銅箔、帶有載體箔的銅箔及覆銅層壓板的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及銅錐、帶有載體錐的銅錐及用運些銅錐得到的覆銅層壓板。尤其是，設 及在銅錐的表面具有粗化處理層的銅錐，該粗化處理層具有比W往更為微細的凹凸結構。
【背景技術】
[0002] 通常，市場上流通的銅錐的主要用途之一是印刷線路板的電路形成用途。就該用 途的銅錐而言，為了提高與絕緣樹脂基材的密合性，在作為粘合面的銅錐的表面多設置有 起到固定效果的形狀。W往，為了設置起到固定效果的形狀，在銅錐的表面實施了如在專利 文獻1等公開的"微細銅粒的附著"、如在專利文獻2等公開的"通過蝕刻的凹凸形成"等粗化 處理。
[0003] 然而，近年來對于細間距電路的形成的要求增多，印刷線路板的制造技術也取得 了很大的進步，其結果，如在專利文獻3及專利文獻4等所述，在形成細間距電路時使用非粗 化銅錐的情況逐步增多。
[0004] 專利文獻3中，為了提供銅錐與層壓基材用強初性、且富于反應性的粘合劑牢固粘 合了的印刷電路用覆銅層壓板，公開了采用"一種印刷電路用覆銅層壓板，該覆銅層壓板是 在層壓基材的一面或兩面層壓粘合了銅錐的覆銅層壓板，其特征在于，a、在所述銅錐上經 由通式QRSiXYZ···。](其中，式中Q為與下述的樹脂組合物反應的官能基，R為連接Q和Si原 子的結合基，Χ、Υ、Ζ表示與Si原子結合的水解性的基團或徑基)表示的硅烷偶聯劑、或通式T (SH)n…[2](其中，T為芳香環、脂肪環、雜環、脂肪鏈，η為2W上的整數)表示的硫醇類偶聯 劑形成的粘合性基底，b、利用1)丙締酸單體、甲基丙締酸單體、它們的聚合物或與締控的共 聚物，2)獻酸二締丙醋、環氧丙締酸醋或環氧甲基丙締酸醋及它們的低聚物的過氧化物固 化性樹脂組合物，3)在分子內含有乙締下締共聚物和苯乙締共聚物的熱塑性彈性體的過氧 化物固化性樹脂組合物，4)含有縮水甘油基的締控共聚物的樹脂組合物，5)具有含有不飽 和基的側鏈的聚乙締醇縮下醒樹脂的樹脂組合物，或6)聚乙締醇縮下醒樹脂、具有螺縮醒 環的氨基樹脂和環氧樹脂的樹脂組合物形成的粘合劑與層壓基材粘合，或者與兼具有所述 樹脂組合物的粘合劑的層壓基材直接粘合"的技術方案等。
[0005] 專利文獻4中，W提供表面處理層不含有銘，加工成印刷線路板后的電路的剝離強 度、該剝離強度的耐化學試劑性老化率等優異的銅錐為目的，公開了采用"一種銅錐，該銅 錐是在與絕緣樹脂基材貼合來制造覆銅層壓板時使用的銅錐的貼合面設置了表面處理層 的銅錐，其特征在于，該表面處理層是在銅錐的貼合面附著鋒成分后，附著烙點1400°CW上 的高烙點金屬成分，進一步附著碳成分得到的"的技術方案等，其中，公開了"所述銅錐的貼 合面優選不實施粗化處理，表面粗糖度(Rzj is)為2. OymW下"的技術特征。
[0006] 就W上提到的非粗化銅錐而言，在與絕緣樹脂基材的粘合表面不存在由粗化處理 形成的凹凸性狀。因此，該銅錐通過蝕刻加工進行電路形成時，不需要設置用于去除呈嵌入 至絕緣樹脂基材側的狀態的固定形狀（凹凸形狀）的過蝕刻時間。從而，用非粗化銅錐可W 形成蝕刻系數良好的細間距電路。
[0007]現有技術文獻 [000引專利文獻
[0009] 專利文獻1:日本特開平05-029740號公報
[0010] 專利文獻2:日本特開2000-282265號公報
[0011] 專利文獻3:日本特開平09-074273號公報
[0012] 專利文獻4:日本特開2008-297569號公報
【發明內容】
[0013]發明要解決的問題
[0014] 然而，該非粗化銅錐不存在呈嵌入至絕緣樹脂基材側的狀態的固定形狀（凹凸形 狀），因此，非粗化銅錐的對于絕緣樹脂基材的密合性與實施了粗化處理的銅錐相比有降低 的傾向。
[0015] 因此，市場對于具有與非粗化銅錐和絕緣樹脂基材的密合性相比更為良好的密合 性、且具有與非粗化銅錐同等的良好的蝕刻性能的銅錐提出了要求。
