本發明屬于有機電致發光材料技術領域，具體涉及一種苯并芘衍生物及其制備方法和應用。
背景技術：
有機電致發光現象的研究始于20世紀60年代。1963年美國紐約大學的Pope等首次在蒽單晶上觀察到電致發光現象，但由于單晶厚度過大，驅動電壓高達400V，缺乏實用價值。后續又有研究報道了一系列含共軛結構的主體有機材料的電致發光現象(見美國專利US3172862，US3173050，US3710167等),由于器件工藝問題，發光效率均不理想。直到1987年Kodak公司的Tang等報道了利用8-羥基喹啉鋁與具有空穴傳輸性能的芳香族二胺制成高質量薄膜，并制成有機發光器件，這種材料具有高發光效率、高亮度等優異性能。這一研究標志著有機電致發光研究進入實用化階段。1990年Friend等報道了低電壓下高分子電致發光現象，揭開了高分子電致發光材料研究的新領域。1998年美國普林斯頓大學的Forrest等人發現了磷光電致發光現象，突破了有機電致發光材料發光量子效率低于25％的理論極限，使得有機電致發光器件研究進入新的時期。
有機電致發光器件的發光屬于注入型發光。在正向電壓驅動下,陽極向發光層注入空穴，陰極向發光層注入電子。注入的空穴和電子在發光層中相遇結合成激子，激子復合并將能量傳遞給發光材料，后者經過輻射馳豫過程而發光。
電致發光器件的基本構造是一個簡單的“三明治式”器件。在導電玻璃基質上旋涂、浸涂或真空熱蒸鍍發光材料(發光層)，然后鍍上陰極材料，連接電源即構成有機電致發光器件。為了提高有機電致發光器件的穩定性和效率,應使電子和空穴的注入達到平衡。在有機電致發光器件中引入電子傳輸層(ETL)或/和空穴傳輸層(HTL),形成多層結構器件,有助于電子和空穴注入的平衡，提高器件的性能。實驗證明采用多層結構后，電致發光器件的驅動電壓降低,電子和空穴的注入較為平衡,從而提高在發光層中的復合幾率及發光量子效率。
目前，有機電致發光材料的研究已經在學術界和工業界廣泛開展，幾乎所有的知名電子公司和化學公司都投入巨大的資金和人力進入這一領域，大量性能優良的有機電致發光材料陸續被開發出來，(見美國專利US5150006，US5047687，US5554450，US5593788，US5059862，US5256945等)。但該技術的產業化進程仍面臨許多關鍵問題，如何設計新的性能更好的材料進行調節，一直是本領域技術人員亟待解決的問題。
技術實現要素：
本發明的目的是提供一種苯并芘衍生物及其制備方法和應用，本發明提供的苯并芘衍生物亮度高、發光效率高，制備方法簡單，是性能優良的有機發光材料。
本發明首先提供一種苯并芘衍生物，結構式為：
其中，R1、R2、R3、R4獨立的選自C5-C30的含氮雜芳基。
優選的，所述R1、R2、R3、R4獨立的選自C5-C21的含氮雜芳基。
優選的，所述R1、R2、R3、R4獨立的選自C5-C13的含氮雜芳基。
優選的，所述R1、R2、R3、R4獨立的選自吡啶基、吡啶基苯基、喹啉基、咪唑基、噻唑基或唑基。
優選的，所述R1與R2相同，所述R3與R4相同。
優選的，所述苯并芘衍生物選自如下BM1～BM26所示結構中的任意一種：
本發明還提供一種苯并芘衍生物的制備方法，包括：
將式A所示的化合物或式B所示的化合物在氮氣保護下經過偶聯反應得到式I或式II所示的苯并芘衍生物；
其中，R1、R2、R3、R4獨立的選自C5-C30的含氮雜芳基。
本發明還提供上述苯并芘衍生物在有機電致發光器件中的應用。
優選的，所述有機電致發光器件包括陽極、陰極和有機物層，有機物層包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層；
所述有機物層中的至少一層含有上述任一項所述的苯并芘衍生物。
優選的，所述苯并芘衍生物用于制備有機電致發光器件的電子傳輸層。
本發明的有益效果:
