清潔基板的設備的制造方法
【技術領域】
[0001]本公開在此涉及一種清潔基板的設備，更具體地，涉及濕法清潔基板的設備。
【背景技術】
[0002]當制造平板顯示器件時，在諸如玻璃基板的基板上可以執行包括清潔工藝的多個工藝。為了清潔用于平板顯示器件的大面積玻璃基板，基板被傳送到清潔腔以通過設置在清潔腔內的多個噴嘴將清潔液噴射到基板上，由此清潔基板。
[0003]多個噴嘴根據清潔液的排出壓力而可分為若干類型。此外，通過使用清潔液清潔基板的方法可以根據排出壓力而有些不同。例如，多個噴嘴可以包括噴水嘴、噴頭和噴霧嘴。噴水嘴可以在大于噴頭和噴霧嘴的壓力下排放清潔液。噴水嘴可以通過使用從其排放的清潔液來清潔基板。此外，清潔液可以以高壓撞擊基板以更有效地去除附著于基板的異物諸如微粒和雜質。
【發明內容】
[0004]本公開提供一種能夠防止清潔的基板被污染的基板清潔設備。
[0005]發明構思的實施方式提供一種清潔基板的基板清潔設備，包括清潔腔、第一清潔噴嘴、蓋構件、氣流產生單元以及排氣單元。主清潔腔具有清潔空間并包括側壁，基板在清潔空間中被清潔，第一排氣孔限定在側壁中。第一清潔噴嘴設置在主清潔腔中以噴射第一清潔液。蓋構件覆蓋主清潔腔并具有其中限定第二排氣孔的一側。氣流產生單元通過第一排氣孔將空氣供給到清潔空間中。排氣單元被聯接到蓋構件的該一側以通過第二排氣孔抽吸并排放供給到清潔空間的空氣。
【附圖說明】
[0006]附圖被包括以提供對發明構思的進一步理解，并且被并入本說明書且構成本說明書的一部分。附圖和描述一起示出發明構思的示范實施方式，并且用來解釋發明構思的原理。在附圖中:
[0007]圖1A是根據發明構思的實施方式的基板清潔設備的透視圖；
[0008]圖1B是圖1A的基板清潔設備的截面圖；
[0009]圖2A和圖2B是示出在圖1B的主清潔腔中產生的霧的狀態的視圖；以及
[0010]圖3A、3B和3C是示出通過基板清潔設備排放霧的操作的視圖。
【具體實施方式】
[0011]在下文將參考附圖更具體地描述發明構思的示范實施方式。發明構思的目標、特性和效果將隨著以下相關附圖的圖示和優選實施方式的具體描述而變得明顯。然而，本公開可以以許多不同的形式實施，不應該理解為限于在此闡述的實施方式。而是，提供這些實施方式使得本公開徹底和完整，并將向本領域技術人員充分傳達本發明構思的范圍。因此，發明構思的范圍不應該理解為限于以上描述的實施方式。在實施方式和附圖中，相同的附圖標記始終指代相同的元件。
[0012]將理解，雖然術語“第一”、“第二”在此使用以描述各種元件，但這些元件不應該被這些術語限制。將理解，當層、區域或元件被稱為“在”另一層、區域或元件“上”時，它可以直接形成在另一層、區域或元件上，或者可以形成有介于其間的層、區域或元件。
[0013]圖1A是根據發明構思的實施方式的基板清潔設備100的透視圖，圖1B是圖1A的基板清潔設備100的截面圖。
[0014]參考圖1A和圖1B，基板清潔設備100可以是用于執行基板SB的清潔工藝的設備。在當前實施方式中，基板清潔設備100包括傳送單元150、第一輔助清潔腔R11、主清潔腔Rl和第二輔助清潔腔R12。第一輔助清潔腔Rl1、主清潔腔Rl和第二輔助清潔腔R12被連續地布置。
[0015]基板輸入孔DRl設置在第一輔助清潔腔Rll的外壁中，第一基板入口 DR2形成在第一輔助清潔腔Rll和主清潔腔Rl之間。此外，第二基板入口 DR3形成在第二輔助清潔腔R12和主清潔腔Rl之間，基板輸出孔DR4形成在第二輔助清潔腔R12的外壁中。
[0016]傳送單元150設置在第一輔助清潔腔Rl1、主清潔腔Rl和第二輔助清潔腔R12內部。因此，在基板SB通過基板輸入孔DRl進入基板清潔設備100之后，基板100可以被順序地傳送到第一輔助清潔腔Rl1、主清潔腔Rl和第二輔助清潔腔R12。此外，在清潔工藝終止之后，傳送單元150可以運轉以將基板SB通過基板輸出孔DR4從基板清潔設備100中取出。
