硅樹脂薄膜、可固化硅樹脂組成物、光學半導體裝置及其封裝方法與流程

本發明有關于一種硅樹脂薄膜，其可用以封裝光學半導體裝置，特別是應用于發光二極體LED(Light Emitting Diode)的封裝。

背景技術：

傳統用于發光二極體(Light Emitting Diode,LED)的點膠封裝制程或模壓封裝制程，其在封裝過程中，皆必須先將液態的封裝膠與螢光粉混合后，再進行點膠或倒入模具等步驟，最后再經由固化以完成LED晶片的封裝，因此在多步驟的制程下，螢光粉易分布不均或沉淀，因而造成出光效率不佳或光色不純等缺點。再者，于點膠或模壓的封裝制程中，晶片所發射出的激發光通過每個螢光粉粒子的行徑路徑不同，因此亦產生色偏等現象。

為了改善上述缺點及提高LED封裝效率，市面上已開發出一種含螢光粉的硅樹脂薄膜，其將螢光粉及硅樹脂均勻混合后，進行成膜。當進行LED封裝時，僅需將所形的硅樹脂薄膜置于光學半導體中的晶片上，進行熱壓合步驟，最后再依客戶需求進行切割晶片即可完成封裝。

技術實現要素：

本發明提出一種硅樹脂薄膜，此硅樹脂薄膜具有優異的熱軟化特性，經熱壓合后即可完整地包覆晶片，無壓合氣泡產生，且不會沾粘至壓合設備上，且該硅樹脂薄膜具有良好的硬度特性，因此于切割晶片時不易產生變形或脆裂，可提升生產良率。

本發明提出的硅樹脂薄膜，其包含離形基材以及硅樹脂涂層，硅樹脂涂層經由涂布可固化硅樹脂組成物于該離形基材上經固化而成，其中該可固化硅樹脂組成物包含10至25重量份的線性聚硅氧烷，其平均單元結構式至少具有一個與硅原子鍵結的芳基與二個與硅原子鍵結的烯基；40至55重量份的第一硅樹脂，其平均單元結構式至少具有R¹SiO_3/2單體以及R²₂SiO_2/2單體，其中R¹及R²為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基，且于第一硅樹脂的平均單元結構式中，該R¹SiO_3/2單體所占的摩爾分率為0.60至0.75，硅原子鍵結的烯基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為0.03至0.15；15至30重量份的第二硅樹脂，其平均單元結構式至少具有R³SiO_3/2以及R⁴₃SiO_1/2的單體，其中R³及R⁴為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基；15至25重量份的含硅氫鍵的聚硅氧烷，其化學結構式為：HR⁵₂SiO(SiR⁶₂O)_nSiR⁵₂H，其中R⁵為經取代的或未取代的烷基或氫原子，R⁶為經取代或未取代的芳基或經取代的或未取代的烷基，n為大于等于0的整數；鉑族金屬催化劑以及螢光粉。

根據本發明的一實施方式，于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，線性聚硅氧烷的平均單元結構式除了封端基單體以外，與硅原子鍵結的芳基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為大于等于0.4。

根據本發明的一實施方式，于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，用于表示第一硅樹脂的平均單元結構式除了封端基單體以外，與硅原子鍵結的芳基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為大于等于0.48。

根據本發明的一實施方式，于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，用于表示第二硅樹脂的平均單元結構式除了封端基單體以外，與硅原子鍵結的芳基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為大于等于0.25。

根據本發明的一實施方式，于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，相對100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的總和，鉑族金屬催化劑的添加量為1ppm至50ppm。

根據本發明的一實施方式，于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，相對100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的總和，螢光粉的添加量為1重量份至300重量份。

根據本發明的一實施方式，于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，進一步包括接著劑、抑制劑、觸變劑、抗沉降劑、無機填料或其組合。

根據本發明的一實施方式，于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，使用的無機填料包括氣相二氧化硅。

根據本發明的一實施方式，相對于100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的總和，氣相二氧化硅的添加量為0.1重量份至5重量份。

根據本發明的一實施方式，定義損失模數/儲存模數為tanδ，硅樹脂薄膜于100℃至160℃的溫度范圍的最大tanδ范圍為0.5至2.5。

根據本發明的一實施方式，硅樹脂薄膜于100℃至160℃的溫度范圍的最小儲存模數(G’)范圍為1.0×10²至9.9×10⁴。

根據本發明的一實施方式，硅樹脂薄膜中的硅樹脂涂層的固化溫度為80℃至140℃，固化時間為10分鐘至100分鐘。

本發明另提出一種光學半導體裝置，其中此光學半導體裝置利用前述硅樹酯薄膜封裝而成。

本發明亦提出一種光學半導體裝置的封裝方法，其包含將前述硅樹脂薄膜配置于光學半導體元件表面，接著進行熱壓合步驟，最后撕除該離形基材以完成封裝。

本發明提出一種可固化硅樹脂組成物，其包含10至25重量份的線性聚硅氧烷，其平均單元結構式至少具有一個與硅原子鍵結的芳基與二個與硅原子鍵結的烯基；40至55重量份的第一硅樹脂，其平均單元結構式至少具有R¹SiO_3/2單體以及R²₂SiO_2/2單體，其中R¹及R²為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基，且于第一硅樹脂的平均單元結構式中，該R¹SiO_3/2單體所占的摩爾分率為0.60至0.75，硅原子鍵結的烯基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為0.03至0.15；15至30重量份的第二硅樹脂，其平均單元結構式至少具有R³SiO_3/2以及R⁴₃SiO_1/2的單體，其中R³及R⁴為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基；15至25重量份的含硅氫鍵的聚硅氧烷，其化學結構式為：HR⁵₂SiO(SiR⁶₂O)_nSiR⁵₂H，其中R⁵為經取代的或未取代的烷基或氫原子，R⁶為經取代或未取代的芳基或經取代的或未取代的烷基，n為大于等于0的整數；鉑族金屬催化劑以及螢光粉。