本發明首先提供一種苯并芘衍生物，該苯并芘衍生物具有式I或式II所示結構，通過優化分子結構設計，本發明所得到的苯并芘衍生物具有更高的電子傳輸效率，可用于制備有機電致發光器件，尤其是作為有機電致發光器件中的電子傳輸材料，能夠有效提高OLED器件的發光效率，器件最大亮度達到1000cd/m2，優于現有常用OLED器件。上述器件可用于平板顯示器、照明光源、手機屏幕、信號燈等應用領域。本發明還提供一種苯并芘衍生物的制備方法，該制備方法簡單、原料易得，能夠滿足工業化發展的需要。
具體實施方式
為了進一步理解本發明，下面結合實施例對本發明優選實施方案進行描述，但是應當理解，這些描述只是為進一步說明本發明的特征和優點，而不是對本發明權利要求的限制。
本發明首先提供一種苯并芘衍生物，結構式為：
其中，R1、R2、R3、R4獨立的選自C5-C30的含氮雜芳基，優選為C5-C21的含氮雜芳基，更優選為C5-C13的含氮雜芳基，再優選為吡啶基、吡啶基苯基、喹啉基、咪唑基、噻唑基或唑基，最優選為所述R1與R2相同，所述R3與R4相同，具體的，所述苯并芘衍生物優選選自如下BM1～BM26所示結構中的任意一種：
本發明還提供一種苯并芘衍生物的制備方法，包括：
將中間體式A所示的化合物或中間體式B所示的化合物在氮氣保護下經過偶聯反應得到式I或式II所示的苯并芘衍生物；
其中，R1、R2、R3、R4獨立的選自C5-C30的含氮雜芳基，所述R1、R2、R3、R4基團的選擇均同上所述，在此不再贅述。
按照本發明，中間體式A所示的化合物按照如下所示方法制備得到：
(1)將式A-1所示的蒽酮與硝酸反應，得到式A-2所示的硝基化合物；
(2)將式A-2所示化合物和四溴化碳，在三苯基膦存在下，發生二溴烯烴基化反應，得到式A-3所示的二溴烯烴化合物；
(3)在氮氣保護下，將式A-3所示化合物和三甲硅基乙炔在PdCl2(PPh3)2和CuI存在下發生Sonogashira反應，繼而脫去三甲基硅基得到式A-4所示的雙炔化合物；
(4)在氮氣保護下，將式A-4所示化合物溶于甲苯中，加入PtCl2發生關環反應，得到式A-5所示化合物；
(5)將式A-5所示化合物溶于乙醇和THF混合溶劑中，在Pd/C存在下進行催化加氫將硝基還原成胺基，繼而進行重氮化-溴化反應得到中間體式A所示化合物。
本發明對上述方法中步驟(1)～(5)中的反應條件沒有特別的限制，采用本領域技術人員所熟知的反應條件即可。
按照本發明，中間體式B所示的化合物按照如下所示方法制備得到：
(1)將式B-1所示的蒽酮與四溴化碳，在三苯基膦存在下，發生二溴烯基化反應，得到式B-2所示的二溴烯烴化合物；
(2)通過Pd(PPh3)4催化的B-2與reformasky試劑交叉偶聯反應，得到B-3所示的雙酯基化合物；
(3)將B-3所示化合物經堿水解、酰氯化，得到式B-4所示化合物；
(4)將式B-4所示化合物經過AlCl3催化的關環反應得到式B-5所示的雙酚化合物；
(5)將式B-5所示化合物經Br2-PPh3試劑作用，得到中間體式B所示化合物。
本發明對上述方法中步驟(1)～(5)中的反應條件沒有特別的限制，采用本領域技術人員所熟知的反應條件即可。
按照本發明，將中間體式A所示的化合物或中間體式B所示的化合物在氮氣保護下經過偶聯反應得到式I或式II所示的苯并芘衍生物，本發明對所述偶聯反應沒有特殊的限制，采用本領域技術人員所熟知的偶聯反應即可，該制備方法簡單，原料易得。
本發明還提供上述苯并芘衍生物在有機電致發光器件中的應用，本發明的苯并芘衍生物可以作為電子傳輸材料或熒光主體材料在有機電致發光器件方面得到應用，所述有機電致發光器件包括陽極、陰極和有機物層，有機物層包含空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發光層、空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層中的至少一層；所述有機物層中的至少一層含有上述所述的苯并芘衍生物。所述苯并芘衍生物具體可以作為制備有機電致發光器件的電子傳輸層，采用的器件結構優選具體為：附著在透光玻璃上的ITO作為陽極；NPB作為空穴傳輸層；在空穴傳輸層上真空蒸鍍EML作為發光層，或作為主體同磷光材料摻雜(摻雜質量濃度為0.5～30.0％)作為發光層；本發明所得苯并芘衍生物為電子傳輸層，LiF作為電子注入層，金屬Al作為陰極。所述有機電致發光器件可用于平板顯示器、照明光源、指示牌、信號燈等應用領域。
