組合物、薄膜、以及包括組合物和薄膜的有機(jī)發(fā)光器件的制作方法

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局于2015年9月14日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)申請(qǐng)no.10-2015-0129774和于2016年3月7日提交的韓國(guó)專利申請(qǐng)no.10-2016-0027140的權(quán)益，將其公開內(nèi)容全部引入本文作為參考。

本公開內(nèi)容涉及組合物、薄膜、和有機(jī)發(fā)光器件。

背景技術(shù)：

有機(jī)發(fā)光器件是自發(fā)射器件并且與本領(lǐng)域中的器件相比具有寬的視角、高的對(duì)比度、短的響應(yīng)時(shí)間以及優(yōu)異的亮度、驅(qū)動(dòng)電壓和響應(yīng)速度特性并且產(chǎn)生全色圖像。

典型的oled包括陽極、陰極、以及在陽極和陰極之間并且包括發(fā)射層的有機(jī)層?？昭▊鬏攨^(qū)域可在陽極和發(fā)射層之間，且電子傳輸區(qū)域可在發(fā)射層和陰極之間。從陽極提供的空穴可通過空穴傳輸區(qū)域朝著發(fā)射層移動(dòng)，且從陰極提供的電子可通過電子傳輸區(qū)域朝著發(fā)射層移動(dòng)。載流子例如空穴和電子在發(fā)射層中復(fù)合以產(chǎn)生激子。這些激子從激發(fā)態(tài)躍遷至基態(tài)，從而產(chǎn)生光。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

提供可提供滿足特定條件的激基復(fù)合物的組合物；包括所述組合物的薄膜；和有機(jī)發(fā)光器件，其包括所述組合物，因此具有低的驅(qū)動(dòng)電壓、高的發(fā)射效率、高的亮度和長(zhǎng)的壽命。

另外的方面將部分地在以下描述中闡明并且部分地將從所述描述明晰，或者可通過所呈現(xiàn)的實(shí)施方式的實(shí)踐而獲知。

根據(jù)一種實(shí)施方式的方面，組合物包括：

給體化合物和受體化合物，

其中所述給體化合物和所述受體化合物形成激基復(fù)合物，

所述激基復(fù)合物的光致發(fā)光(pl)光譜中的最大發(fā)射波長(zhǎng)(λ最大(ex))為約390納米(nm)或更大且約490nm或更小，

所述激基復(fù)合物的時(shí)間分辨光致發(fā)光(trpl)光譜中的延遲熒光的衰減時(shí)間(t衰減(ex))為約100納秒(ns)或更大，

所述激基復(fù)合物的trpl光譜中的延遲熒光部分對(duì)全部發(fā)光部分的比率為約10％或更大，

所述激基復(fù)合物的pl穩(wěn)定性為59％或更大，

所述激基復(fù)合物的pl光譜和trpl光譜各自是對(duì)于通過在基底上共沉積所述給體化合物和所述受體化合物而形成的膜在室溫下測(cè)量的光譜，和

所述激基復(fù)合物的pl穩(wěn)定性是根據(jù)<方程10>評(píng)價(jià)的：

<方程10>

pl穩(wěn)定性(％)＝(i2/i1)×100

其中，在方程10中，

i1是在膜1的pl光譜中的最大發(fā)射波長(zhǎng)(λ最大(ex))處的光的強(qiáng)度(任意單位)，膜1的pl光譜是在通過在基底上共沉積所述給體化合物和所述受體化合物而形成膜之后立即獲得的，是在室溫下在其中切斷外部空氣的惰性氣氛中測(cè)量的，和

i2是在膜2的pl光譜中的最大發(fā)射波長(zhǎng)(λ最大(ex))處的光的強(qiáng)度(任意單位)，膜2的pl光譜是在將膜1在其中切斷外部空氣的惰性氣氛中暴露于在i1的評(píng)價(jià)中使用的泵浦激光(pumpinglaserlight)3小時(shí)之后獲得的，是在室溫下在其中切斷外部空氣的惰性氣氛中測(cè)量的。

根據(jù)另一實(shí)施方式的方面，薄膜包括所述組合物。

根據(jù)另一實(shí)施方式的方面，有機(jī)發(fā)光器件包括第一電極；第二電極；以及在所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)層，其中所述有機(jī)層包括包含所述組合物的薄膜。

附圖說明

由結(jié)合附圖考慮的實(shí)施方式的以下描述，這些和/或其它方面將變得明晰和更容易領(lǐng)會(huì)，其中：

圖1為根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光器件的示意性橫截面圖；

圖2a-2e為在評(píng)價(jià)實(shí)施例1中測(cè)量的膜的光致發(fā)光光譜的圖；

圖3a-3g為在評(píng)價(jià)實(shí)施例1中測(cè)量的膜的時(shí)間分辨光致發(fā)光(trpl)光譜的圖；和

圖4a-4d為在膜d3:a3、tcta:bmpypb、cbp:b3pympm和tcta:3tpymb各自的形成之后立即測(cè)量的pl光譜(“如所制備的”)、和在暴露于激光三小時(shí)之后測(cè)量的pl光譜(“暴露3小時(shí)的”)的圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將對(duì)實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行介紹，其實(shí)例示于附圖中，其中相同的附圖標(biāo)記始終是指相同的元件。在這點(diǎn)上，本實(shí)施方式可具有不同的形式并且不應(yīng)被解釋為限于本文中闡述的描述。因此，下面僅通過參照附圖描述實(shí)施方式以說明各方面。如本文中使用的，術(shù)語“和/或”包括相關(guān)列舉項(xiàng)目的一個(gè)或多個(gè)的任意和全部組合。表述例如“......的至少一個(gè)(種)”當(dāng)在要素列表之前或之后時(shí)修飾整個(gè)要素列表而不是修飾該列表的單獨(dú)要素。

組合物(例如，混合物)可包括給體化合物和受體化合物，并且所述給體化合物和所述受體化合物可形成激基復(fù)合物。例如，所述組合物(例如，混合物)可由給體化合物和受體化合物構(gòu)成，并且所述給體化合物和所述受體化合物可形成激基復(fù)合物。

所述給體化合物可為其中給電子性質(zhì)相對(duì)于受電子性質(zhì)占優(yōu)勢(shì)的電子給體化合物，并且所述受體化合物可為其中受電子性質(zhì)相對(duì)于給電子性質(zhì)占優(yōu)勢(shì)的電子受體化合物，其中所述給體化合物可為空穴傳輸化合物并且所述受體化合物可為電子傳輸化合物。

所述激基復(fù)合物可為在所述給體化合物和所述受體化合物之間形成的激發(fā)態(tài)復(fù)合物。

在所述組合物中，所述激基復(fù)合物的光致發(fā)光(pl)光譜的最大發(fā)射波長(zhǎng)(λ最大(ex))可為約390納米(nm)或更大且約490nm或更小、在一些實(shí)施方式中約390nm或更大且約450nm或更小、在一些實(shí)施方式中約390nm或更大且約440nm或更小、和在一些實(shí)施方式中約390nm或更大且約410nm或更小。在此情況下，所述組合物可發(fā)射藍(lán)色光。例如，所述組合物可發(fā)射具有在約0.182-約0.307范圍內(nèi)的在cie色坐標(biāo)中的x坐標(biāo)和在約0.092-約0.523范圍內(nèi)的在cie色坐標(biāo)中的y坐標(biāo)的藍(lán)色光。因此，當(dāng)將所述組合物用于電子器件例如有機(jī)發(fā)光器件中時(shí)，所述電子器件可發(fā)射高的色純度的藍(lán)色光。

在所述組合物中，所述激基復(fù)合物的時(shí)間分辨光致發(fā)光(trpl)光譜中的延遲熒光的衰減時(shí)間(t衰減(ex))可為約100納秒(ns)或更大、在一些實(shí)施方式中約150ns或更大、和在一些實(shí)施方式中約100ns或更大且約10毫秒(ms)或更小。所述激基復(fù)合物的trpl光譜中的延遲熒光部分對(duì)全部發(fā)光部分的比率可為約10％或更大、和在一些實(shí)施方式中約15％或更大。因此，所述激基復(fù)合物從三線態(tài)到單線態(tài)的上轉(zhuǎn)換(up-conversion)可有效地發(fā)生，并且因此可發(fā)射高效率延遲熒光。因此，當(dāng)使用所述組合物時(shí)，可實(shí)現(xiàn)高效率電子器件例如高效率有機(jī)發(fā)光器件。

