用于集成電路封裝件的對準夾具的制作方法

本公開內容總體上涉及集成電路(IC)測試的領域，并且更具體而言，涉及用于IC封裝件的對準夾具(alignment fixture)。

背景技術：

傳統的集成電路(IC)測試設備通常需要測試設備上的導電接觸部與被測試的IC的表面上的導電接觸部之間對準。然而，隨著接觸部尺寸和間距變得越來越小，用于使測試設備上的接觸部與IC的表面上的接觸部進行對準的傳統方法可能是不足夠的。

附圖說明

根據以下具體實施方式結合附圖，實施例將易于理解。為了便于這一描述，類似的附圖標記標識類似的結構元件。在附圖中的圖中，通過舉例的方式而不是通過限制的方式例示了實施例。

圖1-圖4是對準夾具和集成電路(IC)封裝件的各實施例的分解的側視圖。

圖5例示了經受吸引力的磁體的軸向自對準。

圖6-圖11是個體磁體在第一插槽(socket)的磁體布置中的布置的各實施例的頂視圖。

圖12是具有圖1中所例示的形式并具有圖7中的磁體布置的對準夾具的實施例的分解透視圖。

圖13-圖18描繪了被設置在插槽的表面上的磁體布置110中的磁體的各實施例。

圖19-圖21是對準夾具和IC封裝件的各個另外的實施例的分解側視圖。

圖22-圖25是兩種磁體布置中的個體磁體的布置的各實施例的頂視圖、橫截面視圖。

圖26-圖28描繪了經受排斥力的磁體的各種對準的側視圖。

圖29是對準夾具的另外的實施例的分解透視圖。

圖30是具有多個導電插座以及在插槽之間延伸的引腳的對準夾具的實施例的分解橫截面視圖。

圖31和圖32描繪了其中對準夾具的插槽經由一個或多個彈簧耦合至基座的實施例的示例的橫截面側視圖。

圖33是具有配準特征的對準夾具的分解橫截面視圖。

圖34是對準夾具的另外的實施例的分解透視圖。

圖35-圖38描繪了測試夾具的實施例的橫截面側視圖。

圖39是根據各實施例的用于制造對準夾具的例示性工藝的流程圖。

圖40是根據各實施例的用于測試IC封裝件的例示性工藝的流程圖。

圖41-圖46描繪了根據各實施例的不同的磁體形狀和布置。

圖47-圖51描繪了根據各實施例的其中兩個插槽由于磁體位置的誤差或公差而可以具有多重對準均衡的場景。

圖52-圖54描繪了根據各實施例的由于磁體位置的誤差或公差而可以減輕對準問題的球形磁體布置。

具體實施方式

本文中公開了用于集成電路(IC)封裝件的對準夾具以及相關技術的實施例。在某些實施例中，用于IC封裝件的對準夾具可以包括第一插槽，該第一插槽具有尺寸被設置為接收IC封裝件的第一表面的凹陷部并具有被設置在凹陷部的外部的第一磁體布置，其中，IC封裝件具有與第一表面相對的第二表面并具有位于第二表面上的第一電接觸元件；以及第二插槽，該第二插槽具有第二電接觸元件并具有第二磁體布置。當IC封裝件被設置在凹陷部中，IC封裝件沿著第一軸被設置在第一插槽與第二插槽之間，并且第一磁體布置與第二磁體布置處于預定的均衡關系以使得第一插槽和第二插槽配對時，第一電接觸元件和第二電接觸元件可以對準。

隨著技術發展并且IC封裝件在尺寸上縮小，底側連接器間距以及因此頂側接觸部間距也縮小。頂側接觸部被某些傳統的測試夾具所使用，以便在對IC封裝件的測試期間進行電連接。頂側接觸部的示例包括頂側的穿模互連件(TMI)、暴露的焊盤、以及球柵陣列(BGA)接觸部。然而，隨著間距和特征尺寸減小，對于測試夾具的電探針而言適當地與頂側接觸部對準已經變得日益具有挑戰性。

某些測試夾具包括底部插槽(其中設置了IC封裝件)以及具有耦合至測試電路的電探針的頂部插槽。測試電路可以包括例如測試接口單元(TIU)和測試卡。卡可以被配置為電氣地和功能地測試并評估IC封裝件的性能。測試可以評估消費者最終使用的應用(例如，其中存儲器和中央處理單元(CPU)中的圖形核心進行交互的這些應用)的功能。在測試期間，由于存儲器可能未被附接，因此測試卡可以提供在被包括在測試卡中的存儲器與IC封裝件之間的接口。

傳統的測試夾具可以包括配準特征，以使電探針與IC封裝件的頂側上的期望的電接觸部進行對準。例如，某些傳統的測試夾具使用IC封裝件的邊緣以用于對準。在這些夾具中，底部插槽可具有位于IC封裝件的邊緣處的凹陷部，并且頂部插槽可具有朝凹陷部延伸的邊緣導引件(例如，2-4個邊緣導引件)。當頂部插槽與底部插槽配對時，頂部插槽可以被定位以使得邊緣導引件鄰接IC封裝件的邊緣。頂部插槽中的電探針相對于邊緣導引件的位置被定位，該邊緣導引件被假定為鄰近IC封裝件的邊緣。然而，使用這些夾具需要封裝件的尺寸和單體化精度極其高；如果IC封裝件的頂側上的電接觸部并未如所期望的精確地與IC封裝件邊緣間隔開，則頂部插槽中的電探針將無法接觸IC封裝件的頂側上的電接觸部。隨著間距減小，所需要的精度提高，并且獲得這種精度可能會過于昂貴。此外，由IC封裝件的邊緣上的邊緣導引件施加的機械力可能使得IC封裝件變為鍥入在頂部插槽中。對于薄的IC封裝件，由IC封裝件的邊緣上的邊緣導引件施加的機械力可能會損壞封裝件。

其它傳統的測試夾具可以使用底部插槽中的凹陷部以用于對準。在這些夾具中，底部插槽可以具有遠離IC封裝件的凹陷部，并且頂部插槽可具有朝凹陷部延伸的軸。凹陷部的尺寸可以被設置為精確地匹配軸的尺寸。當頂部插槽和底部插槽配對時，頂部插槽可以被定位以使得軸被固定在凹陷部中(例如，經由滑動配合)。頂部插槽中的電探針相對于軸的位置被定位，軸被假定為精確地位于它們相對應的凹陷部中。然而，軸與凹陷部之間過緊的配合可能會約束測試夾具。為了使得軸能夠容易地插入到凹陷部中并從凹陷部中被移除，當頂部插槽和底部插槽配對時，通常在軸與凹陷部之間留下“間隔”。例如，在某些應用中，基于公差疊加和分析，凹陷部的直徑可以尺寸過大100微米。當底部插槽和頂部插槽配對時，這可以允許50微米的“左-右”行程，這可能對于精細間距的IC封裝件是不夠精確的。此外，軸從凹陷部的插入和移除可能引起軸和凹陷部的磨損，降低了測試夾具的使用壽命。

本文中所公開的實施例中的某些實施例可以提供基于磁體的自對準機制，以實現被測試的IC封裝件與耦合至測試電路的電接觸元件之間的精細間距頂側接觸。例如，在某些實施例中，本文中所公開的技術可以結合具有間距為小于0.5毫米的頂側接觸部的IC封裝件使用。在某些實施例中，本文中所公開的技術可以結合間距為小于0.35毫米的頂側接觸部的IC封裝件使用。這些尺寸僅僅是例示性的，并且可以使用任何適當的尺寸。

本文中所公開的實施例中的各實施例可具有各種優點。與緊密匹配的軸和凹陷部對準相比，本文中所公開的基于磁體的對準技術中的某些技術可以不取決于機械摩擦力并因此可以呈現減小的磨損。此外，各種基于磁體的對準技術可能不需要任何“間隔”，并因此可以呈現改進的精度。與軸邊緣對準相比，本文中所公開的基于磁體的對準技術中的某些技術可以避免對緊密的封裝件邊緣對準和高精度封裝件周界制造的需要，并減小了封裝件損壞的風險。作為例示性的示例，在某些實施例中，可以在裝備有本文中所公開的磁體布置的兩個插槽之間實現小于30微米的對準精度。這種精度對于在間距為例如小于0.35毫米的IC封裝件上的成功的頂側對準可以是足夠的。

在以下具體實施方式中，參照了附圖，附圖形成了具體實施方式的部分，其中貫穿全文類似的附圖標記指代類似的部分，并且其中，通過可以實施的例示性實施例的方式進行了示出。應當理解，在不脫離本公開內容的范圍的情況下，可以利用其它實施例并且可以做出結構或邏輯改變。因此，并非在限制性的意義上采用以下具體實施方式，并且實施例的范圍由所附權利要求及其等同形式來限定。

各操作可以以最有助于理解所請求保護的主題的方式依次被描述為多個分立的動作或操作。然而，描述的順序不應當被解釋為暗示這些操作必須是依賴于順序的。具體而言，這些操作可以不以呈現的順序來執行。所描述的操作可以以與所描述的實施例不同的順序來執行。可以執行各種另外的操作和/或可以在另外的實施例中省略所描述的操作。

出于本公開內容的目的，短語“A和/或B”表示(A)、(B)、或(A和B)。出于本公開內容的目的，短語“A、B、和/或C”表示(A)、(B)、(C)、(A和B)、(A和C)、(B和C)、或(A、B、和C)。

說明書使用短語“在一個實施例中”、或者“在實施例中”，其均可以指代相同或不同實施例中的一個或多個實施例。此外，如針對本公開內容的實施例所使用的術語“包括”、“包含”、“具有”等等是同義詞。如本文中所使用的，術語“磁體”可以包括永磁體和電磁體。

圖1-圖4是對準夾具100和IC封裝件102的各實施例的分解側視圖。每個對準夾具100都可以包括第一插槽104和第二插槽116。磁體布置110和122可以分別被設置在第一插槽104和第二插槽116中，并且可以有利地實現第一插槽104與第二插槽116的適當的對準，如下面所討論的。

第一插槽104可以具有尺寸被設置為接收IC封裝件102的凹陷部106。具體而言，IC封裝件102的表面108可以在第一插槽104的表面130處被接收在凹陷部106中。在某些實施例中，凹陷部106可以包括多個導電接觸部(未示出)，其尺寸被設置為接觸IC封裝件102的表面108上的多個導電接觸部(未示出)中的對應的導電接觸部。例如，IC封裝件102的表面108可以包括多個導電球，并且凹陷部106可以包括多個導電插座，其中每個插座的尺寸都被設置為接收對應的球。在某些實施例中，IC封裝件102的表面108可以包括多個導電接觸部，并且凹陷部106可以包括多個孔，彈簧探針延伸穿過該多個孔以接觸多個導電接觸部中的對應的導電接觸部。

IC封裝件102可以具有與表面108相對的表面114。可以在IC封裝件102的表面114上設置電接觸元件120。盡管可以以單數形式來討論電接觸元件120，但這僅僅是為了例示的簡單起見，并且IC封裝件102可以包括多個電接觸元件120。第一插槽104可以具有與表面130相對的表面162。在某些實施例中，表面162可以經由一個或多個彈簧耦合至基座(以形成“浮置”插槽)。下面參照圖31和圖32討論了浮置插槽的某些示例。第一插槽104可以包括一個或多個側壁160。在某些實施例中，側壁160中的某些側壁可以成為凹陷部106的邊界。

第一插槽104可以具有第一磁體布置110。第一磁體布置110可以被設置在側部部分144中的凹陷部106的外部，并且可以包括一個或多個磁體112。插圖140描繪了磁體150的橫截面視圖(其可以是例如包括在第一磁體布置110中的磁體112中的任何磁體或者包括在第二磁體布置122中的磁體124中的任何磁體，下面討論)。磁體150可以具有“北”極性端152和“南”極性端154。可以在北極性端152與南極性端154之間定義縱軸156。

盡管磁體150被例示為具有延長的形狀，但磁體150可以被成形為盤狀、長方體、圓柱狀、或任何其它形狀。例如，在某些實施例中，磁體150可以具有直徑為大約1/16英寸的基本上圓柱形的形狀。下面參照圖41-46討論了可以結合本文中所公開的實施例中的任何實施例使用的磁體形狀的多個示例。盡管每個磁體150都具有北極性端152和南極性端154，但磁體在本文中可以被稱為是單極性的。該語言是簡單地簡寫的，并指代與磁體的與其附近的其它磁體的相互作用相關的該磁體的端部的極性。例如，如果第一磁體和第二磁體150使得它們的縱軸156對準，并且第一磁體150的北極性端152面對第二磁體150的南極性端154，則第一磁體150可以被稱為具有一個極性并且第二磁體150可以被稱為具有“相反”極性。當兩個磁體的北極性端與南極性端之間的吸引力超過兩個磁體之間的排斥力(例如，源自“相似的”極性端之間的磁性互斥)，則這種簡寫是適當的。類似地，如果第一磁體和第二磁體150使得它們的縱軸156對準，并且第一磁體150的北極性端152面對第二磁體150的北極性端152，則第一磁體150可以被稱為具有一個極性，并且第二磁體150可以被稱為具有“相同的”極性。當兩個磁體的類似的極性端(例如，北-北或南-南)之間的排斥力超過兩個磁體之間的吸引力(例如，源自相反的極性端之間的磁吸引)時，則這種簡寫可以是適當的。