根據本發明的一實施方式，于可固化硅樹脂組成物中，進一步包括接著劑、抑制劑、觸變劑、抗沉降劑、無機填料或其組合。

本發明提出一種光學半導體裝置，其中此光學半導體裝置中的光學半導體元件利用前述可固化硅樹酯組成物封裝而成。

與現有技術相比，本發明的硅樹脂薄膜可同時具有優異的熱軟化性質且兼具高硬度的特性。此外，本發明的硅樹脂薄膜于LED晶片封裝時，無壓合氣泡產生，且硅樹脂薄膜可完整包覆LED晶片而無露角情形產生。

附圖說明

圖1為利用實施例1所制得的硅樹脂薄膜進行晶片封裝所拍攝的光學顯微鏡影像的俯視圖。

圖2為利用實施例1所制得的硅樹脂薄膜進行晶片封裝所拍攝的光學顯微鏡影像的側視圖。

具體實施方式

本發明提出的硅樹脂薄膜，其包含離形基材以及硅樹脂涂層，硅樹脂薄膜經由涂布可固化硅樹脂組成物于該離形基材上經固化而成，其中，可固化硅樹脂組成物包含10至25重量份的線性聚硅氧烷，線性聚硅氧烷的平均單元結構式至少具有一個與硅原子鍵結的芳基與二個與硅原子鍵結的烯基；40至55重量份的第一硅樹脂，第一硅樹脂的平均單元結構式至少具有R¹SiO_3/2單體以及R²₂SiO_2/2單體，其中R¹及R²為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基，且于此平均單元結構式中，R¹SiO_3/2單體所占的摩爾分率為0.60至0.75，且與硅原子鍵結的烯基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為0.03至0.15，其中，R¹及R²為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基；15至30重量份的第二硅樹脂，其第二硅樹脂的平均單元結構式至少具有R³SiO_3/2以及R⁴₃SiO_1/2的單體，其中，R³及R⁴為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基；15至25重量份的含硅氫鍵的聚硅氧烷，其化學結構式為：

HR⁵₂SiO(SiR⁶₂O)_nSiR⁵₂H，其中，R⁵為經取代的或未取代的烷基或氫原子，R⁶為經取代或未取代的芳基或經取代的或未取代的烷基，n為大于等于0的整數；鉑族金屬催化劑以及螢光粉。

于本發明的形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，藉由第一硅樹脂中的R³SiO_3/2單體添加量及特定比例的烯基官能基含量，搭配線性聚硅氧烷及第二硅樹脂，可使得形成的硅樹脂薄膜在進行熱壓合時具有優異的熱軟化特性，得以完整地包覆晶片，無壓合氣泡產生，且不易與壓合設備產生沾粘，同時又具有良好的硬度特性及柔韌性，于切割晶片時，不易產生變形或脆裂。

為使硅樹脂薄膜兼具硬度及熱軟化等特性，于可固化組成物中的第一硅樹脂的平均單元結構式中至少具有R¹SiO_3/2單體以及R²₂SiO_2/2單體，且R¹SiO_3/2單體于平均單元結構式中所占的摩爾分率為0.60至0.75，較佳地為0.65至0.70，且于第一硅樹脂的平均單元結構式中，與硅原子鍵結的烯基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為0.03至0.15，較佳為0.07至0.12。

若第一硅樹脂的R¹SiO_3/2單體所占的摩爾比率及與硅原子鍵結的烯基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為前述范圍內，則由可固化樹脂組成物制得的硅樹脂薄膜可具有良好熱軟化特性并兼具高硬度及高柔韌性的特性，于進行熱壓合時可完整地包覆晶片，無壓合氣泡產生，且不易與壓合設備產生沾粘，可兼具良好的硬度及高柔韌性，并于晶片切割時不易產生變形或脆裂。

第一硅樹脂的平均單元結構式至少具有R¹SiO_3/2單體以及R²₂SiO_2/2單體，其中，R¹及R²為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基。此經取代的或未取代的芳基例如可為苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基，較佳為苯基。此經取代的或未取代的烯基例如可為乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基或是己烯基，較佳為乙烯基。除了經取代的或未取代的芳基與經取代的或未取代的烯基以外，其余與硅原子鍵結的官能基可為經取代的或未取代的烷基，烷基例如可為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、環己基、辛基、壬基或癸基，較佳為甲基。

為了提高硅樹脂薄膜的耐熱性、硬度以及折射率，故于第一硅樹脂的平均單元結構式中，除了封端基單體以外，與硅原子鍵結的芳基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值至少為0.48以上。

于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，第一硅樹脂的添加量較佳為40至55重量份，較佳為40至50重量份。當第一硅樹脂的添加量過高，則由此制得的硅樹脂薄膜硬度太高易產生龜裂。當添加量過低，則硅樹脂薄膜的機械強度下降且硬度不足。

從制程加工性以及機械特性而言，第一硅樹脂的重量平均分子量在500至200,000，較佳為1,000至190,000。

于本發明的一較佳實施例中，用于表示第一硅樹脂的平均單元結構式，其由(PhSiO_3/2)_0.7(Me₂SiO_2/2)_0.2(ViMeSiO_2/2)_0.1及用于封端的單體ViMe₂SiO_1/2所組成。上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。

