以源自一個或多個芯片的生產和/或 來自一個或多個晶片的處理。例如，處理一個或多個晶片可以包括研磨、拋光(例如CMP^P 打薄晶片中的一個或多個。
[0095] 在一個或多個示例性實施例中，排放廢水可以包含質量濃度等于或小于每升 (liter) 250mg的娃粒子，例如質量濃度等于或小于每升200mg，例如質量濃度等于或小于 每升150mg，例如質量濃度等于或小于每升IOOmg (例如，分別處于20°C)。
[0096] 在一個或多個示例性實施例中，排放廢水可以包含質量濃度為至少每升IOmg的 娃粒子。
[0097] 因此，例如，排放廢水可以包含質量濃度為至少每升IOmg且等于或小于每升 250mg的硅粒子，例如為至少每升50mg且等于或小于每升250mg。然而，濃度的上和下邊界 值還可以是不同的。
[0098] 在一個或多個示例性實施例中，排放廢水中所包含的硅粒子的大小(例如，平均大 小）可以處于亞微米范圍中。例如，硅粒子的平均粒子大小可以等于或小于0.2微米。例 如，所述平均粒子大小可以是經由激光衍射方法可獲得的。
[0099] 在一個或多個示例性實施例中，排放廢水可以包含摻雜劑，其中摻雜劑經由沉積 與硅一起至少部分地從排放廢水中去除。例如，摻雜劑可以是砷。例如，由將混合物維持在 預定溫度范圍中達該時間段所產生的沉積可以包括起初包含在排放廢水中的摻雜劑的全 部量(例如，用mol或g表示)的至少10%，例如至少20%，例如至少30%，，例如至少40%，例如 至少50%，例如至少60%，例如至少70%，例如至少80%，例如至少90%。
[0100] 在一個或多個示例性實施例中，可以使用沉積池或沉積容器來執行所述方法。例 如，水池或容器可以至少具有至少Im 3的容積，例如至少10m3,諸如至少100m3。
[0101] 在一個或多個示例性實施例中，可以以不連續方式，例如分批地(如分批過程）來 執行所述方法。
[0102] 在一個或多個示例性實施例中，可以在不使用或添加金屬鹽(例如氯化鐵）的情況 下將微粒硅從排放廢水中去除。
[0103] 在一個或多個示例性實施例中，可以在沒有或不存在共沉淀反應或沉淀反應的情 況下形成沉積。
[0104] 在一個或多個示例性實施例中，可以通過在污水中包含的硅(粒子）的至少一部分 與堿的化學反應來發起沉積的形成。例如，在污水中包含的硅(粒子）的至少一部分與堿的 化學反應可以包括在污水中包含的硅(粒子）的至少一部分與堿的部分基本氧化或由其構 成。例如，化學反應(例如，部分基本氧化）可以接下來是與堿反應的硅(粒子）的至少一部 分的結塊(例如，部分氧化的硅粒子的至少一部分的結塊)。例如，結塊可以包括縮合反應。
[0105] 在一個或多個示例性實施例中，由于硅粒子中的至少一些通過堿的部分基本氧化 (以由此形成部分氧化的硅粒子）和/或在排放廢水中包含的硅粒子的至少一部分的結塊， 可以形成沉積。
[0106] 在一個或多個示例性實施例中，沉積可以包含部分氧化的硅粒子，例如其表面已 經被氧化(通過OH離子的侵蝕）的硅粒子。例如，沉積中包含的部分氧化的硅粒子的至少 一部分可以以被結塊或粘合在一起的包含部分氧化的硅粒子的結塊的形式存在，例如借助 于縮合反應。
[0107] 雖然已經參考具體實施例特別地示出并描述了本公開的各種方面，但本領域技術 人員應該理解的是在不背離如由所附權利要求所定義的本公開的精神和范圍的情況下，可 以在其中進行形式和細節方面的各種變化。本公開的范圍因此由所附權利要求指示，并且 落入權利要求等價物的意義和范圍內的所有變化都因此意圖被包含。
【主權項】
1. 一種從排放廢水中去除微粒硅的方法，所述方法包括： 向排放廢水添加堿，所添加的堿的量相對于排放廢水中所包含的全部量的硅到原硅酸 的基本氧化反應是亞化學計量的； 將排放廢水和堿的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段，從而形成包括硅 的沉積；以及 使沉積與排放廢水彼此分離。2. 權利要求1所述的方法，其中，堿包括氫氧化鈉、氫氧化鉀、氫氧化鈣、氫氧化鋇以及 氨中的一個或多個。3. 權利要求1所述的方法，其中，以堿性溶液的形式添加所述堿。4. 權利要求3所述的方法，其中，所述堿性溶液選自由以下項目組成的組：氫氧化鈉溶 液、氫氧化鉀溶液、氫氧化鈣溶液、氫氧化鋇溶液、氨溶液及其組合。5. 權利要求1所述的方法，其中，以這樣的量將堿添加到排放廢水：在排放廢水中通過 堿所提供的水氫氧離子與排放廢水中所包含的硅的摩爾比率等于或小于1:1。