所述激基復(fù)合物的pl光譜和trpl光譜可各自為對(duì)于通過在基底(例如石英基底)上共沉積所述給體化合物和所述受體化合物而形成的膜在室溫下測(cè)量的光譜。這可參照下面的實(shí)施例和評(píng)價(jià)實(shí)施例而理解。

t衰減(ex)可通過使用一種或多種合適的使用trpl光譜的方法評(píng)價(jià)。例如，t衰減(ex)可通過使用評(píng)價(jià)實(shí)施例1中描述的方法評(píng)價(jià)，但是實(shí)施方式不限于此。

延遲熒光部分(df部分)的比率可通過使用一種或多種合適的使用trpl光譜的方法評(píng)價(jià)。例如，延遲熒光部分的比率可通過使用評(píng)價(jià)實(shí)施例1中描述的方法評(píng)價(jià)，但是實(shí)施方式不限于此。

所述組合物的激基復(fù)合物的pl穩(wěn)定性可為約59％或更大、在一些實(shí)施方式中約60％或更大、和在一些實(shí)施方式中約70％或更大。根據(jù)一種實(shí)施方式，所述組合物的激基復(fù)合物的pl穩(wěn)定性可為約80％或更大、和在一些實(shí)施方式中約90％或更大。當(dāng)所述組合物的激基復(fù)合物具有在這些范圍內(nèi)的pl穩(wěn)定性時(shí)，采用所述組合物的有機(jī)發(fā)光器件可具有長(zhǎng)的壽命。

所述激基復(fù)合物的pl穩(wěn)定性可根據(jù)<方程10>評(píng)價(jià)：

<方程10>

pl穩(wěn)定性(％)＝(i2/i1)×100

其中，在方程10中，

i1可為在膜1的pl光譜中的最大發(fā)射波長(zhǎng)(λ最大(ex))處的光的強(qiáng)度(任意單位)，膜1的pl光譜是在通過在基底上共沉積所述給體化合物和所述受體化合物而形成膜之后立即獲得的，是在室溫下在其中切斷外部空氣的惰性氣氛中測(cè)量的，和

i2可為在膜2的pl光譜中的最大發(fā)射波長(zhǎng)(λ最大(ex))處的光的強(qiáng)度(任意單位)，膜2的pl光譜是在將膜1在其中切斷外部空氣的惰性氣氛中暴露于在i1的評(píng)價(jià)中使用的泵浦激光3小時(shí)之后獲得的，是在室溫下在其中切斷外部空氣的惰性氣氛中測(cè)量的。

將參照實(shí)施例和評(píng)價(jià)實(shí)施例描述pl穩(wěn)定性評(píng)價(jià)的實(shí)施方式。

根據(jù)一種實(shí)施方式，所述給體化合物的最高已占分子軌道(homo)能級(jí)的絕對(duì)值(|homo(d)|)可為約5.78電子伏特(ev)或更小、和在一些實(shí)施方式中約4.84ev或更大且約5.78ev或更小。根據(jù)一種實(shí)施方式，所述受體化合物的最低未占分子軌道(lumo)能級(jí)的絕對(duì)值(|lumo(a)|)可為約1.76ev或更大、和在一些實(shí)施方式中約2.43ev或更小且約1.76ev或更大。因此，所述組合物中的激基復(fù)合物形成效率可增加，并且因此，包括所述組合物的電子器件例如有機(jī)發(fā)光器件可具有改善的效率和壽命。

homo(d)可通過使用循環(huán)伏安法(cv)測(cè)量，且lumo(a)可通過使用在室溫下測(cè)量的uv吸收光譜測(cè)量。這將參照下面的實(shí)施例而理解。

在多種實(shí)施方式中，所述受體化合物和所述給體化合物之間的homo能級(jí)差值的絕對(duì)值(|homo(a)-homo(d)|)可為約0.037ev或更大且約1.1ev或更小、和在一些實(shí)施方式中約0.04ev或更大且約0.9ev或更小。在多種實(shí)施方式中，所述受體化合物(|lumo(a)-lumo(d)|)和所述給體化合物之間的lumo能級(jí)差值的絕對(duì)值可為約0.001ev或更大且約1.1ev或更小、和在一些實(shí)施方式中約0.01ev或更大且約0.9ev或更小。因此，通過所述給體化合物的空穴遷移和通過所述受體化合物的電子遷移可有效地發(fā)生，從而導(dǎo)致在所述給體化合物和所述受體化合物之間的界面處激基復(fù)合物的有效形成。因此，包括所述組合物的電子器件例如有機(jī)發(fā)光器件可具有改善的效率和壽命。

所述給體化合物可包括選自如下的至少一種：基于咔唑的環(huán)、基于二苯并呋喃的環(huán)、基于二苯并噻吩的環(huán)、基于茚并咔唑的環(huán)、基于吲哚并咔唑的環(huán)、基于苯并呋喃并咔唑的環(huán)、基于苯并噻吩并咔唑的環(huán)、基于吖啶的環(huán)、基于二氫吖啶的環(huán)、和基于三吲哚并苯的環(huán)，和

所述受體化合物可包括選自如下的至少一種：基于咔唑的環(huán)、基于二苯并呋喃的環(huán)、基于二苯并噻吩的環(huán)、基于茚并咔唑的環(huán)、基于吲哚并咔唑的環(huán)、基于苯并呋喃并咔唑的環(huán)、基于苯并噻吩并咔唑的環(huán)、基于吡啶的環(huán)、基于嘧啶的環(huán)、和基于三嗪的環(huán)。

例如，所述給體化合物可不包括吸電子基團(tuán)，和

所述受體化合物可包括至少一個(gè)吸電子基團(tuán)，

其中所述吸電子基團(tuán)可選自

-f、-cfh2、-cf2h、-cf3、-cn、和-no2；

被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c60烷基：-f、-cfh2、-cf2h、-cf3、-cn、和-no2；

各自包括*＝n-*'作為成環(huán)部分的c1-c60雜芳基和單價(jià)非芳族稠合多環(huán)雜環(huán)基團(tuán)；和

各自包括*＝n-*'作為成環(huán)部分并且各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c60雜芳基和單價(jià)非芳族稠合多環(huán)雜環(huán)基團(tuán)：氘、-f、-cfh2、-cf2h、-cf3、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、和取代或未取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。

根據(jù)一種實(shí)施方式，所述給體化合物可選自由式d-1表示的化合物，和

所述受體化合物可選自由式a-1和a-2表示的化合物：

<式d-1>

ar1-(l1)a1-ar2

<式a-1>

ar11-(l11)a11-ar12

<式a-2>

其中，在式d-1、a-1、a-2、和11-14中，

ar1可選自由式11和12表示的基團(tuán)，

ar2可選自

由式11和12表示的基團(tuán)、苯基、和萘基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基和萘基：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，

ar11和ar12可各自獨(dú)立地選自由式13和14表示的基團(tuán)，

x1可為n或c(t14)，x2可為n或c(t15)，且x3可為n或c(t16)，條件是x1-x3的至少一個(gè)可為n，

l1可選自

單鍵、亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、和亞二苯并噻吩基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、和亞二苯并噻吩基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q11)(q12)(q13)，

l11-l13可各自獨(dú)立地選自

單鍵、亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基、亞吡嗪基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞萘基、亞芴基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、和亞二苯并噻吩基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞吡啶基、亞嘧啶基、亞吡嗪基、亞噠嗪基、亞三嗪基、亞萘基、亞芴基、亞咔唑基、亞二苯并呋喃基、和亞二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、-cf3、-cf2h、-cfh2、苯基、被氰基取代的苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q11)(q12)(q13)，

a1和a11-a13可各自獨(dú)立地為選自0-5的整數(shù)，當(dāng)a1為2或更大時(shí)，多個(gè)l1可彼此相同或不同，當(dāng)a11為2或更大時(shí)，多個(gè)l11可彼此相同或不同，當(dāng)a12為2或更大時(shí)，多個(gè)l12可彼此相同或不同，當(dāng)a13為2或更大時(shí)，多個(gè)l13可彼此相同或不同，

cy1-cy4可各自獨(dú)立地選自苯基團(tuán)、萘基團(tuán)、芴基團(tuán)、咔唑基團(tuán)、苯并咔唑基團(tuán)、吲哚并咔唑基團(tuán)、二苯并呋喃基團(tuán)、和二苯并噻吩基團(tuán)，

a1可選自

單鍵、c1-c4亞烷基、和c2-c4亞烯基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c4亞烷基和c2-c4亞烯基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q21)(q22)(q23)，

a2可選自

單鍵、c1-c4亞烷基、和c2-c4亞烯基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c4亞烷基和c2-c4亞烯基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q21)(q22)(q23)，

r1、r10、和r20可各自獨(dú)立地選自

氫、氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、和c1-c20烷氧基；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；

苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；和

-si(q1)(q2)(q3)，

t11-t16、r2、r30、和r40可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基(cn)、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、取代或未取代的c1-c60烷基、取代或未取代的c2-c60烯基、取代或未取代的c2-c60炔基、取代或未取代的c1-c60烷氧基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60芳基、取代或未取代的c6-c60芳氧基、取代或未取代的c6-c60芳硫基、取代或未取代的c1-c60雜芳基、取代或未取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代或未取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、和-si(q1)(q2)(q3)，

b1-b4可各自獨(dú)立地為選自0-10的整數(shù)，和

所述取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60雜芳基、取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、和取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)的至少一個(gè)取代基可選自氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、和-si(q31)(q32)(q33)，

其中q1-q3、q11-q13、q21-q23、和q31-q33可各自獨(dú)立地選自氫、氘、c1-c60烷基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。

例如，式d-1中的ar1可選自由式11-1到11-8和12-1到12-8表示的基團(tuán)，

式d-1中的ar2可選自由式11-1到11-8和12-1到12-8表示的基團(tuán)、苯基、和萘基，以及

式a-1中的ar11和ar12可各自獨(dú)立地選自由式13-1到13-8和14-1到14-8表示的基團(tuán)：

其中，在式11-1到11-8、12-1到12-8、13-1到13-8、和14-1到14-8中，

x11和x13可各自獨(dú)立地為c(r17)(r18)、n(r19)、o、或s，

x12和x14可各自獨(dú)立地為c(r37)(r38)、n(r39)、o、或s，

r1、r2、a1、和a2可與本文中定義的那些相同，

r11-r19可與本文中關(guān)于r10描述的相同，

r21-r24可與本文中關(guān)于r20描述的相同，

r31-r39可與本文中關(guān)于r30描述的相同，

r41-r44可與本文中關(guān)于r40描述的相同，和

*表示與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。

在一些實(shí)施方式中，式11、12、11-1到11-8、和12-1到12-8中的a1可選自

單鍵、c1-c2亞烷基、和c2亞烯基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c2亞烷基和c2亞烯基：氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q21)(q22)(q23)，

式13、14、13-1到13-8、和14-1到14-8中的a2可選自

單鍵、c1-c2亞烷基、和c2亞烯基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c2亞烷基和c2亞烯基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q21)(q22)(q23)，

式13、14、13-1到13-8、和14-1到14-8中的r2、r30-r39、和r40-r44可各自獨(dú)立地選自

氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、和c1-c20烷氧基；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c20烷基和c1-c20烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；

苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；和

-si(q1)(q2)(q3)，

其中q1-q3和q21-q23可各自獨(dú)立地選自氫、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、和萘基，但是實(shí)施方式不限于此。

根據(jù)一種實(shí)施方式，式d-1中的ar1可選自由式15-1到15-17和16-1到16-8表示的基團(tuán)，

式d-1中的ar2可選自由式15-1到15-17和16-1到16-8表示的基團(tuán)、苯基、和萘基，和

式a-1中的ar11和ar12可各自獨(dú)立地選自由式17-1到17-3表示的基團(tuán)，但是實(shí)施方式不限于此：

其中，在式15-1到15-17、16-1到16-8、和17-1到17-3中，

x11和x13可各自獨(dú)立地為c(r17)(r18)、n(r19)、o、或s，

r'和r"可各自獨(dú)立地選自氫、氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，

r1、r10、r20、r30、和r40可與本文中描述的那些相同，和

r10a-r10c可與本文中關(guān)于r10描述的相同。

在一些實(shí)施方式中，在式15-1到15-17、16-1到16-8、和17-1到17-3中，

r1、r10、r10a-r10c、和r20可各自獨(dú)立地選自氫、氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q1)(q2)(q3)，

r30和r40可各自獨(dú)立地選自

氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、-cf3、-cf2h、和-cfh2；

苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、-cf3、-cf2h、-cfh2、苯基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；和

-si(q1)(q2)(q3)，

其中q1-q3可各自獨(dú)立地選自氫、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、和萘基，但是實(shí)施方式不限于此。

在一些實(shí)施方式中，

i)所述給體化合物可由式d-1表示，條件是所述給體化合物可選自其中式d-1中的l1為單鍵的化合物；或

ii)所述給體化合物可選自由式d-1(1)到d-1(52)表示的化合物：

其中，在式d-1(1)到d-1(52)中，

ar1和ar2可與本文中描述的那些相同，

y51可各自獨(dú)立地為c(z53)(z54)、n(z55)、o、或s，和

z51-z56可各自獨(dú)立地選自氫、氘、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q11)(q12)(q13)，

其中q11-q13可各自獨(dú)立地選自氫、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、和萘基。

在一些實(shí)施方式中，在式d-1(1)到d-1(52)中，

ar1可選自由式11和12表示的基團(tuán)，和

ar2可選自

由式11和12表示的基團(tuán)、苯基、和萘基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基和萘基：氘、羥基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基。

根據(jù)一些實(shí)施方式，在式d-1(1)到d-1(52)中，

ar1可選自由式11-1到11-8和12-1到12-8表示的基團(tuán)，和

ar2可選自由式11-1到11-8和12-1到12-8表示的基團(tuán)、苯基、和萘基，但是實(shí)施方式不限于此。

式a-1和a-2中的l11-l13可各自獨(dú)立地選自由式3-1到3-56表示的基團(tuán)，且i)數(shù)量為a11的l11的至少一個(gè)、ii)數(shù)量為a12的l12的至少一個(gè)、和iii)數(shù)量為a13的l13的至少一個(gè)可各自獨(dú)立地選自由式3-15到3-56表示的基團(tuán)：

其中，在式3-1到3-56中，

y1可選自o、s、c(z3)(z4)、和n(z5)，

z1-z5可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、-cf3、-cf2h、-cfh2、苯基、被氰基取代的苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q11)(q12)(q13)，

其中q11-q13可各自獨(dú)立地選自氫、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，

d4可為選自0-4的整數(shù)，

d3可為選自0-3的整數(shù)，

d2可為選自0-2的整數(shù)，以及

*和*'各自表示與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。

根據(jù)一些實(shí)施方式，式a-1和a-2中的由*-(l11)a11-*'、*-(l12)a12-*'、和*-(l13)a13-*'表示的基團(tuán)可選自由式4-1到4-39表示的基團(tuán)：

其中，在式4-1到4-39中，

x21可為n或c(z21)，x22可為n或c(z22)，x23可為n或c(z23)，x24可為n或c(z24)，x31可為n或c(z31)，x32可為n或c(z32)，x33可為n或c(z33)，x34可為n或c(z34)，x41可為n或c(z41)，x42可為n或c(z42)，x43可為n或c(z43)，且x44可為n或c(z44)，條件是x21-x24的至少一個(gè)不可為n，x31-x34的至少一個(gè)不可為n，且x41-x44的至少一個(gè)不可為n，

z21-z24、z31-z34、和z41-z44可各自獨(dú)立地選自氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、-cf3、-cf2h、-cfh2、苯基、被氰基取代的苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、二苯并噻吩基、和-si(q11)(q12)(q13)，

其中q11-q13可各自獨(dú)立地選自氫、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，以及

*和*'各自表示與相鄰原子的結(jié)合位點(diǎn)。

式a-2中的t11-t16可各自獨(dú)立地選自

氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、-cf3、-cf2h、和-cfh2；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c10烷基和c1-c10烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、-cf3、-cf2h、和-cfh2；

苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、-cf3、-cf2h、-cfh2、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；和

-si(q1)(q2)(q3)，

其中q1-q3可各自獨(dú)立地選自氫、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、萘基、吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、芴基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基。

在一些實(shí)施方式中，式a-2中的t11-t16可各自獨(dú)立地選自

氫、氘、-f、氰基、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、-cf3、-cf2h、和-cfh2；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c10烷基和c1-c10烷氧基：氘、-f、氰基、-cf3、-cf2h、和-cfh2；

苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、-f、氰基、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、-cf3、-cf2h、-cfh2、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；和

