本發(fā)明涉及顯示技術領域,尤其涉及一種發(fā)光材料及其制備方法與使用該發(fā)光材料的有機發(fā)光二極管。
背景技術:
有機發(fā)光二極管(OLED,Organic Light-Emitting Diode)顯示器,也稱為有機電致發(fā)光顯示器,是一種新興的平板顯示裝置,由于其具有制備工藝簡單、成本低、功耗低、發(fā)光亮度高、工作溫度適應范圍廣、體積輕薄、響應速度快,而且易于實現(xiàn)彩色顯示和大屏幕顯示、易于實現(xiàn)和集成電路驅(qū)動器相匹配、易于實現(xiàn)柔性顯示等優(yōu)點,因而具有廣闊的應用前景。
OLED顯示器利用有機發(fā)光二極管進行發(fā)光,因此改善有機發(fā)光二極管的效率和壽命顯得極為重要。至今,有機發(fā)光二極管已經(jīng)取得了長足的進展,通過熒光磷光雜化,可以獲得器件結構簡單且效率很高的白光器件。而這種熒光磷光雜化器件的效率很大程度上依賴于熒光的效率,因此發(fā)展高效的熒光材料依然具有舉足輕重的意義。
相比于聚合物而言,發(fā)光小分子由于制備步驟簡便,結構穩(wěn)定,能夠純化,因而可以獲得更高的器件效率,從而可得到商業(yè)化應用。利用小分子進行蒸鍍或者溶液加工,制備多層器件的方法已經(jīng)受到了極大關注,并且取得了巨大的進展。但是基于傳統(tǒng)的有機熒光材料由于通常只能利用25%的單線態(tài)激子,因此器件的效率受到極大的限制。而近期,由日本人Adachi課題組利用熱活化延遲熒光機理,使全有機材料的激子利用率也可以達到100%,使得有機熒光的器件效率實現(xiàn)了飛躍。然而由于這類材料種類稀少,因而拓展這類材料的種類對未來的應用選擇具有很重要的意義。至今為止,結構簡單、且兼具良好性能、滿足商業(yè)化需求的有機小分子發(fā)光材料依舊十分有限,開發(fā)成本低廉且效率優(yōu)異的發(fā)光材料依然具有舉足輕重的意義。
技術實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于提供一種發(fā)光材料,結構單一,分子量確定,具有較好的溶解性及成膜性,可應用于小分子有機發(fā)光二極管。
本發(fā)明的目的還在于提供一種發(fā)光材料的制備方法,步驟簡單,產(chǎn)率高。
本發(fā)明的目的還在于提供一種有機發(fā)光二極管,發(fā)光層含有上述發(fā)光材料,具有較高的發(fā)光效率與穩(wěn)定性。
為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明首先提供一種發(fā)光材料,結構通式為 其中,Ar1、Ar2分別選自式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式(6)、式(7)所示的芳香氨基團;
Ar1與Ar2相同。
所述發(fā)光材料包括以下化合物中的一種或多種:
本發(fā)明還提供一種發(fā)光材料的制備方法,包括如下步驟:
步驟1、制備中間體
步驟2、中間體與芳香胺化合物通過烏爾曼反應或鈴木反 應得到發(fā)光材料,所述發(fā)光材料的結構通式為其中,Ar1、Ar2分別選自式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式(6)、式(7)所示的芳香氨基團;
Ar1與Ar2相同。
所述發(fā)光材料包括以下化合物中的一種或多種:
所述步驟1包括:
步驟11、間溴苯硫酚與2-氟-4-溴芐腈反應得到
步驟12、先在堿性條件下水解,再酸化,得到
步驟13、發(fā)生脫水縮合反應,得到和中間體
本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管,包括基板、在基板上從下到上依次層疊 設置的陽極、空穴注入層、空穴傳輸層、發(fā)光層、電子傳輸層、電子注入層、及陰極;
所述發(fā)光層包括發(fā)光材料,所述發(fā)光材料的結構通式為
