MEMS為基礎的共振鰭式場效晶體管的制作方法

本發明大體上關于用于共振三維晶體管。更具體地說，本發明關于mems為基礎的共振finfet。

背景技術：

高q濾波器可用于建立振蕩器，是通過將其并入正回授回路并以放大器提供適當增益來達成。此“q”是指“品質”因子，屬無次元參數，描述振蕩器的欠阻尼程度，特征化共振器相對于其中心頻率的帶寬；q愈高，則相對于此共振器儲能的能量損失率愈低(阻尼愈低)；q愈高則阻尼愈低(能量損失愈低)。

此類振蕩器是當作信號源用于通訊系統及模擬電子器件。也可當作頻率源用于數字電子器件。

高q濾波器也在通訊系統中用于選擇特定波段與通道、消除干擾因素、抑制亂真傳輸，以及許多其它用途。濾波器的質量因子q愈高，其就不同通道與波段提供的選擇性愈好，就此類濾波器所建構的振蕩器而提供的相位噪聲與抖動也愈低。

現有解決方案包括可達到數十ghz頻率者，但缺點在于低質量因子(q<50)。其它現有解決方案在升高ghz頻率方面非常有挑戰性。在其它現有解決方案需要額外的制作步驟，這可能影響到良率，及/或導致熱預算受限。

因此，對于沒有上述缺點的高q濾波器持續存在需求。

技術實現要素：

通過在一態樣中提供一種mems為基礎的共振finfet(rft)的制作方法，得以克服現有技術的缺點，并且提供附加優點。本方法包括在finfet的feol制作期間，于半導體襯底的表面上形成聲共鳴空腔，以及在制作該finfet之后，就該finfet形成互連結構。本方法更包括在形成該互連結構期間，使用該互連結構的材料形成聲子晶體，以及于該聲子晶體與該半導體襯底間約束該聲共鳴空腔，建立共振finfet。

根據另一態樣，一種半導體結構。該半導體結構包括半導體襯底、耦接至該半導體襯底的多個鰭片、在該多個鰭片上的多個finfet、用于該多個finfet的共柵極、在該半導體襯底上的介電層、以及在該多個finfet上面的互連結構，該介電層圍繞空腔且該半導體襯底通過全內反射提供該空腔的底端約束，該互連結構包括用以將該空腔中的聲能約束的至少一個聲子晶體，包括合夾于兩個介電層間的該空腔及至少一個金屬層。

本發明的這些及其它目的、特征及優點經由以下本發明各項態樣的詳細說明，搭配附圖，將會變為顯而易見。

附圖說明

圖1是根據本發明的一或多項態樣的mems為基礎的共振finfet(rft)的底端部分的一項實施例的三維立視圖，該底端部分包括主體半導體襯底、耦接至該半導體襯底的多個鰭片、及將該多個鰭片的中心(通道)部分圍繞的共柵極，各鰭片亦包括源極與漏極。

圖2是根據本發明的一或多項態樣的一電路圖，其展示從源極觀點來看圖1中rft接地的底端部分、以直流偏壓充當射頻(rf)接地的柵極、及施加有直流電壓與rf信號兩者的漏極的一項實施例。

圖3是根據本發明的一或多項態樣的一電路圖，其展示從漏極觀點來看圖1中rft接地的底端部分、以直流偏壓充當射頻(rf)接地的柵極、及施加有直流電壓與rf信號兩者的源極的一項實施例。

圖4是根據本發明的一或多項態樣的一電路圖，其展示圖1中rft的底端部分、有rf接地的柵極、及都施加有共同直流電壓與rf信號的源極與漏極的一項實施例。

圖5是根據本發明的一或多項態樣的跨布部分rft結構的共柵極取看的截面圖，該部分rft結構包括圖1的上面有互連結構的底端部分，該互連結構包括三個介電層，這三層的一層比另兩層更厚，并且穿插有三個金屬化層。

