超聲波換能器元件芯片、探測器以及電子設備的制作方法與工藝

本發明涉及超聲波換能器（transducer）元件芯片、利用超聲波換能器元件芯片的探測器（probe）、利用上述這樣的探測器的電子設備以及超聲波診斷裝置等。

背景技術：
例如，如專利文獻1所示，超聲波換能器元件芯片具備基板。在基板上形成有多個開口。在各個開口設置有超聲波換能器元件。超聲波換能器元件具備振動膜。振動膜從基板的表面封閉開口。【在先技術文獻】【專利文獻】【專利文獻1】日本特開2011-82624號公報【專利文獻2】日本特開2011-77918號公報如果在基板上形成有開口，則基板的強度就會降低。如果應對基板的厚度方向的力，則強度不足。如果將超聲波換能器元件芯片按壓于被檢體，則有時超聲波換能器元件會破損。

技術實現要素：
根據本發明的至少一個方面，可以提供一種輕薄且沿基板的厚度方向的力具有足夠強度的超聲波換能器元件芯片、探測器、電子設備及超聲波診斷裝置。（1）本發明一實施方式的超聲波換能器元件芯片具備：基板，將多個開口配置為陣列狀；超聲波換能器元件，設置于多個所述開口中的每個所述開口；板狀部件，被固定在所述基板的設置有所述超聲波換能器元件的面的相反側的面上，從所述基板的厚度方向俯視觀察，覆蓋多個所述開口的至少一個以上，多個所述開口之間的隔壁部的壁厚小于壁高。在這樣的超聲波換能器元件芯片中，超聲波換能器元件形成為薄型。超聲波換能器元件能形成在薄型的基板上。板狀部件即使固定在基板上，超聲波換能器元件芯片也可以形成為薄型。同時，板狀部件增強基板的強度。尤其在隔壁部壁厚小于壁高，所以根據截面系數的關系能在隔壁部上沿基板的厚度方向確保充分的剛性。基板的厚度方向的力傳達給隔壁部被板狀部件支持。這樣，超聲波換能器元件芯片在基板的厚度方向上具有充分的強度。這里，隔壁部相當于鄰接的開口的空間彼此之間夾持的基板的部位。壁厚相當于隔壁部的厚度、即開口之間的距離。在隔壁部的壁面由平面構成的情況下，壁厚被規定為與該壁面正交的垂線的長度。壁高被規定為沿基板的厚度方向規定的壁面的長度。（2）所述板狀部件能被結合于各個所述隔壁部的至少一處的接合區域。當隔壁部與板狀部件結合時，隔壁部的動作被板狀部件束縛。因此，可以防止隔壁部的振動。其結果，可以防止超聲波換能器元件之間的串音。但是，如果可以這樣束縛隔壁部的動作，則可以回避隔壁部的振動對超聲波換能器元件的超聲波振動的作用。在超聲波換能器元件中可以獲得清晰的振動模式的超聲波振動。如果這樣地回避隔壁部的振動，則還可以抑制超聲波振動的振幅的下降。（3）所述開口的輪廓能被規定為四方形。如果方輪廓之間的開口鄰接，則隔壁部可以通過均等的壁厚形成。尤其超聲波換能器元件的密集度越高，隔壁部的壁厚越均等地減少。因此，可以顯著降低隔壁部的剛性。這時，如果隔壁部與板狀部件連接，則可以有效地防止隔壁部的振動。（4）所述四方形能具有相對的兩個長邊，所述隔壁部的所述接合區域是包括所述長邊的中央位置的區域。這樣，隔壁部中的振動振幅大的部位與板狀部件接合。其結果，可以有效地防止隔壁部的振動。（5）所述隔壁部的所述接合區域能是包括所述長邊的全長的區域。這樣，如果隔壁部可以跨越整個長邊地與板狀部件接合，則可以可靠地防止隔壁部的振動。（6）所述隔壁部能遍及所述長邊的全長地在所述開口彼此之間的整個面上被面接合。這樣，如果隔壁部可以跨越整個長邊地在開口彼此之間整面地與板狀部件進行面接合，則可以可靠地防止隔壁部的振動。（7）所述隔壁部的所述接合區域能逐一配置在所述四方形的各邊的至少一處。這樣，如果隔壁部在四方形的各邊與板狀部件接合，則可以可靠地防止隔壁部的振動。（8）所述隔壁部的所述接合區域能不中斷地包圍所述四方形。這樣，如果隔壁部在四方形的整個區域與板狀部件接合，則可以可靠地防止隔壁部的振動。（9）所述隔壁部能遍及所述四方形的全周地在所述開口彼此之間的整個面上被面接合。