)行。在一些情況下,可從存儲(chǔ)單元230取回代碼,并為了處理器210輕易地獲取代碼,將其存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器220上。可選擇地,可排除電子存儲(chǔ)單元230,并將機(jī)器可讀指令存儲(chǔ)在存儲(chǔ)器220中。代碼可被預(yù)編譯并配置成供具有適應(yīng)于執(zhí)行該代碼的處理器的機(jī)器使用,或在運(yùn)行時(shí)間期間被編譯。代碼可以編程語(yǔ)言的形式提供,該編程語(yǔ)言可被選擇以便使得代碼能以預(yù)編譯的或同時(shí)編譯的方式被執(zhí)行。
系統(tǒng)200可包含或被耦合至用于顯示最小隔離電阻的電子顯示器260。電子顯示器可被配置成提供用于提供最小隔離電阻的用戶界面。用戶界面的一個(gè)示例為圖形用戶界面??蛇x擇地,系統(tǒng)200可包含或被耦合至用于提供最小隔離電阻的例如可視指示器的指示器。可視指示器可包含一個(gè)發(fā)光設(shè)備或多個(gè)發(fā)光設(shè)備,例如發(fā)光二極管或其他顯示最小隔離電阻或表明最小隔離電阻是否在預(yù)定限制之內(nèi)的其他可視指示器。指示器的另一個(gè)示例為可聽(tīng)指示器或可視和可聽(tīng)指示器的結(jié)合。
系統(tǒng)200可被耦合至一個(gè)或多個(gè)電池組270。系統(tǒng)200可執(zhí)行機(jī)器可執(zhí)行代碼以實(shí)現(xiàn)本文提供的用于確定一個(gè)或多個(gè)電池組270的最小隔離電阻的任何方法。
本文提供方法和系統(tǒng)的各個(gè)方面,例如用于確定最小隔離電阻的方法,可在編程中被具體化。技術(shù)的多個(gè)方面可被視為通常以在一種機(jī)器可讀介質(zhì)中攜帶或具體化的機(jī)器(或處理器)可執(zhí)行代碼和/或相關(guān)數(shù)據(jù)的形式的“產(chǎn)品”或“生產(chǎn)的物品”。機(jī)器可執(zhí)行代碼可被存儲(chǔ)在諸如存儲(chǔ)器(例如,只讀存儲(chǔ)器、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器、閃速存儲(chǔ)器)或硬盤(pán)的電子存儲(chǔ)單元上。“存儲(chǔ)器”類介質(zhì)可包含任何或所有的計(jì)算機(jī)、處理器或諸如此類的有形存儲(chǔ)器,或可在任意時(shí)刻為軟件編程提供非臨時(shí)儲(chǔ)存器的諸如各種半 導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁帶驅(qū)動(dòng)器、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器和諸如此類的其相關(guān)模塊。所有或部分的軟件有時(shí)可通過(guò)互聯(lián)網(wǎng)或各種其他電信網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行通信。這種通信,例如,可使得將軟件從一個(gè)計(jì)算機(jī)或處理器加載到另一個(gè)計(jì)算機(jī)或處理器,例如,從管理服務(wù)器或主機(jī)加載到應(yīng)用服務(wù)器的計(jì)算機(jī)平臺(tái)。因此,能夠承載軟件元素的另一類型的介質(zhì)包含例如在本地設(shè)備之間的物理接口上使用的、通過(guò)有線和陸上光網(wǎng)絡(luò)和各種空中鏈路上的光波、電波或電磁波。例如,攜帶各種波的有線或無(wú)線鏈路、光鏈路或等效鏈路的物理元件也可被視為承載軟件的介質(zhì)。如本文所用的,除非被限制為非暫時(shí)性的、有形的“儲(chǔ)存器”介質(zhì),否則,例如計(jì)算機(jī)或機(jī)器“可讀介質(zhì)”的術(shù)語(yǔ)是指參與向處理器提供用于執(zhí)行的指令的任何介質(zhì)。
因此,諸如計(jì)算機(jī)可執(zhí)行代碼的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)能采用許多形式,包含但不限于有形的儲(chǔ)存器介質(zhì)、載波介質(zhì)或物理傳輸介質(zhì)。非易失性儲(chǔ)存器介質(zhì)包括,例如,光盤(pán)或磁盤(pán),例如任何計(jì)算機(jī)等中的任何存儲(chǔ)設(shè)備,例如可被用于實(shí)施附圖中所示數(shù)據(jù)庫(kù)等的存儲(chǔ)設(shè)備。易失性存儲(chǔ)器介質(zhì)包括動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器,例如這種計(jì)算機(jī)平臺(tái)的主存儲(chǔ)器。有形的傳輸介質(zhì)包含同軸電纜;銅線和光纖,包括在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中間構(gòu)成總線的電線。載波傳輸介質(zhì)可采用諸如在射頻(RF)和紅外(IR)數(shù)據(jù)通信中產(chǎn)生的那些電子或電磁信號(hào)或聲波或光波的形式。因此計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)的常見(jiàn)形式包含:軟盤(pán)、軟磁盤(pán)、硬盤(pán)、磁帶、任何其他磁介質(zhì)、CD-ROM、DVD或DVD-ROM、任何其他光介質(zhì)、穿孔卡片紙帶、具有打孔形式的任何其他物理存儲(chǔ)介質(zhì)、RAM、ROM、PROM和EPROM、FLASH-EPROM、任何其他記憶芯片或盒式存儲(chǔ)器、傳送數(shù)據(jù)或指令的載波、傳送這種載波的線纜或鏈路或計(jì)算機(jī)可以從其讀取編程代碼和/或數(shù)據(jù)的任何其他介質(zhì)、等等。許多這些形式的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)可能涉及將一個(gè)或多個(gè)指令的一個(gè)或多個(gè)序列傳送給處理器執(zhí)行。
本文中以相當(dāng)多的細(xì)節(jié)描述了本發(fā)明,以為本領(lǐng)域的技術(shù)人員提供應(yīng)用新原理及構(gòu)造和使用這種特殊組件所需的信息。然而應(yīng)理解,本發(fā)明可由不同的設(shè)備、材料和裝置實(shí)施,并且對(duì)于設(shè)備和操作流程的不同修改可在不脫離本發(fā)明本身的范圍的情況下完成。