每個對準夾具100還可以包括第二插槽116。第二插槽116可以具有電接觸元件118。在某些實施例中，電接觸元件118可以包括從表面136朝第一插槽延伸的導電引腳(未示出)。在各實施例中，導電引腳例如可以是彈簧探針。在各實施例中，導電引腳可以由金形成。盡管可以以單數形式討論電接觸元件118，但這僅僅是為了例示的簡單起見，并且第二插槽116可以包括多個電接觸元件118。第二插槽116可以具有與表面136相對的表面164。在某些實施例中，表面164可以經由一個或多個彈簧耦合至基座(以形成“浮置”插槽)。下面參照圖31和圖32討論了浮置插槽的某些示例。第二插槽116還可以在側部部分146中具有第二磁體布置122，側部部分146可以包括一個或多個磁體124。如以上提及的，磁體124可以采用磁體150的實施例中任何實施例的形式。

在本文中所公開的實施例中，第一插槽104和第二插槽116可以由任何適當的材料形成。例如，在某些實施例中，第一插槽104和/或第二插槽116可以由不銹鋼、銅、塑料、和/或其它非鐵磁材料形成。在某些應用中，某些塑料和金屬材料可以是有利的，這是因為它們的電阻隨著溫度和濕度而增大或縮小。包括在第一磁體布置110和第二磁體布置122中的磁體可以由任何適當的磁性材料形成。例如，在某些實施例中，包括在第一磁體布置110和/或第二磁體布置122中的磁體可以是釹磁體或稀土磁體。用于對準夾具100中的磁體的尺寸、形狀、和材料可以基于針對特定應用所期望的磁力的方向和大小來選擇。

在使用中，當IC封裝件102被設置在凹陷部106中，IC封裝件102沿著軸126(未示出)被設置在第一插槽104與第二插槽116之間，并且第一磁體布置110與第二磁體布置122處于預定的均衡關系以使得第一插槽104和第二插槽116配對時，IC封裝件102的電接觸元件120和第二插槽116的電接觸元件118可以對準。

當第一插槽104與第二插槽116配對時，IC封裝件102可以固定在第一插槽104的表面130與第二插槽116的表面136之間。具體而言，在某些實施例中，第一插槽104的凹陷部106可以在IC封裝件102的表面108上提供“向上的”力，而第二插槽116的表面136可以在IC封裝件102的表面114上提供“向下的”力。這些力可以實現IC封裝件102的表面108與凹陷部106之間的穩定接觸(例如，實現IC封裝件102的表面108上的電接觸部與第一插槽104的凹陷部106中的對應的電接觸部之間的穩定的電接觸)，以及IC封裝件102的表面114與第二插槽116的表面136之間的穩定接觸(例如，實現IC封裝件102的電接觸元件120與第二插槽116的電接觸元件118之間的穩定的電接觸)。

圖1-圖4例示了其中第一磁體布置110和第二磁體布置122中的磁體112和磁體124的縱軸(例如，參照圖1中的插圖140討論的縱軸156)分別可以被定向為平行于軸126的各實施例。在某些實施例中，第一磁體布置110中的磁體112具有在第二磁體布置122中的對應的磁體124，并且當第一插槽104與第二插槽116配對時，磁體112及其對應的磁體124共享公共縱軸。具體而言，磁體112及其對應的磁體124可以被布置為使得具有面對彼此的相反的極性端。例如，磁體112的北極性端152可以面對磁體124的南極性端154。當使磁體112和磁體124靠近時，這些相反的極性端之間的吸引可以引起磁體112與磁體124之間的自對準。

圖5中例示了這種自對準。在例示(A)中，使磁體112與磁體124靠近。磁體112的南極性端154可以面對磁體124的北極性端152，并且磁體112和124的縱軸可能不同位。磁體112的南極性端154與磁體124的北極性端152之間的磁吸引可以生成將磁體112的南極性端154與磁體124的北極性端152拉到一起并使得縱軸對齊的力。

如圖1-4中所示出的，在某些實施例中，一個或多個磁體112可以被設置為圍繞第一插槽104的周界以形成第一磁體布置110。一個或多個磁體124可以被布置為圍繞第二插槽116的周界而處于與第一磁體布置110中的磁體112的位置互補的位置，并具有與對應的磁體112和第一磁體布置110的極性相反的極性。下面參照圖6-圖11討論了可以結合圖1-圖4中的實施例一起使用的多個磁體布置。

由于在第一磁體布置110與第二磁體布置122之間所施加的力可以提供第一插槽104和第二插槽116的對準，因此第一插槽104和第二插槽116的各個特征的尺寸可以被設置為使得允許第一插槽104和第二插槽116在沒有大量機械阻抗的情況下相對于彼此旋轉和/或平移。例如，如果第一插槽104和第二插槽116的機械特征被制造為當第一插槽104和第二插槽116配對(例如，一個插槽的突出部的尺寸精確地匹配另一插槽中的對應的凹陷部的尺寸)時以“緊密的”方式組裝在一起，則第一插槽104與第二插槽116之間的相對移動可能受約束，妨礙第一磁體布置110和第二磁體布置122適當地對準。因此，在某些實施例中，第一插槽104和第二插槽116中的機械互補的特征的尺寸可以被設置為包括“間隔”，該間隔將允許對第一插槽104和第二插槽116的調整以實現第一磁體布置110和第二磁體布置122的期望的對準。此外，用于第一插槽104、第二插槽116、以及磁體112和124的材料可以被選擇為使得第一磁體布置110與第二磁體布置122之間的磁力足以克服在第一插槽104與第二插槽116接觸時它們之間的摩擦力。

現在進一步詳細地討論圖1-圖4中的各實施例。在圖1中，第一插槽104包括兩個凹陷部：凹陷部106(用于接收IC封裝件102)和凹陷部128。凹陷部106可以被設置在凹陷部128中。因此，第一插槽104可以包括形成凹陷部106的邊界的側壁160以及形成凹陷部128的邊界的側壁160。第二插槽116的電接觸元件118可以設置在表面136上。在圖1中的實施例中，表面136可以是基本上平坦的。當第一插槽104和第二插槽116配對時，IC封裝件102可以基本上完全被設置在第一插槽104的凹陷部106中，并且IC封裝件102的表面114可以被第二插槽116的表面136接觸。第一磁體布置110中的磁體112和第二磁體布置122中的磁體124可以定向為使它們的縱軸平行于軸126。

在圖2中，第一插槽104可以包括單個凹陷部106(用于接收IC封裝件102)。側壁160可以形成凹陷部106的邊界。第二插槽116可以包括凹陷部202，并且第二插槽116的電接觸元件118可以設置在凹陷部202中的表面136中。凹陷部202的尺寸可以被設置為使得當第一插槽104和第二插槽116配對時，IC封裝件102可以被設置在第一插槽104的凹陷部106中以及第二插槽116的凹陷部202中。第一磁體布置110中的磁體112和第二磁體布置122中的磁體124可以被定向為使它們的縱軸平行于軸126。

在圖3中，第一插槽104可以包括單個凹陷部106(用于接收IC封裝件102)。側壁160可以形成凹陷部106的邊界。第二插槽116可以包括突出部302，其尺寸可以被設置為使得當第一插槽104和第二插槽116配對時，突出部302延伸到凹陷部106中以接觸IC封裝件102的表面114。第一磁體布置110中的磁體112和第二磁體布置122中的磁體124可以被定向為使它們的縱軸平行于軸126。

在圖4中，第一插槽104包括突出部402，并且凹陷部106可以設置在突出部402中。因此，第一插槽104可以包括形成突出部402和凹陷部106的邊界的側壁160。第二插槽116可以包括凹陷部404，并且第二插槽116的電接觸元件118可以設置在凹陷部404的表面136中。突出部402和凹陷部404的尺寸可以被設置為使得當第一插槽104和第二插槽116配對時，突出部402延伸到凹陷部404中，并且IC封裝件102設置在第一插槽104的凹陷部106中以及第二插槽116的凹陷部404中。第一磁體布置110中的磁體112和第二磁體布置122中的磁體124可以被定向為使它們的縱軸平行于軸126。

圖6-圖11是第一插槽104中的第一磁體布置110中的個體磁體112的布置的各實施例的頂視圖，其中個體磁體112的縱軸被定向為平行于軸126(未示出)。下面參照圖6-圖11所討論的布置中的任何布置可以包括在以上參照圖1-圖4所討論的對準夾具100的實施例中的任何實施例中。圖6-圖11中所例示的磁體布置110僅僅是示例，并且磁體112的任何期望的布置可以用在磁體布置110中。圖6-圖11中所指示的特定極性(例如，代表北的“N”和代表南的“S”)僅僅是例示性的。

為了便于例示，在圖6-圖11中僅例示了磁體布置110；以形成對準夾具100，第二插槽116的第二磁體布置122可以具有以互補模式布置的并具有相反極性的磁體124，以使得第一磁體布置110中的每個磁體112都具有第二磁體布置122中的對應磁體124(具有相反極性)。具體而言，第二磁體布置122中的磁體124可以被定位以使得當第一插槽104與第二插槽116配對時，第一磁體布置110中的磁體112與第二磁體布置122中的磁體124可以沿著它們相應的縱軸而對準。如以上提及的，第一磁體布置110中的磁體112與第二磁體布置122中的磁體124之間的磁吸引可以引起第一插槽104與第二插槽116的自對準；當使第一插槽104和第二插槽116靠近時，磁力可以引起第一磁體布置110和第二磁體布置122的適當的對準。具體而言，第一磁體布置110與第二磁體布置122之間的凈磁力可以是吸引力。

圖6是具有基本上為方形并且由側壁160限制的凹陷部106的第一插槽104的實施例的頂視圖。第一磁體布置110包括被設置在矩形的四個角處的四個磁體112A-112D；在此，每個磁體都可以被設置為鄰近凹陷部106的不同的角。磁體112A-112D的極性可以全部相同(例如，“N”)；第二插槽116的第二磁體布置122中的對應磁體124的極性可以與磁體112A-112D的極性相反(例如，“S”)。在該實施例中，由于第一磁體布置110的旋轉對稱性，因此第一插槽104和第二插槽116可以以4個不同的配置中的任何配置配對，每個配置表示一個插槽相對于另一個插槽旋轉90度。

圖7是具有基本上為方形并且由側壁160限制的凹陷部106的第一插槽104的實施例的頂視圖。第一磁體布置110包括被設置在矩形的四個角處的四個磁體112A-112D；在此，每個磁體都可以被設置為鄰近凹陷部106的角。磁體112A-112D的極性可以不全相同。具體而言，在圖7中，四個磁體中的兩個磁體具有第一極性并且被設置在呈對角的角處(例如，“N”磁體112A和112C)，并且四個磁體中的兩個磁體具有與第一極性不同的第二極性并且被設置在不同的呈對角的角處(例如，“S”磁體112B和112D)。在該實施例中，由于第一磁體布置110的旋轉對稱性，因此第一插槽104和第二插槽116可以以兩個不同配置中的任何配置而配對，每個配置表示一個插槽相對于另一個插槽旋轉180度。在其它實施例中，圖7中的第一磁體布置110中的磁體112中僅一個磁體可具有特定的極性，并且剩余磁體可具有相反的極性。在這種實施例中，第一磁體布置110的旋轉對稱性的缺乏可以表示在第一插槽104與第二插槽116之間存在唯一的配置，其允許第一磁體布置110與第二磁體布置122適當地對準。

圖8是具有基本上為方形并且由側壁160限制的凹陷部106的第一插槽104的實施例的頂視圖。第一磁體布置110包括被設置在矩形的四個角處的四個磁體112A-112D；在此，每個磁體都可以被設置為鄰近基本上方形的凹陷部106的側部的中心。磁體112A-112D的極性可以全都相同(例如，“N”)；第二插槽116的第二磁體布置122中的對應磁體124的極性可以與磁體112A-112D的極性相反(例如，“S”)。在該實施例中，由于第一磁體布置110的旋轉對稱性，因此第一插槽104和第二插槽116可以以四個不同配置中的任何配置而配對，每個配置表示一個插槽相對于另一個插槽旋轉90度。在其它實施例中，圖8中的第一磁體布置110中的磁體112中的僅一個磁體可以具有特定的極性，并且剩余磁體可以具有相反的極性。在這種實施例中，第一磁體布置110的旋轉對稱性的缺乏可以表示在第一插槽104與第二插槽116之間存在唯一的配置，其允許第一磁體布置110與第二磁體布置122適當地對準。