于本發明的另一較佳實施例中，用于表示第一硅樹脂的平均單元結構式，其由(PhSiO_3/2)_0.7(Me₂SiO_2/2)_0.15(ViMeSiO_2/2)_0.15及用于封端的單體ViMe₂SiO_1/2所組成。

又于本發明的另一較佳實施例中，用于表示第一硅樹脂的平均單元結構式，其由(PhSiO_3/2)_0.65(M_e2SiO_2/2)_0.2(ViMeSiO_2/2)_0.15及用于封端的單體ViMe₂SiO_1/2所組成。

再者，于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，選用線性聚硅氧烷的目的為提高與第一硅樹脂及第二硅樹脂的這些硅樹脂間的加工性與所制得的硅樹脂薄膜的柔韌性。

前述線性聚硅氧烷的平均單元結構式至少具有一個與硅原子鍵結的芳基與二個與硅原子鍵結的烯基。前述芳基可為取代的或未取代的芳基，如可為苯基、甲苯基、二甲苯基或萘基，較佳為苯基。前述烯基可為經取代的或未取代的烯基，例如可為乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基或是己烯基，較佳為乙烯基。除了芳基與烯基以外，其余與硅原子鍵結的官能基可為經取代的或未取代的烷基，烷基例如可為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、環己基、辛基、壬基或癸基，較佳為甲基。

為了提高硅樹脂薄膜的耐熱性、硬度以及折射率，故于可固化硅樹脂組成物中，線性聚硅氧烷的平均單元結構式中，除了封端基單體以外，與硅原子鍵結的芳基相對于所有與硅鍵結的官能基的摩爾數比值為大于等于0.4。

且，于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，線性聚硅氧烷的添加量為10至25重量份，較佳為14至20重量份。當添加量高于前述范圍時，則所制得可固化硅樹脂組成物的硬度較低，由此制得的硅樹脂薄膜于切割制程時易產生變形或與刀具沾粘。當添加量低于前述范圍時，所制得的硅樹脂薄膜的柔韌性變差，于加工時易發生脆裂。

具體而言，線性聚硅氧烷于25℃的粘度未受限制，較佳范圍為6,000mPa·s至10,000mPa·s。若粘度太高，則使得可固化硅樹脂組成物于制程上的加工性變差及機械強度降低。若粘度太低，亦不利可固化硅樹脂組成物的制程加工，且會影響可固化硅樹脂組成物的柔韌性。

又，從制程加工性以及機械特性而言，線性聚硅氧烷的重量平均分子量在1,000至200,000，較佳為1,000至160,000。此重量平均分子量意指藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography；GPC)測量，且為相對于聚苯乙烯標準物的值。故以下內容所述的重量平均分子量，皆是同此方法測量，故不再贅述。

于本發明的一較佳實施例，用以表示線性聚硅氧烷的平均單元結構式如下所示：由(PhMeSiO_2/2)_0.8(Me₂SiO_2/2)_0.1(ViMeSiO_2/2)_0.1及用于封端的單體ViMe₂SiO_1/2所組成，上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。于此實施例中，線性聚硅氧烷于25℃的粘度為6420mPa·s。

于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，用于表示第二硅樹脂的平均單元結構式中至少具有R³SiO_3/2以及R⁴₃SiO_1/2的單體，其中R³為經取代的或未取代的芳基、經取代的或未取代的烷基或經取代的或未取代的烯基。R⁴為經取代的或未取代的芳基、經取代的或未取代的烷基或經取代的或未取代的烯基。上述經取代的或未取代的芳基例如可為苯基、甲苯基、二甲苯基、或萘基，較佳為苯基。上述經取代的或未取代的烯基例如可為乙烯基、丙烯基、烯丙基、丁烯基、戊烯基或是己烯基，較佳為乙烯基。除了經取代的或未取代的芳基與經取代的或未取代的烯基以外，其余與硅原子鍵結的官能基為經取代的或未取代的烷基，例如可為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、環己基、辛基、壬基或癸基，較佳為甲基。

為了提高硅樹脂薄膜的耐熱性、硬度以及折射率，故于可固化硅樹脂組成物中，第二硅樹脂中除封端基單體以外，與硅原子鍵結的芳基相對于與硅原子鍵結的所有官能基的摩爾數比值為大于等于0.25。

于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，上述第二硅樹脂的添加量較佳為15至30重量份，最佳為15至26重量份。當第二硅樹脂的添加量過多，則所制得的硅樹脂薄膜的硬度過高，于切割制程時，易產生龜裂。當第二硅樹脂的添加量過少，則硅樹脂薄膜的機械強度下降且硬度不足。

從制程加工性及機械特性而言，第二硅樹脂的重量平均分子量為100至10,000，較佳為500至5,000。

于本發明的一較佳實施例中，用于表示第二硅樹脂的平均單元結構式如以下所式：(PhSiO_3/2)_0.5(ViMe₂SiO_1/2)_0.5。上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。

于本發明的于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，用以表示含硅氫鍵的聚硅氧烷的化學結構式為：HR⁵₂SiO(SiR⁶₂O)_nSiR⁵₂H，其中R⁵為經取代的或未取代的烷基或氫原子，R⁶為經取代或未取代的芳基或經取代的或未取代的烷基，且n為大于等于0的整數。

上述經取代的或未取代的芳基例如可為苯基、甲苯基、二甲苯基、或萘基，較佳為苯基。取代的或未取代的烷基例如可為甲基、乙基、丙基、異丙基、丁基、異丁基、叔丁基、戊基、新戊基、己基、環己基、辛基、壬基或癸基，較佳為甲基。

為了提高硅樹脂薄膜的耐候性、硬度以及折射率，故于可固化硅樹酯組成物中，含硅氫鍵的聚硅氧中，與硅原子鍵結的芳基相對于與硅原子鍵結的所有官能基的摩爾數比值為大于等于0.24。

