本實(shí)用新型涉及制冷器領(lǐng)域，尤其是一種改進(jìn)的半導(dǎo)體制冷器。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體制冷是電流換能型制冷方式，既能制冷又能加熱，通過對(duì)輸入電流的控制，可實(shí)現(xiàn)對(duì)溫度的高精度控制，制冷過程不需要任何制冷劑，能夠減少噪音和震動(dòng)，半導(dǎo)體制冷實(shí)現(xiàn)的關(guān)鍵是半導(dǎo)體制冷片，半導(dǎo)體制冷片是利用特種半導(dǎo)體材料構(gòu)成P-N結(jié)，形成熱電偶對(duì)，在通直流電時(shí)實(shí)現(xiàn)熱量轉(zhuǎn)移，一端吸熱，另一端放熱。
中國(guó)專利（CN202734342U）公開技術(shù)顯示，該結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體制冷片的厚度較薄，在外界散熱效果不理想時(shí)，制冷片工作時(shí)熱端產(chǎn)生的熱量容易經(jīng)過制冷片內(nèi)的空氣回流到冷端，影響冷端的吸熱效果，降低制冷片的制冷效率。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型的目的在于解決上述現(xiàn)有技術(shù)的不足，而提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、合理的一種改進(jìn)的半導(dǎo)體制冷器，能解決制冷片在外界散熱效果不理想時(shí)，熱端的熱量回流到冷端等問題。
本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：
一種改進(jìn)的半導(dǎo)體制冷器，包括半導(dǎo)體制冷片，半導(dǎo)體制冷片由上基板和下基板，以及陣列設(shè)置在上基板和下基板之間的多組P-N結(jié)半導(dǎo)體組成，所述上基板和下基板的邊緣處按設(shè)置有密封環(huán)繞層，上基板和下基板之間的密封環(huán)繞層內(nèi)設(shè)置有真空絕緣區(qū)域，多組P-N結(jié)半導(dǎo)體設(shè)置在真空絕緣區(qū)域內(nèi)，增加真空絕緣區(qū)域能避免半導(dǎo)體制冷片的上基板和下基板通過空氣互相傳遞熱量，導(dǎo)致熱端的熱量回流到冷端，使制冷片的導(dǎo)熱更加穩(wěn)定，使半導(dǎo)體制冷片冷熱端的溫度差更大，提高半導(dǎo)體制冷片的制冷效果和制冷速度。
所述密封環(huán)繞層為粘合硅膠材料，粘合硅膠材料使真空絕緣區(qū)域有更佳的絕密封效果，避免空氣進(jìn)入到真空絕緣區(qū)域，使制冷片工作時(shí)熱端產(chǎn)生的熱量容易經(jīng)過制冷片內(nèi)的空氣回流到冷端，降低制冷片的制冷效率。
所述上基板與P-N結(jié)半導(dǎo)體之間設(shè)有上導(dǎo)流條，上導(dǎo)流條提高上基板與P-N結(jié)半導(dǎo)體之間的導(dǎo)熱速度，加快制冷片的制冷效果。
所述下基板與P-N結(jié)半導(dǎo)體之間設(shè)有下導(dǎo)流條，下導(dǎo)流條提高下基板與P-N結(jié)半導(dǎo)體之間的導(dǎo)熱速度，加快制冷片的制冷效果。
與下導(dǎo)流條提高和下
本實(shí)用新型的有益效果是：
本實(shí)用新型的一種改進(jìn)的半導(dǎo)體制冷器，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，制造生產(chǎn)簡(jiǎn)單，增加真空絕緣區(qū)域能避免半導(dǎo)體制冷片的上基板和下基板通過空氣互相傳遞熱量，導(dǎo)致熱端的熱量回流到冷端，使制冷片的導(dǎo)熱更加穩(wěn)定，使半導(dǎo)體制冷片冷熱端的溫度差更大，提高半導(dǎo)體制冷片的制冷效果和制冷速度。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明：
如圖1所示，一種改進(jìn)的半導(dǎo)體制冷器，包括半導(dǎo)體制冷片1，半導(dǎo)體制冷片1由上基板101和下基板102，以及陣列設(shè)置在上基板101和下基板102之間的多組P-N結(jié)半導(dǎo)體103組成，其特征在于：所述上基板101和下基板102的邊緣處按設(shè)置有密封環(huán)繞層2，上基板101和下基板102之間的密封環(huán)繞層2內(nèi)設(shè)置有真空絕緣區(qū)域3，多組P-N結(jié)半導(dǎo)體103設(shè)置在真空絕緣區(qū)域3內(nèi)，增加真空絕緣區(qū)域3能避免半導(dǎo)體制冷片的上基板101和下基板102通過空氣互相傳遞熱量，導(dǎo)致熱端的熱量回流到冷端，使制冷片的導(dǎo)熱更加穩(wěn)定，使半導(dǎo)體制冷片1冷熱端的溫度差更大，提高半導(dǎo)體制冷片1的制冷效果和制冷速度。
所述密封環(huán)繞層2為粘合硅膠材料，粘合硅膠材料使真空絕緣區(qū)域3有更佳的絕密封效果，避免空氣進(jìn)入到真空絕緣區(qū)域3，使制冷片工作時(shí)熱端產(chǎn)生的熱量容易經(jīng)過制冷片內(nèi)的空氣回流到冷端，降低制冷片的制冷效率。
所述上基板101與P-N結(jié)半導(dǎo)體103之間設(shè)有上導(dǎo)流條4，上導(dǎo)流條4提高上基板101與P-N結(jié)半導(dǎo)體103之間的導(dǎo)熱速度，加快制冷片的制冷效果。
所述下基板102與P-N結(jié)半導(dǎo)體103之間設(shè)有下導(dǎo)流條5，下導(dǎo)流條5提高下基板102與P-N結(jié)半導(dǎo)體103之間的導(dǎo)熱速度，加快制冷片的制冷效果。
以上所述的具體實(shí)施例，僅為本實(shí)用新型較佳的實(shí)施例而已，舉凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)專利范圍所做的等同設(shè)計(jì)，均應(yīng)為本實(shí)用新型的技術(shù)所涵蓋。