這樣，如果隔壁部跨越四方形的全周地在開口彼此之間全面地與板狀部件面接合，則可以可靠地防止隔壁部的振動。（10）超聲波換能器元件芯片能被安裝入探測器后加以利用。探測器可以具備：超聲波換能器元件芯片；以及框體，支撐所述超聲波換能器元件芯片。（11）探測器可以被安裝入電子設備后加以利用。電子設備可以具備探測器；以及處理電路，與所述探測器連接，處理所述超聲波換能器元件的輸出。（12）同樣地，探測器可以被安裝入超聲波診斷裝置后加以利用。超聲波診斷裝置具備：探測器；處理電路，與所述探測器連接，處理所述超聲波換能器元件的輸出，并生成圖像；以及顯示裝置，顯示所述圖像。（13）超聲波換能器元件芯片可以被安裝入探測器頭后加以利用。探測器頭具備：超聲波換能器元件芯片；以及框體，支撐所述超聲波換能器元件芯片，且被安裝在探測器主體上。附圖說明圖1是概略地表示一實施方式涉及的電子設備的一具體例、即超聲波診斷裝置的外觀圖。圖2是超聲波探測器的放大正視圖。圖3是超聲波換能器元件芯片的放大俯視圖。圖4是沿圖3的4-4線的截面圖。圖5是基體的背面的俯視圖。圖6是概略地表示超聲波診斷裝置的電路結構的框圖。圖7是概略地表示形成在硅片（siliconwafer）上的可撓曲膜及下部電極的局部放大垂直截面圖。圖8是概略地表示形成在下部電極的壓電膜及上部電極的局部放大垂直截面圖。圖9是概略地表示覆蓋硅片的導電膜的局部放大垂直截面圖。圖10是概略地表示形成于硅片的開口及增強板（reinforcingplate）用的薄板的局部放大垂直截面圖。具體實施方式下面，參照附圖的同時對本發明的一實施方式進行說明。此外，下面所說明的本實施方式并沒有不當地限定權利要求書所記載的本發明的內容，在本實施方式中說明的全部結構并不是必須作為本發明的解決單元。（1）超音波診斷裝置的整體結構圖1概略地示出了本發明的一實施方式涉及的電子設備的一具體例、即超音波診斷裝置11的結構。超聲波診斷裝置11具備裝置終端12和超音波探測器（probe）13。裝置終端12和超聲波探測器13通過電纜14相互連接。裝置終端12和超聲波探測器13通過電纜14交換電信號。在裝置終端12中安裝有顯示面板（顯示裝置）15。顯示面板15的畫面在裝置終端12的表面露出。如后所述，在裝置終端12中，根據通過超聲波探測器13檢測出的超聲波而生成圖像。在顯示面板15上顯示有被形成為圖像的檢測結果。如圖2所示，超聲波探測器13具有框體16。在框體16內收容有超聲波換能器元件芯片（下面稱為“元件芯片”）17。元件芯片17的表面可在框體16的表面露出。元件芯片17從表面輸出超聲波同時接收超聲波的反射波。此外，超聲波探測器13可具備以與探測器本體13a自由裝卸的方式連接的探測器頭（probehead）13b。此時，元件芯片17能被安裝到探測器頭13b的框體16內。（2）超聲波換能器元件芯片的結構圖3概略地示出了一實施方式涉及的元件芯片17的俯視圖。元件芯片17具備基板21。在基板21的表面形成有元件陣列22。元件陣列22通過超聲波換能器元件（下面稱為“元件”）23的陣列而構成。通過多行多列的矩陣形成陣列。各個元件23具備壓電元件部。壓電元件部由下部電極24、上部電極25及壓電膜26構成。針對各個元件23中的每個元件23，在下部電極24及上部電極25之間夾入有壓電膜26。下部電極24具有多個第一導電體24a。第一導電體24a沿陣列的行方向相互平行地延伸。對應每一行元件23都分配一個第一導電體24a。一條第一導電體24a與沿陣列的行方向并排的元件23的壓電膜26共同配置。第一導電體24a的兩端分別與一對引出配線27連接。引出配線27沿陣列的列方向相互平行地延伸。因此，所有的第一導電體24a具有相同的長度。這樣，在整個矩陣的元件23上共同地連接有下部電極24。上部電極25具有多個第二導電體25a。