、雜芳基。所述官能團可W在含PIB的低聚物或聚合物的末端或側鏈 上。
[0030] 引發劑可含有一個或多個引發位點（例如，1個引發位點-約20個引發位點）。引 發位點的數目可W變化，W產生不同的PIB聚合物結構，例如單官能結構、雙官能結構或星 形結構。
[0031] 雙官能引發劑可用于制備具有多個相同或不同官能團的含PIB的低聚物或聚合 物。在包含所需官能團的雙官能引發劑下，可使用具有芳族結構的活性PIB的偶合反應來 制備具有兩個或更多個官能團的含PIB的低聚物或聚合物。在該偶合反應中，在芳族結構 中沒有供電子基團，然而，一旦連接1個PIB臂，電子供體會促進偶合反應。
[0032] 含PIB的低聚物或聚合物可W是通過一步驟陽離子聚合機理聚合的包含苯乙締、 異戊二締或其它單體鏈段的共聚物。共聚單體的重量百分比可為含PIB的低聚物或聚合物 的約1重量％ -約30重量％。
[0033] 本發明的另一個方面提供在直接的一步驟反應中在陽離子聚合條件下制備含官 能團的PIB低聚物或聚合物的方法。運種方法不包括或不需要在非陽離子聚合條件下進行 的任何后聚合反應。運個方面的方法不包括使用非陽離子后聚合反應的制備官能化PIB聚 合物的方法。運個方面的方法使引發劑與異下締在陽離子聚合條件下反應W提供中間體， 所述中間體與偶合劑也在陽離子聚合條件下反應。可在陽離子聚合條件下將產物封端W添 加官能團，從而提供含官能團的PIB低聚物或聚合物。
[0034] 有利地，運個方面的方法使含官能團的引發劑與異下締和/或其它可陽離子聚合 的物質在陽離子聚合條件下反應W提供中間體，所述中間體與偶合劑也在陽離子聚合條件 下反應W提供含官能團的PIB低聚物或聚合物。
[0035] 可用于該方法的官能團可W是不會干擾所述反應的任何化學部分。一些例示性官 能團包括（甲基）丙締酸醋、丙締酸類異氯酸醋、0H、環氧基、氧雜環下燒、氯酸醋、異氯酸 醋、硅烷、氯硅烷、脈、NRSr6、SR7、Si(0護)1町I;其中R5、R6、R7、R8、R9可獨立地選自H、面素、 烷基、雜烷基、締基、雜締基、烘基、雜烘基、芳基、雜芳基。所述官能團可W在含PIB的低聚 物或聚合物的末端或側鏈上。
[0036] 引發劑可含有一個或多個引發位點（例如，1個引發位點-約20個引發位點）。引 發位點的數目可W變化，W產生不同的PIB聚合物結構，例如單官能結構、雙官能結構或星 形結構。
[0037] 雙官能引發劑可用于制備具有多個相同或不同官能團的含PIB的低聚物或聚合 物。在包含所需官能團的雙官能引發劑下，可使用具有芳族結構的活性PIB的偶合反應來 制備具有兩個或更多個官能團的含PIB的低聚物或聚合物。在該偶合反應中，在芳族結構 中沒有供電子基團，然而，一旦連接1個PIB臂，電子供體會促進偶合反應。
[0038] 本發明的另一個方面提供在兩步驟方法中制備含官能團的PIB低聚物或聚合物 的方法。第一步驟在陽離子聚合條件下進行。第二步驟在非陽離子聚合條件下進行。
[0039] 一步驟直接封端反應方案：
[0040] 下文示出了在一步驟反應中制備PIB低聚物或聚合物的直接封端方法：
[0041 ]
陽0創 其中：
[0043]Ri是引發劑核屯、結構。Ri可獨立地選自烷基、雜烷基、芳基、雜芳基、締基、雜締基、 烘基、雜烘基和烷氧基。R1可被取代或未被取代； W44]X是鍵合到所述引發劑核屯、結構的引發位點。X可獨立地選自面基、烷氧基、醋；W45]m是約2-約1，000的整數；
[0046] n是約1-約20的整數；
[0047] CAP是選自W下結構1-3中的一種或多種的封端試劑：
[0048] Ar-(邸G-R2-Y)q