圖9是具有基本上是方形的并且由側壁160限制的凹陷部106的第一插槽104的實施例的頂視圖。第一磁體布置110包括四個磁體112A-112D，其中兩個磁體(112B和112C)具有第一極性(例如，“N”)并且兩個磁體(112A和112D)具有與第一極性相反的第二極性(例如，“S”)。具有相反極性的一對磁體被設置為鄰近凹陷部106的一個角(例如，磁體112A和112B)，并且具有相反極性的另一對磁體(例如，磁體112C和112D)被設置為鄰近凹陷部106的不同的角。在圖9中，兩個角是呈對角線的，但并非必須是這種情形。在某些實施例中，相鄰的角可以鄰近一個、兩個、或更多個磁體。在圖9中的實施例中，由于第一磁體布置110的旋轉對稱性，第一插槽104和第二插槽116可以以兩個不同配置中的任何配置而配對，每個配置表示一個插槽相對于另一個插槽旋轉180度。在其它實施例中，圖9中的第一磁體布置110中的磁體112中的僅一個磁體可以具有特定的極性，并且剩余磁體可具有相反的極性。在這種實施例中，第一磁體布置110的旋轉對稱性的缺乏可以表示在第一插槽104與第二插槽116之間存在唯一的配置，其允許第一磁體布置110與第二磁體布置122適當地對準。

圖10是具有基本上是矩形的而非基本上是方形的并且由側壁160限制的凹陷部106的第一插槽104的實施例的頂視圖。圖10中的第一插槽104還具有并非基本上是方形或矩形的外邊界1000。本文中所公開的對準夾具100的實施例中的任何實施例的第一插槽104和/或第二插槽116的外邊界可以采用任何期望的形狀(例如，方形、矩形、三角形、任何其它多邊形、圓形、以及不規則形狀、或任何期望的形狀或形狀的組合)。第一磁體布置110包括被設置在矩形的四個角處的四個磁體112A-112D；在此，每個磁體都可以被設置為鄰近于基本上矩形的凹陷部106的側部的中心。具體而言，在圖10中，四個磁體中的兩個磁體具有第一極性并且被設置在呈對角的角處(例如，“N”磁體112A和112C)，并且四個磁體中的兩個磁體具有與第一極性不同的第二極性并且被設置在不同的呈對角的角處(例如，“S”磁體112B和112D)。在該實施例中，由于第一磁體布置110的旋轉對稱性，第一插槽104和第二插槽116可以以兩個不同的配置中的任何配置而配對，每個配置表示一個插槽相對于另一個插槽旋轉180度。在其它實施例中，圖10中的第一磁體布置100中的磁體112中僅一個磁體可以具有特定的極性，并且剩余磁體可具有相反的極性。在這種實施例中，第一磁體布置110的旋轉對稱性的缺乏可以表示在第一插槽104與第二插槽116之間存在唯一的配置，其允許第一磁體布置110與第二磁體布置122適當地對準。

圖11是具有基本上是方形的并且由側壁160限制的凹陷部106的第一插槽104的實施例的頂視圖。圖11中的第一插槽104還具有并非基本上是方形或矩形的外邊界1100(例如，如參照圖10中的第一插槽104的外邊界1000所討論的)。第一磁體布置110包括被設置在凹陷部106周圍的不規則位置處的四個磁體112A-112D。盡管磁體112A-112D的極性被示出為是相同的，但并非必須是這種情形，并且可以使用極性的任意組合。由于圖11中的第一磁體布置110的旋轉對稱性的缺乏，因此在第一插槽104與第二插槽116之間可以存在唯一的配置，其允許第一磁體布置110與第二磁體布置122適當地對準。

在某些實施例中，第一磁體布置110可以包括參照圖6-圖11所討論的布置中的一個或多個布置。例如，第一磁體布置110可以包括圖6中的磁體112和圖8中的磁體112。

圖12是具有圖1中所例示的形式并具有圖7中的第一磁體布置110的對準夾具100的實施例的分解透視圖。針對對準夾具100而使用圖1中所例示的形式僅僅是例示性的，并且可以使用圖1-圖4中的實施例中的任何實施例(或任何其它適當的實施例)。使用圖7中的第一磁體布置110僅僅是例示性的，并且可以使用圖6-圖11中的第一磁體布置110中的任何磁體布置(或任何其它適當的磁體布置)。第二插槽116可以具有第二磁體布置122，該第二磁體布置122具有被定位以使得與第一磁體布置110中的磁體112對準的個體磁體124(未示出)。個體磁體124還可以具有與第一磁體布置110中的對應的磁體112互補的極性。在使用期間，IC封裝件102(未示出)可以被設置在第一插槽104的凹陷部106中，并且第一插槽104和第二插槽116可以通過使第二插槽116的側部部分146與第一插槽104的側部部分144接觸來進行配對。

在某些實施例中，可以通過將磁體插入形成在插槽的表面中的孔中來將磁體(例如，第一磁體布置110和/或第二磁體布置122中的磁體)包括在插槽(例如，第一插槽104和/或第二插槽116)中。在某些實施例中，孔的尺寸可以被設置為使得磁體可以通過摩擦配合而固定在孔中。在某些實施例中，磁體可以被粘合或者以其它方式被固定在孔中。磁體可以在孔內呈現很小的移動或沒有移動。在某些實施例中，孔可以通過精密加工技術(例如，高速鉆孔)來形成。在各實施例中，磁體的表面可以延伸超出插槽的其中形成孔的表面，與插槽的其中形成孔的表面齊平、或者被設置在插槽的其中形成孔的表面下方。

圖13-圖18描繪了被設置在第一插槽104的側部部分144的表面1300上的第一磁體布置110中的磁體112的各實施例。表面1300可以包括側部部分144的任何表面，例如垂直于軸126的表面或者垂直于與軸126正交的軸的表面。在圖13-18中的例示中對磁體112和第一插槽104的引用僅僅是例示性的，并且可以針對第二插槽116的第二磁體布置122中的磁體124中任何磁體來實施實施例中的任何實施例。圖13描繪了其中磁體112的表面170被設置為與第一插槽104的表面1300齊平的實施例。當表面1300將接觸第二插槽116的表面時，可以期望齊平對準，并且期望在磁體112與其在第二磁體布置122中的一個或多個配對物(未示出)之間的最小距離(以及最大的磁力)。然而，如果制造公差導致磁體112具有偶然延伸超出表面1300的表面170，則表面1300與第二插槽116之間的適當接觸可能會受阻。圖14描繪了其中磁體112的表面170延伸超出第一插槽104的表面1300的實施例。當表面1300將不接觸第二插槽116的表面時，可以期望這種實施例，并且期望在磁體112與其在第二磁體布置122中的一個或多個配對物(未示出)之間的最小距離(以及最大磁力)。圖15描繪了其中磁體112的表面170被設置在第一插槽104的表面1300下方的實施例。當表面1300將接觸第二插槽116的表面時，可以期望這種實施例，并且甚至當磁體112的表面170被間隔開時，磁體112與其在第二磁體布置122中的一個或多個配對物之間的耦合強度是足夠的。

在某些實施例中，插槽中的孔可以是斜切的。這些實施例可以包括上面參照圖13-圖15中的實施例所討論的類似的優點和缺點。圖16描繪了其中磁體112的表面170被設置為與表面1300中的斜切部分1602的底部齊平的實施例。圖17描繪了其中磁體112的表面170延伸超過表面1300中的斜切部分1702的底部的實施例。圖18描繪了其中磁體112的表面170被設置在表面1300中的斜切部分1802的底部下方的實施例。在各實施例中，第一磁體布置110中的磁體112(和/或第二磁體布置122中的磁體124)可以采用圖13-圖18中所例示的實施例中的一個或多個實施例中的任何實施例的形式。選擇使用哪種形式可以取決于應用。例如，由于更難以將更靠近在一起的具有相反極性的磁體拉開，因此在其中剩余部件可以承受分離的力的實施例中，可以允許具有相反極性的磁體接觸；在其中剩余部件將會因使兩個接觸的磁體分開而被過度加壓的實施例中，磁體可以有利地保持分開而處于均衡位置。在其中電磁體用在第一磁體布置110和閃存或第二磁體布置122中的實施例中，在完成對準之后，至電磁體的電力可以被斷開，以便使第一插槽104和第二插槽116更容易地脫離。在某些實施例中，對于在對準期間以吸引模式工作的電磁體，當期望使第一插槽104和第二插槽116脫離時，可以施加相反的極性的電壓，由此生成排斥力而非吸引力并使得更容易地使插槽脫離。

圖13-圖18中所例示的實施例僅僅是例示性的，并且其它配置可用于第一插槽104與第二插槽116之間的界面。例如，界面可以是基本上平面的(例如，第一插槽104和第二插槽116的接觸表面可以均被局部地布置為平面)。在某些實施例中，界面可以是非平面的。例如，第一插槽104可以包括半球狀突出部并且第二插槽116可以包括尺寸被設置為接收第一插槽104的半球狀突出部的半球狀凹陷部。可以使用任何其它適當的配置。

圖19-圖21是對準夾具100和IC封裝件102的各實施例的分解的側視圖。具體而言，圖19-圖21例示了其中第一磁體布置110和第二磁體布置122中的磁體112和磁體124的縱軸(未示出)分別被定向為垂直于軸126的各實施例。因此，當第一插槽104和第二插槽116沿著軸126的方向移動接近時，磁體112和磁體124可以沿著垂直于縱軸(其中根據圖1中的縱軸156所定義的縱軸)的“橫向”方向(與沿著縱軸的“軸向”方向相反)而彼此靠近。類似地，當第一插槽104和第二插槽116沿著軸126的方向而移動遠離時(例如，當第一插槽104和第二插槽116去配對(un-mated)時)，磁體112和磁體124可以沿著“橫向”方向彼此分離開。當與沿著“軸向”方向的分離相比，磁體112和磁體124沿著“橫向”方向被分離開時，可能需要較小的力來克服摩擦，因此，相對于圖1-圖4中的實施例而言，對于圖19-圖21中的實施例，使第一插槽104和第二插槽116去配對可能較為容易。

在圖19-圖21中的對準夾具的某些實施例中，第一磁體布置110中的磁體112具有在第二磁體布置122中的對應的磁體124，并且當第一插槽104與第二插槽116配對時，磁體112及其對應的磁體124共享共同的縱軸。在某些實施例中，一個磁體布置(例如，第一磁體布置110或第二磁體布置122)中的磁體的縱軸被定向為平行于另一個磁體布置(例如，另一磁體布置)中的兩個磁體的縱軸，但是一個磁體布置中的磁體的縱軸沿著垂直于磁體的縱軸的方向被設置在另一個磁體布置中的兩個磁體的縱軸之間。下面參照圖22-圖25討論可以結合圖19-圖21的實施例使用的多個磁體布置。

如上面參照圖1-圖4所討論的，每個對準夾具100都可以包括第一插槽104和第二插槽116。磁體布置110和122可以分別被設置在第一插槽104和第二插槽116中，并且可以有利地實現第一插槽104與第二插槽116的適當對準，如下面討論的。第一插槽104可以具有尺寸被設置為接收IC封裝件102的凹陷部106。具體而言，IC封裝件102的表面108可以在第一插槽104的表面130處被接收在凹陷部106中。在某些實施例中，凹陷部106可以包括多個導電接觸部(未示出)，其尺寸被設置為接觸多個導電接觸部(未示出)IC封裝件102的表面108上的多個導電接觸部(未示出)中的對應的導電接觸部。例如，IC封裝件102的表面108可以包括多個導電球，并且凹陷部106可以包括多個導電插座，其中，每個插座的尺寸都被設置為接收對應的球。IC封裝件102可具有與表面108相對的表面114。電接觸元件120可以被設置在IC封裝件102的表面114上。第一插槽104可具有與表面130相對的表面162。在某些實施例中，表面162可以經由一個或多個彈簧耦合至基座(例如，如下面參照圖31和圖32所討論的)。第一插槽104可以包括一個或多個側壁160。在某些實施例中，側壁160中的某些側壁可以形成凹陷部106的邊界。

第一插槽104可具有第一磁體布置110。第一磁體布置110可以被設置在凹陷部106的外部，并且可以包括一個或多個磁體112(其可以采用以上參照圖1所討論的磁體150的實施例中的任何實施例的形式)。