6. 權利要求1所述的方法，其中，以這樣的量將堿添加到排放廢水：在污水中通過堿所 提供的水氫氧離子與排放廢水中所包含的硅的摩爾比率大于或等于〇. 01:1。7. 權利要求1所述的方法，其中，預定溫度范圍等于或高于40°C。8. 權利要求1所述的方法，其中，預定溫度范圍小于堿的沸騰溫度。9. 權利要求1所述的方法，其中，預定溫度范圍等于或小于90°C。10. 權利要求1所述的方法，其中，時間段大于或等于2分鐘。11. 權利要求1所述的方法，其中，時間段小于或等于14分鐘。12. 權利要求1所述的方法，所述方法還包括： 將從由以下項目組成的組中選擇的成分添加到排放廢水：磷酸氫二銨、磷酸一銨、硫酸 銨、硫酸氫銨及其組合。13. 權利要求12所述的方法，其中，以等于或小于20mol%的量添加所述成分。14. 權利要求12所述的方法，其中，以等于或多于5mol%的量添加所述成分。15. 權利要求1所述的方法，其中，所述排放廢水源自一個或多個芯片的生產和/或來 自一個或多個晶片的處理。16. 權利要求1所述的方法，其中，排放廢水包含質量濃度等于或小于每升250mg的硅 粒子，或者其中，排放廢水中所包含的硅粒子的大小在亞微米范圍中。17. 權利要求1所述的方法，其中，在不存在共沉淀反應或沉淀反應的情況下形成所述 沉積，或者其中，在不添加金屬鹽的情況下將微粒硅從排放廢水中去除。18. 權利要求1所述的方法，其中，排放廢水包含摻雜劑，并且其中，所述摻雜劑經由沉 積與硅一起從排放廢水中至少部分地去除。19. 一種從排放廢水中去除微粒硅的方法，所述方法包括： 以這樣的量將堿添加到排放廢水：在排放廢水中通過堿所提供的水氫氧離子與排放廢 水中所包含的硅的摩爾比率小于或等于2:1 ; 將堿和排放廢水的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段，從而允許形成包 括硅的沉積；以及 將沉積與排放廢水彼此分離。20. -種從排放廢水中去除微粒硅的方法，所述方法包括： 為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的〇. 02至0.lmol的溶解的氫氧化鈉， 或者 為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的〇. 02至0.lmol的溶解的氫氧化鉀， 或者 為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的〇. 01至〇. 〇5mol的溶解的氫氧化鈣， 或者 為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的〇. 02至0.lmol的溶解的氫氧化鋇， 或者 為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的〇. 02至0.lmol的銨，或者 為排放廢水中所包含的每克硅提供排放廢水中的〇. 02至0.lmol的溶解的氫氧化鈉， 其中，溶解的氫氧化鈉部分地或全部地被以下中的一個或多個取代：1:1摩爾取代率的溶 解的氫氧化鉀，1:2摩爾取代率的溶解的氫氧化鈣，1:2摩爾取代率的溶解的氫氧化鋇，以 及1:1摩爾取代率的銨； 將溶解的氫氧化鈉、溶解的氫氧化鉀，溶解的氫氧化鈣、溶解的氫氧化鋇以及銨中的一 個或多個與排放廢水的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段，以便允許形成包 括硅的沉積；以及 將沉積與排放廢水彼此分離。
【專利摘要】從排放廢水中去除微粒硅的方法。根據各種實施例的一種從排放廢水中去除微粒硅的方法可以包括：向排放廢水添加堿，添加的堿的量相對于所述排放廢水中所包含的全部量的硅到原硅酸或原硅酸鹽離子的基本氧化反應是亞化學計量的；將排放廢水和堿的所得混合物維持在預定溫度范圍中達一個時間段，從而形成包括硅的沉積；以及使沉積與排放廢水彼此分離。
【IPC分類】C02F9/04, C02F101/10
【公開號】CN105384275
【申請號】CN201510538359
【發明人】F.克勒納, Z.克勒納
【申請人】英飛凌科技股份有限公司
【公開日】2016年3月9日
【申請日】2015年8月28日
【公告號】DE102015114368A1, US20160060144