本發明涉及一種氮化碳基復合納米材料的制備方法,屬于材料制備和光催化的技術領域。
技術背景
半導體光催化材料具有光降解有機污染物和光分解水制氫兩大功能,利用光催化材料既可以利用太陽能降解和礦化環境中的有機污染物,也可以將低密度的太陽能轉化為可儲存的高密度的氫能,因此它在解決環境和能源問題方面有著重要的應用前景;在眾多半導體中,類石墨相氮化碳(g-c3n4)由于其穩定、低毒、簡單易得且響應可見光等特點而引起研究者的關注;但是,單純的g-c3n4光催化材料也面臨著一些問題,如光生電子空穴易復合,量子效率很低,比表面積小;為了抑制光生電子-空穴的復合而提高光催化效率,單純的g-c3n4常被用來與多樣的氧化物或者硫化物等進行復合制備二元、三元的復合光催化材料,特別是構建異質結材料;這種特殊設計的異質結材料,能有效的促進光生電子和空穴的分離,抑制光生電子與空穴的復合,提高光電轉化的效率,擴展g-c3n4的吸收范圍,最終提高光催化效率。
cdin2s4是具有立方結構的三元硫族化合物,由于其在電能儲存、光催化等方面的利用而引起廣泛研究,cdin2s4與g-c3n4具有匹配的能帶結構,通過構筑異質光催化劑可以顯著改善電荷分離效率,從而增強光催化活性。石墨烯是一種由碳原子構成的單層片狀結構的新材料,具有良好的電子傳導性,已經被認為是增強半導體光催化活性的理想材料。在cdin2s4/g-c3n4體系中進一步引入導電性較好的石墨烯材料,構筑三元復合材料光催化劑將獲得較高的光催化活性,目前該三元復合光催化材料還未見國內外文獻報道;另外,到目前為止尚未發現有人采用水熱法制備cdin2s4/g-c3n4/rgo三元復合材料,該方法反應條件溫和,工藝簡單,所得產品結晶度高,穩定性好。光催化研究表明,與單純的氮化碳與cdin2s4/g-c3n4二元復合材料相比,本發明制備的cdin2s4/g-c3n4/rgo復合材料的光催化活性顯著提高。
技術實現要素:
本發明目的是提供一種新的在低溫條件下,以簡單易行的水熱法合成cdin2s4/g-c3n4/rgo復合材料的方法。
本發明通過以下步驟實現:
(1)制備類石墨氮化碳(g-c3n4):稱取一定量烘干的尿素放置于半封閉的坩堝中,然后將坩堝轉移至自動程序控溫的升溫管式爐中煅燒。待自然冷卻至室溫后,取出,用研缽研磨至粉末狀后,用稀hno3清洗數次,去除殘留堿性物,再用蒸餾水和無水乙醇洗凈產物,離心,烘干(nanoscale,2012,4,5300-5303)。
(2)制備氧化石墨烯(go):稱取一定量的濃硫酸于三口燒瓶中,冰浴至0攝氏度,然后加入天然鱗片石墨攪拌均勻,再一次加入nano3及kmno4攪拌4h,升溫至35攝氏度,反應1h后加入去離子水以及30%的h2o2,回收產物用5%的鹽酸洗滌去除氯離子,烘干(nanoscale,2012,4,5300-5303)。
(3)稱取g-c3n4粉體與氧化石墨烯片溶于去離子水中并超聲分散,在攪拌的情況下再依次加入cd(no3)2·4h2o,in(no3)3·4.5h2o,攪拌均勻后依次加入巰基乙酸溶液(c2h5ns)與na2s溶液,再次攪拌后將反應液轉移到內襯為聚四氟乙烯的反應釜中,水熱反應,得到的產物洗凈、離心、烘干得到硫銦鋅/氮化碳/氧化石墨烯復合納米材料。
所述硫銦鋅/氮化碳/氧化石墨烯復合納米材料中,硫銦鋅、氮化碳與氧化石墨烯的質量比為:0.01-0.3:1:0.05,優選0.3:1:0.05。