第二導電體25a沿陣列的列方向相互平行地延伸。對應每一列元件23都分配有一個第二導電體25a。一個第二導電體25a與沿陣列的列方向并排的元件23的壓電膜26共同地配置。對應每列切換元件23的通電。通過這樣切換通電，可以實現行掃描、傳感器掃描。一列元件23由于同時輸出超聲波，所以可以根據超聲波的輸出電平確定一列的個數、陣列的行數。行數被設定為例如10~15行左右即可。在圖中省略只描繪了五行。可以根據掃描的范圍的寬度確定陣列的列數。列數被設定為例如128列或256列。在圖中省略只描繪了八列。此外，在陣列中也可以配置成為交錯狀。在交錯配置中，偶數列的元件23群相對于奇數列的元件23群偏移行間距的二分之一即可。奇數列及偶數列中的一方的元件數也可以比另一方的元件數少。此外，也可以切換下部電極24及上部電極25的功能。也就是說，可以在整個矩陣的元件23上共同地連接有上部電極，而在陣列的每列的元件23上共同地連接下部電極。基板21的外緣具有被相互平行的一對直線29隔開而相對的第一邊21a及第二邊21b。在元件陣列22的輪廓和基板21的外緣之間展開的周邊區域31，在第一邊21a和元件陣列22的輪廓之間配置有一行第一端子陣列32a，在第二邊21b和元件陣列22的輪廓之間配置有一行第二端子陣列32b。第一端子陣列32a可與第一邊21a平行地形成一行（line）。第二端子陣列32b可與第二邊21b平行地形成一行。第一端子陣列32a由一對下部電極端子33及多個上部電極端子34構成。同樣地，第二端子陣列32b由一對下部電極35及多個上部電極端子36構成。在一條引出配線27的兩端分別連接有下部電極端子33、35。引出配線27及下部電極端子33、35相對于將元件陣列22二等分的垂直面形成為面對稱即可。在一條第二導電體25a的兩端分別連接有上部電極端子34、36。第二導電體25a及上部電極端子34、36相對于將元件陣列22二等分的垂直面形成為面對稱即可。在基板21上連接有第一撓性印刷基板（下面稱為“第一撓板（フレキ）”）37。第一撓板37覆蓋第一端子陣列32a。在第一撓板37的一端，單個地對應下部電極端子33及上部電極端子34而形成有導電線、即第一信號線38。第一信號線38單個地與下部電極端子33及上部電極端子34相對且單個地接合。同樣地，第二撓性印刷基板（下面稱為“第二撓板”）41覆蓋基板21。第二撓板41覆蓋第二端子陣列32b。第二撓板41的第一端41a單個地對應下部電極端子35及上部電極端子36而形成有導電線、即第二信號線42。第二信號線42單個地與下部電極端子35及上部電極端子34相對且單個地接合。如圖4所示，每個元件23都具有振動膜43。橫跨振動膜43的構架，在基板21的基體44上對應每個元件23都形成有開口45。開口45相對于基體44被配置為陣列狀。在基體44的表面整面地形成有可撓膜46。可撓膜46由層疊在基體44的表面上的氧化硅（SiO2）層47、以及層疊在氧化硅層47的表面上的氧化鋯（ZrO2）層48構成。可撓膜46與開口45接觸。這樣，對應開口45的輪廓，可撓膜46的一部分作為振動膜43而發揮作用。可以根據諧振頻率確定氧化硅層47的膜厚。在振動膜43的表面依次層疊有下部電極24、壓電膜26及上部電極25。對于下部電極24，可以使用例如鈦（Ti）、銥（Ir）、鉑（Pt）及鈦（Ti）的層壓膜。壓電膜26可由例如鋯鈦酸鉛（PZT）形成。上部電極25可由例如銥（Ir）形成。對于下部電極24及上部電極25也可以使用其他導電材料，對于壓電膜26也可以使用其他壓電材料。這里，在上部電極25之下，壓電膜26完全覆蓋下部電極24。通過壓電膜26的動作，可以在上部電極25和下部電極24之間避免短路。在基板21的表面層疊有保護膜49。保護膜49例如整面地覆蓋在基板21的表面上。