于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，含硅氫鍵的聚硅氧烷的添加量為15至25重量份。當含硅氫鍵的聚硅氧烷的添加量高于前述范圍時，則使得可固化硅樹脂制得的硅樹脂薄膜硬度降低，若添加量低于前述范圍，則會使硅樹脂薄膜內的可聚合單體的交聯反應不完全，導致乙烯基剩余過多易導致硅樹脂薄膜黃化現象。

從制程加工性以及機械的特性而言，含硅氫鍵的聚硅氧烷的重量平均分子量在100至5,000，較佳為100至1,000。

于本發明的一較佳實施例中，用于表示含硅氫鍵的聚硅氧烷的平均單元結構式如下所式：(Ph₂SiO_2/2)₁(HMe₂SiO_1/2)₂。上述Ph表示苯基，Me表示甲基。

于本發明的可固化硅樹脂組成物中，鉑族金屬催化劑例如包括鉑-型式催化劑、銠-型式催化劑或鈀-型式催化劑，較佳為鉑-型式催化劑，常用的催化劑例如可為H₂PtCl₆·mH₂O，K₂PtCl₆，KHPtCl₆·mH₂O，K₂PtCl₄，K₂PtCl₄·mH₂O或PtO₂·mH₂O(m為正整數)等。亦或這些催化劑與鏈烯烴、醇或含有乙烯基的有機聚硅氧烷之間的絡合物，例如可為：

鉑(0)-2,4,6,8-四甲基-2,4,6,8-四乙烯基環四硅氧烷復合體溶液(Platinum(0)-2,4,6,8-tetramethyl-2,4,6,8-tetravinylcyclotetrasiloxane complex solution)或辛醇絡鉑化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex)，但不限于此。上述這些鉑族金屬催化劑可單獨使用或合并使用。鉑族金屬催化劑的添加量為線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的重量份總和的1ppm至50ppm，較佳為3ppm至10ppm。

于本發明的一較佳實施例，所使用的鉑族金屬催化劑為辛醇絡鉑化合物，其使用量為線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的重量份總和的4.3ppm。

于本發明的于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，螢光粉是用以調控LED發光的顏色，根據所需求的發光波長，可添加不同種類的螢光粉。例如可為YAG螢光粉(Y₃Al₅O₁₂:Ce；釔鋁石榴石)、鋁酸鹽(Aluminate)、硅酸鹽(Silicate)、磷酸鹽(Phosphate)、含硫系列、氮化物(Nitride)以及氮氧化物(Oxynitride)。

于本發明的一較佳實施例，相對于100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的重量份的總和，螢光粉的添加量為1重量份至300重量份。

另，于本發明的形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，進一步還可包括接著劑、觸變劑、抑制劑、抗沉降劑、無機填料或其組合。

上述接著劑是用以增加硅樹脂薄膜與支架或基材的粘著性，例如可為三烯丙基異氰脲酸酯、1,3,5-三縮水甘油-S-三嗪三酮、1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]異氰脲酸酯、1,3,5-三[3-(三甲氧基甲硅烷基)丙基]-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮或類似有機硅氧烷改性異氰脲酸酯化合物、環氧丙氧基丙基、3,4-環氧環己基乙基、3-縮水甘油醚氧基丙基三乙氧基硅烷、1,1,3,3-四甲基-1,3二[3-(環氧乙基甲氧基)丙基]二硅氧烷或類似有機硅氧烷改性環氧化合物。上述這些接著劑可單獨使用或合并使用。且相對于100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的總和，接著劑的使用量占0.1重量百分比至3重量百分比，較佳為0.1重量百分比至1.0重量百分比。

于本發明的一較佳實施例中，所使用的接著劑為1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]異氰脲酸酯，其使用量為100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的總和的0.6重量百分比。

上述抑制劑有利于硅樹脂薄膜的儲存，例如可為1-乙炔基環己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol)、2-甲基-3-丁炔-2-醇、3,5-二甲基-1-己炔-3-醇、2-苯基-3-丁炔-2-醇或類似炔基醇、3-甲基-3-戊烯-1-炔、35-二甲基-3-己烯-1-炔或類似烯炔化合物。相對于100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的總和，此抑制劑使用量為100ppm至2,000ppm，較佳為500ppm至1,500ppm。

于本發明的一實施例中，所使用的抑制劑為1-乙炔環己醇，相對于100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的總和，1-乙炔環己醇的添加量為的1,000ppm。

上述觸變劑是用以改善及穩定硅樹脂薄膜的觸變性能。觸變劑例如可為德國畢克化學公司(BYK)的相關產品：BYK@-405、BYK@-R 605或BYK@-R 606。

上述無機填料是用以增加硅樹脂薄膜的耐熱性，亦可作為防止螢光粉沈降的抗沈降劑，此外，也作為反射粒子的用途。無機填料例如可為氣相法二氧化硅、氣相法二氧化鈦等增強型無機填充劑以及碳酸鈣、硅酸鈣、二氧化鈦、氧化鈦、氧化鋅等非增強型無機填充劑。

于本發明的一實施例中，于形成硅樹脂薄膜的可固化硅樹脂組成物中，其包括氣相二氧化硅，相對100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵的聚硅氧烷的總和，氣相二氧化硅添加量為0.1至5重量份。

本發明所提出的硅樹脂薄膜，其具有良好的熱軟化特性，意指于100℃至160℃的溫度范圍的最低儲存模數(G’)為1.0×10²至9.9×10⁴，較佳為1.0×10²至9.9×10³，定義損失模數/儲存模數為tanδ，而最大tanδ為0.5至2.5，較佳為1至2。故此硅樹脂薄膜經加熱后，可以隨基板及晶片的形狀形變，以完整地包覆晶片，無壓合氣泡產生，且又不易與設備產生沾粘，可以提高生產良率。

