本實用新型涉及一種加熱裝置，尤其涉及一種氮氣干燥裝置。
背景技術：
進入 21 世紀以來，我國信息產業在生產和科研方面都大大加快了發展速度，并已成為國民經濟發展的支柱產業之一。作為信息產業核心技術的半導體技術的發展也是日新月異，而半導體技術的飛速發展是與工藝技術及工藝設備的開發息息相關的。與世界發達國家相比，我國在半導體工藝設備的研究和開發方面還處于落后地位，國內半導體生產單位往往不得不高價購買國外被淘汰的二手設備。這樣一方面增大了生產成本，另一方面也嚴重制約了國內半導體技術的發展。因此，積極研究開發可靠實用的半導體工藝技術及工藝設備刻不容緩。
目前，在半導體制造工藝中，濕法刻蝕和清洗占有很大的比重，而在這些工藝流程中有30%左右是晶圓的刻蝕和清洗工藝。晶圓廣泛應用于各種集成電路、半導體元器件、計算機、信息工業以及民用產品中。晶圓在經過濕法刻蝕或者清洗的環節后，表面會留下一些水或者清洗液的殘留物，由于這些水或者清洗液的殘留物中溶解有雜質，如果等待這些殘留的液體自行蒸發干燥，則這些雜質會重新粘到晶片的表面上，造成污染，甚至破壞晶片的結構，所以需要對晶圓進行干燥處理來去除這些殘留的液體。
技術實現要素：
本實用新型所要解決的技術問題是提供一種結構簡單、制造成本低廉、性能穩定、體積小，可實現氮氣的快速加熱與凈化，特別適用于半導體制造工藝中的氮氣干燥裝置。
本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下：一種氮氣干燥裝置，包括：加熱腔體，所述加熱腔體兩端分別設置有密封塊一、密封塊二，所述加熱腔體上側設置有進氣口，下側設置有出氣口，所述加熱腔體內部設置有對稱錐形噴頭，所述對稱錐形噴頭之間設置有加熱條。
所述在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。
進一步，所述加熱腔體兩側分別設置有隔熱層，所述隔熱層用于降低加熱腔體內部加熱熱量的損耗，以提升加熱裝置的加熱效率。
進一步，所述密封塊一中設置有氣壓傳感器，所述氣壓傳感器用于加熱腔體內部氣壓的監測，以防止加熱腔體內部氣壓過大，造成器件的損壞以及加熱的不充分。
進一步，所述密封塊二中設置有溫度傳感器，所述溫度傳感器用于加熱腔體內部溫度的監測，以便于對加熱裝置加熱時的溫度調控。
進一步，所述進氣口及出氣口上分別設置有保護罩，所述保護罩用于防止半導體加工時所用酸性顆粒及氣體進入加熱腔體內部，導致加熱腔體內部被腐蝕損壞。
進一步，所述對稱錐形噴頭上設置有過濾網，所述過濾網用于對氮氣中微小顆粒的過濾，以防止輸出加熱氮氣對半導體的污染。
進一步，所述加熱條成齒狀交叉排列，所述加熱條成齒狀交叉排列有利于氮氣與加熱條的充分接觸，以提升加熱效率，同時加熱條之間間距可調，用于氮氣流速及加熱效率的調節。
本實用新型的有益效果是：結構簡單、制造成本低廉、性能穩定、體積小，可實現氮氣的快速加熱與凈化，特別適用于半導體制造工藝中。
附圖說明
圖1為本實用新型一種氮氣干燥裝置結構示意圖。
具體實施方式
以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。
如圖1所示，一種氮氣干燥裝置，包括：加熱腔體1，所述加熱腔體1兩端分別設置有密封塊一7、密封塊二8，所述加熱腔體1上側設置有進氣口4，下側設置有出氣口3，所述加熱腔體1內部設置有對稱錐形噴頭5，所述對稱錐形噴頭5之間設置有加熱條9。
所述加熱腔體1兩側分別設置有隔熱層2，所述隔熱層2用于降低加熱腔體1內部加熱熱量的損耗，以提升加熱裝置的加熱效率。所述密封塊一7中設置有氣壓傳感器，所述氣壓傳感器用于加熱腔體1內部氣壓的監測，以防止加熱腔體1內部氣壓過大，造成器件的損壞以及加熱的不充分。所述密封塊二8中設置有溫度傳感器，所述溫度傳感器用于加熱腔體1內部溫度的監測，以便于對加熱裝置加熱時的溫度調控。所述進氣口4及出氣口3上分別設置有保護罩，所述保護罩用于防止半導體加工時所用酸性顆粒及氣體進入加熱腔體1內部，導致加熱腔體1內部被腐蝕損壞。所述對稱錐形噴頭5上設置有過濾網6，所述過濾網6用于對氮氣中微小顆粒的過濾，以防止輸出加熱氮氣對半導體的污染。所述加熱條9成齒狀交叉排列，所述加熱條9成齒狀交叉排列有利于氮氣與加熱條9的充分接觸，以提升加熱效率，同時加熱條9間間距可調，用于氮氣流速及加熱效率的調節。
以上所述僅為本實用新型的較佳實施例，并不用以限制本實用新型，凡在本實用新型的精神和原則之內，所作的任何修改、等同替換、改進等，均應包含在本實用新型的保護范圍之內。