每個對準夾具100還可以包括第二插槽116，其可以具有電接觸元件118。在某些實施例中，電接觸元件118可以包括從表面136朝第一插槽延伸的引腳(未示出)。第二插槽116可具有與表面136相對的表面164。在某些實施例中，表面164可以經由一個或多個彈簧耦合至基座(例如，如下面參照圖31和圖32所討論的)。第二插槽116可具有第二磁體布置122，其可以包括一個或多個磁體124。如以上提及的，磁體124可以采用磁體150的實施例中的任何實施例的形式。

在使用中，如以上參照圖1-圖4所討論的，當IC封裝件102被設置在凹陷部106中，IC封裝件102沿著軸126被設置在第一插槽104與第二插槽116之間(如示出的)，并且第一磁體布置110處于與第二磁體布置122的預定的均衡關系中以使得第一插槽104和第二插槽116配對時，IC封裝件102的電接觸元件120和第二插槽116的電接觸元件118可以對準。當第一插槽104與第二插槽116配對時，IC封裝件102可以被固定在第一插槽104的表面130與第二插槽116的表面136之間，如以上參照圖1-圖4所討論的。

如以上參照圖1-圖4所討論的，在圖19-圖21的實施例中的第一磁體布置110與第二磁體布置122之間施加的力可以提供第一插槽104和第二插槽116的對準。因此，在圖19-圖21的實施例中的第一插槽104和第二插槽116的各個特征的尺寸可以被設置為使得允許第一插槽104和第二插槽116在沒有大量機械阻抗的情況下相對于彼此而旋轉和/或平移，并且用于第一插槽104、第二插槽116、和磁體112和124的材料可以被選擇為使得第一磁體布置110與第二磁體布置122之間的磁力足以克服第一插槽104與第二插槽116在接觸時它們之間的摩擦力。

現在另外詳細討論圖19-圖21中的各實施例。在圖19中，第一插槽104可以包括兩個凹陷部：凹陷部106(用于接收IC封裝件102)和凹陷部128。凹陷部106可以設置在凹陷部128中。因此，第一插槽104可以包括形成凹陷部106的邊界的側壁160以及形成凹陷部128的邊界的側壁160。第二插槽116的電接觸元件118可以被設置在表面136上。在圖19的實施例中，表面136可以是基本上平坦的。當第一插槽104和第二插槽116配對時，IC封裝件102可以基本上完全被設置在第一插槽104的凹陷部106中，第二插槽116可以被設置在凹陷部128中，并且IC封裝件102的表面114可以被第二插槽116的表面136接觸。第一磁體布置110中的磁體112和第二磁體布置122中的磁體124可以被分別設置在側部部分144和146中，并且可以被定向為使它們的縱軸平行于軸126。

在圖20中，第一插槽104可以包括兩個凹陷部：凹陷部106(用于接收IC封裝件102)和凹陷部128。凹陷部106可以設置在凹陷部128中。因此，第一插槽104可以包括形成凹陷部106的邊界的側壁160以及形成凹陷部128的邊界的側壁160。第二插槽116可以包括突出部2002，其尺寸可以被設置為使得當第一插槽104和第二插槽116配對時，突出部2002延伸到凹陷部128中以接觸IC封裝件102的表面114。第二插槽116的電接觸元件118可以設置在突出部2002的表面136上。第一磁體布置110中的磁體112和第二磁體布置122中的磁體124可以分別被設置在側部部分144和146中，并且可以被定向為使它們的縱軸平行于軸126。

在圖21中，第一插槽104可以包括兩個凹陷部：凹陷部106(用于接收IC封裝件102)和凹陷部128。凹陷部106可以設置在凹陷部128中。因此，第一插槽104可以包括形成凹陷部106的邊界的側壁160以及形成凹陷部128的邊界的側壁160。第一插槽104還可以在側部部分144中包括突出部2108。第一磁體布置110可以設置在突出部2108中。第二插槽116可以包括凹陷部2102，在其上可以設置有突出部2104。第二插槽116的電接觸元件118可以設置在突出部2104的表面136上。第二插槽116還可以在側部部分146中包括突出部2106。第二磁體布置122可以設置在突出部2106中。突出部2104和突出部2106的尺寸可以被設置為使得：當第一插槽104和第二插槽116配對時，突出部2104延伸到凹陷部128中以接觸IC封裝件102的表面114，并且突出部2106被定位在突出部2108旁邊。第一磁體布置110中的磁體112和第二磁體布置122中的磁體124可以分別被設置在側部部分144和146中(例如，分別在突出部2108和2106中)，并且可以被定向為使它們的縱軸平行于軸126。

圖22和圖23是第一磁體布置110中的個體磁體112和第二磁體布置122中的個體磁體124的布置的各實施例的頂部、橫截面視圖，其中它們的縱軸被定向為垂直于軸126(圖19-圖21)。具體而言，圖22和圖23中所例示的實施例被配置為經由第一磁體布置110與第二磁體布置122之間的吸引來實現第一插槽104與第二插槽116之間的自對準。具體而言，第一磁體布置110與第二磁體布置122之間的凈磁力可以是吸引力。下面參照圖22-圖23所討論的布置中的任何布置都可以包括在上面參照圖19-圖21所討論的對準夾具100的實施例中的任何實施例中。圖22-圖23中所例示的磁體布置110和122僅僅是示例，并且可以在圖19-圖21的實施例的磁體布置110和122中分別使用磁體122和124的任何期望的布置。具體而言，在某些實施例中，第一磁體布置110可以采用第二磁體布置122的圖22和圖23中所例示的形式，并且第二磁體布置122可以采用第一磁體布置110的圖22和圖23中所例示的形式。在圖22-圖23中所指示的特定磁性(例如，代表北的“N”和代表南的“S”)僅僅是例示性的。

第二磁體布置122中的磁體124可以被定位以使得當第一插槽104與第二插槽116配對時，第一磁體布置110中的磁體112與第二磁體布置122中的磁體124可以沿著它們相應的縱軸而對準。如以上提及的，第一磁體布置110中的磁體112與第二磁體布置122中的磁體124之間的磁吸引可以引起第一插槽104與第二插槽116的自身的對準；當使第一插槽104和第二插槽116靠近時，磁力可以引起第一磁體布置110和第二磁體布置122的適當的對準。

在圖22中，第一磁體布置110包括被設置在矩形的四個角處的四個磁體，112A-112D，在此，鄰近于第一插槽104的基本上方形的橫截面的側部的中心。磁體112A-112D的極性(例如，面向以及因此主要與第二磁體布置122相互作用的磁體112A-112D的極性)可以全都相同(例如，“N”)。第二磁體布置122包括被設置在矩形的四個角處的四個磁體，124A-124D，在此，鄰近于第二插槽116的基本上方形的橫截面的側部的中心。第二插槽116的第二磁體布置122中的磁體124A-124B的極性可以與對應的磁體112A-112B的極性相同(例如，“N”)。因此，磁體對112A/124A和112B/124B可以處于排斥的布置中。第二插槽116的第二磁體布置122中的磁體124C-124D的極性可以與對應的磁體112C-112D的極性相反(例如，“S”)。因此，磁體對112C/124C和112D/124D可以處于吸引的關系中。由于磁體布置110和122中的磁體的強度可能不是均勻的，因此包括排斥力和吸引力兩者的磁體布置可以有利地允許吸引力在未被沿其它方向的不平衡力折衷的情況下使插槽的一部分對準。在該實施例中，由于第一磁體布置110的旋轉對稱性，第一插槽104和第二插槽116可以在四個不同的配置中的任何配置中配對，每個配置表示一個插槽相對于另一插槽旋轉90度。

在圖23中，第一磁體布置110包括四個磁體，112A-112D，其中兩個磁體(112B和112D)具有第一極性(例如，“N”)并且兩個磁體(112A和112C)具有與第一極性相反的第二極性(例如，“S”)。具有相反極性的一對磁體被設置為鄰近于凹陷部106的一個角(例如，磁體112A和112D)，并且具有相反極性的另一對磁體(例如，磁體112B和112C)被設置為鄰近于凹陷部106的不同的角。在圖23中，兩個角是呈對角線的，但是并非必須是這種情形。在某些實施例中，相鄰的角可以鄰近于一個、兩個、或更多個磁體。第二磁體布置122包括四個磁體，124A-124D，其中兩個磁體(124B和124C)具有與第一磁體布置110中的對應的磁體(例如，磁體112B和112C)的極性相反的極性(例如，分別為“S”和“N”)，并且兩個磁體(124A和124D)具有與第一磁體布置110中的對應的磁體(例如，磁體112A和112D)的極性相同的極性(例如，分別為“S”和“N”)。因此，磁體對112A/124A和112D/124D可以處于排斥的布置中，并且磁體對112B/124B和112C/124C可以處于吸引的關系中。由于磁體布置110和122中的磁體的強度可能不是均勻的，因此包括排斥力和吸引力兩者的磁體布置可以有利地允許吸引力在不被沿其它方向的不平衡力折衷的情況下使插槽的一部分對準。在圖23中的實施例中，由于第一磁體布置110的旋轉對稱性，因此第一插槽104和第二插槽116可以在兩個不同配置中的任一個配置中配對，每個配置表示一個插槽相對于另一插槽旋轉180度。在其它實施例中，圖23中的第一磁體布置110中的磁體112中的僅一個磁體可以具有特定的極性，并且剩余磁體可具有相反的極性。在這種實施例中，第一磁體布置110的旋轉對稱性的缺乏可以表示在第一插槽104與第二插槽116之間存在唯一的配置，其允許第一磁體布置110與第二磁體布置122適當地對準。

圖24和圖25是第一磁體布置110中的個體磁體112和第二磁體布置122中的個體磁體124的布置的各實施例的頂部、橫截面視圖，其中它們的縱軸156被定向為垂直于軸126(圖19-圖21)。具體而言，圖24和圖25中所例示的實施例被配置為經由第一磁體布置110與第二磁體布置122之間的排斥來實現第一插槽104與第二插槽116之間的自對準。具體而言，第一磁體布置110與第二磁體布置122之間的凈磁力可以是排斥力。下面參照圖24和圖25所討論的布置中的任何布置都可以包括在上面參照圖19-圖21所討論的對準夾具100的實施例中的任何實施例中。圖24-圖25中所例示的磁體布置110和122僅僅是示例，并且磁體112和124的任何期望的布置可以分別用在圖19-圖21的實施例中的磁體布置110和122中。具體而言，在某些實施例中，第一磁體布置110可以采用第二磁體布置122的在圖24和圖25中所例示的形式，并且第二磁體布置122可以采用第一磁體布置110的在圖24和圖25中所例示的形式。在圖24和圖25中所指示的特定極性(例如，代表北的“N”和代表南的“S”)僅僅是例示性的。

在圖24中，第一磁體布置110包括被分組成四個磁體對2402A-2402D的八個磁體112。這些磁體對2402A-2402D被設置在矩形的四個角處，在此，鄰近于基本上方形的第一插槽104的側部的中心。對2402中的磁體112可以分開任何期望的距離；例如，在某些實施例中，磁體112的縱軸156可以被間隔開幾毫米。第二磁體布置122包括四個磁體，124A-124D，每個磁體都對應于第一磁體布置110中的磁體對2402A-2402D中的一個磁體對。磁體112的極性(例如，面對并且因此主要與第二磁體布置122相互作用的磁體112的極性)可以全都相同(例如，“S”)。對應的磁體124的極性可以與磁體112的極性相同(例如，“S”)。第二磁體布置122中的磁體124的縱軸156可以被定向為平行于第一磁體布置110中的對應的磁體112對的縱軸156。例如，磁體124A的縱軸156可以平行于包括在對2402A中的磁體112的縱軸156。此外，磁體124的縱軸156可以沿著垂直于磁體124的縱軸156的方向(例如，箭頭2406所指示的方向)被設置在對應的磁體對中的磁體112的縱軸156之間。例如，磁體124A的縱軸156可以沿著垂直于磁體124的縱軸156的方向2406被設置在包括在對2402A中的磁體112的縱軸156之間。

在圖25中，第二磁體布置122包括被分組成四個磁體對2502A-2502D的八個磁體124。這些磁體對2502A-2502D被設置在矩形的四個角處，在此，鄰近于第二插槽116的基本上方形的橫截面的側部的中心。對2502中的磁體124可以分開任何期望的距離；例如，在某些實施例中，磁體124的縱軸156可以被間隔開幾毫米。第一磁體布置110包括四個磁體，112A-112D，每個磁體對應于第二磁體布置122中的磁體對2502A-2502D中的一個磁體對。磁體124的極性(例如，面對并且因此主要與第一磁體布置110相互作用的磁體124的極性)可以全都相同(例如，“N”)。對應的磁體112的極性可以與磁體124的極性相同(例如，“N”)。第一磁體布置110中的磁體112的縱軸156可以被定向為平行于第二磁體布置122中的對應的磁體124對的縱軸156。例如，磁體112A的縱軸156可以平行于包括在對2502A中的磁體124的縱軸156。此外，磁體112的縱軸156可以沿著垂直于磁體112的縱軸156的方向(例如，箭頭2406所指示的方向)被設置在對應的磁體對中的磁體124的縱軸156之間。例如，磁體112A的縱軸156可以沿著垂直于磁體112的縱軸156的方向2406被設置在包括在對2502A中的磁體124的縱軸156之間。