其中,Ar1、Ar2分別選自式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式(6)、式(7)所示的芳香氨基團;
Ar1與Ar2相同。
所述發(fā)光材料包括以下化合物中的一種或多種:
本發(fā)明的有益效果:本發(fā)明提供的一種發(fā)光材料,結構單一,分子量確定,具有較好的溶解性及成膜性,且薄膜形態(tài)穩(wěn)定;具有很高的分解溫度和比較低的升華溫度,容易升華成高純度的發(fā)光材料,可應用于小分子有機發(fā)光二極管;通過改變連接的芳香胺基團,可進一步改善其物理特性,提升基于該發(fā)光材料的光電器件的性能。本發(fā)明提供的一種發(fā)光材料的制備方法,以間溴苯硫酚與2-氟-4-溴芐腈為起始原料,通過一系列的簡單反應得到發(fā)光 材料的中間體,最后通過烏爾曼反應或鈴木反應得到發(fā)光材料,步驟簡單,產(chǎn)率高。本發(fā)明提供的一種有機發(fā)光二極管,發(fā)光層含有上述發(fā)光材料,具有較高的發(fā)光效率與穩(wěn)定性。
為了能更進一步了解本發(fā)明的特征以及技術內(nèi)容,請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖,然而附圖僅提供參考與說明用,并非用來對本發(fā)明加以限制。
附圖說明
下面結合附圖,通過對本發(fā)明的具體實施方式詳細描述,將使本發(fā)明的技術方案及其它有益效果顯而易見。
附圖中,
圖1為本發(fā)明的發(fā)光材料的制備方法的流程圖;
圖2為本發(fā)明的有機發(fā)光二極管的結構示意圖。
具體實施方式
為更進一步闡述本發(fā)明所采取的技術手段及其效果,以下結合本發(fā)明的優(yōu)選實施例及其附圖進行詳細描述。
本發(fā)明首先提供一種發(fā)光材料,其結構通式為其中,Ar1、Ar2分別選自式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式(6)、式(7)所示的芳香氨基團;
優(yōu)選的,Ar1與Ar2相同。
具體的,所述發(fā)光材料包括以下化合物中的一種或多種:
上述發(fā)光材料,結構單一,分子量確定,具有較好的溶解性及成膜性,且薄膜形態(tài)穩(wěn)定;具有很高的分解溫度和比較低的升華溫度,容易升華成高純度的發(fā)光材料,可應用于小分子有機發(fā)光二極管;通過改變連接的芳香胺基團,可進一步改善其物理特性,提升基于該發(fā)光材料的光電器件的性能。
請參閱圖1,本發(fā)明還提供一種上述發(fā)光材料的制備方法,包括如下步驟:
步驟1、制備中間體
所述中間體的合成路線為:
具體的,所述步驟1包括:
步驟11、間溴苯硫酚與2-氟-4-溴芐腈反應得到
所述步驟11的具體實施步驟為:
于250ml三口燒瓶中將0.73g(30mmol)NaH緩慢加入到溶解有4.7g (25mmol)間溴苯硫酚的20ml干燥二甲基甲酰胺(DMF)中,然后向其中滴加溶解有5g(25mmol)2-氟-4-溴芐腈的20ml干燥二甲基甲酰胺中。在氮氣保護下,加熱回流反應20h,反應結束后降至室溫,將反應液倒入50ml 1M的NaOH溶液中,二氯甲烷(DCM)萃取,減壓出掉溶劑,過硅膠柱,得到白色固體5.2g,即為化合物b1。分子式:C13H7Br2NS,MS:366.87,元素分析:C,42.31;H,1.91;Br,43.30;N,3.80;S,8.69。
步驟12、先在堿性條件下水解,再酸化,得到
所述步驟12的具體實施步驟為:
于250ml三口燒瓶中加入80ml去離子水、15g KOH、及80ml乙醇,將5.2g化合物b1加入到反應瓶中,氮氣保護下回流過夜。反應完冷卻至室溫,將反應液加入到100ml 6M的鹽酸中,冰浴析出白色固體抽濾,干燥得到白色固體5.1g,即為化合物b2。分子式:C13H8Br2O2S,MS:385.86,元素分析:C,40.23;H,2.08;Br,41.18;O,8.25;S,8.26。