本發明對以下實施例中所采用的原料沒有特別的限制，可以為市售產品或采用本領域技術人員所熟知的制備方法制備得到。
實施例1：中間體A的制備
(1)化合物A-2的合成：向500ml雙口瓶中加入150ml發煙硝酸，控制溫度在5℃，分批加入20.3g蒽酮(A-1化合物)，控制反應溫度不超過10℃，保持溫度反應30分鐘。反應物倒入冰水中劇烈攪拌，抽濾，干燥，重結晶后得到A-2化合物。
(2)化合物A-3的合成：500ml干燥的三口瓶中加入25g化合物A-2，53g四溴化碳，反應體系抽真空換氣后，加入250ml苯，攪拌5分鐘，加入82.8g三苯基膦。反應混合物在150℃下攪拌反應48小時后，加入二氯甲烷，粗產物經柱層析分離得到A-3化合物。
(3)化合物A-4的合成：氮氣保護下，向250ml三口瓶中加入100ml含5.7ml三甲硅基乙炔的三乙胺溶液，再加入4.7g化合物A-3，0.7g PdCl2(PPh3)2和0.33g CuI，將反應混合物加熱到100℃反應20小時。產物用二氯甲烷溶解，加水和飽和氯化銨溶液洗滌，干燥，粗產物經柱層析分離得到棕色固體。
將上述棕色固體溶于30ml二氯甲烷中，緩慢滴加15ml含10g四丁基氟化銨的二氯甲烷溶液，加完后攪拌1小時。反應溶液過濾后旋轉蒸發去除溶劑得到化合物A-4。
(4)化合物A-5的合成：氮氣保護下，化合物A-4溶于50ml甲苯中，加入0.1gPtCl2。回流反應6小時，加活性炭脫色，得到化合物A-5。
(5)中間體A的合成：將1.3g化合物A-5溶于10ml乙醇和THF的1：1混合溶劑中，加入1g 10％Pd/C，將體系換成氫氣氣氛，保持氫氣正壓反應10小時，過濾后抽干溶劑得到淡黃色固體。
將上述淡黃色固體溶于15ml 48％氫溴酸中，冰水浴保持溫度在5℃以下，緩慢滴加10ml含2gNaNO2的水溶液，滴加過程中保持體系溫度不高于10℃，加入5gCuBr-48％HBr溶液，體系加熱到80℃反應3小時，用二氯甲烷萃取產物，分液干燥，柱層析得到化合物A。質譜m/z：395.76(計算值：395.91)。理論元素含量(％)C19H10Br2：C,57.32；H,2.53；Br,40.14；實測元素含量(％)：C,57.22；H,2.46；Br,40.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例2：中間體B的制備
(1)化合物B-2的合成：本步驟與實施例1中的步驟(2)基本相同，不同之處在于用化合物B-1替代A-2。
(2)化合物B-3的合成：氮氣保護下，向250ml三口瓶中加入2.5g鋅粉，少量碘和100ml干燥的DMF，攪拌后加入5g溴乙酸乙酯，加熱至60℃，攪拌3小時，將溶液過濾至250ml三口瓶中，加入3.8g化合物B-2和0.55gPd(PPh3)4，加熱至120℃，反應15小時。利用乙酸乙酯萃取，分液干燥，柱層析后得到化合物B-3。
(3)化合物B-4的制備：將37g化合物B-3溶于100mlTHF中，加入100ml含12gLiOH的水溶液，室溫下攪拌至澄清。減壓濃縮體積至50ml左右，冰浴下用稀鹽酸調pH為1，得到白色固體，干燥。
將上述白色固體32g溶于100ml二氯甲烷，加入20mlSOCl2，加熱回流3小時。蒸餾除去溶劑，得到化合物B-4。
(4)化合物B-5的合成：將37g化合物B-4溶于200ml四氯化碳中，體系冷卻到0℃，緩慢加入40g粉狀AlCl3，加完后，反應30分鐘，將反應物倒入冰水中，用乙酸乙酯萃取產物，分液干燥。粗產品重結晶得到化合物B-5。
(5)中間體B的制備：向250ml三口瓶中加入三苯基膦和乙腈，緩慢滴加液溴，控制溫度低于40℃，然后滴加50ml含30g化合物B-5的乙腈溶液。加熱至300℃，保持溫度反應。冷卻后加入石油醚，得到沉淀過濾，石油醚洗滌。濾液用氫氧化鈉溶液洗滌，干燥，柱層析得到化合物B。質譜m/z：395.76(計算值：395.91)。理論元素含量(％)C19H10Br2：C,57.32；H,2.53；Br,40.14；實測元素含量(％)：C,57.22；H,2.46；Br,40.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例3：化合物BM1的合成：