[0049] (Ar) p-Ar-(邸G-R2-Y) q 陽0加]PAH-(邸G-R2-Y)g 陽化U其中邸G是供電子基團。邸G可包括0、NR3、S、R4。有利地，用于封端試劑1)的EDG選自NR3、S、r4。
[0052] R2可獨立地選自H、烷基、雜烷基、締基、雜締基、烘基、雜烘基、芳基、雜芳基；
[0053] R3可獨立地選自H、烷基、雜烷基、締基、雜締基、烘基、雜烘基、芳基、雜芳基；
[0054] R4可獨立地選自H、烷基、雜烷基、締基、雜締基、烘基、雜烘基、芳基、雜芳基；
[0055] P是約1-約20的整數；
[0056] q是約1-約20的整數；
[0057] Y可獨立地選自（甲基）丙締酸醋、0H、環氧基、氧雜環下燒、氯酸醋、異氯酸醋、氨 基甲酸醋、脈、NRSR6、SR7、Si(OR8) 1町I，其中R5、R6、R7、R8、R9可獨立地選自H、烷基、雜烷基、 締基、雜締基、烘基、雜烘基、芳基、雜芳基； 陽05引封端試劑1的一個實例在W下結構中示出。
[0059]
[0060] 封端試劑2的一個實例在w下結構中示出。
[0061]
[0062] 封端試劑3的一個實例在W下結構中示出。
[0063] 例如
陽064] -步驟偶合反應方案： 陽0化]下文示出了在一步驟反應中制備PIB聚合物的偶合反應方法。
[0066]
[0067] R10是引發劑核屯、結構。R10可獨立地選自烷基、雜烷基、締基、雜締基、烘基、雜烘 基、烷氧基、芳基、雜芳基；
[0068] G是鍵合到所述引發劑結構的官能部分。G可獨立地選自（甲基）丙締酸醋、0H、 環氧基、氧雜環下燒、氯酸醋、異氯酸醋、氨基甲酸醋、脈、^11護、5護、51伽14)滬3 1，其中1 是0-3的整數；
[0069] Rii、護、R"、rM、Ris可獨立地選自H、烷基、雜烷基、締基、雜締基、烘基、雜烘基、芳 基、雜芳基；
[0070] Z是鍵合到所述引發劑結構的引發位點。Z可獨立地選自面基、烷氧基、醋；
[0071]m是約2-約1，000的整數； 陽072] n是約1-約20的整數；
[0073] 偶合劑選自芳基、被取代的芳基、雜芳基和被取代的雜芳基。例示性偶合劑包括 苯、苯甲酸、被取代的苯胺、聚芳控。
[0074] 兩步驟反應方案：
[0075] 下文示出了在兩步驟反應中制備PIB聚合物的方法。第一步驟在陽離子反應條件 下進行。第二步驟在非陽離子反應條件下進行。
[0076] 步驟1 :陽離子反應條件
[0077]
[007引步驟2 :非陽離子反應條件
[0079]
[0080] 其中：
[0081]Ri是引發劑核屯、結構。Ri可獨立地選自烷基、雜烷基、芳基、雜芳基、締基、雜締基、 烘基、雜烘基和烷氧基。R1可被取代或未被取代；
[0082]X是鍵合到所述引發劑核屯、結構的引發位點。X可獨立地選自面基、烷氧基和醋；
[0083] m是約2-約1，000的整數；
[0084] n是約1-約20的整數；
[0085]CAP是選自W下結構1-3中的一種或多種的封端試劑：
[0086] Ar-(邸G-R2-Y)q
[0087] (Ar)p-Ar-(邸G-R2-Y)q
[0088]PAH-(邸G-R2-Y)q
[0089] 其中邸G是供電子基團。邸G可包括0、NR3、S、R4。用于封端試劑1)的邸G選自NR、S、R,并且不包括0 ;
[0090] R2可獨立地選自H、烷基、雜烷基、締基、雜締基、烘基、雜烘基、芳基、雜芳基；
[0091] R3可獨立地選自H、烷基、雜烷基、締基、雜締基、烘基、雜烘基、芳基、雜芳基；
[0092] R4可獨立地選自H、烷基、雜烷基、締基、雜締基、烘基、雜烘基、芳基、雜芳基