在圖24和圖25的實施例中，第一磁體布置110中的磁體112與第二磁體布置122中的磁體124的“類似的”極性端之間的排斥可以沿著箭頭2406和2408所指示的方向而實現第一插槽104與第二插槽116的自對準。具體而言，一對類似極性的磁體之間的磁體的排斥可以在該對磁體之間的中點處使磁體對準。

對于圖24和圖25中所例示的實施例，第一插槽104與第二插槽116之間沿著軸126的方向的對準可以以多種方式中的任何方式來實現。圖26-圖28描繪了其中第一磁體布置110與第二磁體布置122之間的凈磁力是排斥力的實施例的沿著軸126的方向的各種對準的側視圖。在圖26中，(第二磁體布置122中的)磁體124被設置在(第二插槽116的)側部部分146中，其中其南極性端154面對磁體112。(第一磁體布置110中的)磁體112被設置在(第一插槽104的)側部部分144中，其中其南極性端154面對磁體124。在圖26中，磁體124和磁體112的縱軸156可基本上對準。該對準可以表示磁體124與磁體112之間的均衡關系，其中，將磁體124“向下”拉的重力可以被IC封裝件102所施加的將磁體124“向上”推的法向力平衡；磁體124和112的軸向對準可以表示磁體124和112未經受凈“向上”或“向下”的磁力。然而，由于磁體124和磁體112經受排斥，因此這種均衡可能是不穩定的，并因此任何擾動都可能導致磁體124和磁體112的縱軸156的未對準。因此，在面對測試環境的典型的機械振動和震動的情況下，其中經受排斥的兩個磁體旨在軸向對準的實施例可能是不足夠穩定的。

在圖27中，(第二磁體布置122中的)磁體124被設置在(第二插槽116的)側部部分146中，其中其第二極性端154面對磁體112。(第一磁體布置110中的)磁體112被設置在(第一插槽104的)側部部分144中，其中其第二極性端154面對磁體124。在圖27中，磁體124和磁體112的縱軸可能不是基本上對準的；如示出的，磁體124可能在磁體112“上方”。這種對準可以呈現磁體124與磁體112之間的穩定的均衡關系，其中，將磁體124“向下”拉動的重力可以被來自磁體112的將磁體124“向上”推動的排斥力平衡。然而，在某些這樣的實施例中，第二插槽116可以在IC封裝件102上呈現很小的力或不呈現力，因此可能不會有助于將IC封裝件102固定在凹陷部106中也不在第二插槽116(未示出)的電接觸元件118與IC封裝件102的電接觸元件120(未示出)之間施加壓力。因此，某些這樣的實施例可能未提供對準夾具100與IC封裝件102之間的充分固定的機械耦合和電耦合。

在圖28中，(第二磁體布置122中的)磁體124被設置在(第二插槽116的)側部部分146中，其中其第二極性端154面對磁體112。(第一磁體布置110中的)磁體112被設置在(第一插槽104的)側部部分144中，其中其第二極性端154面對磁體124。在圖28中，磁體124和磁體112的縱軸可能不是基本上對準的；如示出的，磁體124可以在磁體112“下方”。這種對準可以呈現磁體124與磁體112之間的穩定的均衡關系，其中，將磁體124“向下”拉動的重力和來自磁體112的將磁體124“向下”推動的排斥力可以被來自IC封裝件102的將磁體124“向上”推動的法向力平衡。在這樣的實施例中，第二插槽116可以向IC封裝件102施加力，并因此可以有助于固定IC封裝件102并且在第二插槽116(未示出)的電接觸元件118與IC封裝件102的電接觸元件120(未示出)之間施加壓力。因此，這樣的實施例可以有利地提供對準夾具100與IC封裝件102之間的固定的機械耦合和電耦合。此外，由于圖28的實施例中的磁體124和112在它們的絕大多數的行進路徑期間處于排斥下，因此第一插槽104和第二插槽116可以相對容易地從圖28中所例示的配置中去配對。

上面參照圖24-圖28所討論的基于排斥的布置可具有優于基于吸引的布置(例如，上面參照圖22-圖23所討論的那些布置)的某些優點。在重復循環(例如，第一插槽104和第二插槽116的配對和去配對)下，固定第一插槽104和第二插槽116的彈簧或其它部件可能由于在循環期間第一插槽104與第二插槽116之間的吸引而被加壓。具體而言，耦合至第一插槽104和/或第二插槽116的浮置基座的彈簧可以隨著時間被過度地拉伸或彎曲。相反，基于排斥的機制(例如，上面參照圖24-圖28所討論的那些機制)可以生成較小的潛在損害的力。

圖29是具有第一插槽104的側部部分144中的第一磁體布置110和第二插槽116的側部部分146中的第二磁體布置122的對準夾具100的實施例的分解透視圖。在所例示的實施例中，對準夾具可具有圖19中所例示的形式，并且第一磁體布置110和第二磁體布置122可以采用圖23中所例示的形式。針對對準夾具100使用的圖19中所例示的形式僅僅是例示性的，并且可以使用圖19-圖21的實施例(或任何其它適當的實施例)中的任何實施例。對圖23中的第一磁體布置110和第二磁體布置122的使用僅僅是例示性的，并且可以使用圖22-圖25中的第一磁體布置110和第二磁體布置122(或任何其它適當的磁體布置)中的任何磁體布置。在使用期間，IC封裝件102(未示出)可以被設置在第一插槽104的凹陷部106中，并且第一插槽104和第二插槽116可以通過至少部分地將第二插槽116接收在凹陷部106中來進行配對。圖29的實施例還包括第一配準特征2902和第二配準特征2904。如示出的，第二配準特征2904是鄰近于第一插槽104的側壁160的“鍥形物”，并且第一配準特征2902是第二插槽116的平坦部分。第一配準特征2902可以與第二配準特征2904互補，因為當第一插槽104和第二插槽116配對時，第一配準特征2902的平坦部分可以鄰接第二配準特征2904。這些配準特征可能需要第一配準特征2902和第二配準特征2904對準，以便使第一插槽104和第二插槽116觸及，并因此將第一插槽104和第二插槽116約束至一個特定的旋轉配置。在圖29中所例示的配準特征僅僅是例示性的，并且可以代替所例示的特征或者除了所例示的特征以外使用其它配準特征(例如，軸和凹陷部，如下面參照圖34-圖38所討論的)。在某些實施例中，在對準夾具100中可以不包括配準特征。

如以上提及的，在某些實施例中，第一插槽104的凹陷部106可以包括多個導電接觸部(尺寸被設置為接觸IC封裝件102的表面108上的多個導電接觸部中的對應的導電接觸部)。圖30是對準夾具100的這樣的實施例的示例的一部分的分解的橫截面視圖。對準夾具100可以采用上面參照圖1-圖29所討論的對準夾具中的任何對準夾具的形式。如圖30中所示出的，IC封裝件102的表面108可以包括多個導電球3006，并且第一插槽104的表面130可以包括多個導電插座3008。插座3008中的每個插座的尺寸都可以被設置為接收多個導電球3006中的對應的導電球。在某些實施例中，導電插座3008可以與測試電路(未示出)耦合，并且電信號可以經由導電球3006和導電插座3008在IC封裝件102與測試電路之間傳遞。在某些實施例中，導電插座3008提供了用于接收IC封裝件102的機械地固定的座，基本上限制了IC封裝件102的橫向移動。

如以上提及的，在某些實施例中，當IC封裝件102被設置在凹陷部106中并且IC封裝件102被設置在第一插槽104與第二插槽116之間時，電接觸元件118可以包括朝第一插槽延伸的引腳。圖30描繪了這樣的實施例的示例。如示出的，電接觸元件118包括朝第一插槽104延伸的引腳3002。在某些實施例中，IC封裝件102的電接觸元件120可以包括導電球3010，其被設置在鄰近于IC封裝件102的表面114的腔3020中，如示出的。當IC封裝件102被設置在第一插槽104與第二插槽116之間，并且第一插槽104與第二插槽116配對時，引腳3002可以接觸導電球3010。引腳3002可以與電纜3004耦合，電纜3004可以與測試電路(未示出)耦合。電信號可以經由導電球3010和引腳3002在IC封裝件102與測試電路之間傳遞。(第二插槽116的)引腳3002與導電球3010(固定在第一插槽104的凹陷部106中)的適當對準可以通過本文中所討論的基于磁體的插槽對準機制中的任何一個來實現。

如以上提及的，在某些實施例中，表面164和/或162可以經由一個或多個彈簧耦合至基座，以提供“浮置”插槽116和/或104。圖31和圖32描繪了其中第一插槽104(例如，第一插槽104的表面162)經由一個或多個彈簧3104耦合至基座3102的實施例的示例的橫截面側視圖。圖31和圖32中的對準夾具可以采用上面參照圖1-圖29所討論的對準夾具中的任何對準夾具的形式。本文中參照表面162所討論的彈簧耦合機制可以應用于表面164而非表面162或者除了表面162以外還可以應用于表面164。在某些實施例中，彈簧3104可以是壓縮彈簧，并且可以具有設置在凹陷部中的端部，以使得彈簧3104被捕獲在相對的表面之間。在某些實施例中，第一插槽104和/或第二插槽116可以自身包括通過彈簧耦合的一個或多個部分(例如，如下面參照圖34所討論的)。

在某些實施例中，彈簧3104的拉伸可以由保持構件來限制。保持構件可以耦合至基座3102，并且可以防止第一插槽104遠離基座3102行進大于預定的距離，并且因此限制彈簧3104在基座3102與第一插槽3104之間的拉伸。在圖31和圖32中分別例示了保持構件的兩個不同的實施例。圖31中的保持構件3106可以是耦合至基座3102的剛性構件，并可以具有基本上被配置為“L”的直立部分3110和橫貫部分3112。在某些實施例中，保留構件3106可以是L托架。橫貫部分3112可以延伸到第一插槽104中的凹陷部3108中，其中凹陷部被肩部3114和肩部3116限制。如果第一插槽104“向上”移位，則橫貫部分3112將保留在凹陷部3108內。第一插槽104的進一步的“向上”移位可以通過橫貫部分3112與肩部3116之間的接觸被阻止。類似地，如果第一插槽104“向下”移位，則橫貫部分3112將保留在凹陷部3108內。第一插槽104的進一步的“向下”移位可以通過橫貫部分3112與肩部3114之間的接觸被阻止。在某些實施例中，凹陷部3108可以不包括肩部3114，并因此可以不限制第一插槽104的向下移位。

圖32中的保持構件3206可以是耦合至基座3102的剛性構件，并可以具有基本上被配置為“T”的直立部分3210和橫貫部分3212。在某些實施例中，保持構件3206可以是螺栓。保持構件3206可以延伸到第一插槽104中的凹陷部3208中，其中凹陷部被肩部3216限制。如果第一插槽104“向上”移位，則橫貫部分3212將保持在凹陷部3208內。第一插槽104的進一步的“向上”移位可以通過橫貫部分3212與肩部3216之間的接觸被阻止。

如上面參照圖29所提及的，本文中所公開的對準夾具的某些實施例可以包括一個或多個配準特征。配準特征可以約束第一插槽104與第二插槽116之間的配對的取向和/或可以實現第一插槽104與第二插槽116之間的大體對準(其中最后的對準由本文中所公開的磁性自對準機制來提供)。圖33是基本上與圖2中的對準夾具100(以上所描述的)類似但另外具有配準特征3304和3306的對準夾具100的分解的橫截面視圖。上面參照圖1-圖4和圖19-圖21所討論的實施例中的任何實施例都可以與另外的配準特征3304和3306一起使用。配準特征3304可以采用延伸遠離側部部分146中的第二插槽116的軸的形式，而配準特征3306可以采用位于第一插槽104的側部部分144中的互補的凹陷部的形式。在某些實施例中，配準特征3304和3306的尺寸可以被設置為使得當第一插槽104和第二插槽116配對時留下“間隙”，允許第一插槽104和第二插槽116的相對位置響應于第一磁體布置110與第二磁體布置122之間的磁力而移動以實現精密對準。諸如配準特征3304和3306之類的配準特征可以包括在本文中所公開的對準夾具100的實施例中的任何實施例中。

圖34是根據各實施例的對準夾具100的第一插槽104和第二插槽116的分解的透視圖。第一插槽104具有基座3414和浮置部分3402。基座3414可以經由一個或多個彈簧(例如，如上面參照圖31和圖32所討論的，未示出)與浮置部分3402耦合。