圖6是根據本發明的一或多項態樣的rft的聲子晶體(pnc)的一項實施例的截面圖，圖5的部分rft結構是rft的另一部分，該pnc包括圖5的主體半導體襯底、包裝于介電材料中的空腔、及多個金屬化層，該等金屬化層各包括金屬線，各金屬線是該pnc的單元胞。

圖7是根據本發明的一或多項態樣，繪示圖6的單元胞的一項實施例，金屬線由介電質圍繞所有側邊。

圖8是根據本發明的一或多項態樣的pnc的一項實施例的截面圖，該pnc包括圖5的主體半導體襯底、包裝于穿插有金屬化層的介電材料中的空腔，各金屬層的形式為金屬板。

圖9根據本發明的一或多項態樣，繪示圖5的結構的一項實施例，其展示具有完全差動驅動/感測的rft的鰭片群組，該等群組包括具有奇數個鰭片及相反信號極性的群組，一個群組充當驅動器且另一群組充當傳感器，是由具有偶數個鰭片的未作用隔離群組分開。

圖10是根據本發明的一或多項態樣的rft的一項實施例的電路圖，該rft包括相反極性驅動finfet對及感測對，該感測對的漏極電接地，并且該共柵極有直流偏壓充當rf接地。

圖11是根據本發明的一或多項態樣的與圖10的rft類似的rft的一項實施例的電路圖，差別在于電接地的隔離finfet是置放于感測對與驅動對之間。

圖12是根據本發明的一或多項態樣的跨布水平rft周期的截面圖，其展示各種頻率下不同應力與應變的一項實施例，一陰影代表柵極區的擠壓且一陰影代表其拉抻，實體可能出現的只有一種陰影。

具體實施方式

本發明的態樣及特定特征、優點、及其細節是引用附圖所示的非限制性實施例于下文更完整闡釋。省略眾所周知的材料、制作工具、處理技巧等說明以避免非必要地混淆本發明的詳細說明。然而，應該了解的是，詳細說明及特定實施例雖然指出本發明的態樣，仍僅以說明方式來提供，并且非是作為限制。本發明概念的精神及/或范疇內的各種取代、修改、新增及/或配置經由本發明對本領域技術人員將顯而易見。

本說明書及權利要求各處的近似語言于本文中使用時，可套用來修飾任何定量表征，可許可改變此定量表征，但不會改變與其有關的基本功能。因此，一或多個諸如“約”的用語所修飾的值并不受限于指定的精確值。在一些實例中，該近似語言可對應于儀器測量該值時的精確度。

本文所使用的術語用途只是說明特定實施例并且無意于限制本發明。如本文中所用，單數形式“一”、“一種”、“一個”、以及“該”的用意在于同時包括復數形式，上下文另有所指除外。將再理解術語“包含”(以及包含的任何形式，如單數的“包含”和動名詞的“包含“)、“具有”(以及具有的任何形式，如單數的“具有”和動名詞的“具有”)、“包括”(以及包含的任何形式，如單數的“包括”和動名詞的“包括”)、“含有”(以及包含的任何形式，如單數的“含有”和動名詞的“含有”)為開放式連接動詞。因此，“包含”、“具有”、“包括”或“含有”一或多個步驟或組件的方法或裝置處理那些一或多個步驟或組件，但不受限于僅處理那些一或多個步驟或組件。同樣地，“包含”、“具有”、“包括”或“含有”一或多個特征的方法的步驟或裝置的組件具備那一或多個特征，但不限于僅具備那一或多個特征。此外，以特定方式予以配置的裝置或結構以至少那方式予以配置，但也可用未列示的方式予以配置。