關于前述的硅樹脂薄膜的制造方法，例如可于離形基材上涂布可固化硅樹脂組成物后，經固化以形成硅樹脂涂層。為了保護硅樹脂涂層，亦可于該涂層表面貼合另一離形基材。

涂布方式所屬技術領域中具有通常知識者所熟知，例如可為含浸涂布法、狹縫涂布法、滾輪涂布法、間歇涂布法、旋轉涂布法，但并不限于此。

離形基材例如可為聚對苯二甲酸乙二酯(polyethylene terephthalate，PET)、聚乙烯膜、聚丙烯膜、氟系聚對苯二甲酸乙二酯或含氟樹脂膜等，離形基材的厚度可為1um至300um，較佳為25um至150um，但不限于此。

涂布于離形基材上的硅樹脂薄膜的厚度(不包括離形膜)為1um至500um，較佳為10um至300um，最佳為50um至100um。此可依照光學半導體的特性需求而作適當地調整，并不限于此。

固化條件包括固化溫度和固化時間，固化溫度80℃至140℃，固化時間為10分鐘至100分鐘。根據不同的光學半導體封裝類型及組成成分的不同，所需的固化條件也不同。

本發明提出一種光學半導體裝置，其中此光學半導體裝置利用前述硅樹脂薄膜封裝而成。

又，本發明提出一種光學半導體裝置的封裝方法，其包含將前述硅樹脂薄膜配置于光學半導體元件的表面，接著進行熱壓合步驟，最后撕除離形基材以完成光學半導體裝置的封裝。

根據所封裝光學半導體的類型，可于硅樹脂薄膜上的離形基材撕除后，再進行第二次熱壓合步驟，以使得硅樹脂薄膜與光學半導體元件接著更為密合。

前述第二次熱壓合步驟的溫度可為30℃至120℃，加熱時間可為1秒至100秒。于熱壓合步驟中，可一并使用真空裝置可使軟化的硅樹脂薄膜與晶片更緊密地貼合，加速晶片封裝的效率。

又，于硅樹脂薄膜進行熱壓合步驟之前，亦可對硅樹脂薄膜進行前處理步驟，前處理步驟例如可為加熱50℃至60℃，加熱時間可為5分鐘至10分鐘。

本發明提出一種可固化硅樹脂組成物，其包含10至25重量份的線性聚硅氧烷，其平均單元結構式至少具有一個與硅原子鍵結的芳基與二個與硅原子鍵結的烯基；40至55重量份的第一硅樹脂，其平均單元結構式至少具有R¹SiO_3/2單體以及R²₂SiO_2/2單體，其中R¹及R²為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基，于此平均單元結構式中，R¹SiO_3/2單體所占的摩爾分率為0.60至0.75，且硅原子鍵結之烯基相對于所有與硅鍵結之官能基之摩爾數比值為0.03至0.15；15至30重量份的第二硅樹脂，其平均單元結構式至少具有R³SiO_3/2以及R⁴₃SiO_1/2的單體，其中R³及R⁴為經取代的或未取代的烷基、經取代的或未取代的烯基或經取代的或未取代的芳基；15至25重量份的含硅氫鍵的聚硅氧烷，其化學結構式為：HR⁵₂SiO(SiR⁶₂O)_nSiR⁵₂H，R⁵為經取代的或未取代的烷基或氫原子，R⁶為經取代或未取代的芳基或經取代的或未取代的烷基，n為大于等于0的整數；鉑族金屬催化劑以及螢光粉。

于本發明的一較佳實施例的形成可固化硅樹脂組成物中，線性聚硅氧烷的平均單元結構式除了封端基單體以外，與硅原子鍵結的芳基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為大于等于0.4。

于本發明的一較佳實施例的形成可固化硅樹脂組成物中，用于表示第一硅樹脂的平均單元結構式除了封端基單體以外，與硅原子鍵結的芳基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為大于等于0.48。

于本發明的一較佳實施例的形成可固化硅樹脂組成物中，用于表示第二硅樹脂的平均單元結構式除了封端基單體以外，與硅原子鍵結的芳基相對于所有與硅原子鍵結的官能基的摩爾數比值為大于等于0.25。

于本發明的一較佳實施例的形成可固化硅樹脂組成物中，相對100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵之聚硅氧烷的總和，鉑族金屬催化劑的添加量為1ppm至50ppm。

于本發明的一較佳實施例的形成可固化硅樹脂組成物中，相對100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵之聚硅氧烷之總和，螢光粉的添加量為1重量份至300重量份。

于本發明的一較佳實施例的可固化硅樹脂組成物中，可固化硅樹脂組成物進一步包括接著劑、抑制劑、觸變劑、抗沉降劑、無機填料或其組合。

于本發明的一較佳實施例的可固化硅樹脂組成物中包括氣相二氧化硅，相對100重量份的線性聚硅氧烷、第一硅樹脂、第二硅樹脂及含硅氫鍵之聚硅氧烷之總和，氣相二氧化硅添加量為0.1至5.0重量份。