步驟13、發(fā)生脫水縮合反應,得到和中間體
所述步驟13的具體實施步驟為:
在500ml單口燒瓶中加入2.75g(10mmol)化合物b2,加入500ml氯仿作為溶劑,滴加3.2g(20mmol,2equ)三氟乙酸酐,室溫攪拌10min,加冰浴冷卻10min,然后加入0.5g三氟化硼乙醚,去掉冰浴室溫反應12h。反應完,加亞硫酸鈉飽和水溶液,淬滅多余的三氟乙酸酐,分液,減壓蒸餾除掉溶劑,過柱分別得到和中間體產(chǎn)率分別為45%和36%。
步驟2、中間體與芳香胺化合物通過烏爾曼反應或鈴木(Suzuki)反應得到發(fā)光材料,所述發(fā)光材料的結構通式為其中,Ar1、Ar2分別選自式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式(6)、式(7)所示的芳香氨基團;
優(yōu)選的,Ar1與Ar2相同。
具體的,所述發(fā)光材料包括以下化合物中的一種或多種:
具體的,所述步驟2中,所述芳香胺化合物包括咔唑、二苯胺、9,9-二甲基吖啶、對咔唑苯硼酸酯、對苯基咔唑硼酸酯、對三苯胺硼酸酯、及對苯基吩噻嗪-S,S-二氧硼酸酯中的一種或多種;
所述咔唑的結構式為
所述二苯胺的結構式為
所述9,9-二甲基吖啶的結構式為
所述對咔唑苯硼酸酯的結構式為
所述對苯基咔唑硼酸酯的結構式為
所述對三苯胺硼酸酯的結構式為
所述對苯基吩噻嗪-S,S-二氧硼酸酯的結構式為以下結合具體實施例,詳細說明所述步驟2的具體實施方法。
實施例1:中間體與咔唑通過烏爾曼反應得到 反應式如下:
具體實施步驟為:
在氮氣保護下,向三口燒瓶中加入100ml甲苯、0.72g(2mmol)中間體 0.67g(4mmol)咔唑,在攪拌下加入0.3g叔丁基醇鈉,再加入20mg三(二亞芐基丙酮)二鈀(Pd2(dba)3),再加入0.3ml 10%三叔丁基膦正己烷溶液,加熱回流,反應過夜。降溫,用二氯甲烷萃取有機相,旋干,過柱。得白色固體產(chǎn)物0.65g,產(chǎn)率60%。分子式:C37H22N2OS;M/Z=542.15;理論值:542.15(100.0%),543.15(40.3%),544.15(8.7%),544.14(4.5%),545.14(1.8%),543.14(1.5%),545.16(1.0%);元素分析:C,81.89;H,4.09;N,5.16;O,2.95;S,5.91。
實施例2:中間體與9,9-二甲基吖啶通過烏爾曼反應得到 反應式如下:
具體實施步驟為:
在氮氣保護下,向三口燒瓶中加入100ml甲苯、0.72g(2mmol)中間體 0.84g(4mmol)的9,9-二甲基吖啶,在攪拌下加入0.3g叔丁基醇鈉,再加入20mg三(二亞芐基丙酮)二鈀(Pd2(dba)3),再加入0.3ml 10%三叔丁基膦正己烷溶液,加熱回流,反應過夜。降溫,用二氯甲烷萃取有機相,旋干,過柱。得白色固體產(chǎn)物0.68g,產(chǎn)率54%。分子式:C43H34N2OS;M/Z=626.24;理論值:626.24(100.0%),627.24(48.1%),628.25(10.8%),628.23(4.5%),629.24(2.2%),629.25(1.8%);元素分析:C,82.40;H,5.57;N,4.47;O,2.55;S,5.12。
實施例3:中間體與二苯胺通過烏爾曼反應得到 反應式如下:
具體實施步驟為:
在氮氣保護下,向三口燒瓶中加入100ml甲苯、0.72g(2mmol)中間體 0.84g(4mmol)的二苯胺,在攪拌下加入0.3g叔丁基醇鈉,再加入20mg三(二亞芐基丙酮)二鈀(Pd2(dba)3),再加入0.3ml 10%三叔丁基膦正己烷溶液,加熱回流,反應過夜。降溫,用二氯甲烷萃取有機相,旋干,過柱。得白色固體產(chǎn)物0.56g,產(chǎn)率51%。分子式:C37H26N2OS;M/Z=546.18;理論值:546.18(100.0%),547.18(41.2%),548.18(8.6%),548.17(4.5%),549.18(2.0%),549.19(1.0%);元素分析:C,81.29;H,4.79;N,5.12;O,2.93;S,5.87。