第一插槽104可以包括一個或多個凹陷部3410，其連同第二插槽116的互補的軸3412而作為用于第一插槽104和第二插槽116的對準的配準特征。在圖34的實施例中，凹陷部3410被設置在基座3414中。第一插槽104可以包括邊緣對準特征3430，其可以用于對準被接收在凹陷部106中的IC封裝件102的邊緣。

第一插槽104可以包括具有八個磁體112A-112H的磁體布置110。磁體112A-112D可以設置在浮置部分3402中，并且磁體112E-112H可以設置在基座3414中。磁體112A-112H中的每個磁體都可以被布置為使得縱軸156被定向為垂直于表面130。

第二插槽116可以包括具有八個磁體124A-124H的磁體布置122。當使得軸3412與凹陷部3410對準時，磁體124A-124H中的每個磁體都可以大致與對應的磁體112A-112H對準。第二插槽116的突出部3416可以延伸到第一插槽104的凹陷部106中。本文中所討論的基于磁體的自對準機制可以允許磁力以期望的對準使得第一插槽104和第二插槽116更精密地對準。電接觸引腳(未示出)可以從第二插槽116朝第一插槽104的凹陷部106延伸。當在使用中時，電接觸引腳與凹陷部106中的IC封裝件進行接觸。

在某些實施例中，對準夾具(例如，對準夾具100)可以包括在測試設備中以固定經受電、熱、和機械或其它測試的IC封裝件。在某個這樣的設備中，第一插槽(例如，第一插槽104)可以接收待測試的IC封裝件(通常被稱為“被測設備”或DUT)，并且第二插槽(例如，第二插槽116)可以與第一插槽配對并向IC封裝件的“頂部”表面提供電接觸。第一插槽和第二插槽的配對可以通過自動化的、機械設備來完成。現有的配對設備可能不能夠管理在相對于設備來設置第一和/或第二插槽時的變化。例如，如果第一插槽被定位在平臺上并且與目標位置未對準，則配對設備可能無法使第二插槽和第一插槽配對。

圖35-圖38描繪了根據各實施例在IC測試設置時實現可配對插槽之間的提高的對準的測試夾具的橫截面側視圖。圖35和圖36描繪了被配置為測試IC封裝件102的測試夾具3500。IC封裝件102可以包括被設置為鄰近IC封裝件102的邊緣3550的兩個電接觸元件120。IC封裝件102可以設置在第一插槽3516上，并且IC封裝件102的邊緣3550可以鄰近于第一插槽3516中的凹陷部3530。第一插槽3516還可以具有凹陷部3528，其可以用作配準特征(如下面討論的)。

測試夾具3500可以包括耦合至臺座3510的熱控制單元3508。熱控制單元3508可以控制被測試的IC封裝件102的溫度。在某些實施例中，熱控制單元3508可以包括加熱器或冷卻器，并且可以附接到控制系統，控制系統驅動其“熱”或“冷”，以便維持溫度設定點。熱控制單元3508可以延伸穿過臺座3510中的孔并延伸到板3534。殼體3502可以耦合至臺座3510。殼體3502可以包括兩個或更多個凹陷部3506，第二插槽3514的突出部3512可以延伸到凹陷部3506中。突出部3512可以采用帶肩螺栓的形式，其肩部(未示出)通過壁保留在凹陷部3506中，該壁允許帶肩螺栓的螺紋部分延伸穿過壁而同時防止帶肩螺栓的肩部延伸穿過壁。突出部3512可以固定至板3534(例如，通過帶螺紋的螺栓/插槽配置)，板3534自身可以固定至板3532。在某些實施例中，板3532以及板3532“下方”的部件可以被制造為統一的裝置，之后，板3532可以被螺栓固定至板3534。殼體3502的尺寸可以被設置為使得具有被設置在板3534的肩部3536“上方”的表面3538。

第二插槽3514可以包括兩個軸3522，其尺寸可以被設置為被接收在第一插槽3516的凹陷部3528中以用作配準特征。凹陷部3528可以比軸3522寬，并因此可以提供大體的對準。第二插槽3514還可以包括兩個邊緣對準裝置3524，它們可以被間隔開以便與IC封裝件102的寬度匹配，并且具體而言，延伸到凹陷部3530中并接觸IC封裝件102的邊緣3550。邊緣對準裝置3524與IC封裝件102的邊緣3550的對準可以提供第一插槽3516與第二插槽3514之間的精密對準；可以不包括磁體。第二插槽3514可以包括電接觸元件3526(例如，一個或多個導電引腳)，當第一插槽3516和第二插槽3514配對時，電接觸元件3526可以接觸IC封裝件102的電接觸元件120。

殼體3502的凹陷部3506和第二插槽3514的突出部3512的尺寸可以被設置為使得允許第二插槽3514可沿箭頭3518所指示的方向并沿箭頭3520所指示的方向而移動。在某些實施例中，第二插槽3514可以被允許沿箭頭3518所指示的方向移動大約0.1毫米。在某些實施例中，第二插槽3514可以被允許沿箭頭3520所指示的方向而向“左”移動大約0.4毫米并且向“右”移動大約0.4毫米。因此，如果第二插槽3514與第一插槽3516“未對準”(例如，如在圖35中所示出的)，則第二插槽3514可以自由平移，而仍然保持被固定至殼體3502，以適當地與第一插槽3516配對。這種平移和對準在圖36中進行了描繪，其中，第二插槽3514已經向右移位以便使軸3522和對應的凹陷部3528對準并且使邊緣對準裝置3524與IC封裝件102的邊緣3550對準(以便實現電接觸元件3526與電接觸元件120之間的適當的對準和接觸)。這種平移的能力可以減少或消除邊緣對準裝置3524與邊緣3550之間的和/或軸3522與凹陷部3528之間的接合。除了提高測試夾具3500相對于傳統的測試夾具的持久性以外，可以避免災難性故障(例如，造成磨損部件突然損壞并危及被測試的IC封裝件和測試電路兩者的那些故障)。

當電接觸元件3526接觸電接觸元件120時，臺座3510可以朝第一插槽3516移動，以使得表面3538接觸板3534的肩部3536并向肩部3536施加力。該力可以平移至電接觸元件3526與電接觸元件120之間的界面，實現良好的接觸。

圖37和圖38描繪了被配置為測試IC封裝件102的測試夾具3700。測試夾具3700可以基本上類似地被配置為測試夾具3500(圖35和圖36)，但可以包括具有磁對準機制的對準夾具100，而不是具有測試夾具3500的邊緣對準機制的插槽。對準夾具100可以采用上面參照圖1-圖34所討論的對準夾具中的任何對準夾具的形式。

在圖37中，IC封裝件102可以包括兩個電接觸元件120。IC封裝件102可以設置在第一插槽104的凹陷部106中。第一插槽104還可以具有凹陷部3528，其可以用作配準特征(如下面所討論的)。

測試夾具3700可以包括耦合至臺座3510的熱控制單元3508。殼體3502可以耦合至臺座3510。殼體3502可以包括兩個或更多個凹陷部3506，第二插槽116的突出部3512可以延伸到其中。突出部3512可以固定至板3534，板3534自身可以固定至板3532。殼體3502的尺寸可以被設置為使得具有被設置在板3534的肩部3536“上方”的表面3538。第二插槽116可以包括第二磁體布置122，其包括磁體124。

第二插槽116可以包括兩個軸3522，其尺寸可以被設置為被接收在第一插槽104的凹陷部3528中以用作配準特征。第二插槽116可以包括電接觸元件118，當第一插槽104和第二插槽116配對時，電接觸元件118可以接觸IC封裝件102的電接觸元件120。

如上面參照圖35和圖36所討論的，殼體3502的凹陷部3506和第二插槽116的突出部3512的尺寸可以被設置為使得允許第二插槽116可以沿著箭頭3518所指示的方向并沿著箭頭3520所指示的方向進行移動。因此，如果第二插槽116與第一插槽104“未對準”(例如，如在圖37中所示出的)，則第二插槽116可以自由平移，而仍然保持固定至殼體3502，以適當地與第一插槽104配對。這種平移和對準在圖38中進行了描繪，其中，第二插槽116已經向右移位以便使軸3522和對應的凹陷部3528對準并且使第二磁體布置122中的磁體124與第一磁體布置110中的對應的磁體112對準(以便實現電接觸元件118與電接觸元件120之間的適當的對準和接觸)。

如上面參照圖35和圖36所討論的，這種平移的能力可以減少或消除邊緣對準裝置3524與邊緣3550之間的和/或軸3522與凹陷部3528之間的接合。除了提高測試夾具3500相對于傳統的測試夾具的持久性以外，可以避免災難性故障(例如，造成磨損部件突然損壞并危及被測試的IC封裝件和測試電路兩者的故障)。當電接觸元件118接觸電接觸元件120時，臺座3510可以朝第一插槽104移動，以使得表面3538接觸板3534的肩部3536并向肩部3536施加力。該力可以轉換至電接觸元件118與電接觸元件120之間的界面，實現了良好的接觸。

圖35-圖38中的測試夾具可以有利地用于為封裝件疊層(PoP)測試提供頂側對準。許多PoP封裝件可以具有可能需要測試探針的小心對準以在測試期間接觸位置的頂位接觸位置。例如，在某些實施例中，測試探針可用于在頂側板上的存儲器模塊與IC封裝件上的圖形核之間提供連接。這些技術的應用并不限于PoP設備；任何頂側測試接觸點可受益于本文中所公開的對準技術。例如，具有位于不同高度的多個管芯的三維封裝件可受益于本文中所公開的對準技術。

圖39是根據各實施例的用于制造對準夾具的例示性過程3900的流程圖。盡管可以參照對準夾具100及其部件討論過程3900的操作，但是這僅僅出于例示性目的并且過程3900可以用于制造任何適當的對準夾具。

在3902處，可以形成第一插槽。第一插槽可具有尺寸被設置為接收IC封裝件的第一表面的凹陷部。IC封裝件可具有與第一表面相對的第二表面，并可以具有在第二表面上的電接觸元件。例如，在3902處，可以形成第一插槽104，第一插槽104可具有尺寸被設置為接收IC封裝件102的第一表面108的凹陷部106。IC封裝件102可具有在其上設置有電接觸元件120的第二表面114。

在3904處，第一磁體布置可以被提供給第一插槽。第一磁體布置可以被設置在凹陷部外部。例如，在3904處，第一磁體布置110可以被提供給第一插槽104，并且可以被設置在凹陷部106外部的側部部分144中。在某些實施例中，向第一插槽提供第一磁體布置可以包括通過摩擦配合將磁體固定在第一插槽的磁體凹陷部中(例如，如上面參照圖13-圖18所討論的)。在某些實施例中，磁體凹陷部可具有斜切開口。

在3906處，可以形成第二插槽。例如，在3906處，可以形成第二插槽116。

在3908處，第二磁體布置可以被提供給第二插槽。例如，在3908處，第二磁體布置122可以被提供給第二插槽116。

在3910處，電接觸元件可以被提供給第二插槽。例如，在3910處，電接觸元件118可以被提供給第二插槽116。在某些實施例中，3910的電接觸元件可以包括導電引腳(例如，如參照圖30和圖35-圖38所討論的)。過程3900隨后可以結束。

在某些實施例中，額外的操作可以包括在過程3900中。例如，在3910后，第二插槽可以耦合至包括兩個或更多個凹陷部的殼體，并且第二插槽的兩個或更多個突出部可以延伸到兩個或更多個凹陷部中的對應的凹陷部中，以使得第二插槽相對于殼體是可移動的(例如，如上面參照圖35-圖38所討論的)。

圖40是根據各實施例的用于測試IC封裝件的例示性過程4000的流程圖。盡管可以參照對準夾具100及其部件討論過程4000的操作，但這僅是出于例示性目的并且過程4000可用于制造任何適當的對準夾具。

在4002處，IC封裝件的第一表面可以被定位在第一插槽的凹陷部中。第一插槽可具有被設置在凹陷部外部的第一磁體布置，IC封裝件可具有與第一表面相對的第二表面，并且IC封裝件可具有在第二表面上的第一電接觸元件。在某些實施例中，第一磁體布置中的至少一個磁體可具有大約1/16英寸的直徑。例如，在4002處，IC封裝件102的第一表面108可以被定位在第一插槽104的凹陷部106中。第一插槽104可具有被設置在凹陷部106外部的第一磁體布置110，IC封裝件102可具有與第一表面108相對的第二表面114，并且IC封裝件102可具有在第二表面114上的電接觸元件120。

在4004處，第二插槽可以耦合至殼體。殼體可以包括兩個或更多個凹陷部，并且第二插槽可以包括延伸到殼體中的兩個或更多個凹陷部中的對應的凹陷部中的兩個或更多個突出部。第二插槽相對于殼體可以是可移動的。例如，在4004處，第二插槽116可以耦合至殼體3502。殼體3502可以包括兩個或更多個凹陷部3506，并且第二插槽116可以包括延伸到殼體3502中的兩個或更多個凹陷部3506中的對應的凹陷部中的兩個或更多個突出部3512。第二插槽116相對于殼體3502可以是可移動的。在某些實施例中，可以不執行4004的操作。