前述可固化硅樹脂組成物可用以形成本發明所提出的硅樹脂薄膜。

且，本發明提出一種光學半導體裝置，其中此光學半導體裝置利用前述可固化樹脂組成物封裝而成。

以下，將本發明所提出的硅樹脂薄膜依照下列方法進行評估測試，評估結果請參考表2。

折射率測試：利用阿貝式折射儀(ATAGO-DR-A1)，于光源波長為589nm，溫度20℃進行測試。

硬度測試：依據ASTMD2240，使用邵式硬度計測試(Shore Hardness test)硅樹脂薄膜的硬度。

儲存模數測試(G’)及tanδ(損失模數/儲存模數)測試：于流變儀(Advanced Rheometer 2000)中，設定初始溫度為25℃，升溫速度25℃/min加熱至180℃，并于載荷(Normal force)為0N的條件進行硅樹脂薄膜的流變測試，以量測計算最低儲存模數(G’)及最大tanδ(損失模數/儲存模數)。

晶片封裝測試：將硅樹脂薄膜設置于LED晶片上，進行熱壓合，熱壓合溫度為30℃至50℃，熱壓合時間為20至100秒，之后將離形基材撕除，并進行第二次熱壓合步驟以完成封裝，第二次熱壓合的溫度為60℃至100℃，熱壓合時間為1秒至20秒。最后以光學顯微鏡拍攝已封裝LED晶片的外觀。當外觀無氣泡產生，且LED晶片亦無露角情形，以「○」表示。當外觀有氣泡產生或LED晶片出現露角情形，以「×」表示。

關于形成本發明的硅樹脂薄膜的各組分制備方法詳述如下：

制備實施例1

線性聚硅氧烷(化合物1)的制備方法

將3499.92克(19.13mole)的甲基苯基二甲氧基硅烷(phenylmethyl dimethoxysilane，購自恒橋產業股份有限公司，臺灣)，288.48克(2.4mole)的二甲基二甲氧基硅烷(Dimethyldimethoxysilane，購自恒橋產業股份有限公司，臺灣)，以及317.28克(2.4mole)的甲基乙烯基二甲氧基硅烷(Methylvinyldimethoxysilane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)加至反應槽中并于室溫下攪拌形成均勻混和溶液。將此混和溶液滴入質量濃度5％的硫酸水溶液(5337.4克)中得到反應溶液，接著將此反應溶液加熱至75℃以進行水解，待反應完全后以去離子水進行萃取使有機層達到PH值中性，最后移除溶劑以制得水解產物。

將上述水解產物、69.52克(0.374mole)的二乙烯基四甲基二硅氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)以及5.88克的四甲基氫氧化銨(Tetramethyl ammonium hydroxide，商品名L09658，購自AlfaAesar，美國)置于反應槽中，于反應槽中通入氮氣，并于室溫下均勻攪拌以制得反應溶液。將此反應溶液加熱至95℃，待反應完全后，進行除堿以完成線性聚硅氧烷(化合物1)的制備。化合物1的平均單元結構式由(PhMeSiO_2/2)_0.8(Me₂SiO_2/2)_0.1(ViMeSiO_2/2)_0.1及用于封端的單體ViMe₂SiO_1/2所組成。上述Ph表示苯基，Me表示甲基，Vi表示乙烯基。

制備實施例2

第一硅樹脂(化合物2)的制備方法

將2685克(13.5mole)的苯基三甲氧基硅烷(phenyl-trimethoxysilane，購自六和股份有限公司，臺灣)，349克(2.9mole)的二甲基二甲氧基硅烷(Dimethyldimethoxysilane，購自恒橋產業股份有限公司，臺灣)，以及384克(2.9mole)的甲基乙烯基二甲氧基硅烷(Methylvinyldimethoxysilane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)置于反應槽中，于室溫下攪拌以制得均勻混合溶液。將混和溶液滴入質量濃度5％的硫酸水溶液(4579克)中以制得反應溶液，接著將此反應溶液加熱至75℃進行水解，待反應完全后，以去離子水進行萃取使有機層達到PH值為中性，最后移除溶劑以制得水解產物。

將上述水解產物、21.39克(0.11mole)的二乙烯基四甲基二硅氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)、22.74克的氫氧化鉀以及2274克的甲苯置于反應槽中，于反應槽中通入氮氣，并于室溫下攪拌以制得反應溶液。接著將此反應溶液加熱至95℃。待反應完全后，以去離子水進行萃取使有機層達到PH值為中性，最后移除溶劑以完成第一硅樹脂(化合物2)的制備。化合物2的平均單元結構式由(PhSiO_3/2)_0.7(Me₂SiO_2/2)_0.2(ViMeSiO_2/2)_0.15及用于封裝的單體ViMe₂SiO_1/2所組成。

制備實施例3

第一硅樹脂(化合物3)的制備方法

將2776克(14mole)的苯基三甲氧基硅烷(phenyl-trimethoxysilane，購自六和股份有限公司，臺灣)，480.88克(4mole)的二甲基二甲氧基硅烷(Dimethyldimethoxysilane，購自恒橋產業股份有限公司，臺灣)，以及264.46克(2mole)的甲基乙烯基二甲氧基硅烷(Methylvinyldimethoxysilane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)置于反應槽中，于室溫下攪拌以制得均勻混合溶液。將混和溶液滴入質量濃度5％的硫酸水溶液中以制得反應溶液，接著將此反應溶液加熱至75℃進行水解，待反應完全后，以去離子水進行萃取使有機層達到PH值為中性，最后移除溶劑以制得水解產物。

將上述水解產物、21.39克(0.11mole)的二乙烯基四甲基二硅氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)、22.74克的氫氧化鉀以及2274克的甲苯置于反應槽中，于反應槽中通入氮氣，并于室溫下攪拌以制得反應溶液。接著將此反應溶液加熱至95℃。待反應完全后，以去離子水進行萃取使有機層達到PH值為中性，最后移除溶劑以完成第一硅樹脂(化合物3)的制備。化合物3的平均單元結構式由(PhSiO_3/2)_0.7(Me₂SiO_2/2)_0.2(ViMeSiO_2/2)_0.1及用于封裝的單體ViMe₂SiO_1/2所組成。