[0017]在當前實施方式中，傳送單元150可以包括多個輥RL。在這種情況下，基板SB可以設置在多個輥RL上然后通過多個輥RL的旋轉力被傳送。根據另一實施方式，傳送單元150可以使用傳送帶或傳送軌以不同的方式操作來傳送基板SB。
[0018]主清潔腔可以包括側壁，側壁包括其中設置第一排氣孔的第一側壁S1、與第一側壁相對的第二側壁S2、連接第一側壁和第二側壁的第三側壁、以及連接第一側壁和第二側壁且與第三側壁相對的第四側壁。因此，第一清潔空間Cl由多個側壁和蓋部CP限定。第一清潔噴嘴10和15以及第一到第四阻擋構件31、32、33和34設置在主清潔腔Rl內。
[0019]第一清潔噴嘴10和15中的一個設置在基板SB之上以噴射第一清潔液LI到基板SB的頂表面上，第一清潔噴嘴10和15中的另一個設置在基板SB之下以噴射第一清潔液LI到基板SB的底表面上。因此，基板SB可以通過從第一清潔噴嘴10和15噴射的第一清潔液LI來清潔。
[0020]在當前實施方式中，第一清潔液LI可以是蒸餾水(DW)或去離子水(DIW)。然而，本公開不局限于一種類型的第一清潔液LI。例如，根據另一實施方式，第一清潔液LI可以包括異丙醇(IPA)。
[0021]在當前實施方式中，第一清潔噴嘴10和15可以是噴水嘴。第一清潔噴嘴10和15的每個可以以大約10bar的壓力排出由高壓泵產生的第一清潔液LI。因此，基板SB可以通過第一清潔液LI的成分而被清潔。此外，第一清潔液LI可以通過以高壓撞擊基板SB的物理力而容易地清潔附著于基板SB的異物。
[0022]第一排氣孔STl設置在形成于第一輔助清潔腔Rll和主清潔腔Rl之間的第一側壁SI的上部上。空氣可以通過第一排氣孔STl從第一輔助清潔腔Rll供給到主清潔腔Rl。
[0023]在當前實施方式中，如圖3B中所示，第一排氣孔STl可以在基板清潔設備100的寬度方向(圖3B中的方向Dl)上延伸。此外，第一排氣孔STl可以具有平行于基板清潔設備100的寬度方向(圖3B中的方向Dl)的長度方向。
[0024]蓋構件50覆蓋主清潔腔Rl。蓋構件設置在主清潔腔Rl上。在當前實施方式中，蓋構件50包括側部SP、與側部SP相對的相對側部、以及聯接到側部SP和相對側部以覆蓋主清潔腔的上部的蓋部CP。側部SP具有第一高度，相對側部具有小于第一高度的第二高度。蓋部朝向相對側部傾斜。在當前實施方式中，蓋構件50可以由透明材料諸如丙烯酸樹脂形成。蓋構件50可以與主清潔腔Rl分離。
[0025]第二排氣孔ST2設置在側部SP上。因此，通過第一排氣孔STl從第一輔助清潔腔Rll供給到主清潔腔Rl的空氣可以通過第二排氣孔ST2排出到主清潔腔Rl外部。
[0026]在當前實施方式中，如圖3C中所示，第二排氣孔ST2可以在側部SP的寬度方向(圖3C中的方向Dl)上延伸。結果，第一排氣孔STl和第二排氣孔ST2的每個可以具有平行于基板清潔設備100的寬度方向(圖3C中的方向Dl)的長度方向。
[0027]蓋部CP被聯接到側部SP以覆蓋主清潔腔Rl的上側。在當前實施方式中，在側視圖中，蓋部CP可以從第二排氣孔ST2朝向第一排氣孔STl傾斜。因此，即使由第一清潔空間Cl中執行的清潔工藝產生的霧(見圖2A的參考符號MT)在蓋部CP上冷凝成露，由冷凝的霧產生的液體也不會落到基板SB上，而是沿蓋部CP和第一側壁SI流下。
[0028]大部分液體可以包括在主清潔腔Rl中使用的第一清潔液LI。然而，當液體在蓋部CP上被冷凝成露時，液體會被保留在蓋部CP上的微粒和細菌污染。因此，如上所述，液體滴落在基板SB上會導致基板的污染。傾斜的蓋部CP防止基板SB被從蓋部滴落的液體污染。
[0029]此外，當空氣通過第一排氣孔STl從輔助清潔腔Rll供給到主清潔腔Rl時，空氣可以被蓋部CP的傾斜形狀容易地引導到第二排氣孔ST2。因此，在空氣經由主清潔腔Rl流動時不會發生空氣湍流。
[0030]在當前實施方式