[0016] 解決問題的方法
[0017] 鑒于W上問題，本發明人進行了潛屯、研究，其結果發現通過采用具有W下所示的 粗化處理層的銅錐，利用由該粗化處理層的微細凹凸結構所產生的納米固定效果，可W獲 得與絕緣樹脂基材的良好的密合性的同時，可W形成具有與使用了非粗化銅錐時同等的良 好的蝕刻系數的細間距電路。進而，發現通過在粗化處理層的表面設置硅烷偶聯劑層，可W 獲得與W往的粗化銅錐同等的耐吸濕老化特性。W下，對本發明的銅錐進行說明。
[0018] 銅錐:本發明的銅錐的特征在于，至少一面具有粗化處理層和在該粗化處理層的 表面形成的硅烷偶聯劑處理層，所述粗化處理層具有由銅復合化合物構成的最大長度為 SOOnmW下大小的針狀或片狀的凸狀部所形成的微細凹凸結構。
[0019] 帶有載體錐的銅錐:本發明的帶有載體錐的銅錐的特征在于，在上述的銅錐的一 面經由粘合界面層具有載體錐。
[0020] 覆銅層壓板:本發明的覆銅層壓板的特征在于，該覆銅層壓板是用上述的具有粗 化處理層及硅烷偶聯劑層的銅錐或帶有載體錐的銅錐得到的。
[0021] 發明的效果
[0022] 本發明的銅錐或帶有載體錐的銅錐具有"粗化處理層，該粗化處理層具有由銅復 合化合物構成的最大長度為500nmW下的針狀或片狀的凸狀部所形成的微細凹凸結構"。因 此，通過將具有該粗化處理層的面作為與絕緣樹脂基材的粘合面，利用由形成該微細凹凸 結構的凸狀部所產生的納米固定效果，與非粗化銅錐的對于絕緣樹脂基材的密合性相比可 W確保良好的密合性。并且，該微細凹凸結構是由最大長度為500nmW下的極短的針狀或片 狀的凸狀部形成，因而通過蝕刻來進行電路形成時，設置極短的過蝕刻時間即可融解去除 呈嵌入至絕緣樹脂基材側的狀態的凸狀部。因此，可W實現與非粗化銅錐同等的良好的蝕 刻性能，可W形成蝕刻系數良好的細間距電路。進而，通過在該粗化處理層的表面設置硅烷 偶聯劑處理層，可W獲得與W往的粗化銅錐同等的耐吸濕老化特性。
【附圖說明】
[0023] 圖1是用于說明本發明的銅錐的粗化處理層形態的掃描電子顯微鏡觀察圖。
[0024] 圖2是表示本發明的銅錐中在電解銅錐的電極面及析出面分別設置粗化處理層時 的、各粗化處理面的表面的掃描電子顯微鏡觀察圖。
[0025] 圖3是表示本發明的銅錐的粗化處理層所具有的微細凹凸結構的剖面的掃描電子 顯微鏡觀察圖。
[0026] 圖4是表示比較例2的銅錐的粗化處理層的表面的掃描電子顯微鏡觀察圖。
[0027] 圖5是表示比較例3的銅錐的還原黑化處理層的表面的掃描電子顯微鏡觀察圖。
【具體實施方式】
[0028] W下，對本發明的"銅錐的形態"、"帶有載體錐的銅錐的形態"及"覆銅層壓板的形 態"進行說明。
[0029] 銅錐的形態:本發明的銅錐的特征在于，該銅錐的至少一個表面具有粗化處理層 和在該粗化處理層的表面形成的硅烷偶聯劑處理層，所述粗化處理層具有由銅復合化合物 構成的最大長度為500nmW下大小的針狀或片狀的凸狀部所形成的微細凹凸結構。
[0030] 運里，本發明的銅錐在"銅錐的至少一個表面"具有上述粗化處理層即可，既可W 是在銅錐的兩面具有粗化處理層的兩面粗化處理銅錐，也可W是在銅錐的一個面具有粗化 處理層的一面粗化處理銅錐。并且，本發明的銅錐中，上述銅錐可W是電解銅錐、壓延銅錐 中的任意一種。并且，對于此時的銅錐的厚度也沒有特別的限定，通常只要是厚度為200皿 W下的銅錐即可。進而，在W下，也有將該銅錐的設置有該粗化處理層及硅烷偶聯劑層一側 的面稱為粗化處理面的情況。