制備實施例4

第一硅樹脂(化合物4)的制備方法

將2578克(13mole)的苯基三甲氧基硅烷(phenyl-trimethoxysilane，購自六和股份有限公司，臺灣)481克(4mole)的二甲基二甲氧基硅烷(Dimethyldimethoxysilane，購自恒橋產業股份有限公司，臺灣)，以及397克(3mole)的甲基乙烯基二甲氧基硅烷(Methylvinyldimethoxysilane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)置于反應槽中，于室溫下攪拌以制得均勻混合溶液。將混和溶液滴入質量濃度5％的硫酸水溶液(4579克)中以制得反應溶液，接著將此反應溶液加熱至75℃進行水解，待反應完全后，以去離子水進行萃取使有機層達到PH值為中性，最后移除溶劑以制得水解產物。

將上述水解產物、21.39克(0.11mole)的二乙烯基四甲基二硅氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)、22.74克的氫氧化鉀以及2274克的甲苯置于反應槽中，于反應槽中通入氮氣，并于室溫下攪拌以制得反應溶液。接著將此反應溶液加熱至95℃。待反應完全后，以去離子水進行萃取使有機層達到PH值為中性，最后移除溶劑以完成第一硅樹脂(化合物4)的制備。化合物4的平均單元結構式由(PhSiO_3/2)_0.65(Me₂SiO_2/2)_0.2(ViMeSiO_2/2)_0.15及用于封裝的單體ViMe₂SiO_1/2所組成。

制備實施例5

第二硅樹脂(化合物5)的制備方法

將2379.4克(12mole)的苯基三甲氧基硅烷(Phenyltrimethoxysilane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)，以及1118.4克(6mole)的二乙烯基四甲基二硅氧烷(Divinyltetramethyldisiloxane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)置于反應槽中，于室溫下攪拌以制得均勻混和溶液。將此混和溶液滴入質量濃度5％的硫酸水溶液(4547.16克)中以制得反應溶液，接著將此反應溶液加熱至75℃，以進行水解，待反應完全后，以去離子水進行萃取使有機層達到PH值為中性，最后移除溶劑以制得水解產物。

將上述水解產物、1998克的甲苯以及10克的氫氧化鉀置于反應槽中，于反應槽中通入氮氣，并于室溫下均勻攪拌以制得反應溶液。將此反應溶液進行加熱至85℃。待反應完全后，以去離子水進行萃取使有機層達到PH值為中性，最后移除溶劑以完成第二硅樹脂(化合物5)的制備。化合物5的平均單元結構式為(PhSiO_3/2)_0.5(ViMe₂SiO_1/2)_0.5。

制備實施例6

含硅氫鍵的聚硅氧烷(化合物6)的制備方法

將3432.04克(14mole)的二苯基二甲氧基硅烷(Diphenyldimethoxysilane，購自六和化工股份有限公司，臺灣)，以及1880.62克(14mole)的四甲基二硅氧烷(1,1,3,3-Tetramethyldisiloxane，購自恒橋產業有限公司，臺灣)置于反應槽中，于室溫下攪拌以制得均勻混和溶液。將混和溶液滴入質量濃度50％的硫酸水溶液(2669克)中以制得反應溶液，接著將此反應溶液于室溫下反應4小時以進行水解。待反應完全后，以去離子水萃取使有機層達到PH值為中性，最后移除溶劑以完成含硅氫鍵的聚硅氧烷(化合物6)的制備。化合物6的平均單元結構式為(Ph₂SiO_2/2)₁(HMe₂SiO_1/2)₂。

關于實施例1至實施例5的硅樹脂薄膜的制備方法，詳述如下，實施例1至實施例5的硅樹脂薄膜的詳細組分請一并參考表1。

實施例1

首先，先于反應瓶中置入40克的化合物3、25.7克的化合物5、20克的化合物6、1000ppm(相對于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的總和)的1-乙炔基環己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol，商品名119105000，購自Acros)作為抑制劑、0.6wt％(相對于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的總和)的1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]異氰脲酸酯((Tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate)，商品名440825，購自Simga-Aldrich)作為接著劑，以及1.5重量份的氣相二氧化硅(商品名TS-720，購自Cabot Corp.，美國)以制得第一溶液。于另一反應瓶中置入14.3克的化合物1，以及4.3ppm(相對于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的總和)的辛醇絡鉑化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex，購自Gelest，美國)以形成第二溶液。將第一溶液、第二溶液及100克的螢光粉(商品名為NYAG4454-EL，購自美國Intematix Corporation)混合，于室溫下攪拌均勻，并于第一離形基材上進行涂布，經固化形成硅樹脂涂層以制得硅樹脂薄膜。固化溫度為90℃，固化時間為80分鐘。最后于硅樹脂薄膜的硅樹脂涂層的遠離第一離形基材的表面貼合第二離形基材。

實施例2

首先，先于反應瓶中置入40克的化合物3、20克的化合物5、20克的化合物6及1000ppm(相對于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的總和)的1-乙炔基環己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol，商品名119105000，購自Acros)作為抑制劑、0.6wt％(相對于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的總和)的1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]異氰脲酸酯((Tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate)，商品名440825，購自Simga-Aldrich)作為接著劑，以及1.5克的氣相二氧化硅(商品名TS-720，購自Cabot Corp.，美國)以制得第一溶液。于另一反應瓶中置入20克的化合物1，以及4.3ppm(相對于100克的化合物1、化合物3、化合物5及化合物6的總和)的辛醇絡鉑化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex，購自Gelest，美國)以形成第二溶液。將第一溶液、第二溶液及100克的螢光粉(商品名為NYAG4454-EL，購自美國Intematix Corporation)混合，于室溫下攪拌均勻，并于第一離形基材上進行涂布，經固化形成硅樹脂涂層以制得硅樹脂薄膜。固化溫度為90℃，固化時間為35分鐘。最后于硅樹脂薄膜的硅樹脂涂層的遠離第一離形基材的表面貼合第二離形基材。

