41進行加固的四個加固部644，此外，表面保護膜65具有對覆蓋層641進行加固的四個加固部651。
[0114]在此，如圖4所示，覆蓋層641在俯視觀察時呈矩形，并具有被構成為包含彼此相鄰的兩條邊的四個角部。而且，各加固部644以及各加固部651分別被配置為連結彼此相鄰的兩條邊。因此，加固部也能夠表現為“連結部”。由此，通過加固部644、651而有效地對覆蓋層641進行加固，從而能夠減少由覆蓋層641的角部和與之相鄰的部分之間的強度差引起的損傷。因此，本發明的物理量傳感器I具有優異的可靠性。
[0115]相對于此，假設省略了加固部644以及加固部651二者的情況，由于覆蓋層641的與角部相對應的部分的強度與其他的部分相比極端地升高，因此在覆蓋層641發生了熱收縮等時，應力易于集中在覆蓋層641的與該角部相對應的部分和其他部分之間，其結果為，易于產生覆蓋層641的裂紋等損傷。
[0116]此外，加固部644處于覆蓋層641的空洞部S側。由此，能夠優化加固部644的加固效果。此外，如后文所述，在使用光刻技術以及蝕刻技術來形成布線層64的情況下，能夠利用在光刻的曝光時所使用的防反射膜而形成加固部644，從而能夠實現制造工序的簡化。
[0117]在本實施方式中，如圖5所示，布線層62具有由鈦(Ti)構成的Ti層622、由氮化鈦(TiN)構成的TiN層623、由鋁(Al)構成的Al層624、由氮化鈦(TiN)構成的TiN層625，并被構成為這些層按照上述順序而被層疊在一起。同樣，布線層64具有由鈦(Ti)構成的Ti層645、由氮化鈦(TiN)構成的TiN層646、由鋁(Al)構成的Al層647、由氮化鈦(TiN)構成的TiN層648，并被構成為這些層按照上述順序而被層疊在一起。
[0118]而且，加固部644通過Ti層645以及TiN層646的一部分而被構成。TiN層646為在光刻的曝光時所使用的防反射膜的一部分，并使用所涉及的防反射膜而被形成。
[0119]此外，通過加固部644含有氮化鈦，從而在使用鋁而構成了覆蓋層641的情況下，能夠減小覆蓋層641與加固部644的熱膨脹差。因此，在覆蓋層641發生了熱收縮等時，能夠減少在覆蓋層641上產生的應力集中，從而減少覆蓋層641的損傷。
[0120]此外，通過加固部644含有與覆蓋層641相比熱膨脹率較小的材料，從而覆蓋層641能夠減少熱收縮或者熱膨脹。
[0121]另一方面，加固部651處于覆蓋層641的與空洞部S相反的一側。由此，能夠與表面保護膜65—并地形成加固部651，從而能夠實現制造工序的簡化。
[0122]在本實施方式中，如圖5所示，表面保護膜65包括:由氧化硅(S12)構成的作為第一層的S12層652;和由相對于S12層652而被配置在與空洞部S相反的一側，并由氮化硅(SiN)構成的作為第二層的SiN層653。而且，加固部651通過S12層652以及SiN層653的一部分而被構成。由此，能夠與表面保護膜65—并地形成加固部651。
[0123]此外，通過加固部651含有與覆蓋層641相比熱膨脹率較小的材料，從而覆蓋層641能夠減少熱收縮或者熱膨脹。
[0124]如此，在本實施方式中，在覆蓋層641的一面側具有加固部644，在另一面側具有加固部651。即，在加固部644與加固部651之間存在有覆蓋層641。由此，能夠在實現制造工序的簡化的同時，優化加固部644、651的加固效果。在此，加固部644構成了 “第一連結部”，此夕卜，加固部651構成了相對于加固部644(第一連結部)而被配置在與空洞部S(內部空間)的相反的一側的“第二連結部”。
[0125]此外，各加固部644、651呈如下的形狀，S卩，在相對于俯視觀察時呈矩形的覆蓋層641的彼此相鄰的兩條邊而傾斜的方向上延伸的形狀。由此，能夠減小由覆蓋層641以及加固部644、651構成的結構體的質量，并且減少覆蓋層641的撓曲。因此，能夠更有效地減少覆蓋層641的損傷。此外，能夠提高布線層64所具有的多個細孔642的配置密度。因此，在后述的制造工序中，能夠高效地實施經由細孔642的蝕刻。
[0126]在此，細孔642被配置為，在俯視觀察時，不與加固部644、651重疊，且盡可能地分散在較大范圍。尤其是，以在俯視觀察時，在接近于覆蓋層641的角部的位置處也存在細孔642的方式而配置有多個細孔642。由此，在后述的制造工序中，能夠高效地實施經由細孔642的蝕刻。
[0127]物理量傳感器的制造方法
[0128]接下來，對物理量傳感器I的制造方法進行簡單說明。
[0129]圖6至圖8為表示圖1所示的物理量傳感器的制造工序的圖。以下，基于這些圖來對物理量傳感器I的制造方法進行說明。
[0130]元件形成工序
[0131]首先，如圖6(a)所示，準備為SOI基板的半導體基板21。
