始進行冷藏保存時， 漉筒忍側與漉筒外周側的冷卻速度不同。因此，在漉筒忍側與漉筒外周側，線膨脹差所致的 支承構件14與脫模膜11的尺寸差不同，整個漉筒的形狀發生變化的可能性高。
[0076] 本發明中，線性膨脹系數是指在恒定壓力下改變溫度時物體的空間擴張所增加的 比例。將溫度設為T、將該固體的長度設為L時，其線性膨脹系數a由W下的公式給出。
[0077] 護(1 化）?巧 L,巧 T)
[0078] 另外，本發明中的線性膨脹系數的測定例如可W按照JIS K7197、塑料的熱機械 分析的線膨脹率試驗方法，使用熱機械分析裝置（TMA)，安裝切斷為長度15mm、寬度5mm、 卡盤間距離IOmm的試樣，在拉伸載荷lOg、升溫速度5°C /min、成氣氣氛下、測定溫度范 圍-20°C~50°C的條件下進行測定。
[0079] 另外，從防止晶片加工用帶10的卷繞偏移的觀點出發，支承構件14優選相對于粘 合膜13具有某種程度的摩擦系數的材質。由此，可得到如下的效果：能夠防止晶片加工用 帶10的卷繞偏移，進行高速卷取，能夠增大卷取數。
[0080] 支承構件14與粘合膜13的基材膜之間的靜摩擦系數優選為0. 2~2. 0,更優選為 0. 6~1. 6。將晶片加工用帶10卷取為漉筒狀時，在脫模膜11的第1面Ila側設置的粘合 膜13的周邊部13a與在脫模膜11的第2面1化側設置的支承構件14相接觸，因此，支承 構件14與粘合膜13的基材膜之間的靜摩擦系數小于0. 2時，在制造時、使用時變得容易產 生卷繞偏移，從而操作性惡化。另一方面，大于2. 0時，粘合膜13的基材膜與支承構件14 之間的阻力過大，制造工序中的操作性惡化，或者在高速卷取時等導致彎曲行進。因此，通 過將兩者間的靜摩擦系數設定為上述范圍，由此可得到如下的效果：能夠防止晶片加工用 帶10的卷繞偏移，能夠進行高速卷取，能夠增大卷取數。
[0081] 本發明中，支承構件14與粘合膜13的基材膜之間的靜摩擦系數可W基于JIS K7125，通過W下的測定方法得到。
[0082] 將分別切為25mm (寬度）X IOOmm (長度）的粘合膜13的基材膜與支承構件14的 兩膜樣品重合，固定下側的膜。接著，在層疊而成的膜的上方載置重量200g的重物，作為載 荷W，W 200mm/min的速度拉伸上側的膜，測定滑出時的力Fd(g)，從W下的公式求出靜摩擦 系數（y d)。
[0083] yd = Fd/W
[0084] 作為支承構件14,例如可W適當地使用在樹脂膜基材涂布有粘接合劑的粘接合 帶。通過將運樣的粘接合帶粘貼于脫模膜11的第2面Ub的兩端部分的規定位置，由此能 夠形成本實施方式的晶片加工用帶10。
[00化]作為粘接合帶的基材樹脂，只要滿足上述線性膨脹系數的范圍、且能夠耐受卷壓， 貝峨有特別限定，但從耐熱性、平滑性和入手容易度的觀點出發，優選選自聚對苯二甲酸乙 二醇醋（PET)、聚丙締和高密度聚乙締。
[0086] 關于粘接合帶的粘合劑的組成和物性，沒有特別限定，只要在晶片加工用帶10的 卷取工序和保存工序中不從脫模膜11剝離即可。
[0087] 另外，作為支承構件14,可使用被著色的支承構件。通過使用運樣的著色支承構 件，在將晶片加工用帶卷取為漉筒狀時，能夠明確地識別膠帶的種類。例如，根據晶片加工 用帶的種類、厚度改變著色支承構件14的顏色，由此能夠容易地識別膠帶的種類、厚度，能 夠抑制、防止產生人為的錯誤。
[0088] 另外，關于晶片加工用帶10, 23°C條件下的粘合膜13的拉伸儲存彈性模量化與 23°C條件下的脫模膜11的拉伸儲存彈性模量Ea之比優選在化/EaO. OOl~100的范圍內。
[0089] 上述化/Ea的值越大，則相對地粘合膜13越硬、脫模膜11越柔軟。另一方面，上述 Eb/Ea的值越小，則相對地粘合膜13越軟、脫模膜11越硬。根據上述構成，Eb/Ea為0.0 Ol W上，因此粘合膜的硬度（拉伸儲存彈性模量甜）達到一定W上。因此，能夠抑制在構成晶 片加工用帶10的粘接劑層12上產生轉印痕跡。另外，上述化/Ea為0.001 W上，粘合膜13 的硬度（拉伸儲存彈性模量Eb)達到一定W上，因此在貼合在半導體晶片W上時，能夠適當 地將粘合膜13與脫模膜11剝離（伸舌（< 口出L ))。
[0090] 另外，上述化/Ea為100 W下，因此脫模膜11的硬度（拉伸儲存彈性模量Ea)達 到一定W上，另一方面，粘合膜13的硬度（拉伸儲存彈性模量Eb)為一定W下。因此，在粘 接劑層12向脫模膜11貼合時，能夠抑制脫模膜11產生折斷，能夠防止劃傷粘接劑層12的 表面、或者氣泡混入膜間。結果，能夠抑制脫模膜11的膜翅起、在半導體晶片W的安裝時在 粘接劑層12與半導體晶片W之間產生孔隙。