-si(q1)(q2)(q3)，

其中q1-q3可各自獨(dú)立地選自氫、c1-c10烷基、c1-c10烷氧基、苯基、吡啶基、嘧啶基、三嗪基、咔唑基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基。

在一些實(shí)施方式中，

i)所述受體化合物可由式a-1表示，條件是所述受體化合物可選自如下的化合物：其中式a-1中的ar11和ar12可各自獨(dú)立地選自由式17-1到17-3表示的基團(tuán)，并且ar11和ar12的至少一個(gè)可選自由式17-2和17-3表示的基團(tuán)；

ii)所述受體化合物可由式a-1表示，條件是所述受體化合物可選自如下化合物：其中式a-1中的l11可選自由式3-15和3-28表示的基團(tuán)，并且數(shù)量為a11的l11的至少一個(gè)可選自由式6-1到6-4表示的基團(tuán)；或

iii)所述受體化合物可由式a-2表示，條件是所述受體化合物可選自其中式a-2中的x1-x3可全部為n的化合物，但是實(shí)施方式不限于此。

根據(jù)一些實(shí)施方式，所述給體化合物可選自化合物d1-d16，并且所述受體化合物可選自化合物a1-a11，但是實(shí)施方式不限于此：

所述組合物可用于形成薄膜。因此，可提供包括所述組合物的薄膜。在一些實(shí)施方式中，所述薄膜可包括所述組合物(例如，由所述組合物構(gòu)成)。在一些實(shí)施方式中，所述薄膜可包括所述組合物和熒光摻雜劑或者所述組合物和磷光摻雜劑。在一些實(shí)施方式中，所述薄膜可由所述組合物和熒光摻雜劑或者所述組合物和磷光摻雜劑構(gòu)成，但是實(shí)施方式不限于此。

所述組合物可用于電子器件例如有機(jī)發(fā)光器件的發(fā)射層中。因此，根據(jù)另一方面，提供有機(jī)發(fā)光器件，其包括：第一電極；第二電極；以及在所述第一電極和所述第二電極之間的有機(jī)層，其中所述有機(jī)層可包括包含所述組合物的薄膜。

所述有機(jī)發(fā)光器件可包括包含所述組合物的薄膜，從而具有低的驅(qū)動(dòng)電壓、高的效率、和長(zhǎng)的壽命。所述有機(jī)發(fā)光器件中的包含所述組合物的薄膜可為例如發(fā)射層。

因此，根據(jù)一種實(shí)施方式，所述有機(jī)發(fā)光器件可包括包含所述組合物的發(fā)射層。

所述發(fā)射層中包括的所述組合物中的激基復(fù)合物可具有約100ns或更大(例如約150ns或更大)的t衰減(ex)，并且因此，所述激基復(fù)合物可為例如熱活化延遲熒光發(fā)射體(tadf)。

根據(jù)一種實(shí)施方式，所述發(fā)射層可包括所述組合物(例如，由所述組合物構(gòu)成)。

在一些實(shí)施方式中，在其發(fā)射層包括所述組合物的有機(jī)發(fā)光器件中，從所述發(fā)射層發(fā)射的光可為藍(lán)色光，其中所述藍(lán)色光的最大發(fā)射波長(zhǎng)可在約390nm-約490nm的范圍內(nèi)，所述藍(lán)色光在cie色坐標(biāo)中的x坐標(biāo)可在約0.182-約0.307的范圍內(nèi)，且所述藍(lán)色光在cie色坐標(biāo)中的y坐標(biāo)可在約0.092-約0.523的范圍內(nèi)。因此，所述有機(jī)發(fā)光器件可發(fā)射具有高的色純度的藍(lán)色光。

在多種實(shí)施方式中，除所述組合物之外，所述發(fā)射層可進(jìn)一步包括熒光摻雜劑。在此情況下，在所述發(fā)射層中，所述組合物的量可大于所述熒光摻雜劑的量。

在一些實(shí)施方式中，所述激基復(fù)合物的pl光譜中的最大發(fā)射波長(zhǎng)(λ最大(ex))可小于所述熒光摻雜劑的pl光譜中的最大發(fā)射波長(zhǎng)(λ最大(fd))。因此，能量可從所述組合物轉(zhuǎn)移至所述熒光摻雜劑，并且因此，所述發(fā)射層中的發(fā)射機(jī)理可主要取決于所述熒光摻雜劑從激發(fā)態(tài)到基態(tài)的能量轉(zhuǎn)移。換而言之，所述發(fā)射層中的所述組合物可在延遲熒光中起到所謂輔助摻雜劑的作用，并且因此，所述熒光摻雜劑的發(fā)射顏色可決定所述發(fā)射層的發(fā)射顏色。在一些實(shí)施方式中，當(dāng)所述熒光摻雜劑為綠色摻雜劑時(shí)，所述發(fā)射層可發(fā)射綠色光。

所述激基復(fù)合物的pl光譜可為對(duì)于通過在基底上共沉積所述給體化合物和所述受體化合物而形成的膜在室溫下測(cè)量的光譜，和所述熒光摻雜劑的pl光譜可為對(duì)于通過在基底上沉積所述熒光摻雜劑而形成的膜在室溫下測(cè)量的光譜。

圖1為根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光器件10的示意圖。下文中，將結(jié)合圖1描述根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)和根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光器件的制造方法。有機(jī)發(fā)光器件10包括：第一電極11、有機(jī)層15、和第二電極19，其以該陳述的次序順序地堆疊。

可另外在第一電極11下面或者在第二電極19上方設(shè)置基底?？墒褂迷谕ǔ５挠袡C(jī)發(fā)光器件中使用的任何基底作為所述基底，并且所述基底可為玻璃基底或透明塑料基底，其各自具有優(yōu)異的機(jī)械強(qiáng)度、熱穩(wěn)定性、透明性、表面平滑度、易操作性、和耐水性。

第一電極11可通過在所述基底上沉積或?yàn)R射用于形成第一電極11的材料而形成。第一電極11可為陽極。用于形成第一電極11的材料可選自具有高的功函的材料以促進(jìn)空穴注入。第一電極11可為反射性電極、半透射性電極、或透射性電極。用于形成第一電極11的材料可為例如氧化銦錫(ito)、氧化銦鋅(izo)、氧化錫(sno2)、和氧化鋅(zno)。在多種實(shí)施方式中，可使用鎂(mg)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、或者鎂-銀(mg-ag)作為用于形成第一電極11的材料。

第一電極11可具有單層結(jié)構(gòu)或者包括兩個(gè)或更多個(gè)層的多層結(jié)構(gòu)。例如，第一電極11可具有ito/ag/ito的三層結(jié)構(gòu)，但是第一電極11的結(jié)構(gòu)不限于此。

有機(jī)層15可設(shè)置在第一電極11上。

有機(jī)層15可包括空穴傳輸區(qū)域、發(fā)射層、和電子傳輸區(qū)域。

所述空穴傳輸區(qū)域可在第一電極11和所述發(fā)射層之間。

所述空穴傳輸區(qū)域可包括選自如下的至少一個(gè)：空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、和緩沖層。

所述空穴傳輸區(qū)域可僅包括空穴注入層或空穴傳輸層。在多種實(shí)施方式中，所述空穴傳輸區(qū)域可具有如下的結(jié)構(gòu)：空穴注入層/空穴傳輸層或者空穴注入層/空穴傳輸層/電子阻擋層，其從第一電極11起以該陳述的次序順序地堆疊。

可通過使用選自如下的一種或多種合適的方法在第一電極11上形成空穴注入層：真空沉積、旋涂、流延、或者朗繆爾-布羅杰特(lb)沉積。

當(dāng)通過真空沉積形成空穴注入層時(shí)，沉積條件可取決于用于形成所述空穴注入層的材料以及所述空穴注入層的結(jié)構(gòu)和熱特性而改變。在一些實(shí)施方式中，沉積條件可包括約100℃-約500℃的沉積溫度、約10^-8托-約10^-3托的真空壓力、和的沉積速率。然而，沉積條件不限于此。

當(dāng)使用旋涂形成所述空穴注入層時(shí)，涂布條件可取決于用于形成所述空穴注入層的材料以及所述空穴注入層的結(jié)構(gòu)和熱性質(zhì)而改變。例如，涂布速度可為約2,000轉(zhuǎn)/分鐘(rpm)-約5,000rpm，和在涂布之后進(jìn)行熱處理以除去溶劑的溫度可為約80℃-約200℃。然而，涂布條件不限于此。