實施例4:中間體與對咔唑苯硼酸酯通過鈴木反應得到 反應式如下:
具體實施步驟為:
在氮氣氣氛下,往250ml燒瓶中加入96ml甲苯、32ml乙醇、16ml 2M的碳酸鉀水溶液、0.72g(2mmol)中間體2.06g(1.2equ)對咔唑苯硼酸酯,室溫攪拌,然后加入100mg三苯基磷鈀(催化劑),96℃回流24小時。冷卻至室溫,二氯甲烷萃取,無水硫酸鎂干燥。得白色固體產(chǎn)物1.17g,產(chǎn)率84%。分子式:C49H30N2OS;M/Z=694.21;理論值:694.21(100.0%),695.21(54.2%),696.21(14.8%),696.20(4.5%),697.21(2.6%),697.22(2.5%);元素分析:C,84.70;H,4.35;N,4.35;O,2.30;S,4.61。
實施例5:中間體與對苯基咔唑硼酸酯通過鈴木反應得到 反應式如下:
具體實施步驟為:
在氮氣氣氛下,往250ml燒瓶中加入96ml甲苯、32ml乙醇、16ml 2M的碳酸鉀水溶液、0.72g(2mmol)中間體2.06g(1.2equ)對苯基咔唑硼酸酯,室溫攪拌,然后加入100mg三苯基磷鈀(催化劑),96℃回流24小時。冷卻至室溫,二氯甲烷萃取,無水硫酸鎂干燥。分離得白色固體1.20g,產(chǎn)率84%。分子式:C49H30N2OS;M/Z=694.21;理論值:694.21(100.0%),695.21(54.2%),696.21(14.8%),696.20(4.5%),697.21(2.6%),697.22(2.5%);元素分析:C,84.70;H,4.35;N,4.03;O,2.30;S,4.61。
實施例6:中間體與對三苯胺硼酸酯通過鈴木反應得到 反應式如下:
具體實施步驟為:
在氮氣氣氛下,往250ml燒瓶中加入96ml甲苯、32ml乙醇、16ml 2M的碳酸鉀水溶液、0.72g(2mmol)中間體2.32g(1.2equ)對三苯胺硼酸酯,室溫攪拌,然后加入100mg三苯基磷鈀(催化劑),96℃回流24小時。冷卻至室溫,二氯甲烷萃取,無水硫酸鎂干燥。得白色固體產(chǎn)物1.21g,產(chǎn)率87%。分子式:C49H34N2OS;M/S=698.24;理論值:698.24(100.0%),699.24(54.6%),700.25(14.0%),700.23(4.5%),701.25(2.6%),701.24(2.5%);元素分析:C,84.21;H,4.90;N,4.01;O,2.29;S,4.59。
實施例7:中間體與對苯基吩噻嗪-S,S-二氧硼酸酯通過鈴木反應得到反應式如下:
具體實施步驟為:
在氮氣氣氛下,往250ml燒瓶中加入96ml甲苯、32ml乙醇、16ml 2M的碳酸鉀水溶液、0.72g(2mmol)中間體2.06g(1.2equ)對苯基吩噻嗪-S,S-二氧硼酸酯,室溫攪拌,然后加入100mg三苯基磷鈀(催化劑),96℃回流24小時。冷卻至室溫,二氯甲烷萃取,無水硫酸鎂干燥。得白色固體產(chǎn)物1.40g,產(chǎn)率85%。分子式:C49H30N2O5S3;M/Z=822.13;理論值:822.13(100.0%),823.14(53.5%),824.13(15.3%),824.14(15.1%),825.13(7.5%),825.14(3.4%),823.13(3.1%),826.13(2.2%);元素分析:C,71.51;H,3.67;N,3.40;O,9.72;S,11.69。
上述發(fā)光材料的制備方法,以間溴苯硫酚與2-氟-4-溴芐腈為起始原料,通過一系列的簡單反應得到發(fā)光材料的中間體,最后通過烏爾曼反應或鈴木反應得到發(fā)光材料,步驟簡單,產(chǎn)率高。