在4006處，第二插槽可以與第一插槽配對。第二插槽可以具有第二電接觸元件和第二磁體布置。當配對時，第一插槽的第一磁體布置可以與第二磁體布置處于預定的均衡關系，IC封裝件可以被設置在第一插槽與第二插槽之間，并且第一電接觸元件和第二電接觸元件可以對準。例如，在4006處，第二插槽116可以與第一插槽104配對。第二插槽116可以具有電接觸元件118和第二磁體布置122。當配對時，第一插槽104的第一磁體布置110可以與第二磁體布置122處于預定的均衡關系，IC封裝件102可以被設置在第一插槽104與第二插槽116之間，并且電接觸元件120與電接觸元件118可以對準。

在4008處，可以在被設置在第一插槽中的IC封裝件與第二插槽中的電接觸元件之間傳輸電信號。例如，在4008處，可以經由電接觸元件118和電接觸元件120在IC封裝件102與和第二插槽116耦合的測試設備之間傳輸電信號(例如，如參照圖30和圖35-圖38所討論的)。

包括在本文中所公開的磁體布置中的任何磁體布置中的磁體可以采用任何期望的形狀。例如，先前討論了圓柱形磁體。圖421-圖467例示了可以用于本文中所公開的磁體布置中的任何磁體布置中的其它形狀的磁體。在某些實施例中，磁體布置可以包括具有不同形狀的磁體(例如，圓柱形磁體和球形磁體)。例如，第一插槽104的第一磁體布置110可以包括被布置為被吸引至第二插槽116的第二磁體布置122中的圓柱形磁體的錐形磁體。在另一個示例中，第一磁體布置110可以包括錐形磁體和馬蹄形磁體，并且第二磁體布置122可以包括被布置為被吸引至第一磁體布置110中的錐形磁體的錐形磁體以及被吸引至第一磁體布置110中的馬蹄形磁體的馬蹄形磁體布置。磁體的各種組合也可以用于生成靜止力(reposing force)。此外，各種形狀的磁體相對于其中包括它們的插槽的表面可以具有不同的相對位置。例如，下面參照圖41-圖46所討論的磁體中的任何磁體都可以相對于插槽表面凹陷、與插槽表面齊平、或延伸到插槽表面上方(例如，如圖13-圖18中所示出的)。可以使用布置的任何適當的組合。

圖41例示了錐形磁體4100(a)以及其中在吸引的布置(b和c)中的第一插槽104和第二插槽116中包括一個或多個錐形磁體4100的實施例。錐形磁體4100可以具有第一端部4102和第二端部4104。第一端部4102可以具有第一極性并且第二端部4104可以具有相反的第二極性。如在圖41中示出的，第一端部4102可以是圓錐體的尖端，而第二端部4104可以是圓錐體的底部。在某些實施例中，可以通過在插槽中鉆孔隨后將錐形磁體4100首先插入孔的尖端中來在插槽中包括錐形磁體4100。在某些實施例中，可以通過在插槽中鉆孔隨后將錐形磁體4100首先插入孔的底部中、隨后將錐形磁體4100粘合或者以其它方式固定在孔中來在插槽中包括錐形磁體4100。在(b)中，錐形磁體4100被示出為設置在第一插槽104中，并且另一個錐形磁體4100被示出為設置在第二插槽116中。在該實施例中，錐形磁體4100的第一端部4102延伸超出第一插槽104和第二插槽116的表面。第一端部4102處的圓錐體的尖端可以用于將磁力聚集在第一端部4102處以提高對準性能。在(c)中，以吸引的對準例示了錐形磁體4100。

圖42例示了金字塔形磁體4200(a)以及其中在吸引的布置(b和c)中的第一插槽104和第二插槽116中包括一個或多個金字塔形磁體4200的實施例。金字塔形磁體4200可以具有第一端部4202和第二端部4204。第一端部4202可以具有第一極性并且第二端部4204可以具有相反的第二極性。如在圖42中示出的，第一端部4202可以是金字塔的尖端，而第二端部4204可以是金字塔的底部。在某些實施例中，可以通過在插槽中鉆孔隨后將金字塔形磁體4200首先插入孔的尖端中來在插槽中包括金字塔形磁體4200。在某些實施例中，可以通過在插槽中鉆孔隨后將金字塔形磁體4200首先插入孔的底部中、隨后將金字塔形磁體4200粘合或以其它方式固定在孔中來在插槽中包括金字塔形磁體4200。在(b)中，金字塔形磁體4200被示出為設置在第一插槽104中并且另一個金字塔形磁體4200被示出為設置在第二插槽116中。在該實施例中，金字塔形磁體4200的第一端部4202延伸超出第一插槽104和第二插槽116的表面。第一端部4202處的金字塔的尖端可以用于將磁力聚集在第一端部4202處以提高對準性能。在(c)中，以吸引的對準例示了金字塔形磁體4200。

圖43例示了子彈狀磁體4300(a)以及其中在吸引的布置(b和c)中的第一插槽104和第二插槽116中包括一個或多個子彈狀磁體4300的實施例。子彈狀磁體4300可以具有第一端部4302和第二端部4304。第一端部4302可以具有第一極性并且第二端部4304可以具有相反的第二極性。如在圖43中示出的，第一端部4302可以像子彈的尖端那樣是圓的，而第二端部4304可以是不那么圓的。在某些實施例中，第二端部4304可以是基本上圓柱形的。在某些實施例中，可以通過在插槽中鉆孔隨后將子彈狀磁體4300首先插入孔的尖端中來在插槽中包括子彈狀磁體4300。在某些實施例中，可以通過在插槽中鉆孔隨后將子彈狀磁體4300首先插入孔的底部中、隨后將子彈狀磁體4300粘合或以其它方式固定在孔中來在插槽中包括子彈狀磁體4300。在某些實施例中，第二端部4304可以是基本上圓柱形的，并且可以通過壓入配合來將子彈狀磁體4300固定在孔中。在(b)中，子彈狀磁體4300被示出為設置在第一插槽104中并且另一個子彈狀磁體4300被示出為設置在第二插槽116中。在該實施例中，子彈狀磁體4300的第一端部4302延伸超出第一插槽104和第二插槽116的表面。圓形的第一端部4302可以用于將磁力聚集在第一端部4302處以提高對準性能。在(c)中，以吸引的對準例示了子彈狀磁體4300。

圖44例示了馬蹄形磁體4400(a)以及其中在吸引的布置(b和c)中的第一插槽104和第二插槽116中包括一個或多個馬蹄形磁體4400的實施例。馬蹄形磁體4400可以具有第一端部4402和第二端部4404。第一端部4402可具有兩個臂4406和4408。臂4406可以具有第一極性并且臂4408可以具有相反的第二極性。在某些實施例中，可以通過在插槽中鉆兩個孔隨后將馬蹄形磁體4400首先插入孔的臂中(例如，首先插入第一端部4402)來在插槽中包括馬蹄形磁體4400。在某些實施例中，可以通過在插槽中鉆孔隨后將馬蹄形磁體4400首先插入孔的第二端部4404中、隨后將馬蹄形磁體4400粘合或以其它方式固定在孔中來在插槽中包括馬蹄形磁體4400。在(b)中，馬蹄形磁體4400被示出為設置在第一插槽104中并且另一個馬蹄形磁體4400被示出為設置在第二插槽116中。在該實施例中，馬蹄形磁體4400的第一端部4402延伸超出第一插槽104和第二插槽116的表面。使用馬蹄形磁體4400可以提高對準，這是因為偏移的對準可以被類似極性的臂之間的排斥力抑制。在(c)中，以吸引的對準例示了馬蹄形磁體4400。

圖45例示了圓柱形磁體4500和管狀磁體4510(a)以及其中在第二插槽116中包括一個或多個圓柱形磁體4500并在第一插槽104中包括一個或多個管狀磁體4510(b和c、d和e、以及f和g)的實施例。圓柱形磁體4500可以具有第一端部4502和第二端部4504。第一端部4502可具有第一極性并且第二端部4504可以具有相反的第二極性。管狀磁體4510可具有第一端部4512和第二端部4514。第一端部4512可具有第一極性，該第一極性與圓柱形磁體4500的第一端部4502的極性相同。第二端部4514可具有相反的第二極性，該第二極性與圓柱形磁體4500的第二端部4504的極性相同。管狀磁體4510中的溝道4516的尺寸可以被設置為接收圓柱形磁體4500。在某些實施例中，可以通過在插槽中鉆孔、插入磁體、隨后膠合或者以其它方式將磁體固定在孔中來在各插槽中包括圓柱形磁體4500和管狀磁體4510。在某些實施例中，可以通過各自的壓入配合來在相應的孔中固定圓柱形磁體4500和閃存(flash)或管狀磁體4510。在(b)中，管狀磁體4500被示出為設置在第一插槽104中并且圓柱形磁體4500被示出為設置在第二插槽116中。在該實施例中，圓柱形磁體4500的第一端部4502和管狀磁體4510的第一端部4512分別延伸超出第一插槽104和第二插槽116的表面。在(c)中，以吸引的對準例示了圓柱形磁體4500和管狀磁體4510。

圖45還例示了其中圓柱形磁體4500被設置在第一插槽104中的管狀磁體4510的溝道4516內的若干實施例。在管狀磁體4510的溝道4516中包括另外的圓柱形磁體4500可以有助于使包括在第二插槽116中的圓柱形磁體4500居中。在(d)中，第一插槽104中的圓柱形磁體4500的高度小于其中設置有圓柱形磁體4500的管狀磁體4510的高度。在(e)中，(d)中的第二插槽116的圓柱形磁體4500被例示為與第一插槽104的圓柱形磁體4500吸引對準，并且與管狀磁體4510排斥地對準。在(f)中，第一插槽104中的圓柱形磁體4500的高度與其中設置有圓柱形磁體4500的管狀磁體4510的高度大致相等。在(g)中，(f)中的第二插槽116的圓柱形磁體4500被例示為與第一插槽104的圓柱形磁體4500吸引地對準，并與管狀磁體4510排斥地對準。

圖46例示了球形磁體4600(a)、其中一個或多個球形磁體4600與一個或多個圓柱形磁體(b和c)配對的實施例、以及其中一個或多個球形磁體4600與一個或多個球形磁體4600(d和e)配對的實施例。球形磁體4600可具有第一端部4602和第二端部4604。第一端部4602可以具有第一極性并且第二端部4604可以具有相反的第二極性。在某些實施例中，可以通過在插槽中鉆孔、在孔中插入球形磁體4600、以及提供將使球形磁體4600保持在孔中的唇狀件來在插槽中包括球形磁體4600。在某些實施例中，孔的尺寸可以被設置為以使得允許球形磁體4600在孔中“上下”平移(例如，如下面參照b-e所討論的)。在某些實施例中，孔的尺寸可以被設置為相當接近于球形磁體4600的外部尺寸，以使得球形磁體4600可以基本上不在孔中“上下”平移。在某些實施例中，球形磁體4600可以在孔內旋轉。在某些實施例中，球形磁體4600可以被固定在孔中并且不可以旋轉。

在圖46中的(b)中，圓柱形磁體4610被示出為設置在第一插槽104中并且球形磁體4610被示出為設置在第二插槽116中。如示出的，球形磁體4600可以在第二插槽116與第一插槽104之間的接觸之前延伸超出第二插槽116的表面。圓柱形磁體4610被示出為與第一插槽104的表面齊平。在(c)中，圓柱形磁體4610和球形磁體4600被例示為吸引地對準。具體而言，球形磁體4600的第一端部4602可以接觸圓柱形磁體4610，使得球形磁體4600在第二插槽116中的其凹陷部中“向上”平移。

在圖46中的(d)中，球形磁體4600被示出為被設置在第一插槽104中并且球形磁體4600被示出為被設置在第二插槽116中。如示出的，第二插槽116中的球形磁體4600可以在第二插槽116與第一插槽104之間的接觸之前延伸超出第二插槽116的表面。在(e)中，球形磁體4600被例示為吸引地對準。具體而言，第二插槽116中的球形磁體4600的第一端部4602可以接觸第一插槽104中的球形磁體的第二端部4604，使得第二插槽116中的球形磁體4600在第二插槽116中的其凹陷部中“向上”平移。