可通過參照用于形成所述空穴注入層的條件理解用于形成空穴傳輸層和電子阻擋層的條件。

所述空穴傳輸區(qū)域可包括選自如下的至少一種：m-mtdata、tdata、2-tnata、npb、β-npb、tpd、螺-tpd、螺-npb、甲基化npb、tapc、hmtpd、4,4',4"-三(n-咔唑基)三苯基胺(tcta)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸(pani/dbsa)、聚(3,4-亞乙基二氧噻吩)/聚(4-磺苯乙烯)(pedot/pss)、聚苯胺/樟腦磺酸(pani/csa)、聚苯胺/聚(4-磺苯乙烯)(pani/pss)、由下式201表示的化合物、和由下式202表示的化合物：

<式201>

<式202>

其中，式201中的ar101和ar102可各自獨(dú)立地選自

亞苯基、亞并環(huán)戊二烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞苊基、亞芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并[9,10]菲基、亞芘基、亞基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、和亞戊芬基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞并環(huán)戊二烯基、亞茚基、亞萘基、亞薁基、亞庚搭烯基、亞苊基、亞芴基、亞非那烯基、亞菲基、亞蒽基、亞熒蒽基、亞苯并[9,10]菲基、亞芘基、亞基、亞并四苯基、亞苉基、亞苝基、和亞戊芬基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、和單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。

式201中的xa和xb可各自獨(dú)立地為選自0-5的整數(shù)。替代地，xa和xb可各自獨(dú)立地為選自0、1、和2的整數(shù)。在一些實(shí)施方式中，xa可為1并且xb可為0，但是實(shí)施方式不限于此。

式201和202中的r101-r108、r111-r119、和r121-r124可各自獨(dú)立地選自

氫、氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基(例如，甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、或己基)、和c1-c10烷氧基(例如，甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基、或戊氧基)；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c10烷基和c1-c10烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、和磷酸基團(tuán)或其鹽；

苯基、萘基、蒽基、芴基、和芘基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基、萘基、蒽基、芴基、和芘基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c10烷基、和c1-c10烷氧基，

但是實(shí)施方式不限于此。

式201中的r109可選自

苯基、萘基、蒽基、和吡啶基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基、萘基、蒽基和吡啶基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、蒽基、和吡啶基。

在一些實(shí)施方式中，由式201表示的化合物可由式201a表示，但是實(shí)施方式不限于此：

<式201a>

其中式201a中的r101、r111、r112、和r109可與本文中描述的那些相同。

在一些實(shí)施方式中，由式201表示的化合物和由式202表示的化合物可包括化合物ht1-ht20，但是實(shí)施方式不限于此：

所述空穴傳輸區(qū)域的厚度可在和在一些實(shí)施方式中的范圍內(nèi)。當(dāng)所述空穴傳輸區(qū)域包括空穴注入層和空穴傳輸層的至少一個(gè)時(shí)，所述空穴注入層的厚度可在和在一些實(shí)施方式中的范圍內(nèi)，且所述空穴傳輸層的厚度可在和在一些實(shí)施方式中的范圍內(nèi)。當(dāng)所述空穴傳輸區(qū)域、所述空穴注入層、和所述空穴傳輸層的厚度在這些范圍內(nèi)時(shí)，可獲得優(yōu)異的空穴傳輸特性而沒有驅(qū)動(dòng)電壓的顯著增加。

所述空穴傳輸區(qū)域可包括電荷產(chǎn)生材料以及以上提及的材料，以改善傳導(dǎo)性質(zhì)。所述電荷產(chǎn)生材料可遍及所述空穴傳輸區(qū)域均勻地或不均勻地分散。

所述電荷產(chǎn)生材料可為例如p-摻雜劑。所述p-摻雜劑可為選自醌衍生物、金屬氧化物、和包含氰基的化合物的一種，但是實(shí)施方式不限于此。所述p-摻雜劑的非限制性實(shí)例為醌衍生物例如四氰基醌二甲烷(tcnq)或2,3,5,6-四氟-四氰基-1,4-苯醌二甲烷(f4-tcnq)；金屬氧化物例如氧化鎢或氧化鉬；和包含氰基的化合物例如化合物ht-d1或hp-1，但是不限于此：

<hp-1>

所述空穴傳輸區(qū)域可包括緩沖層。

此外，所述緩沖層可根據(jù)從所述發(fā)射層發(fā)射的光的波長(zhǎng)補(bǔ)償光學(xué)諧振距離，并且因此所形成的有機(jī)發(fā)光器件的效率可改善。

所述空穴傳輸區(qū)域可進(jìn)一步包括電子阻擋層。所述電子阻擋層可包括例如mcp，但是用于其的材料不限于此：

可通過使用一種或多種合適的方法例如真空沉積、旋涂、流延、或lb沉積在所述空穴傳輸區(qū)域上形成發(fā)射層。當(dāng)通過真空沉積或旋涂形成所述發(fā)射層時(shí)，用于所述發(fā)射層的真空沉積和涂布條件可大體上與用于形成空穴注入層的條件類似，雖然所述條件可取決于所使用的化合物而變化。

當(dāng)有機(jī)發(fā)光器件10為全色有機(jī)發(fā)光器件時(shí)，可將所述發(fā)射層圖案化為紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層、和藍(lán)色發(fā)射層。在一些實(shí)施方式中，所述發(fā)射層可具有其中將紅色發(fā)射層、綠色發(fā)射層、和/或藍(lán)色發(fā)射層層疊以發(fā)射白光的結(jié)構(gòu)或者其它多種實(shí)施方式是可能的。

所述發(fā)射層可包括上述組合物。

根據(jù)一種實(shí)施方式，所述發(fā)射層可包括所述組合物(例如，由所述組合物構(gòu)成)。

在多種實(shí)施方式中，所述發(fā)射層可包括所述組合物和熒光摻雜劑。

所述熒光摻雜劑可為本領(lǐng)域中已知的任何合適的熒光摻雜劑。

在一些實(shí)施方式中，所述熒光摻雜劑可選自由式501表示的化合物：

<式501>

其中，在式501中，

ar501可選自

萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、和茚并蒽基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、咔唑基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基、和茚并蒽基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、和-si(q501)(q502)(q503)，其中q501-q503可各自獨(dú)立地選自氫、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c6-c60芳基、和c1-c60雜芳基，

l501-l503可各自獨(dú)立地選自取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代或未取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代或未取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代或未取代的c6-c60亞芳基、取代或未取代的c1-c60亞雜芳基、取代或未取代的二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、和取代或未取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)，

r501和r502可各自獨(dú)立地選自

苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、三嗪基、二苯并呋喃基、和二苯并噻吩基，

xd1-xd3可各自獨(dú)立地選自0、1、2、和3，和

xd4可選自0、1、2、3、4、5、和6。

在一些實(shí)施方式中，在式501中，

ar501可選自

萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的萘基、庚搭烯基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、非那烯基、菲基、蒽基、熒蒽基、苯并[9,10]菲基、芘基、基、并四苯基、苉基、苝基、戊芬基和茚并蒽基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、和三嗪基，

l501-l503可各自獨(dú)立地選自

亞苯基、亞萘基、亞芴基、螺-亞二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基、亞基、亞吡啶基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞咔唑基、和亞三嗪基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的亞苯基、亞萘基、亞芴基、螺-亞二芴基、亞苯并芴基、亞二苯并芴基、亞菲基、亞蒽基、亞芘基、亞基、亞吡啶基、亞吡嗪基、亞嘧啶基、亞噠嗪基、亞喹啉基、亞異喹啉基、亞喹喔啉基、亞喹唑啉基、亞咔唑基、和亞三嗪基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、異吲哚基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、和三嗪基，

r501和r502可各自獨(dú)立地選自

苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、和三嗪基；和

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的苯基、萘基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、和三嗪基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、苯基、萘基、薁基、芴基、螺-二芴基、苯并芴基、二苯并芴基、菲基、蒽基、芘基、基、吡啶基、吡嗪基、嘧啶基、噠嗪基、喹啉基、異喹啉基、喹喔啉基、喹唑啉基、咔唑基、和三嗪基，

xd1-xd3可各自獨(dú)立地為0、1、或2，和

xd4可為0、1、2、3、或4，但是實(shí)施方式不限于此。

根據(jù)一種實(shí)施方式，所述熒光摻雜劑可包括選自化合物fd(1)-fd(5)和fd1-fd8的至少一種化合物，但是實(shí)施方式不限于此：

當(dāng)所述發(fā)射層包括所述組合物和所述熒光摻雜劑時(shí)，所述熒光摻雜劑的量可選自約0.01重量份-約20重量份的范圍，基于約100重量份的所述組合物，但是實(shí)施方式不限于此。