請參閱圖2,本發(fā)明還提供一種含有上述發(fā)光材料的有機發(fā)光二極管,包括基板10、在基板10上從下到上依次層疊設置的陽極20、空穴注入層30、空穴傳輸層40、發(fā)光層50、電子傳輸層60、電子注入層70、及陰極80;
所述發(fā)光層50包括發(fā)光材料,所述發(fā)光材料的結構通式為
其中,Ar1、Ar2分別選自式(1)、式(2)、式(3)、式(4)、式(5)、式 (6)、式(7)所示的芳香氨基團;
優(yōu)選的,Ar1與Ar2相同。
具體的,所述發(fā)光材料包括以下化合物中的一種或多種:
優(yōu)選的,所述發(fā)光層50的材料中,所述發(fā)光材料的質(zhì)量百分比為1%。
具體的,所述發(fā)光層50可以發(fā)紅光、黃光、綠光、或者藍光。
具體的,所述陽極20的材料包括透明金屬氧化物,所述透明金屬氧化物優(yōu)選為氧化銦錫(ITO)。
具體的,所述空穴注入層30的材料包括2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜三亞苯(HAT-CN),所述2,3,6,7,10,11-六氰基-1,4,5,8,9,12-六氮雜三亞苯的結構式為
具體的,所述空穴傳輸層40的材料包括1,1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷(TAPC),所述1,1-雙[(二-4-甲苯基氨基)苯基]環(huán)己烷的結構式為
具體的,所述發(fā)光層50還包括4,4'-雙(N-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯(CBP),所述4,4'-雙(N-咔唑)-1,1'-聯(lián)苯的結構式為
具體的,所述電子傳輸層60的材料包括1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯(TmPyPB),所述1,3,5-三[(3-吡啶基)-3-苯基]苯的結構式為
具體的,所述電子注入層70的材料包括氟化鋰(LiF)。
具體的,所述陰極80的材料包括鋁(Al)。
優(yōu)選的,所述陽極20的厚度為95nm,所述空穴注入層30的厚度為5nm,所述空穴傳輸層40的厚度為20nm,所述發(fā)光層50的厚度為35nm,所述電子傳輸層60的厚度為55nm,所述電子注入層70的厚度為1nm,所述陰極80的厚度大于80nm。
所述有機發(fā)光二極管的制備過程如下:將氧化銦錫透明導電玻璃在清洗劑中進行超聲處理,再用去離子水清洗,在丙酮/乙醇的混合溶劑中利用超聲除油,之后在潔凈的環(huán)境下烘烤至完全除去水分,然后用紫外光和臭氧進行清洗,并用低能陽離子轟擊得到陽極20,將帶有陽極20的透明導電玻璃置于真空腔內(nèi),抽真空至1×10-5~9×10-3Pa,然后在所述陽極20上依次蒸鍍空穴注入層30、空穴傳輸層40、數(shù)層發(fā)光層50、電子傳輸層60、電子注入層70與陰極80,最終得到本實施例的有機發(fā)光二極管。
綜上所述,本發(fā)明提供的一種發(fā)光材料,結構單一,分子量確定,具有較好的溶解性及成膜性,且薄膜形態(tài)穩(wěn)定;具有很高的分解溫度和比較低的升華 溫度,容易升華成高純度的發(fā)光材料,可應用于小分子有機發(fā)光二極管;通過改變連接的芳香胺基團,可進一步改善其物理特性,提升基于該發(fā)光材料的光電器件的性能。本發(fā)明提供的一種發(fā)光材料的制備方法,以間溴苯硫酚與2-氟-4-溴芐腈為起始原料,通過一系列的簡單反應得到發(fā)光材料的中間體,最后通過烏爾曼反應或鈴木反應得到發(fā)光材料,步驟簡單,產(chǎn)率高。本發(fā)明提供的一種有機發(fā)光二極管,發(fā)光層含有上述發(fā)光材料,具有較高的發(fā)光效率與穩(wěn)定性。
以上所述,對于本領域的普通技術人員來說,可以根據(jù)本發(fā)明的技術方案和技術構思作出其他各種相應的改變和變形,而所有這些改變和變形都應屬于本發(fā)明權利要求的保護范圍。