在某些實施例中，使用球形磁體(例如，圖46中的球形磁體4600)可以有利地允許本文中所公開的對準夾具的各實施例適應制造變化而仍然提供充分對準。圖48-圖52例示了其中對準可能不充分的場景。具體而言，圖48是具有第一磁體布置100中的磁體112A、112B、和112C的第一插槽104、以及具有第二磁體布置122中的磁體124A、124B、和124C的第二插槽116的頂視圖。磁體124A可以被布置為使得與磁體112A對準，并且磁體124B可以被布置為使得與磁體112B對準(例如，以上面參照圖6-圖11所討論的方式)。然而，盡管磁體124C可以在名義上被布置為與磁體112C對準，但制造中的誤差(或者制造過程中的自然變化)可能已經使得磁體112C位于與所期望的位置不同的位置(并且具體而言，并非與磁體124C精確對準)。一個或多個磁體的未對準的后果可能是第一插槽104和第二插槽116可以具有相對于彼此多個不同的均衡布置。圖49-圖51例示了這些均衡狀態。具體而言，圖49例示了其中磁體124A與磁體112A對準并且剩余磁體盡可能“最佳地”對準的均衡狀態。圖50例示了其中磁體124B與磁體112B對準，并且剩余磁體盡可能“最佳地”對準的均衡狀態。圖51例示了其中磁體124C與磁體112C對準，并且剩余磁體盡可能“最佳地”對準的均衡狀態。具體而言，當兩個圓柱形磁體對準時，它們可以如圖52(a)中所示出的那樣被布置。當兩個圓柱形磁體未對準時，它們可以如圖52(b)中所示出的那樣被布置。這些多個均衡狀態的存在可能使得難以實現第一插槽104和第二插槽116的適當對準。

圖53-圖55例示了可能較為不易于具有多個均衡狀態的這些問題的實施例。圖53是具有第一磁體布置110中的磁體112A、112B、和112C的第一插槽104、以及具有第二磁體布置122中的磁體124A、124B、和124C的第二插槽116的頂視圖。第一磁體布置110中的磁體112可以具有不同的磁場強度。在圖53中，出于例示性的目的，這些不同的強度以不同尺寸的磁體被指示，但磁體112可以具有相同的尺寸。具體而言，磁體112A可以是磁體布置110中的磁體中的最強磁體，磁體112C可以是磁體布置110中的磁體中的最弱磁體，并且磁體112B可以落在它們之間。類似地，第二磁體布置122中的磁體124可以具有不同的磁場強度。具體而言，磁體124A可以是磁體布置122中的磁體中的最強磁體，磁體124C可以是磁體布置122中的磁體中的最弱磁體，并且磁體124B可以落在它們之間。第一磁體布置110中的磁體112和/或第二磁體布置122中的磁體124可以包括一個或多個球形磁體。具體而言，磁體112B和124B中的至少一個磁體可以是球形磁體，并且磁體112C和124C中的至少一個磁體可以是球形磁體。

磁體124A可以被布置為使得與磁體112A對準，并且磁體124B可以被布置為使得與磁體112B對準。然而，盡管磁體124C在名義上被布置為與磁體112C對準，但是制造中的誤差(或制造過程中的自然變化)可能已經使得磁體112C處于與所期望的位置不同的位置(并且具體而言，未與磁體124C精確對準，如以上參照圖48所討論的)。

由于磁體112A和124A是它們的各自的布置中的最強磁體，因此這些磁體可以在使第一插槽104和第二插槽116靠近時初始地對準。這種對準可以不容易被由磁體布置之間的其它磁體交互所引起的較弱的磁力所干擾。在磁體112A和124A的對準之后，磁體112B和124B(次強的磁體)可以優先地對準。如果磁體112B和124B中的至少一個磁體是球形的，則球形磁體可以旋轉處于均衡位置，以使得與其配對物盡可能最佳地對準。具體而言，當兩個球形磁體完全對準時，它們可以如圖55(a)中示出的那樣布置；當兩個球形磁體未對準并自由旋轉時，它們可以如圖55(b)中示出的那樣布置。磁體112C和124C(最弱的磁體)隨后可以優先對準。如果磁體112C和124C中的至少一個磁體是球形的，則球形磁體可以旋轉處于均衡位置以使得與其配對物盡可能最佳地對準。球形磁體旋轉處于均衡位置的能力可以避免以上所討論的多個均衡問題，并可以實現本文中所公開的對準夾具的各實施例較好地適應制造變化和誤差。

以下段落描述了本文中所公開的實施例的多個示例。示例1是IC封裝件的對準夾具，包括：第一插槽，所述第一插槽具有尺寸被設置為接收所述IC封裝件的第一表面的凹陷部并具有被設置在所述凹陷部外部的第一磁體布置，其中，所述IC封裝件具有與所述第一表面相對的第二表面并在所述第二表面上具有第一電接觸元件；以及第二插槽，所述第二插槽具有第二電接觸元件并具有第二磁體布置；其中，當滿足以下條件時，所述第一電接觸元件和所述第二電接觸元件對準：所述IC封裝件被設置在所述凹陷部中、所述IC封裝件沿著第一軸被設置在所述第一插槽與所述第二插槽之間、并且所述第一磁體布置與所述第二磁體布置處于預定的均衡關系以使所述第一插槽和所述第二插槽配對。

示例2可以包括示例1的主題，并且還可以指定所述第一電接觸元件被設置在所述IC封裝件的所述第二表面的凹陷部中。

示例3可以包括示例2的主題，并且還可以指定所述第二電接觸元件包括引腳，并且當所述IC封裝件被設置在所述凹陷部中并且所述IC封裝件被設置在所述第一插槽與所述第二插槽之間時，所述引腳朝所述第一插槽延伸。

示例4可以包括示例1-3中任何示例的主題，并且還可以指定：多個彈簧與所述第一插槽的第一表面耦合并且所述凹陷部被設置在所述第一插槽的第二表面上；并且所述第一插槽的所述第二表面與所述第一插槽的所述第一表面相對。

示例5可以包括示例4的主題，并且還可以包括保持構件，所述保持構件被設置為鄰近所述第一插槽的所述第一表面以限制所述多個彈簧的拉伸。

示例6可以包括示例1-示例5中任何示例的主題，并且還可以指定：所述IC封裝件的所述第一表面包括多個導電球；并且所述凹陷部包括尺寸被設置為接收所述多個導電球的多個插槽。

示例7可以包括示例1-示例6中任何示例的主題，并且還可以指定：所述第一磁體布置和所述第二磁體布置中的個體磁體具有第一極性端、第二極性端、以及由所述第一極性端和所述第二極性端限定的縱軸；所述第一磁體布置和所述第二磁體布置中的個體磁體被定向為使得縱軸平行于所述第一軸。

示例8可以包括示例7的主題，并且還可以指定：所述第一磁體布置包括被設置在矩形的四個角處的四個磁體；并且所述四個磁體中的兩個磁體具有第一極性并且被設置在呈對角線的角處，并且所述四個磁體中的兩個磁體具有與所述第一極性不同的第二極性并且被設置在不同的呈對角線的角處。

示例9可以包括示例1-示例8中任何示例的主題，并且還可以指定：所述第一磁體布置和所述第二磁體布置中的個體磁體具有第一極性端、第二極性端、以及由所述第一極性端和所述第二極性端限定的縱軸；并且所述第一磁體布置和所述第二磁體布置中的個體磁體被定位為使得縱軸垂直于所述第一軸。

示例10可以包括示例9的主題，并且還可以指定所述第一磁體布置包括被設置在矩形的四個角處的四個磁體。

示例11可以包括示例9的主題，并且還可以指定：所述第一插槽包括側壁；并且所述第一磁體布置至少部分地被設置在所述側壁中。

示例12可以包括示例11的主題，并且還可以指定：所述側壁限定矩形；所述第一磁體布置包括位于所述矩形的不同側上并鄰近所述矩形的第一角的兩個磁體；并且所述第一磁體布置包括位于所述矩形的不同側上并鄰近所述矩形的第二角的兩個磁體。

示例13可以包括示例9的主題，并且還可以指定：當所述第一插槽和所述第二插槽配對時：一個磁體布置中的磁體的縱軸被定向為平行于另一個磁體布置中的兩個磁體的縱軸；所述一個磁體布置中的所述磁體的所述縱軸沿著垂直于所述磁體的所述縱軸的方向被設置在所述另一個磁體布置中的所述兩個磁體的所述縱軸之間；所述一個磁體布置中的所述磁體的所述第一極性端面對所述另一個磁體布置中的所述兩個磁體的所述第一極性端；并且所述一個磁體布置和所述另一個磁體布置是選自由所述第一磁體布置和所述第二磁體布置構成的組的兩個不同的磁體布置。

示例14可以包括示例1-示例13中任何示例的主題，并且還可以指定：當所述第一插槽和所述第二插槽配對時，所述第一磁體布置中的一個或多個磁體不接觸所述第二磁體布置中的一個或多個磁體。

示例15可以包括示例1-示例14中任何示例的主題，并且還可以指定：當所述第一插槽和所述第二插槽配對時，所述第一磁體布置與所述第二磁體布置之間的凈磁力是排斥力。

示例16可以包括示例1-示例14中任何示例的主題，并且還可以指定：當所述第一插槽和所述第二插槽配對時，所述第一磁體布置與所述第二磁體布置之間的凈磁力是吸引力。

示例17可以包括示例1-示例16中任何示例的主題，并且還可以包括殼體，所述殼體包括兩個或更多個凹陷部，其中，所述第二插槽包括兩個或更多個突出部，所述兩個或更多個突出部延伸到所述殼體中的所述兩個或更多個凹陷部中的對應的凹陷部中，并且所述第二插槽相對于所述殼體在所述第一軸的方向上并且在垂直于所述第一軸的方向上是可移動的。

示例18是一種制造對準夾具的方法，包括：形成第一插槽，所述第一插槽具有尺寸被設置為接收IC封裝件的第一表面的凹陷部，其中，所述IC封裝件具有與所述第一表面相對的第二表面并在所述第二表面上具有第一電接觸元件；向所述第一插槽提供第一磁體布置，其中，所述第一磁體布置被設置在所述凹陷部外部；形成第二插槽；向所述第二插槽提供第二磁體布置；以及向所述第二插槽提供第二電接觸元件；其中，當滿足以下條件時，所述第一電接觸元件和所述第二電接觸元件對準：所述IC封裝件被設置在所述凹陷部中、所述IC封裝件沿著第一軸被設置在所述第一插槽與所述第二插槽之間、并且所述第一磁體布置與所述第二磁體布置處于預定的均衡關系以使所述第一插槽和所述第二插槽配對。

示例19可以包括示例18的主題，并且還可以指定：向所述第一插槽提供所述第一磁體布置包括通過摩擦配合將磁體固定在所述第一插槽的磁體凹陷部中。

示例20可以包括示例19的主題，并且還可以指定所述第一插槽的所述磁體凹陷部具有斜切開口。

示例21可以包括示例18-示例20中任何示例的主題，并且還可以指定所述第二電接觸元件包括導電引腳。

示例22可以包括示例18-示例21中任何示例的主題，并且還可以包括將所述第二插槽耦合至殼體，其中，所述殼體包括兩個或更多個凹陷部，所述第二插槽包括兩個或更多個突出部，所述兩個或更多個突出部延伸到所述殼體中的所述兩個或更多個凹陷部中的對應的凹陷部中，并且所述第二插槽相對于所述殼體在所述第一軸的方向上并且在與所述第一軸垂直的方向上是可移動的。

示例23是一種測試IC封裝件的方法，包括：將所述IC封裝件的第一表面定位在第一插槽的凹陷部中，其中，所述第一插槽具有被設置在所述凹陷部外部的第一磁體布置，所述IC封裝件具有與所述第一表面相對的第二表面，并且所述IC封裝件在所述第二表面上具有第一電接觸元件；在將所述IC封裝件的所述第一表面定位在所述凹陷部中之后，使第二插槽與所述第一插槽配對，其中，當配對時，所述第二插槽具有第二電接觸元件和第二磁體布置，所述第一磁體布置與所述第二磁體布置處于預定的均衡關系，所述IC封裝件沿著第一軸被設置在所述第一插槽與所述第二插槽之間，并且所述第一電接觸元件和所述第二電接觸元件對準；以及經由所述第一電接觸元件和所述第二電接觸元件在所述IC封裝件與測試設備之間傳輸電信號，所述測試設備與所述第二插槽耦合。

示例24可以包括示例23的主題，并且還可以包括：在使所述第二插槽與所述第一插槽配對之前，使所述第二插槽耦合至殼體，其中，所述殼體包括兩個或更多個凹陷部，所述第二插槽包括兩個或更多個突出部，所述兩個或更多個突出部延伸到所述殼體中的所述兩個或更多個凹陷部中的對應的凹陷部中，并且所述第二插槽相對于所述殼體在所述第一軸的方向上并且在垂直于所述第一軸的方向上是可移動的。

示例25可以包括示例23-示例24中任何示例的主題，并且還可以指定：所述第一磁體布置中的至少一個磁體具有大約1/16英寸的直徑。