[0031] 本發明的銅錐中，如上所述，該粗化處理層具有由銅復合化合物構成的最大長度 為500皿W下大小的針狀或片狀的凸狀部所形成的微細凹凸結構。運里，圖1(a)中示出了在 兩面平滑電解銅錐設置了本發明的粗化處理層時的、表示該粗化處理層的表面的掃描電子 顯微鏡觀察圖（倍率:20000倍）。如圖1(a)所示，可W觀察到呈針狀或片狀突出的微細的凸 狀部彼此鄰接并聚集，在電解銅錐的表面形成了極微細的凹凸結構，運些凸狀部沿著電解 銅錐的表面形狀覆蓋電解銅錐的表面的狀態。此外，圖1(b)進一步放大了圖1(a)所示的粗 化處理層的表面，是倍率為50000倍時的掃描電子顯微鏡觀察圖。其中，本發明中所謂"凸狀 部"是指觀察該銅錐的剖面時，從銅錐的表面呈針狀或片狀延伸出的突出部分。該突出部分 由銅復合化合物的單晶或多晶的集合體構成，如圖1(a)、（b)所示，在銅錐的表面密集地設 置有該凸狀部。
[0032] 其次，圖2中示出了通常的電解銅錐的電極面及析出面、和在各面設置了上述粗化 處理層時的各表面的觀察圖。如圖2所示，整體觀察時可W確認在設置粗化處理層前后，上 述電解銅錐的各面的表面形狀是沿著各面的粗化處理前的表面形狀形成了上述微細凹凸 結構，各面的粗化處理前的整體表面形狀在粗化處理后也得W維持的情況。即，本發明的銅 錐中，粗化處理層是Wnm級的針狀或片狀的凸狀部沿著銅錐的表面形狀薄薄地覆蓋在銅錐 的表面的形式在銅錐的表面密集地形成，因而可W維持粗化處理前的銅錐的整體表面形 狀。
[0033] 關于運一點，基于粗化處理層形成前后的表面粗糖度的變化來進行驗證。用巧go 株式會社制的非接觸式Ξ維表面形狀、粗糖度測定儀(型號:New-View 6000)，在倍率20倍、 視角2.0、測定區域180μπιΧ13〇Μ?的條件測定上述的粗化處理前的兩面平滑電解銅錐的析 出面時，Ra=l .6皿、化=26皿。另一方面，與上述同樣地測定圖1(a)所示的本發明的銅錐表 面時，Ra = 2.3皿、Rz = 39皿。即，本發明的粗化處理層具有由皿級的凸狀部形成的微細凹凸 結構，且如上所述，該凸狀部的最大長度在500皿W下為極小，因而可W抑制粗化處理前后 的粗化處理面側的表面粗糖度的變化。換言之，通過在表面平滑的銅錐設置該粗化處理層， 在維持設置粗化處理層W前的平滑表面的狀態下，在該表面可W獲得由上述微細凹凸結構 所產生的納米固定效果。
[0034] 其次，參照圖3對上述凸狀部的最大長度進行說明。圖3是表示本發明的銅錐的剖 面的掃描電子顯微鏡觀察圖。如圖3所示，在該銅錐的剖面中，觀察到的細線狀的部分為凸 狀部。由圖3可W確認，銅錐的表面被相互聚集的無數的凸狀部所覆蓋，各凸狀部被設置成 沿著銅錐的表面形狀從銅錐的表面突出。本發明中，"凸狀部的最大長度"是指在該銅錐的 剖面中，測定觀察到的上述線(線段)狀的各凸狀部的自底端至頂端為止的長度時得到的最 大值。該凸狀部的最大長度優選為400nmW下，更優選為300nmW下。該凸狀部的最大長度越 小，銅錐的表面越易于具有微細的凹凸結構，且越易于維持粗化處理前的銅錐的表面形狀， 從而可W抑制表面粗糖度的變化。因此，通過微細的納米固定效果可W得到該銅錐與絕緣 樹脂基材的良好的密合性，且可W形成具有與使用非粗化銅錐時同等的更為良好的蝕刻系 數的細間距電路。
[0035] 運里，本發明的銅錐中，"粗化處理層的厚度"相當于在該銅錐的表層部分設置的 微細凹凸結構的厚度。形成微細凹凸結構的各凸狀部的長度或突出方向并非一定，各凸狀 部的突出方向不平行于銅錐的厚度方向。因此，上述凸狀部的長度與該銅錐的厚度方向上 的該凸狀部的高度不一致，上述凸狀部的最大長度與粗化處理層的最大厚度也不一致，而 是具有(該粗化處理層的厚度）含（上述凸狀部的最大長度）的關系。并且，該微細凹凸結構 是在銅錐的表面密集地設置凸狀部而形成，因而在粗化處理層的厚度上存在著波動。然而， 該凸狀部的最大長度與粗化處理層之間有一定的相互關系，本發明人反復試驗的結果發 現，該粗化處理層的平均厚度在400nmW下時，上述凸狀部的最大長度變為500nmW下，該粗 化處理層的平均厚度在lOOnmW上時，上述凸狀部的最大長度變為lOOnmW上。出于得到與 絕緣樹脂基材的良好的密合性