“連接”一詞于本文中使用時，若是在指稱為兩個實體組件時使用，意為介于該兩個實體組件之間的直接連接。然而，“耦接”一詞可意為直接連接或通過一或多個中間組件的連接。

“可”及“可以是”等詞于本文中使用時，指出一組狀況中出現的可能性；是否具備指定屬性、特性或功能；及/或通過表達與修飾過的動詞相關的能力、功能或可能性其中一或多者來修飾另一動詞。因此，“可”及“可以是”在使用時，指出修飾過的用語明顯適當、可用，或適用于指示的容量、功能或用途，同時還考慮在一些狀況下，修飾過的用語有時可能不適當、可用，或適用。舉例而言，在一些狀況下，事件或容量會是在意料之中，而在其它狀況下，該事件或容量并不會出現，這樣的區別是通過“可”及“可以是”等用語來獲得。

于本文中使用時，除非另有指明，“約”一詞若配合諸如測量結果、尺寸等使用，意為此值加或減百分之五的可能變動。同樣地，除非另有指明，就一方法的部分，本文中所述半導體制作的給定態樣可使用現有的程序及技巧來完成，就半導體結構的說明，可包括適用于環境的現有材料。

下文引用為易于了解未依比例繪示的附圖，其中各個不同圖中所用相同的附圖標記表示相同或類似組件。

本發明的cmos共振體晶體管(rbt)是作為cmos前段(feol)與后端(beol)制程的整合部分而實施的未釋離mems共振器，不用任何額外釋離或鈍化步驟。其制作就像商用cmos制程中的任何正規fet一樣。少了釋離步驟及額外的后處理，cmosrbt不損及cmos制程的良率或rbt本身。此外，作為無氣隙的未釋離裝置，其是固有地包封于cmos晶粒中，而且不需要任何特殊封裝或氣密封。

本發明的cmosrbt合并位于cmos制程feol層中的機械共振腔。此rbt共振腔是自頂端起，通過cmos制程的金屬與介電性beol所形成的1d(維)、2d或3d聲子晶體(pnc)來界定。起自cmos主體晶圓的全內反射是用于自底端起達到能量約束，其與該pnc一起界定空腔垂直維度。

feol層的圖型化是用于建構達到水平能量約束的面內反射體，并且界定此等水平空腔維度。本發明的cmosrbt將出自cmos技術的正規fet用于主動fet感測。聲共鳴空腔中的機械應力調制fet通道的遷移率，導致當fet經適當偏壓時，外部電路出現小信號電流。cmosrbt是以靜電方式藉助cmosbeol中可得的mos電容器(或當作電容器使用的正規fet)來驅動。

mos電容器上(通過柵極電壓)的電荷調制造成此電荷誘發靜電壓的調制，并且誘發結構中的機械應力。

cmosrbt受惠于就cmos的feol可得的小關鍵尺寸，而且是固有地可調至ghz頻率。cmosrbt的尺寸也小到只有數微米，因此，并未占用太多晶粒面積。由于cmosrbt可在cmos晶粒的feol中直接得到，連至cmos電路的互連寄生相較于任何其它整合方案是最小。

cmosbeol中的聲子晶體(pnc)

聲子晶體是1d、2d或3d周期性結構，特征在于其散布關系中的能隙。

當彈性波以落在pnc能隙中的頻率入射到pnc上時，此類波不會在pnc能隙中傳播，因為此結構沒有可支撐其傳播的特征模振動模式。結果是，此類波在pnc中按消逝方式衰減，導致入射波出現強反射。pncs就其能隙中的頻率充當高反射率聲鏡。

若要建構pnc，使用具有高聲阻抗(波應力對位移速度的比率)的材料。

cmosbeol層件中可用的材料舉例而言，包括銅敷金屬、鎢、低k介電質、二氧化硅、銅覆蓋層、蝕刻終止層、抗反射涂料等。

cmos-rft

本發明在一項態樣中，包括一種以商用cmosfinfet技術制作mems共振finfet晶體管(rft)的方法。

此rft包括在主體晶圓上以商用finfet技術流程制作有鰭片陣列的finfet。此晶圓可包括埋置型氧化物層(硅絕緣體或soi晶圓)。

此rft更包括柵極，舉例而言，柵極可以是多晶硅柵極、金屬柵極或取代金屬柵極(rmg)。此柵極亦可包括多個阻障與蝕刻終止層。此rft包括可以是高k介電質、氧化物或任何絕緣體形式的柵極介電質。