實施例3

首先，先于反應瓶中置入40克的化合物4、25.7克的化合物5、20克的化合物6、1000ppm(相對于100克的化合物1、化合物4、化合物5及化合物6的總和)的1-乙炔基環己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol，商品名119105000，購自Acros)作為抑制劑、0.6wt％(相對于100克的化合物1、化合物4、化合物5及化合物6的總和)的1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]異氰脲酸酯((Tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate)，商品名440825，購自Simga-Aldrich)作為接著劑，以及1.5克的氣相二氧化硅(商品名TS-720，購自Cabot Corp.，美國)，以制得第一溶液。于另一反應瓶中置入14.3克的化合物1，以及4.3ppm(相對于100克的化合物1、化合物4、化合物5及化合物6的總和)的辛醇絡鉑化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex，購自Gelest，美國)以形成第二溶液。將第一溶液、第二溶液及100克的螢光粉(商品名為NYAG4454-EL，購自美國Intematix Corporation)混合，于室溫下攪拌均勻，并于第一離形基材上進行涂布，經固化形成硅樹脂涂層以制得硅樹脂薄膜。固化溫度為110℃，固化時間為100分鐘。最后于硅樹脂薄膜的硅樹脂涂層的遠離第一離形基材的表面貼合第二離形基材。

實施例4

首先，先于反應瓶中置入40克的化合物2、25.7克的化合物5、20克的化合物6、1000ppm(相對于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的總和)的1-乙炔基環己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol，商品名119105000，購自Acros)作為抑制劑、0.6wt％(相對于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的總和)的1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]異氰脲酸酯((Tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate)，商品名440825，購自Simga-Aldrich)作為接著劑，以及1.5克的氣相二氧化硅(商品名TS-720，購自Cabot Corp.，美國)以制得第一溶液。于另一反應瓶中置入14.3克的化合物1，以及4.3ppm(相對于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的總和)的辛醇絡鉑化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex，購自Gelest，美國)以形成第二溶液。將第一溶液、第二溶液及100克的螢光粉(商品名為NYAG4454-EL，購自美國Intematix Corporation)混合，于室溫下攪拌均勻，于室溫下攪拌均勻，并于第一離形基材上進行涂布，經固化形成硅樹脂涂層以制得一硅樹脂薄膜。固化溫度為110℃，固化時間為80分鐘。最后于該硅樹脂薄膜的硅樹脂涂層的遠離第一離形基材的表面貼合第二離形基材。

實施例5

首先，先于反應瓶中置入47.3克的化合物2、18.4克的化合物5、20克的化合物6、1000ppm(相對于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的總和)的1-乙炔基環己醇(1-Ethynyl-cyclohexanol，商品名119105000，購自Acros)作為抑制劑、0.6wt％(相對于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的總和)的1,3,5-三[3-(三甲氧基硅丙基)]異氰脲酸酯((Tris(3-trimethoxysilylpropyl)isocyanurate)，商品名440825，購自Simga-Aldrich)作為接著劑，以及1.5克的氣相二氧化硅(商品名TS-720，購自Cabot Corp.，美國)以制得第一溶液。于另一反應瓶中置入14.3重量份的化合物1，以及4.3ppm(相對于100克的化合物1、化合物2、化合物5及化合物6的總和)的辛醇絡鉑化合物(Platinum-Octanal/Octanol Complex，購自Gelest，美國)以形成第二溶液。將第一溶液、第二溶液及100克的螢光粉(商品名為NYAG4454-EL，購自美國Intematix Corporation)混合，于室溫下攪拌均勻，于室溫下攪拌均勻，并于第一離形基材上進行涂布，經固化形成硅樹脂涂層以制得硅樹脂薄膜。固化溫度為105℃，固化時間為80分鐘。最后于硅樹脂薄膜的硅樹脂涂層的遠離第一離形基材的表面貼合第二離形基材。

關于上述實施例1至實施例5的硅樹脂薄膜的外觀及特性的詳細測試結果如表2所示。

于表2所列測試結果，實施例1至實施例5的折射率皆高達1.53，硬度皆大于50D，其中，實施例1及實施例3的硬度高達66D。且實施例1至實施例5的tanδ(損失模數/儲存模數)為1.2至1.6，儲存模數范圍約為6.6×10²至1.9×10³之間，故本發明的硅樹脂薄膜可同時具有優異的熱軟化性質且兼具高硬度的特性。

圖1，其利用實施例1所制得的硅樹脂薄膜進行晶片封裝所拍攝的光學顯微鏡影像的俯視圖。圖2，其利用實施例1所制得的硅樹脂薄膜進行晶片封裝所拍攝的光學顯微鏡影像的側視圖。由圖1及圖2可證實本發明的硅樹脂薄膜于LED晶片封裝時，無壓合氣泡產生，且硅樹脂薄膜可完整包覆LED晶片而無露角情形產生。另由晶片封裝測試結果顯示，實施例2至實施例5的硅樹脂薄膜的表現與實施例1一樣具有良好的熱軟化特性。

綜上所述，雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其并非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作各種的更動與潤飾。因此，本發明的保護范圍當視后附的申請專利范圍所界定者為準。

表1：實施例1至實施例5的詳細組成

表2：實施例1至實施例5的特性測試結果