所述發(fā)射層的厚度可在和在一些實(shí)施方式中的范圍內(nèi)。當(dāng)所述發(fā)射層的厚度在這些范圍內(nèi)時(shí)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的發(fā)光特性而沒有驅(qū)動(dòng)電壓的顯著增加。

可接下來在所述發(fā)射層上形成電子傳輸區(qū)域。

所述電子傳輸區(qū)域可包括選自如下的至少一個(gè)：空穴阻擋層、電子傳輸層、和電子注入層。

例如，所述電子傳輸區(qū)域可具有空穴阻擋層/電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)或者電子傳輸層/電子注入層的結(jié)構(gòu)，但是所述電子傳輸區(qū)域的結(jié)構(gòu)不限于此。所述電子傳輸層可具有單層結(jié)構(gòu)或者包括兩個(gè)或更多個(gè)不同層的多層結(jié)構(gòu)。

可通過參照用于形成所述空穴注入層的條件理解用于形成構(gòu)成所述電子傳輸區(qū)域的空穴阻擋層、電子傳輸層、和電子注入層的條件。

當(dāng)所述電子傳輸區(qū)域包括空穴阻擋層時(shí)，所述空穴阻擋層可包括，例如，bcp和bphen的至少一種，但是也可包括其它材料：

所述空穴阻擋層的厚度可在例如的范圍內(nèi)。當(dāng)所述空穴阻擋層的厚度在這些范圍內(nèi)時(shí)，所述空穴阻擋層可具有改善的空穴阻擋能力而沒有驅(qū)動(dòng)電壓的顯著增加。

所述電子傳輸層可進(jìn)一步包括選自如下的至少一種：bcp、bphen、alq3、balq、taz、和ntaz：

在多種實(shí)施方式中，所述電子傳輸層可包括選自化合物et1、et2、和et3的至少一種，但是實(shí)施方式不限于此：

所述電子傳輸層的厚度可在和在一些實(shí)施方式中的范圍內(nèi)。當(dāng)所述電子傳輸層的厚度在這些范圍內(nèi)時(shí)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電子傳輸特性而沒有驅(qū)動(dòng)電壓的顯著增加。

此外，除了上述材料之外，所述電子傳輸層可進(jìn)一步包括包含金屬的材料。

所述包含金屬的材料可包括li絡(luò)合物。所述li絡(luò)合物可包括，例如，化合物et-d1(8-羥基喹啉鋰，liq)或et-d2：

所述電子傳輸區(qū)域可包括促進(jìn)從第二電極19注入電子的電子注入層。

所述電子注入層可包括選自如下的至少一種：lif、nacl、csf、li2o、和bao。

所述電子注入層的厚度可在例如的范圍內(nèi)。當(dāng)所述電子注入層的厚度在這些范圍內(nèi)時(shí)，可實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的電子注入特性而沒有驅(qū)動(dòng)電壓的顯著增加。

第二電極19可在有機(jī)層15上。第二電極19可為陰極。用于形成第二電極19的材料可為具有相對(duì)低的功函的材料例如金屬、合金、導(dǎo)電化合物、和其組合物。用于形成第二電極19的材料的詳細(xì)實(shí)例可包括鋰(li)、鎂(mg)、鋁(al)、鋁-鋰(al-li)、鈣(ca)、鎂-銦(mg-in)、和鎂-銀(mg-ag)。在一些實(shí)施方式中，可使用ito或izo形成透射性第二電極19以制造頂發(fā)射發(fā)光器件，并且這樣的變型可為可能的。

前文中，已經(jīng)參照?qǐng)D1描述了有機(jī)發(fā)光器件10，但是實(shí)施方式不限于此。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60烷基”指的是具有1-60個(gè)碳原子的直鏈或支化的脂族飽和烴單價(jià)基團(tuán)。其詳細(xì)實(shí)例可包括甲基、乙基、丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、戊基、異戊基、和己基。如本文中使用的術(shù)語“c1-c60亞烷基”指的是具有與c1-c60烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60烷氧基”指的是由-oa101(其中a101為c1-c60烷基)表示的單價(jià)基團(tuán)。其非限制性實(shí)例包括甲氧基、乙氧基、和異丙氧基。

如本文中使用的術(shù)語“c2-c60烯基”指的是通過在c2-c60烷基的中間或者末端處放置至少一個(gè)碳-碳雙鍵而形成的基團(tuán)。其詳細(xì)實(shí)例可包括乙烯基、丙烯基、和丁烯基。如本文中使用的術(shù)語“c2-c60亞烯基”指的是具有與c2-c60烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c2-c60炔基”指的是通過在c2-c60烷基的中間或末端處放置至少一個(gè)碳-碳三鍵而形成的基團(tuán)。其詳細(xì)實(shí)例可包括乙炔基和丙炔基。如本文中使用的術(shù)語“c2-c60亞炔基”指的是具有與c2-c60炔基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c3-c10環(huán)烷基”指的是具有3-10個(gè)碳原子的單價(jià)飽和烴單環(huán)基團(tuán)。其非限制性實(shí)例可包括環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、和環(huán)庚基。如本文中使用的術(shù)語“c3-c10亞環(huán)烷基”指的是具有與c3-c10環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c10雜環(huán)烷基”指的是包括至少一個(gè)選自n、o、p、si、和s的雜原子作為成環(huán)原子和1-10個(gè)碳原子的單價(jià)飽和單環(huán)基團(tuán)。其詳細(xì)實(shí)例可包括四氫呋喃基和四氫噻吩基。本文中使用的術(shù)語“c1-c10亞雜環(huán)烷基”指的是具有與c1-c10雜環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c3-c10環(huán)烯基”指的是在其環(huán)中具有3-10個(gè)碳原子和至少一個(gè)碳-碳雙鍵并且不是芳族的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)。其詳細(xì)實(shí)例可包括環(huán)戊烯基、環(huán)己烯基、和環(huán)庚烯基。如本文中使用的術(shù)語“c3-c10亞環(huán)烯基”指的是具有與c3-c10環(huán)烯基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c10雜環(huán)烯基”指的是在其環(huán)中具有至少一個(gè)選自n、o、p、si、和s的雜原子作為成環(huán)原子、1-10個(gè)碳原子和至少一個(gè)碳-碳雙鍵的單價(jià)單環(huán)基團(tuán)。c1-c10雜環(huán)烯基的實(shí)例可包括2,3-二氫呋喃基和2,3-二氫噻吩基。如本文中使用的術(shù)語“c1-c10亞雜環(huán)烷基”指的是具有與c1-c10雜環(huán)烷基相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“c6-c60芳基”指的是具有6-60個(gè)碳原子的具有碳環(huán)芳族體系的單價(jià)基團(tuán)。如本文中使用的術(shù)語“c6-c60亞芳基”指的是具有6-60個(gè)碳原子的具有碳環(huán)芳族體系的二價(jià)基團(tuán)。c6-c60芳基的詳細(xì)實(shí)例可包括苯基、萘基、蒽基、菲基、芘基、和基。當(dāng)c6-c60芳基和c6-c60亞芳基各自包括兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)時(shí)，所述環(huán)可彼此稠合。

如本文中使用的術(shù)語“c1-c60雜芳基“指的是具有如下的芳族體系和1-60個(gè)碳原子的單價(jià)基團(tuán)：其包括至少一個(gè)選自n、o、p、si、和s的雜原子作為成環(huán)原子。如本文中使用的術(shù)語”c1-c60亞雜芳基”指的是具有如下雜環(huán)芳族體系和1-60個(gè)碳原子的二價(jià)基團(tuán)：其包括至少一個(gè)選自n、o、p、si、和s的雜原子作為成環(huán)原子。c1-c60雜芳基的詳細(xì)實(shí)例可包括吡啶基、嘧啶基、吡嗪基、噠嗪基、三嗪基、喹啉基、和異喹啉基。當(dāng)c1-c60雜芳基和c1-c60亞雜芳基各自包括兩個(gè)或更多個(gè)環(huán)時(shí)，所述環(huán)可彼此稠合。