此等柵極、柵極介電質及鰭片構成rftfeol結構。此rftfeol結構在可于給定適當轉導條件激發及感測的特定及離散自然共振頻率(特征頻率)下具有自然機械振動模式(特征模)。對于此rftfeol結構的一些自然振動模式，可達到起自晶圓主體的全內反射，導致其內機械振動能受到垂直約束。能量約束差的振動rft模式會使質量因子降低。特定振動模式可通過使用適當的空間激發或驅動圖型來選擇。

cmosfinfet制程中可得的beol金屬化層可經圖型化以形成可將機械振動約束至rftfeol結構的1d、2d或3d聲子晶體。

cmos-rft激發

此等rft自然振動模式是待以并入機械結構本身中的機械應力源來激發。介于柵極與源極/漏極間的電壓差在finfet電容中產生電荷，其誘發靜電力。此靜電力在rft結構中產生機械應力。此rft柵極對源極/漏極電壓的調制造成電荷的調制，從而一起產生靜電力與機械應力。

在后續說明的特定實施例中，rft的所有鰭片全都共享相同的柵極。然而，本發明并不受限于此組態，因為就密集包裝的鰭片陣列，目前finfet技術的主要限制便在于此。

cmos-rftfet感測

rftfeol結構中的機械振動是待由finfet主動感測。若干(少于全都)rft鰭片是專用于主動finfet感測。這些鰭片盡管與激發(驅動)鰭片共享其柵極，仍然就正規finfet操作使其源極與漏極區段適當偏壓(飽和、線性及次臨限全都是可能的操作模式)，finfet漏極中有充分電流在流動。rft鰭片中的應力調制感測finfet通道中的載子遷移率。此調制產生流經finfet的rf電流，其可通過外部電路輕易提取。

cmos-rft頂端約束

rftfeol層中的聲能約束是用于達到具有高質量因子及低損失的自然機械共振模式。聲能應該自圍繞rftfeol空腔的所有方向受到適當約束。

起自rftfeol空腔頂端的聲能約束是通過聲子晶體(pnc)來達成，其是由beol金屬化層與介電質所構造，例如層間介電質(ild)。1d、2d或3dbeolpnc的設計旨在令rftfeol空腔在關注的rft自然共振頻率附近具有部分或完全能隙。

此金屬化層舉例而言，可包括銅、鋁、鎢、鈦等。此等beol介電層舉例而言，可包括銅覆蓋層(ccl)、蝕刻終止層(esl)、擴散阻障物(db)、抗反射涂料(arc)、以及舉例如sicoh、siocn、sicn、sioc、sin的低k介電質。

mos-rft1dpnc

1dpnc的部分能隙調高到遠高于2dpnc可達的頻率。此1dpnc由于僅受所涉及不同層的厚度所影響，因此亦較不受制程變異影響，而2dpnc除了層厚以外，還容易受面內尺寸變異影響。

cmos-rft橫向約束

本發明的cmosrft舉例而言，可通過陡峭終止周期性鰭片陣列與柵極結構來達到橫向約束。材料特性中的陡峭不連續性在接口處造成大反射現象，容許將聲能約束于rftfeol空腔區域中。

通過全內反射造成底端約束

主體晶圓是連續性且同構型介質；若與共振rft結構的標準波長比較，可近似無窮大。

主體晶圓的特征模正是平面波，線性分散關系為ω＝c|k|，其中c是主體晶圓中的波速(就縱向波與切變波兩者而言)，而|k|是由kx與ky所組成的總波向量的量值。具有某空間周期性的激發可迫使出現某一kx分量。就此例而言，得便利地寫出主體中平面波的分散關系式：ω>ckx(其中就給定kx，ky可假設為任意值)。因此，就給定kx(由激發周期性所造成)，頻率為ω>ckx的波可在主體晶圓中自由傳播。