其結果，元件陣列22、第一端子陣列32a及第二端子陣列32b、第一撓板37的第一端37a及第二撓板41的第一端41a被保護膜49覆蓋。對于保護膜49可以使用例如硅樹脂膜。保護膜49保護元件陣列22的構造、第一端子陣列32a及第一撓板37的接合、第二端子陣列32b及第二撓板41的接合。沿矩陣的行方向及列方向鄰接的開口45彼此之間劃分了隔壁51。開口45之間被隔壁51隔開。隔壁51的壁厚t相當于開口45的空間之間的間隔。隔壁51在相互平行展開的平面內規定兩個壁面。壁厚t相當于壁面之間的距離。也就是說，壁厚t能被規定為與壁面正交且夾在壁面彼此之間的垂線的長度。例如，如圖10所示，在隔壁51的厚度沿基板厚度方向變化的情況下，壁厚t表示壁面間的最大距離。隔壁51的壁高H相當于開口45的深度。開口45的深度相當于基體44的厚度。因此，隔壁51的壁高H能被規定為沿基體44的厚度方向限定的壁面的長度。基體44由于具有均等的厚度，所以隔壁51能跨越整長地具有固定的壁高H。如果隔壁51的壁厚t縮小，則可以提高振動膜43的配置密度。可以賦予元件芯片17的小型化。如果隔壁51的壁高H大于壁厚t，則可以提高元件芯片17的彎曲剛性。這樣，可以將開口45之間的間隔設定得小于開口45的深度。在基體44的背面固定有增強板（板狀部件）52。基體44的背面重疊在增強板52的表面上。增強板52的表面在假想平面HP內展開。由于基體44的背面也在假想平面HP內展開，所以基體44的背面以最大限的廣闊面積與增強板52的表面接觸。增強板52在元件芯片17的背面封閉開口45。增強板52在從基體44的厚度方向俯視觀察時覆蓋開口45。增強板52可以具備堅硬的基材。增強板52可以例如從硅基板形成。基體44的板厚被設定為例如100μm左右，增強板52的板厚被設定為例如100μm~150μm左右。這里，隔壁51與增強板52結合。增強板52在各個隔壁51通過至少一處接合區域接合。整個接合都可以使用粘結劑。如圖5所示，開口45沿第一方向D1形成列。開口45的輪廓形狀的圖心45c在第一方向D1的一直線56上以等間隔配置。開口45模仿一個輪廓形狀而復制，所以相同形狀的開口45以固定的間隙反復被配置。開口45的輪廓45a例如被規定為四方形。具體而言，形成為矩形。矩形的長邊與第一方向D1對齊（合わせ込む）。這樣，開口45具有矩形的輪廓45a，所以隔壁51能遍及全長地具有固定的壁厚t。此時，隔壁51的接合區域是包括長邊的中央位置的區域即可。尤其隔壁51的接合區域是包括長邊的全長的區域即可。隔壁51能遍及全長地在開口45彼此之間的整個面上與增強板52進行面接合。此外，隔壁51的接合區域能被逐一配置在四方形的各邊的至少一處。隔壁51的接合區域能無中斷地包圍四方形。隔壁51能遍及四方形的全周地在開口45彼此之間的整個面上與增強板52進行面接合。（3）超聲波診斷裝置的電路結構如圖6所示，集成電路具備復用器（multiplexer）61以及發送接收電路62。復用器61具備元件芯片17側的端口群61a和發送接收電路62側的端口群61b。在元件芯片17側的端口群61a經由第一配線54連接有第一信號線38及第二信號線42。這樣，端口群61a與元件陣列22連接。這里，在發送接收電路62側的端口群61b連接有集成電路芯片55內的規定數量的信號線63。規定數相當于掃描時同時輸出的元件23的列數。復用器61在電纜14側的端口和元件芯片17側的端口之間管理相互連接。發送接收電路62具備規定數量的切換開關64。每個切換開關64與分別單個對應的信號線63連接。發送接收電路62對應每個切換開關64具備發送路徑65及接收路徑66。在切換開關64上并聯有發送路徑65及接收路徑66。切換開關64選擇性地將發送路徑65或接收路徑66連接到復用器61。在發送路徑65安裝有脈沖發生器67。脈沖發生器67根據與振動膜52的諧振頻率對應的頻率輸出脈沖信號。