如本文中使用的術(shù)語“c6-c60芳氧基”指的是-oa102(其中a102為c6-c60芳基)。如本文中使用的術(shù)語“c6-c60芳硫基”表示-sa103(其中a103為c6-c60芳基)。

如本文中使用的術(shù)語“單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)”指的是這樣的單價(jià)基團(tuán)：其具有兩個(gè)或更多個(gè)彼此稠合的環(huán)并且僅具有碳原子(例如，碳原子數(shù)可在8-60的范圍內(nèi))作為成環(huán)原子，其中作為整體的分子結(jié)構(gòu)是非芳族的。所述單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)的非限制性實(shí)例包括芴基。如本文中使用的術(shù)語“二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)”指的是具有與所述單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)”指的是這樣的單價(jià)基團(tuán)：其具有多個(gè)彼此稠合的環(huán)，除了碳原子(例如，碳原子數(shù)可在2-60的范圍內(nèi))之外還具有選自n、o、p、和s的雜原子作為成環(huán)原子，其中作為整體的分子結(jié)構(gòu)是非芳族的。所述單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)的非限制性實(shí)例包括咔唑基。如本文中使用的術(shù)語“二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)”指的是具有與所述單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)相同的結(jié)構(gòu)的二價(jià)基團(tuán)。

在本說明書中，所述取代的c3-c10亞環(huán)烷基、取代的c1-c10亞雜環(huán)烷基、取代的c3-c10亞環(huán)烯基、取代的c1-c10亞雜環(huán)烯基、取代的c6-c60亞芳基、取代的c1-c60亞雜芳基、取代的二價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、取代的二價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、取代的c1-c60烷基、取代的c2-c60烯基、取代的c2-c60炔基、取代的c1-c60烷氧基、取代的c3-c10環(huán)烷基、取代的c1-c10雜環(huán)烷基、取代的c3-c10環(huán)烯基、取代的c1-c10雜環(huán)烯基、取代的c6-c60芳基、取代的c6-c60芳氧基、取代的c6-c60芳硫基、取代的c1-c60雜芳基、取代的單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、和取代的單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)的取代基的至少一個(gè)可為：

氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、或c1-c60烷氧基；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、或c1-c60烷氧基：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-n(q11)(q12)、-si(q13)(q14)(q15)、和-b(q16)(q17)；

c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、或單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)；

各自被選自如下的至少一個(gè)取代的c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、或單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)：氘、-f、-cl、-br、-i、羥基、氰基、硝基、氨基、脒基、肼基、腙基、羧酸基團(tuán)或其鹽、磺酸基團(tuán)或其鹽、磷酸基團(tuán)或其鹽、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)、-n(q21)(q22)、-si(q23)(q24)(q25)、和-b(q26)(q27)；和

-n(q31)(q32)、-si(q33)(q34)(q35)、或-b(q36)(q37，

其中q1-q7、q11-q17、q21-q27、和q31-q37可各自獨(dú)立地為氫、c1-c60烷基、c2-c60烯基、c2-c60炔基、c1-c60烷氧基、c3-c10環(huán)烷基、c1-c10雜環(huán)烷基、c3-c10環(huán)烯基、c1-c10雜環(huán)烯基、c6-c60芳基、c6-c60芳氧基、c6-c60芳硫基、c1-c60雜芳基、單價(jià)非芳族稠合多環(huán)基團(tuán)、或單價(jià)非芳族稠合雜多環(huán)基團(tuán)。

如本文中使用的術(shù)語“室溫”指的是約25℃的溫度。

下文中，將參照合成實(shí)施例和實(shí)施例詳細(xì)地描述根據(jù)實(shí)施方式的有機(jī)發(fā)光器件，然而，本發(fā)明構(gòu)思不限于此。在描述合成實(shí)施例時(shí)使用的措辭“使用b代替a”意味著基于摩爾當(dāng)量，所使用的b的量等于所使用的a的量。

[實(shí)施例]

合成實(shí)施例1：化合物a1的合成

將52mmol的3,6-二氰基咔唑、52mmol的9-(3-溴苯基)-9h-咔唑、8.8g的cui、15.9g的k2co3、和2.5g的1,10-菲咯啉添加至250ml的雙頸圓底燒瓶，之后添加150ml的二甲基甲酰胺(dmf)。隨后，將所述組合物在150℃的溫度下攪拌28小時(shí)。然后將所得物冷卻，并且向其添加meoh以沉淀出固體用于過濾。將所得產(chǎn)物與1l氯仿混合、加熱、和溶解。將通過使用硅藻土墊過濾而獲得的濾液在減壓下濃縮。將所獲得的產(chǎn)物使用二氯甲烷(mc)和丙酮重結(jié)晶，從而獲得10.9g化合物a1(產(chǎn)率：65.3％)。

計(jì)算值：458.15，實(shí)測(cè)值[m+h⁺]：459.16

評(píng)價(jià)實(shí)施例1：pl光譜和trpl光譜的評(píng)價(jià)

準(zhǔn)備經(jīng)用氯仿和純水洗滌的石英基底。將表1中所示的材料在10^-7托的真空度下真空-(共)沉積在所述石英基底上以制備膜d2、a1、d2:a1、a2、d2:a2、d3、a3、d3:a3、d3:a3:tbpe、d3:tbpe、d4、a4、d4:a4、d4:a4:tbpe、d4:tbpe、bmpypb、tcta、tcta:bmpypb、cbp:b3pympm、或tcta:3tpymb，其各自具有50nm的厚度。

[表1]

<化合物fd(5)：tbpe>

隨后，使用絕對(duì)pl量子產(chǎn)率測(cè)量系統(tǒng)quantaurus-qy(可得自hamamatsu)在室溫下評(píng)價(jià)所制備的膜d2、a1、d2:a1、a2、d2:a2、d3、a3、d3:a3、d4、a4、d4:a4、tcta、bmpypb、和tcta:bmpypb的pl光譜。其結(jié)果示于圖2a-2e中。

在圖2a中，發(fā)現(xiàn)膜d2:a1的pl光譜與膜d2和膜a1的那些相比朝著更長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍偏移。在圖2b中，發(fā)現(xiàn)膜d2:a2的pl光譜與膜d2和膜a2的那些相比朝著更長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍偏移。在圖2c中，發(fā)現(xiàn)膜d3:a3的pl光譜與膜d3和膜a3的那些相比朝著更長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍偏移。在圖2d中，發(fā)現(xiàn)膜d4:a4的pl光譜與膜d4和膜a4的那些相比朝著更長(zhǎng)波長(zhǎng)范圍偏移。因此，發(fā)現(xiàn)，在膜d2:a1、膜d2:a2、膜d3:a3、和膜d4:a4的制備中使用的化合物的組合各自形成激基復(fù)合物。

此外，在圖2a中，膜d2:a1的λ最大為約425nm。在圖2b中，膜d2:a2的λ最大為約465nm。在圖2c中，膜d3:a3的λ最大為約430nm。在圖2d中，膜d4:a4的λ最大為約470nm。發(fā)現(xiàn)由化合物d2和a1形成的激基復(fù)合物、由化合物d2和a2形成的激基復(fù)合物、由化合物d3和a3形成的激基復(fù)合物、和由化合物d4和a4形成的激基復(fù)合物各自發(fā)射藍(lán)色光。

隨后，在室溫下通過使用trpl測(cè)量系統(tǒng)fluotime300(由picoquant制造)、和泵浦激光器pls340(由picoquant制造，激發(fā)波長(zhǎng)＝340nm，光譜寬度＝20nm)評(píng)價(jià)膜d2、a1、d2:a1、a2、d2:a2、d3:a3、d3:a3:tbpe、d3:tbpe、d4:a4、d4:a4:tbpe、d4:tbpe、和tcta:bmpypb的pl光譜。然后，測(cè)定pl光譜中的主峰的波長(zhǎng)，并且依據(jù)通過pls340施加至膜的光子脈沖(脈沖寬度＝500皮秒)，通過時(shí)間相關(guān)單光子計(jì)數(shù)(tcspc)隨著時(shí)間反復(fù)測(cè)量膜各自的在主峰的波長(zhǎng)處發(fā)射的光子的數(shù)量，從而獲得可用于充分?jǐn)M合的trpl曲線?；谟善浍@得的結(jié)果，提出兩個(gè)或更多個(gè)指數(shù)衰減函數(shù)用于擬合，從而對(duì)于膜d2:a1、d2:a2、d3:a3、d3:a3:tbpe、d4:a4、d4:a4:tbpe、和tcta:bmpypb的每一個(gè)獲得衰減時(shí)間t衰減(ex)。用于擬合的函數(shù)與<方程1>中描述的相同，并且取在用于擬合的指數(shù)衰減函數(shù)的每一個(gè)的值之中的具有最大值的衰減時(shí)間t衰減作為衰減時(shí)間t衰減(ex)。使用剩余的衰減時(shí)間t衰減值確定將要衰減的典型熒光的壽命。這里，在與用于獲得trpl曲線的測(cè)量時(shí)間相同的測(cè)量時(shí)間期間，在黑暗狀態(tài)(即，其中入射在預(yù)定的膜上的泵浦信號(hào)被阻斷的狀態(tài))下再一次重復(fù)相同的測(cè)量，從而獲得可用作用于擬合的基線的背景信號(hào)曲線或者基線。

