芯片生產線的廢水處理方法
【技術領域】
[0001]本發明涉及廢水處理的技術領域，尤其涉及一種芯片生產線的廢水處理方法。
【背景技術】
[0002]在半導體制造技術中，通過一系列的光刻、刻蝕、沉積、離子注入、研磨、清洗等工藝形成具有各種功能的半導體芯片，然后將所述半導體芯片進行封裝和電性測試，并最終形成終端產品。目前，在半導體芯片的制造過程中，會產生大量的工業廢水。
[0003]在現有的廢水處理過程中，通常單獨使用序列間歇式活性污泥法(SBR)或生物接觸氧化法或曝氣生物濾池(BAF)，均只能對廢水進行單一的處理，例如為過濾或微生物反應或去除毒性等，由于處理方式過于單一，這常常導致過濾物質很快堵塞的問題。因此，廢水處理仍有改善的空間。
【發明內容】
[0004]本發明的主要目的在于提供一種芯片生產線的廢水處理方法，以解決現有技術存在的處理方式過于單一，這常常導致過濾物質很快堵塞的問題。
[0005]為解決上述問題，本發明實施例提供一種芯片生產線的廢水處理方法，包括如下步驟:接收來自于芯片生產線的廢水，所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物；在廢水中加入懸浮物污泥物質，以吸附廢水中的納米級顆粒物，形成微米級以上的懸浮顆粒物；對所述廢水進行膜生物反應器處理，以去除廢水中的懸浮顆粒物。
[0006]其中，所述懸浮物污泥物質的濃度為500-1200PPM。
[0007]其中，所述廢水中加入懸浮物污泥物質的步驟之后進一步包括:檢測所述懸浮物污泥物質的濃度；若所述懸浮物污泥物質的濃度超過預設濃度，對所述懸浮物污泥物質進行排放。
[0008]其中，所述膜生物反應器包括中空纖維膜。
[0009]其中，所述廢水中加入懸浮物污泥物質的步驟之前進一步包括:在廢水中加入PH值調節物質，以使得所述廢水的PH值呈弱酸性、中性或弱堿性；對廢水進行過濾，以濾除廢水中的顆粒物體。
[0010]其中，所述廢水的PH值的范圍為6.5-8.5。
[0011]其中，所述對廢水進行過濾采用過濾器，其中所述過濾器的目數為60-100目。
[0012]其中，所述對所述廢水進行膜生物反應器處理的步驟之后進一步包括:在通過膜生物反應器處理后的凈水中加入細菌抑制劑，以抑制凈水中的細菌滋生。
[0013]其中，所述細菌抑制劑包括次氯酸鈉。
[0014]其中，所述次氯酸鈉的余氯濃度為0.5-0.8PPM。
[0015]其中，所述廢水處理方法進一步包括:對所述膜生物反應器表面進行空氣沖刷。
[0016]根據本發明的技術方案，通過對所述廢水進行膜生物反應器處理，并于膜生物反應器處理前，加入懸浮物污泥物質。如此一來，可達到水資源的回收再利用的效果，并可避免膜生物反應器堵塞的情況發生。
【附圖說明】
[0017]此處所說明的附圖用來提供對本發明的進一步理解，構成本申請的一部分，本發明的示意性實施例及其說明用于解釋本發明，并不構成對本發明的不當限定。在附圖中:
[0018]圖1是根據本發明第一實施例的芯片生產線的廢水處理方法的流程圖；
[0019]圖2是根據本發明第二實施例的芯片生產線的廢水處理方法的流程圖；
[0020]圖3是根據本發明第三實施例的芯片生產線的廢水處理方法的流程圖；
[0021]圖4是根據本發明第四實施例的芯片生產線的廢水處理系統的示意圖；
[0022]圖5是根據本發明第五實施例的芯片生產線的廢水處理系統的示意圖；
[0023]圖6是根據本發明第六實施例的芯片生產線的廢水處理系統的示意圖。
【具體實施方式】
[0024]本發明的主要思想在于，基于通過對所述廢水進行膜生物反應器處理，并于膜生物反應器處理前，加入懸浮物污泥物質。如此一來，可達到水資源的回收再利用的效果，并可避免膜生物反應器堵塞的情況發生。
[0025]為使本發明的目的、技術方案和優點更加清楚，以下結合附圖及具體實施例，對本發明作進一步地詳細說明。
[0026]根據本發明的實施例，提供了一種芯片生產線的廢水處理方法。
[0027]圖1是根據本發明第一實施例的芯片生產線的廢水處理方法的流程圖。
[0028]在步驟S102中，接收來自于芯片生產線的廢水，所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物。所述納米級懸浮顆粒物例如為二氧化硅、硅粉、金屬物質等。
[0029]在步驟S104中，在廢水中加入懸浮物污泥物質，以吸附廢水中的納米級顆粒物，形成微米級以上的懸浮顆粒物。由于芯片生產線所排出的廢水的懸浮顆粒物(SS)會含有非常細小的顆粒和金屬離子(例如SS〈30)，若是直接對所述廢水進行膜生物反應器(MBR)處理，會使得膜生物反應器容易堵塞。因此，通過添加懸浮物污泥物質，可以讓大顆粒的懸浮物污泥物質吸附廢水中的細小顆粒的懸浮顆粒物，使得膜生物反應器不會堵塞。其中，懸浮物污泥物質的濃度例如為500-1200PPM。較佳地，懸浮物污泥物質的濃度可為800-1000PPM，以增進懸浮物污泥物質吸附廢水中的細小顆粒的懸浮物的效果。并且，懸浮物污泥物質可為污水活性污泥。