在接收路徑66安裝有放大器68、低通濾波器（LPF）69及模擬數字轉換器（ADC）71。各個元件23的檢測信號被放大后被轉換為數字信號。發送接收電路62具備驅動/接收電路72。發送路徑65及接收路徑66與驅動/接收電路72連接。驅動/接收電路72根據掃描的形式，同時控制脈沖發生器67。驅動/接收電路72通過控制線73與復用器61連接。復用器61根據從驅動/接收電路72提供的控制信號，實施相互連接的管理。在裝置終端12安裝有處理電路74。處理電路74例如可以具備中央運算處理裝置（CPU）、存儲器。通過處理電路74的處理，控制超聲波診斷裝置11的整體動作。根據從用戶輸入的指示，處理電路74控制驅動/接收電路72。處理電路74根據元件23的檢測信號，生成圖像。通過描繪數據指定圖像。在裝置終端12安裝有描繪電路（drawingcircuit）75。描繪電路75與處理電路74連接。在描繪電路75上連接有顯示面板15。描繪電路75根據通過處理電路74生成的描繪數據生成驅動信號。驅動信號被送入顯示面板15。其結果，可以在顯示面板15上映出圖像。（4）超聲波診斷裝置的動作下面，對超聲波診斷裝置11的動作進行簡單說明。處理電路74向驅動/接收電路72指示超聲波的發送及接收。驅動/接收電路72向復用器61提供控制信號，同時向各個脈沖發生器67提供驅動信號。脈沖發生器67根據驅動信號的供給而輸出脈沖信號。復用器61根據控制信號的指示，將端口群61a的端口與端口群61b的端口連接。根據端口的選擇，通過上部電極端子33、35及上部電極34、36，對應每列地將脈沖信號提供給元件23。根據脈沖信號的供給，振動膜43振動。其結果，向對象物（例如人體的內部）發出想要的超聲波。在發送超聲波后，切換切換開關64。復用器61維持端口的連接關系。切換開關64將發送路徑65及信號線63的連接取而代之地確立接收路徑66及信號線63的連接。超聲波的反射波使振動膜43振動。其結果，從元件23輸出檢測信號。檢測信號被轉換為數字信號后被送入驅動/接收電路72。反復超聲波的發送及接收。當反復時，復用器61變更端口的連接關系。其結果，可以實現線性掃描或中心掃描。當掃描結束時，處理電路74根據檢測信號的數字信號，形成圖像。形成的圖像顯示在顯示面板15的畫面上。在元件芯片17中，元件23可以形成為薄型。元件23可以形成在薄型的基板21上。增強板52即使固定在基板21上，元件芯片17也可以形成為薄型。同時，增強板52增強基板21的強度。尤其在隔壁51中壁厚t小于壁高H，所以根據截面系數的關系在隔壁51沿基板21的厚度方向可以確保充分的剛性。基板21的厚度方向的力傳遞給隔壁51而被增強板52支持。這樣，元件芯片17在基板21的厚度方向上具有充分的強度。而且，即使將基板21的板厚設定為例如100μm左右，增強板52也可以防止基板21的破損。另一方面，在由大塊型（bulk）的超聲波換能器元件構成元件陣列的情況下，將基板的板厚設定為幾mm左右。例如，即使增強板52被接合，與大塊型的超聲波換能器元件構成元件陣列的情況相比，本實施方式涉及的元件芯片17的厚度也能被可靠地縮小。此外，振動膜43的聲音阻抗與大塊型的超聲波換能器元件相比更接近人體的聲音阻抗，所以在元件芯片17與大塊型的超聲波換能器元件相比，可以省略聲音阻抗的匹配層。這樣的匹配層的省略可以進一步賦予元件芯片17薄型化。增強板52在每個隔壁51通過至少一處接合區域接合。當隔壁51與增強板52接合時，隔壁51的動作被增強板52束縛。因此，可以防止隔壁51的振動。其結果，可以防止元件23之間的串音。但是，如果可以這樣束縛隔壁51的動作，則可以回避隔壁51的振動針對元件23的超聲波振動的作用。在元件23可以獲得清晰的振動模式的超聲波振動。如果這樣地回避隔壁51的振動，則還可以抑制超聲波振動的振幅的下降。