隨后，對(duì)于全部發(fā)射的依賴于時(shí)間的強(qiáng)度的積分值，測(cè)量將被確定為衰減時(shí)間t衰減(ex)的指數(shù)衰減曲線(＝隨時(shí)間的在強(qiáng)度方面的變化)，并且因此，計(jì)算隨時(shí)間的積分值的比率，從而評(píng)價(jià)延遲熒光對(duì)全部發(fā)光部分的比率。

<方程1>

在圖3a-3g中的膜d2:a1、d2:a2、d3:a3、d3:a3:tbpe、d4:a4、d4:a4:tbpe、和tcta:bmpypb的圖中，t衰減(ex)以及延遲熒光部分對(duì)全部發(fā)光部分的比率示于表2中：

[表2]

因此，發(fā)現(xiàn)i)由化合物d2和a1形成的激基復(fù)合物、ii)由化合物d2和a2形成的激基復(fù)合物、iii)由化合物d3和a3形成的激基復(fù)合物、iv)由化合物d3和a3形成的激基復(fù)合物與tbpe的組合、v)由化合物d4和a4形成的激基復(fù)合物、以及vi)由化合物d4和a4形成的激基復(fù)合物與tbpe的組合具有約100ns或更大(例如150ns或更大)的t衰減(ex)和約10％或更大(例如，15％或更大)的延遲熒光部分對(duì)全部發(fā)光部分的比率兩者。

另一方面，膜tcta:bmpypb中的延遲熒光部分對(duì)全部發(fā)光部分的比率為約4％。因此，發(fā)現(xiàn)膜tcta:bmpypb中的由于激基復(fù)合物引起的延遲熒光以相對(duì)小的程度對(duì)整個(gè)熒光作貢獻(xiàn)。

評(píng)價(jià)實(shí)施例2：對(duì)homo和lumo能級(jí)的評(píng)價(jià)

按照表3中所示的方法，評(píng)價(jià)化合物d1、a1、d2、a2、d3、a3、d4、和a4的homo和lumo能級(jí)。其結(jié)果示于表4中。

[表3]

[表4]

參照表4，發(fā)現(xiàn)化合物d1、a1、d2、a2、d3、a3、d4、和a4具有對(duì)于形成可發(fā)射延遲熒光的激基復(fù)合物而言合適的電特性。

評(píng)價(jià)實(shí)施例3：光致發(fā)光(pl)穩(wěn)定性評(píng)價(jià)

在形成膜d3:a3、tcta:bmpypb、cbp:b3pympm、和tcta:3tpymb之后立即使用he-cd激光器(可得自kimmonkohaco.,ltd，激發(fā)波長(zhǎng)＝325nm)在其中切斷外部空氣的氬氣氣氛中在室溫下評(píng)價(jià)所述膜各自的pl光譜。對(duì)于所述膜的每一個(gè)測(cè)量pl光譜中的最大發(fā)射波長(zhǎng)的光的強(qiáng)度i1(任意單位)。其結(jié)果示于表5中。

隨后，將所述膜d3:a3、tcta:bmpypb、cbp:b3pympm、和tcta:3tpymb各自在其中切斷外部空氣的氬氣氣氛中暴露于在i1的評(píng)價(jià)中使用的泵浦激光器he-cd激光器(可得自kimmonkohaco.,ltd，激發(fā)波長(zhǎng)＝325nm)的光3小時(shí)。然后，使用he-cd激光器(可得自kimmonkohaco.,ltd，激發(fā)波長(zhǎng)＝325nm)在室溫下評(píng)價(jià)在以上三小時(shí)暴露之后獲得的膜各自的pl光譜。然后，對(duì)于所述膜的每一個(gè)測(cè)量pl光譜中的最大發(fā)射波長(zhǎng)處的光的強(qiáng)度i2(任意單位)。其結(jié)果示于表5中。

在膜d3:a3、tcta:bmpypb、cbp:b3pympm和tcta:3tpymb各自的形成之后立即測(cè)量的pl光譜(表示為如所制備的)和在暴露于激光三小時(shí)之后測(cè)量的pl光譜(表示為暴露3小時(shí)的)示于圖4a-4d中。

由如上測(cè)量的i1和i2，通過使用(i2/i1)×100(％)計(jì)算各膜的pl穩(wěn)定性。結(jié)果示于表5中。

[表5]

參照表5，發(fā)現(xiàn)，與膜tcta:bmpypb、cbp:b3pympm、和tcta:3tpymb相比，膜d3:a3具有更高的pl穩(wěn)定性。

實(shí)施例：有機(jī)發(fā)光器件(oled)的制造

作為陽極，將其上具有ito電極的玻璃基底切割為50毫米(mm)×50mm×0.5mm的尺寸。然后將所述玻璃基底在丙酮、異丙醇和純水中超聲處理達(dá)在各溶劑中約15分鐘，并且通過暴露于紫外線與臭氧而清潔30分鐘。

將化合物ht3和tcnpq(其中tcnpq的濃度為約3重量％(重量％))共沉積在所述陽極上以形成具有約的厚度的空穴注入層。然后將化合物ht3沉積在所述空穴注入層上以形成具有約的厚度的空穴傳輸層。

然后將化合物d2和化合物a2以約3:7的體積比共沉積在所述空穴傳輸層上以形成具有約的厚度的發(fā)射層。

將化合物et16和liq以約5:5的重量比共沉積在所述發(fā)射層上以形成具有約的厚度的電子傳輸層。隨后，將liq沉積在所述電子傳輸層上以形成具有約的厚度的電子注入層。在所述電子注入層上形成具有約的厚度的mgag電極(其中ag的量為約10重量％)。將化合物ht13沉積在mgag電極上以形成具有約的厚度的封蓋層，從而完成有機(jī)發(fā)光器件的制造。在所制造的oled1-3以及a和b的發(fā)射層的形成中使用的給體化合物、受體化合物、和/或熒光摻雜劑以及其體積比示于表6中。

[表6]

評(píng)價(jià)實(shí)施例4

通過使用keithley2400電流電壓計(jì)和亮度計(jì)(minoltacs-1000a)測(cè)量所制造的oled1-3以及a和b的驅(qū)動(dòng)電壓、亮度、功率、色坐標(biāo)、滾降(roll-off)、和壽命(t95)。其結(jié)果示于表7中。在表7中，t95表示對(duì)亮度(在9000尼特下)達(dá)到相對(duì)于100％初始亮度的95％所花費(fèi)的時(shí)間進(jìn)行評(píng)價(jià)的壽命數(shù)據(jù)。滾降按照<方程20>計(jì)算：

<方程20>

滾降＝{1-(效率(在9000尼特下)/最大發(fā)射效率)}×100％

[表7]

參照表7，發(fā)現(xiàn)與oleda相比，oled1具有低的驅(qū)動(dòng)電壓、高的效率、低的滾降、和長(zhǎng)的壽命，并且發(fā)現(xiàn)，與oledb相比，oled2和3具有低的驅(qū)動(dòng)電壓、高的效率、低的滾降、和長(zhǎng)的壽命。

應(yīng)理解，本文中所描述的實(shí)施方式應(yīng)僅在描述意義上考慮并且不用于限制目的。各實(shí)施方式內(nèi)的特征或方面的描述應(yīng)典型地被認(rèn)為可用于其它實(shí)施方式中的其它類似特征或方面。

雖然已經(jīng)參照附圖描述了一種或多種實(shí)施方式，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將理解，在不背離如由所附權(quán)利要求限定的精神和范圍的情況下，可在其中進(jìn)行形式和細(xì)節(jié)上的多種變化。