聚酰亞胺膜的制作方法
【技術領域】
[0001] 本發明設及尺寸穩定性優良、適合于半導體封裝體用途、半導體制造工藝用途、顯 示器用途、太陽能電池基板、細節距電路用基板等要求尺寸穩定性的用途的聚酷亞胺膜。
【背景技術】
[0002] 伴隨曉性印刷基板（FPC)、半導體封裝體的高精細化，對它們中使用的聚酷亞胺膜 的要求事項也增多，可W列舉例如：縮小由與金屬的貼合引起的尺寸變化和卷邊、使操作性 高等，作為聚酷亞胺膜的物性，要求具有與金屬同等的熱膨脹系數W及高彈性模量，進一步 要求由吸水引起的尺寸變化小的膜，開發了應對該要求的聚酷亞胺膜。
[0003] 例如，已知為了提高彈性模量而使用對苯二胺的聚酷亞胺膜的例子（專利文獻1、 2、3)。另外，已知為了在保持高彈性的同時降低由吸水引起的尺寸變化而在使用對苯二胺 的基礎上使用聯苯四甲酸二酢的聚酷亞胺膜的例子（專利文獻4、5)。
[0004] 此外，已知為了抑制與金屬的貼合工序中的尺寸變化而將膜的機械輸送方向（W 下也稱為MD)的熱膨脹系數設定得比膜的寬度方向（W下也稱為TD)的熱膨脹系數小、具 有各向異性的聚酷亞胺膜的例子。其目的在于，在通常的FPC制造工藝中采用利用漉對漉 加熱而進行與金屬的貼合的層壓方式，在該工序中沿膜的MD施加張力而產生伸長率，另一 方面，將在TD上產生收縮的現象抵消（專利文獻6)。 陽0化]作為聚酷亞胺膜的最近的用途，從輕量化、曉性等優點考慮，可W列舉半導體封裝 體用途、半導體制造工藝用途、電子紙等顯示器的基膜、太陽能電池基板的用途等。W往，聚 酷亞胺膜多被用于電路基板用途，其熱膨脹系數大多W形成布線的銅的熱膨脹系數為標準 進行調整。但是，最近的運些用途中，大多使用具有比銅低的熱膨脹系數的二氧化娃、玻璃， 對于現有的聚酷亞胺膜而言，有時尺寸穩定性不充分、或者由于MD與TD的熱膨脹系數的差 異而產生翅曲。另外，在W往的電路用基板用途中也出現了要求細節距的情況，在運種情況 下，對于現有的聚酷亞胺膜而言，尺寸穩定性不充分。
[0006] 現有技術文獻
[0007] 專利文獻
[0008]專利文獻1:日本特開昭60-210629號公報
[0009]專利文獻2 :日本特開昭64-16832號公報
[0010] 專利文獻3 :日本特開平1-131241號公報
[0011] 專利文獻4 :日本特開昭59-164328號公報
[0012]專利文獻5:日本特開昭61-111359號公報
[0013]專利文獻6:日本特開平4-25434號公報
【發明內容】
[0014] 發明所要解決的問題
[0015] 本發明是W解決上述現有技術中的問題作為課題進行研究而得到的結果，其目的 在于得到膜的尺寸變化得W減小、并且MD與TD的熱膨脹系數差小而呈各向同性、適合于半 導體封裝體用途、半導體制造工藝用途、顯示器用途、太陽能電池基板、細節距電路用基板 等要求尺寸穩定性的用途的聚酷亞胺膜。
[0016] 用于解決問題的方法
[0017] 本發明人為了解決上述課題而反復進行了深入研究，結果發現了一種聚酷亞胺 膜，其使用含有對苯二胺的芳香族二胺成分和酸酢成分而得到，其特征在于，使用島津制作 所制造的TMA-50在測定溫度范圍為50~200°C、升溫速度為10°C/分鐘的條件下進行測 定而得到的膜的機械輸送方向（MD)的熱膨脹系數aMD和寬度方向（TD)的熱膨脹系數aTD 運兩者在化pm/°CW上且小于7.化pm/°C的范圍內，且滿足IaMD-aTDI< 3的關系，該聚酷 亞胺膜是膜的尺寸變化得W減小并且MD與TD的熱膨脹系數差小的各向同性的膜。
[0018] 除上述W外，本發明人還得到了如下各種意想不到的新見解，并進一步反復進行 了深入研究，從而完成了本發明。
[0019]旨P，本發明設及W下的發明。