[0091] 可見，根據上述構成，在卷取為漉筒狀時能夠抑制在粘接劑層12產生轉印痕跡。 另外，能夠抑制脫模膜11的膜翅起、在半導體晶片W的安裝時在粘接劑層12與半導體晶片 W之間產生孔隙。
[0092] 上述構成中，脫模膜11的厚度優選為10~100 ym，粘合膜13的厚度優選為25~ 180 U m〇
[0093] 另外，上述構成中，23°C條件下的粘合膜13的拉伸儲存彈性模量化優選為1~ 500MPa，23°C條件下的脫模膜11的拉伸儲存彈性模量Ea優選為1~5000MPa。
[0094] 另外，上述構成中優選：粘接劑層12的玻璃化轉變溫度在0~100°C的范圍內，且 固化前23°C條件下的拉伸儲存彈性模量為50MPa~SOOOMPa的范圍。通過使粘接劑層12 的玻璃化轉變溫度為(TC W上，由此能夠抑制B階段狀態下的粘接劑層12的粘性增大，能夠 維持良好的操作性。另外，在切割時，能夠防止一部分粘接劑層12發生烙融而使粘合劑附 著于半導體忍片。結果，能夠維持半導體忍片的良好的拾取性。另一方面，通過使玻璃化轉 變溫度為l〇〇°C W下，由此能夠防止粘接劑層12的流動性的下降。另外，也能夠維持與半導 體晶片W的良好的粘接性。此外，粘接劑層12為熱固化型時，粘接劑層12的玻璃化轉變溫 度是指熱固化前的玻璃化轉變溫度。另外，通過使粘接劑層12的固化前23°C條件下的拉伸 儲存彈性模量為50MPa W上，由此在切割時，能夠防止一部分粘接劑層12發生烙融而使粘 合劑附著于半導體忍片。另一方面，通過使拉伸儲存彈性模量為SOOOMPa W下，由此也能夠 維持與半導體晶片W、基板的良好的粘接性。
[0095] 另外，將脫模膜11的厚度設為化、將粘合膜13的厚度設為化時，晶片加工用帶 10的化Ab優選在0. 07~2. 5的范圍內。
[0096] 關于上述化/Tb,例如，使脫模膜11的厚度化一定時，其值越小，則粘合膜13越 厚。根據上述構成，TaAb為0. 07 W上，因此層疊有粘合膜13的部分與未層疊粘合膜13的 部分的高差為一定W下。因此，能夠抑制轉印痕跡的產生。另外，上述化Ab為0.07 W上、 粘合膜13的厚度厚于脫模膜11的厚度，因此通過脫模膜11的厚度能夠吸收應力，能夠抑 制轉印痕跡的產生。另外，上述化Ab為0. 07 W上、粘合膜13的厚度厚于脫模膜11的厚 度，因此在貼合在半導體晶片W上時，能夠適當地將粘合膜13與脫模膜11剝離（伸舌）。 另外，關于上述化/Tb,例如使粘合膜13的厚度化一定時，其值越小，則脫模膜11的厚度 越薄。上述化Ab為2. 5 W下，因此脫模膜11的厚度為一定W下。因此，對層疊有粘合膜 13的部分與未層疊粘合膜13的部分的高差的追隨性良好。另外，上述化Ab為2. 5 W下、 脫模膜11的厚度為一定W下，因此能夠使將粘合膜13層壓于脫模膜時的壓力變得均勻，能 夠防止氣泡的混入。可見，根據上述構成，將在粘合膜13上依次層疊粘接劑層12和脫模膜 11而成的晶片加工用帶10卷取為漉筒狀時，能夠抑制在粘接劑層12產生轉印痕跡。
[0097] 上述構成中，溫度23±2°C、剝離速度300mm/min的條件下的T型剝離試驗中，優 選：粘接劑層12與脫模膜11之間的剝離力Fl在0. 025~0. 075N/100mm的范圍內，粘接劑 層12與粘合膜13之間的剝離力F2在0. 08~lON/lOOmm的范圍內，上述Fl和上述F2滿 足F1〈F2的關系。
[0098] 從防止產生松弛、卷取偏移、位置偏移、孔隙（氣泡）等的觀點出發，在對粘合膜 13、粘接劑層12、脫模膜11施加拉伸張力的同時來制造晶片加工用帶10。結果，晶片加 工用帶10在構成其的任一膜中存在拉伸殘余應變的狀態下被制造。該拉伸殘余應變例如 在-30~10°C的低溫狀態下運送或者長時間保存時，在各膜中引起收縮。另外，各膜的物性 不同，因此收縮的程度也不同。例如，在各膜中，粘合膜13的收縮程度最大，脫模膜11的收 縮程度最小。結果，在粘合膜13與粘接劑層12之間產生界面剝離，或者引起脫模膜11的 膜翅起現象。 W99] 上述構成為在使粘接劑層12與脫模膜11之間的剝離力Fl為0.025~ 0. 075N/100mm的范圍、且使粘接劑層12與粘合膜13之間的剝離力F2為0. 08~lON/lOOmm 的范圍內的基礎上滿足FKF2的關系的構成。如上所述，各膜中的收縮中，粘合膜最大，因 此通過使粘接劑層12與粘合膜13之間的剝離力F2大于粘接劑層12與脫模膜11之間的 剝離力F1，由此能夠抑制收縮率最大的粘合膜13的收縮，防止粘合膜13與粘接劑層12之 間的界面剝離、脫模膜11的膜翅起現象。另外，也能夠防止一部分或全部粘接劑層12轉印 至脫模膜11。 陽100] 實施例 陽101] 接著，說明本發明的實施例，但本發明并不限于運些實施例。 陽102