就給定kx而言，頻率為ω<ckx的波會在主體晶圓中按消逝方式衰減，導致自后者出現全反射。這種現象類似于光學器件中的全內反射。鰭片陣列若具有周期為a的周期性，則完全rft垂直堆棧的分散關系式在kx中會具有周期為kx＝2π/a的周期性。

對于rft的結構化周期性，起自主體晶圓達到全內反射的最高頻率出現于kx＝π/a，并且是通過ω＝cπ/a給定。由于切變波的速度就主體晶圓總是慢于縱向波的速度，此最高頻率受限于切變聲音速度。kx＝π/a對應于結構(本例中為鄰接的鰭片)的鄰接周期中必須有180^o異相的應力。因此，應力對應于kx＝π/a且頻率低于ω＝cshearπ/a的自然振動模式將會自主體晶圓完全反射。

此類模式的頻率若同樣落入以上pnc結構的能隙內，則也將會自pnc反射，從而在介于beolpnc與主體晶圓間的feol層中遭截留，達到全垂直約束。

完全差動驅動/感測

如上所述，鄰接的鰭片中大部分自然振動模式具有180度異相應力，其可(通過全內反射)完全反射自主體，還可落入1dpnc的部分能隙內。

希望能夠致動并感測此類自然振動模式。需要完全差動驅動與感測才能有效驅動或感測此類應力分布。完全差動驅動與感測亦修整為共模噪聲，并且減少注入主體晶圓的rf信號。

在理想的情況下，完全差動驅動/感測方案會需要個別接觸rft陣列中鄰接的鰭片，用以路由安排完全差動信號的正與負端點；現今大部分finfet技術禁止的設定。然而，使鰭片群組中的諸鰭片接觸在一起是有可能的。

完全差動驅動與感測在達成方面，亦可通過接觸奇數x個鰭片并將其連接在一起作為一個端點(例如正性者)，接著略過偶數y個鰭片(留下浮動者或接地者)，然后接觸相同的奇數x個鰭片并且將其連接在一起作為相反極性端點(例如負性者)。

上述接觸方案就驅動與感測將稱為主動-x-略過-y組態。交替極性鰭片的理想例子單純為主動-1-略過-0組態。這種是最有效率的驅動組態，將會在結構中產生最高驅動應力。本例中驅動或感測信號的周期變為2×(x+y)×a，其中a是鰭片的間距。此理想組態將具有驅動/感測周期2a。x或y數目愈大，驅動/感測方案變為更沒有效率；效率在這里指結構中產生的應力量。

此驅動方案的效率可通過就周期為2×(x+y)×a(kx為傅利葉頻率變量)的驅動空間分布進行傅利葉級數展開、以及考慮諧波在kx＝π/a時的振幅來判斷。

此主動-3-略過-4組態是視為此分析的一實施例。此驅動結構具有2×7×a＝14×a的空間周期。下面表a列示空間kx諧波(以π/a為單位)及各諧波的對應振幅。此驅動結構的第7諧波精準地對應于kx＝π/a，并且相較于0.79的基波具有僅0.18的傅利葉系數。因此，所產生的應力的振幅是就結構可行性予以交換。

表a

共振頻率

不同rft振動模式的共振頻率是通過特定鰭片維度及間距來設定，介于頻率與維度間的特定關系高度取決于鰭片幾何形態及振動模式中的實際能量分布。

鑒于自45nm向下至7nm的鰭寬與自150nm至24nm的間距，自10ghz向上至100ghz分別可能就對應的rft結構獲得自然振動模式。

鑒于上述，根據本發明的一或多項態樣，圖1是mems為基礎的共振finfet(rft)的底端部分100的一項實施例的三維立視圖，該底端部分包括主體半導體襯底102、耦接至該半導體襯底的多個鰭片104、及將該等鰭片的中心(通道)部分圍繞的共柵極106，各鰭片亦包括源極108與漏極110。