[0020] [1] 一種聚酷亞胺膜，使用含有對苯二胺的芳香族二胺成分和酸酢成分而得到， 其特征在于，使用島津制作所制造的TMA-50在測定溫度范圍為50~200°C、升溫速度為 10°C/分鐘的條件下進行測定而得到的膜的機械輸送方向（MD)的熱膨脹系數aMD和寬度 方向（TD)的熱膨脹系數Qtd運兩者在〇ppm/°CW上且小于7.0ppm/°C的范圍內，且滿足 IaMD-aTDI< 3 的關系。
[0021] [2] -種聚酷亞胺膜，使用含有對苯二胺的芳香族二胺成分和酸酢成分而得到， 其特征在于，使用島津制作所制造的TMA-50在測定溫度范圍為50~200°C、升溫速度為 10°C/分鐘的條件下進行測定而得到的膜的機械輸送方向（MD)的熱膨脹系數aMD和寬度 方向（TD)的熱膨脹系數Qtd運兩者在〇ppm/°CW上且小于7.0ppm/°C的范圍內，且滿足 曰MD-曰TD< 2的關系。
[0022] [3]如上述[1]或[2]所述的聚酷亞胺膜，其特征在于，膜的MD和TD的200°C加 熱收縮率均為0.05%W下。
[002引W如上述山~閒中任一項所述的聚酷亞胺膜，其特征在于，膜的MD和TD的 200°(：加熱收縮率均為0.03%^下。
[0024] 閒如上述山~W中任一項所述的聚酷亞胺膜，其特征在于，膜的拉伸彈性模 量為6.OGPaW上。
[00巧][6]如上述[1]~[5]中任一項所述的聚酷亞胺膜，其特征在于，膜的吸水率為 3. 0 %W下。
[00%] [7]如上述[1]~[6]中任一項所述的聚酷亞胺膜，其特征在于，對苯二胺相對于 芳香族二胺成分總量為至少31摩爾％W上。
[0027][引如上述[1]~[7]中任一項所述的聚酷亞胺膜，其特征在于，還含有選自由 4, 4'-二氨基二苯基酸和3, 4'-二氨基二苯基酸組成的組中的一種W上作為芳香族二胺成 分。
[0028] [9]如上述[1]~巧]中任一項所述的聚酷亞胺膜，其特征在于，酸酢成分為選自 由均苯四酸二酢和3, 3' -4,4'-聯苯四甲酸二酢組成的組中的一種W上。
[0029][10] -種覆銅錐層壓體，其特征在于，使用上述[1]~[9]中任一項所述的聚酷亞 胺膜。
[0030] [11] 一種玻璃/聚酷亞胺層壓體，其特征在于，使用上述[1]~[10]中任一項所 述的聚酷亞胺膜。
[00川發明效果
[0032] 本發明的聚酷亞胺膜的尺寸穩定性優良，因而能夠適合用于半導體封裝體用途、 半導體制造工藝用途、顯示器用途、太陽能電池基板、細節距電路用基板等要求尺寸穩定性 的用途。
[003引另外，本發明的聚酷亞胺膜是MD與TD的熱膨脹系數差小的各向同性的膜，因此， 在用于半導體封裝體用途、半導體制造工藝用途、顯示器用途、太陽能電池基板、細節距電 路用基板等用途時能夠減少翅曲的產生。
【具體實施方式】
[0034] 本發明的聚酷亞胺膜是使用含有對苯二胺的芳香族二胺成分和酸酢成分而得到 的聚酷亞胺膜，其特征在于，使用島津制作所制造的TMA-50在測定溫度范圍為50~200°C、 升溫速度為l〇°C/分鐘的條件下進行測定而得到的膜的機械輸送方向（MD)的熱膨脹系數 曰MD和寬度方向（TD)的熱膨脹系數aTD運兩者在化pm/°CW上且小于7.化pm/°C的范圍內， 且滿足IaMD-aTDI< 3的關系。
[0035] 本發明的聚酷亞胺膜的機械輸送方向（MD)的熱膨脹系數aMD和寬度方向（TD)的 熱膨脹系數aTD均通常為化pm/°CW上且小于7.化pm/°C的范圍，優選為1.化pm/°CW上且 小于7.化pm/°C的范圍，更優選為2.化pm/°CW上且6. 5卵m/°CW下的范圍，進一步優選為 2. 0ppm/°CW上且6. 0ppm/°CW下的