所述去離子水、na2s水溶液與巰基乙酸溶液的體積比為20:16.3:3.25。
所述超聲分散所用超聲機的功率為250w,超聲時間為0.5-1h。
所述水熱反應的溫度為150-200℃,反應時間為10-18h。
利用x射線衍射儀(xrd)、透射電子顯微鏡(tem)、對產物進行形貌結構分析,以鹽酸四環素(tc)溶液為目標染料進行光催化降解實驗,通過紫外-可見分光光度計測量吸光度,以評估其光催化降解活性。
附圖說明
圖1為所制備rgo/cdin2s4/g-c3n4復合光催化劑的xrd衍射譜圖,從圖中可以看出cdin2s4/g-c3n4的xrd圖譜主要由cdin2s4和g-c3n4的衍射峰構成。
圖2中,a、b、c、d分別為單純g-c3n4、單純cdin2s4樣品、rgo/cdin2s4樣品、rgo/cdin2s4/g-c3n4復合材料的透射電鏡照片,可以看出,cdin2s4立方體均勻地分布在g-c3n4表面。
圖3為不同組份的光催化材料降解tc溶液的時間-降解率關系圖,所制備的rgo/cdin2s4/g-c3n4復合材料具有優異的光催化活性,樣品在催化反應180min后tc溶液降解率已達到75%。
具體實施方式
實施例1類石墨碳化氮(g-c3n4)的制備
g-c3n4的制備采用的是熱聚合尿素的方法:稱取10g的尿素于半封閉的坩堝中,置于80℃干燥箱中48h,然后將坩堝轉移至程序升溫管式爐中,550℃加熱4h。待自然冷卻至室溫后,取出,用濃度為0.1mol·l-1的稀hno3清洗3次,再用去離子水和無水乙醇分別清洗3次,最后于80℃烘箱中干燥12h。
實施例2質量比0.05:0.3:1rgo/cdin2s4/g-c3n4(5%-rgo/30%-cdin2s4/g-c3n4)復合材料的制備
5%-rgo/30%-cdin2s4/g-c3n4的制備采用的是傳統的水熱法;稱取0.0735gg-c3n4粉體及0.0245ggo溶于20ml蒸餾水中,然后在功率為250w的超聲機中超0.5h,在攪拌的情況下再依次加入cd(no3)2·4h2o0.027g,in(no3)3·4.5h2o0.087g,攪拌均勻后依次加入巰基乙酸溶液16.3ml、硫化鈉溶液3.25ml,攪拌至完全溶解后,轉移到內襯為聚四氟乙烯的反應釜中,放入160℃烘箱中,水熱反應16h,取出自然冷卻至室溫,將所得樣品用去離子水清洗多次,用無水乙醇清洗3次,離心,于真空烘箱中60οc真空干燥12h,得到5%-rgo/30%-cdin2s4/g-c3n4復合材料。
實施例3cdin2s4/g-c3n4/go復合材料光催化活性實驗
(1)配制濃度為10μg/l的tc溶液,將配好的溶液避光保存。
(2)稱取5%-rgo/30%-cdin2s4/g-c3n4復合材料0.1g,分別置于光催化反應器中,加入100ml步驟(1)所配好的目標降解液,磁力攪拌30min待rgo/cdin2s4/g-c3n4復合材料分散均勻后,打開水源,光源,進行光催化降解實驗。
(3)每30min吸取反應器中的光催化降解液,離心后用于紫外-可見吸光度的測量。
(4)由圖3可見所制備的rgo/cdin2s4/g-c3n4復合材料具有優異的光催化活性,尤其是5%-rgo/30%-cdin2s4/g-c3n4的樣品在催化反應180min后tc溶液降解率已達到75%。