舉例而言，該起始結構可使用已知程序及技術以習用的方式來制造。再者，除非另有說明，本發明的制造程序的個別步驟可使用習知的程序與技巧來達成。

在一項實施例中，襯底102可包括任何含硅襯底，其包括但不限于硅(si)、單晶硅、多晶si、非晶si、氣孔上覆硅(silicon-on-nothing；son)、硅絕緣體(soi)、或取代絕緣層上覆硅(sri)或硅鍺襯底及類似者。襯底102可另外或反而包括各種隔離、摻雜及/或裝置特征。此襯底可包括其它合適的基本半導體，舉例而言，例如：晶體中的鍺(ge)、化合物半導體，諸如碳化硅(sic)、砷化鎵(gaas)，磷化鎵(gap)、磷化銦(inp)、砷化銦(inas)、及/或銻化銦(insb)或其組合；合金半導體包括gaasp、alinas、gainas、gainp、或gainasp或其組合。

此等鰭片可從主體襯底蝕刻而來，并且舉例而言，可包括上列與襯底有關材料的任一者。再者，此等鰭片中有一些或全部可包括(例如通過摻雜的)添加雜質，使其成為n型或p型。

圖2是根據本發明的一或多項態樣的一電路圖112，其展示從源極114觀點來看圖1中rft接地的底端部分100、以直流偏壓充當射頻(rf)接地的柵極116、及施加有直流電壓與rf信號兩者的漏極118的一項實施例。

圖3是根據本發明的一或多項態樣的一電路圖120，其展示從漏極122觀點來看圖1中rft接地的底端部分100、以直流偏壓充當射頻(rf)接地的柵極124、及施加有直流電壓與rf信號兩者的源極126的一項實施例。

圖4是根據本發明的一或多項態樣的一電路圖128，其展示圖1中rft的底端部分100、有rf接地的柵極130、及都施加有共同直流電壓與rf信號的源極132與漏極134的一項實施例。

圖5是根據本發明的一或多項態樣的跨布部分rft結構138的共柵極136取看的截面圖，該部分rft結構包括圖1的上面有互連結構140的底端部分100，該互連結構包括三個介電層(142、144與146)，層142比另兩層更厚，并且穿插有三個金屬化層(148、150與152)。

圖6是根據本發明的一或多項態樣的rft的聲子晶體(pnc)154的一項實施例的截面圖，圖5的部分rft結構138是rft的另一部分，該pnc包括圖5的主體半導體襯底102、包裝于介電材料158中的空腔156、及多個金屬化層160，該等金屬化層各包括金屬線(例如：金屬線162)，各金屬線是該pnc的單元胞164。

圖7根據本發明的一或多項態樣，繪示圖6的單元胞164的一項實施例，金屬線162由介電質158圍繞所有側邊。

圖8是根據本發明的一或多項態樣的pnc168的一項實施例的截面圖，該pnc包括圖5的主體半導體襯底102、包裝于穿插有金屬化層174的介電材料172中的空腔170，各金屬層的形式為金屬板。

圖9根據本發明的一或多項態樣，繪示圖5的結構的一項實施例，其展示具有完全差動驅動/感測的rft的鰭片群組，該等群組包括具有奇數個鰭片及相反信號極性的群組176與群組178，群組176充當驅動器且群組178充當傳感器，是由具有偶數個鰭片的未作用隔離群組180分開。

圖10是根據本發明的一或多項態樣的rft182的一項實施例的電路圖，該rft包括相反極性驅動finfet對184與186、及感測對188，該感測對的漏極190電接地，并且該共柵極192有直流偏壓充當rf接地。

圖11是根據本發明的一或多項態樣的與圖10的rft182類似的rft194的一項實施例的電路圖，差別在于電接地的隔離finfet196是置放于感測對188與驅動對184及186之間。

圖12是根據本發明的一或多項態樣的跨布水平rft周期的截面圖，其展示各種頻率198下不同應力與應變的一項實施例，陰影200代表柵極區的擠壓且陰影202代表其拉抻，實體可能出現的只有一種陰影(例子204及206)。