[0030]在步驟S106中，對所述廢水進行膜生物反應器處理，以去除廢水中的懸浮顆粒物。也就是說，對廢水中的活性污泥和大分子物質進行截留的處理以有效去除廢水中的化學需氧量(COD)以及懸浮顆粒物(SS)等。其中，膜生物反應器處理可包括中空纖維膜，且中空纖維膜的材料可為聚偏氟乙烯(PVDF)、聚乙烯(PE)或其復合材料。
[0031]芯片生產過程中會產生大量的納米級非常細微的懸浮顆粒物，例如二氧化硅、硅粉、金屬物質等，這些納米級的懸浮顆粒物質會全部進入廢水中。由于這種含有大量納米級的懸浮顆粒物的廢水，若僅使用膜生物反應器(MBR)對廢水進行處理，納米級的微小懸浮顆粒物極容易堵塞中空纖維膜的孔徑和透過中空纖維膜，會影響產水水質，且一些納米級的微小顆粒會堵塞在中空纖維膜的內部產水側，從而使中空纖維膜徹底堵死，不能化學清洗再生利用，導致中空纖維膜報廢。因此，本實施例采用在膜生物反應器處理前添加懸浮物污泥物質，以吸附前述納米級的微小懸浮顆粒物以長大成微米級以上，從而讓這些微米級以上的懸浮顆粒物不能進入中空纖維膜的孔徑和內部，只停留在中空纖維膜的表面，而不會透過中空纖維膜。然后，可進一步通過對膜生物反應器表面(即中空纖維膜的表面)進行空氣沖刷，使前述微米級以上的懸浮顆粒物沉淀在膜生物反應器處理的膜池底部，這樣保證了產水水質，且同時有效的解決中空纖維膜堵塞問題，從而保護好中空纖維膜。
[0032]圖2是根據本發明第二實施例的芯片生產線的廢水處理方法的流程圖。
[0033]在步驟S202中，接收來自于芯片生產線的廢水，所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物。在步驟S204中，在廢水中加入懸浮物污泥物質，以吸附廢水中的納米級顆粒物，形成微米級以上的懸浮顆粒物。在步驟S210中，對所述廢水進行膜生物反應器處理，以去除廢水中的懸浮顆粒物。其中，圖2的步驟S202、S204、S210與圖1的步驟S102、S104、S106相同或相似，可參考圖1的實施例的說明，故在此不再贅述。
[0034]在步驟S206中，檢測所述懸浮物污泥物質的濃度。由于懸浮物污泥物質的加入可能是大量且持續性的，并且若是懸浮物污泥物質的濃度過高，可能會影響懸浮物污泥物質吸附小顆粒的懸浮顆粒物的效果，因此進一步檢測懸浮物污泥物質的濃度是否超過預設濃度。其中，由于懸浮物污泥物質的濃度較佳為800-1000PPM，因此所述預設濃度可設定為ΙΟΟΟΡΡΜο
[0035]在步驟S208中，若檢測懸浮物污泥物質的濃度超過預設濃度，則對懸浮物污泥物質進行排放。也就是說，通過排放懸浮物污泥物質，以降低懸浮物污泥物質的濃度。并且，在排放過程中，仍會持續檢測懸浮物污泥物質的濃度，若是檢測懸浮物污泥物質的濃度沒有超過預設濃度，則停止對懸浮物污泥物質進行排放。如此一來，使得懸浮物污泥物質的濃度可始終保持在500 -1200PPM之間，且較佳為800-1000PPM。
[0036]圖3是根據本發明第三實施例的芯片生產線的廢水處理方法的流程圖。在本實施例中，步驟S302、S308、S310與圖1的步驟S102、S104、S106、相同或相似，可參考圖1的實施例的說明，故在此不再贅述。
[0037]在步驟S302中，接收來自于芯片生產線的廢水，所述廢水中包含納米級懸浮顆粒物。
[0038]在步驟S304中，在廢水中加入PH值調節物質，以使得所述廢水的PH值呈弱酸性、中性或弱堿性。也就是說，通過在廢水中加入PH值調節物質，并進行充分的混合后，使得廢水的PH值為中性或接近中性，可利于微生物或細菌的生長。由于芯片生產線所排放的廢水呈酸性，因此所述PH值調節物質可包括堿性物質，例如氫氧化鈉(NaOH)，使廢水的PH值調整至6.5-8.5之間。
[0039]在步驟S306中，對所述廢水進行過濾，以濾除廢水中的顆粒物體。也就是說，可采用過濾器對前述加入PH調節物質的廢水進行過濾，且此過濾器的目數可為60-100目，用于將廢水中的大顆粒物體濾除，例如尖銳物、毛發、碎肩等，以避免大顆粒物體進入后續的處理。
[0040]在步驟S308中，在廢水中加入懸浮物污泥物質，以吸附廢水中的納米級顆粒物，形成微米級以上的懸浮顆粒物。在步驟S310中，對廢水進行膜生物反應器處理，以去除廢水中的懸浮顆粒物。
[0041]在步驟S312中，在通過膜生物反