[0132]然后，通過向半導體基板21的硅層213摻雜(離子注入)磷(η型)或者硼(P型)等雜質，從而如圖6(b)所示，形成多個壓敏電阻元件5以及布線214。
[0133]例如，當以+SOkeV進行硼的離子注入的情況下，對于壓敏電阻元件5的離子注入濃度為lX1014atoms/cm2左右。另外，對于布線214的離子注入濃度多于壓敏電阻元件5。例如，當以1keV進行硼的離子注入的情況下，對于布線214的離子注入濃度為5 X 1015atomS/Cm2左右。另外，在進行前述的離子注入后，例如，以1000°C左右進行20分鐘左右的退火。
[0134]絕緣膜等形成工序
[0135]接下來，如圖6(c)所示，在硅層213上依次形成絕緣膜22、絕緣膜23以及中間層3。
[0136]絕緣膜22、23的形成可分別通過例如派射法、CVD(Chemical Vapor Deposit1n,化學氣相沉積)法等來實施。中間層3例如可通過如下的方式而形成，即，通過濺射法、CVD法等而使多晶硅成膜之后，根據需要向該膜摻雜(離子注入)磷、硼等雜質，之后，通過蝕刻而進行圖案形成的方式。
[0137]層間絕緣膜和布線層形成工序
[0138]接下來，如圖6(d)所示，在絕緣膜23上形成犧牲層41。
[0139]該犧牲層41通過后述的空洞部形成工序而被去除一部分，剩余部分成為層間絕緣膜61，并具有供布線層62貫穿的貫穿孔。犧牲層41的形成通過如下的方式而進行，S卩，通過濺射法、CVD法等形成硅氧化膜，并通過蝕刻而對該硅氧化膜進行圖案形成的方式。
[0140]此外，犧牲層41的厚度不被特別限定，例如可被設為150011111以上且500011111以下的程度。
[0141]接下來，如圖7(a)所示，以填充被形成在犧牲層41上的貫穿孔的方式而形成布線層62。
[0142]布線層62的形成例如能夠通過如下的方式而進行，S卩，通過濺射法、CVD法等而形成了同樣的導體膜之后，對該導體膜進行圖案形成處理的方式。雖然未進行圖示，但在形成具有前述的Ti層622、TiN層623、A1層624以及TiN層625的布線層62時，通過在依次同樣地形成了Ti層以及TiN層之后對這些層進行圖案形成，從而形成Ti層622以及TiN層623，之后，通過在依次同樣地形成了 Al層以及TiN層之后對這些層進行圖案形成，從而形成Al層624以及TiN層625。在此，TiN層623為了使Al向犧牲層41的貫穿孔內填充的填充性良好而具有提高Al的潤濕性的功能，Ti層622具有提高TiN層623與犧牲層41之間的緊貼性的功能。此外，被同樣地形成在Al層上的TiN層在通過圖案形成而形成Al層624以及TiN層625時，作為防止光刻的曝光光的反射的防反射膜而發揮功能。
[0143]此外，布線層62的厚度不被特別限定，例如被設為300nm以上且900nm以下的程度。
[0144]接下來，如圖7(b)所示，在犧牲層41上以及布線層62上形成犧牲層42。
[0145]該犧牲層42通過后述的空洞部形成工序而被去除一部分，剩余部分成為層間絕緣膜63，并具有供布線層64貫穿的貫穿孔。犧牲層42的形成與前述的犧牲層41的形成同樣通過如下的方式而進行，即，通過濺射法、CVD法等形成硅氧化膜，并通過蝕刻而對該硅氧化膜進行圖案形成的方式。
[0146]此外，犧牲層42的厚度不被特別限定，例如被設為1500nm以上且5000nm以下的程度。
[0147]接下來，如圖7(c)所示，以填充被形成在犧牲層42上的貫穿孔的方式而形成布線層64。
[0148]布線層64的形成例如能夠通過的如下方式而進行，S卩，通過濺射法、CVD法等形成了同樣的導體膜之后，對該導體膜進行圖案形成處理的方式。雖然未進行圖示，但在形成前述的具有Ti層645、TiN層646、A1層647以及TiN層648的布線層64時，通過在依次同樣地形成了Ti層以及TiN層之后對這些層進行圖案形成，從而形成Ti層645以及TiN層646，之后，通過在依次同樣地形成了Al層以及TiN層之后對這些層進行圖案形成，從而形成Al層647以及TiN層648。在此，TiN層646為了使Al向犧牲層42的貫穿孔內填充的填充性良好而具有提高Al的潤濕性的功能，Ti層645具有提高TiN層646與犧牲層42之間的緊貼性的功能。此外，被同樣地形成在Al層上的TiN層在通過圖案形成而形成Al層647以及TiN層648時，作為防止光刻的曝光光的反射的防反射膜而發揮功能。
[0149]此外，布線層64的厚度不被特別限定，例如被設為300nm以上且900nm以下的程度。
[0150]通過以上的方式而形成了犧牲層41、42以及布線層62、64。另外，由這樣的犧牲層41、42以及布線層62、64構成的層疊結構使用通常的CMOS工藝而形成，其層疊數根據需要而被適當設定。即，還存在根據需