另一方面，如果隔壁51動作，則比振動膜43的上下振動模式更低頻率的偏斜振動模式會呈現。但是，由于隔壁51動作的量，會導致振動膜43的運動能量減少且振動的振幅也降低。如果方輪廓的開口45彼此鄰接，則隔壁51可以通過均等的壁厚t形成。因此，可以提高元件23的高密度。這樣，元件23的密集度越高，隔壁51的壁厚t越均等地減少。因此，可以顯著降低隔壁51的剛性。這時，如果隔壁51與增強板52連接，則可以有效地防止隔壁51的振動。隔壁51的接合區域可以是包括長邊的中央位置的區域。隔壁51中的振動振幅大的部位與增強板52接合。其結果，可以有效地防止隔壁51的振動。并且，隔壁51的接合區域可以是包括整個長邊的區域。如果隔壁51沿整個長邊與增強板52接合，則可以可靠地防止隔壁51的振動。此外，隔壁51可以在整個長邊上通過開口45彼此之間的整個面進行面接合。如果這樣在整個長邊上在開口45彼此之間隔壁51全面地與增強板52進行面接合，則可以可靠地防止隔壁51的振動。隔壁51的接合區域在四方形的各邊上至少一處配置即可。這樣，如果在四方形的各邊隔壁51與增強板52接合，則可以可靠地防止隔壁51的振動。并且，隔壁51的接合區域可以不中斷地包圍四方形。這樣，如果隔壁51在四方形的整個區域與增強板52接合，則可以可靠地防止隔壁51的振動。除此之外，隔壁51可以在四方形的整周上在開口45彼此之間的整個面上進行面接合。這樣，如果隔壁51在四方形的整周上開口45彼此之間整面地與增強板52進行面接合，則可以可靠地防止隔壁51的振動。（5）超聲波換能器元件芯片的制造方法如圖7所示，在硅片78的表面，在每個元件芯片17上形成有下部電極24、引出配線27及下部電極端子33、35（在圖7后未圖示）。在形成下部電極24、引出配線27及下部電極端子33、35之前，在硅片78的表面依次形成有氧化硅膜79及氧化鋯膜81。在氧化鋯膜81的表面形成有導電膜。導電膜由鈦、銥、鉑及鈦的層壓膜構成，根據光刻法技術，從導電膜成形下部電極24、引出配線27及下部電極端子33、35。如圖8所示，在下部電極24的表面，針對每個元件23形成有壓電膜26及上部電極25。當形成壓電膜26及上部電極25時，在硅片78的表面成膜壓電材料膜及導電膜。壓電材料膜由PZT膜構成。導電膜由銥膜構成。根據光刻法技術，針對每個元件23，通過壓電材料膜及導電膜成形壓電膜26及上部電極25。接著，如圖9所示，在硅片78的表面成膜導電膜82。導電膜82在每個元件芯片17內針對每列將上部電極25相互連接。并且，根據光刻法技術，通過導電膜82成形上部電極25及上部電極端子34、36。然后，如圖10所示，從硅片78的背面形成有陣列狀的開口45。當形成開口45時，進行蝕刻處理。氧化硅膜79作為蝕刻終止（stop）層而發揮作用。氧化硅膜79及氧化鋯膜81上劃分振動膜43。在形成開口45之后，增強板用的薄板（wafer）83的表面與硅片78的背面重合。薄板83可以使用例如堅硬的絕緣性基板。絕緣性基板可以使用硅片。當接合時，例如可以使用粘合劑。接合后，從硅片78切出各個元件芯片17。此外，如上所述，已經對本實施方式進行了詳細的說明，但本領域技術人員應該理解在不脫離本發明主旨的范圍內本發明的新事項及效果可以有較多的變形。例如，在說明書或附圖中，至少一次與更廣義或同義的不同用語一起記載的用語在說明書或附圖的任一處都可以被置換為該不同的用語。并且，超聲波診斷裝置11、超聲波探測器13、元件芯片17、元件23等的結構及動作也并不僅限于在本實施方式中說明的內容，可以進行各種變形。符號說明11電子設備（超聲波診斷裝置）13探測器（超聲波探測器）13b探測器頭15顯示裝置（顯示面板）16框體17超聲波換能器元件芯片21基板23超聲波換能器元件45開口51隔壁部（隔壁）52板狀部件（增強板）