在第一態樣中，以上揭示的是一種方法。本方法包括在finfet的feol制作期間，于半導體襯底的表面上形成聲共鳴空腔，以及在制作該finfet之后，就該finfet形成互連結構。本方法更包括在形成該互連結構期間，使用該互連結構的材料形成聲子晶體，以及于該聲子晶體與該半導體襯底間約束該聲共鳴空腔，建立共振finfet。

在一項實施例中，本方法舉例而言，更包括操作該共振finfet，該操作包括于共柵極施加電壓，使得該共柵極是射頻接地，于各源極與各漏極施加電壓使得該共柵極按照預定方式操作，以及于各源極及/或各漏極施加射頻信號。

在一項實施例中，至少一個鰭片舉例而言，可以是驅動鰭片，且至少一個其它鰭片舉例而言，可以是感測鰭片，以及該至少一個其它鰭片有射頻電流穿經流動。本方法舉例而言，更包括約束聲共鳴空腔中的聲能。

在一項實施例中，第一態樣的方法中約束空腔的聲能舉例而言，可包括在共柵極上面的互連結構中制作(多個)聲子晶體。在一項實施例中，本方法舉例而言，可更包括在該空腔的自然共振頻率附近產生能隙。在一項實施例中，產生該能隙舉例而言，可包括選擇若干聲子晶體。

在一項實施例中，第一態樣的方法中的預定方式舉例而言，可包括累積、耗盡及反轉其中一者。

在第二態樣中，以上揭示的是一種半導體結構。該半導體結構包括半導體襯底、耦接至該半導體襯底的鰭片、在該等鰭片上的finfet、用于該等finfet的共柵極、在該半導體襯底上的介電層、以及在該等finfet上面的互連結構，該介電層圍繞聲共鳴空腔且該半導體襯底通過全內反射提供該空腔的底端約束，該互連結構包括用以將該空腔中的聲能約束的(多個)聲子晶體，包括合夾于兩個介電層間的該空腔及(多個)金屬層。

在一項實施例中，該等鰭片其中至少一者是驅動鰭片且至少一個其它鰭片是感測鰭片，以及射頻電流在使用時流經各感測鰭片。

在一項實施例中，第二態樣的半導體結構的聲子晶體總數目舉例而言，可判定使用時該空腔的自然共振頻率附近的所欲能隙。

在一項實施例中，第二態樣的半導體結構舉例而言，可更包括介于該半導體襯底與該等finfet間的介電層。

在一項實施例中，第二態樣的半導體結構的共柵極舉例而言，可包括虛設柵極或金屬柵極。

在一項實施例中，第二態樣的半導體結構的共柵極舉例而言，可包括(多個)阻障層及/或(多個)蝕刻終止層。

在一項實施例中，第二態樣的半導體結構的(多個)金屬層舉例而言，可包括通過介電材料分開的金屬線。

在一項實施例中，第二態樣的半導體結構的(多個)金屬層舉例而言，可包括(多個)金屬板。在一項實施例中，該(等)金屬板舉例而言，可具有約與該等鰭片的間距相等的寬度。

在一項實施例中，第二態樣的半導體結構的該等鰭片舉例而言，可陡峭地終止。

在一項實施例中，第二態樣的半導體結構的該等鰭片舉例而言，可包括(多個)具有相同端點極性的相鄰鰭片群組。在一項實施例中，至少兩個鰭片群組舉例而言，可包括具奇數個主動鰭片的第一群組以及具偶數個未作用鰭片的第二群組。

在一項實施例中，第二態樣的半導體結構的該等鰭片舉例而言，可包括(多個)具有交替端點極性的驅動鰭片群組、以及(多個)具有交替端點極性的其它感測鰭片群組。

盡管本文中已說明并且繪示本發明的數種態樣，本領域技術人員仍可用替代態樣來達成相同的目的。因此，隨附權利要求的用意在于涵蓋所有此類屬于本發明真實精神與范疇內的替代態樣。