氮氣保護下，將4.0g中間體A，3.0g 2-吡啶硼酸和30ml甲苯加入250ml三口瓶中，加入20ml乙醇，30ml飽和碳酸鈉溶液和232mgPd(PPh3)4，攪拌并回流反應。反應后趁熱過濾，用二氯甲烷洗滌，減壓蒸餾除去溶劑，粗產物用石油醚柱層析得到化合物BM1，產率66％。質譜m/z：394.02(計算值：394.15)。理論元素含量(％)C29H18N2：C,88.30；H,4.60；N,7.10；實測元素含量(％)：C,88.24；H,4.49；N,7.06。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例4：化合物BM2的合成：
氮氣保護下，將4.0g中間體B，3.0g 2-吡啶硼酸和30ml甲苯加入250ml三口瓶中，加入20ml乙醇，30ml飽和碳酸鈉溶液和232mgPd(PPh3)4，攪拌并回流反應。反應后趁熱過濾，用二氯甲烷洗滌，減壓蒸餾除去溶劑，粗產物用石油醚柱層析得到化合物BM2，產率59％。質譜m/z：394.02(計算值：394.15)。理論元素含量(％)C29H18N2：C,88.30；H,4.60；N,7.10；實測元素含量(％)：C,88.24；H,4.49；N,7.06。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例5：化合物BM3的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的3-吡啶硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM3。質譜m/z：394.02(計算值：394.15)。理論元素含量(％)C29H18N2：C,88.30；H,4.60；N,7.10；實測元素含量(％)：C,88.24；H,4.49；N,7.06。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例6：化合物BM4的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的3-吡啶硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM4。質譜m/z：394.02(計算值：394.15)。理論元素含量(％)C29H18N2：C,88.30；H,4.60；N,7.10；實測元素含量(％)：C,88.24；H,4.49；N,7.06。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例7：化合物BM5的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的4-吡啶硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM5。質譜m/z：394.02(計算值：394.15)。理論元素含量(％)C29H18N2：C,88.30；H,4.60；N,7.10；實測元素含量(％)：C,88.24；H,4.49；N,7.06。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例8：化合物BM6的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的4-吡啶硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM6。質譜m/z：394.02(計算值：394.15)。理論元素含量(％)C29H18N2：C,88.30；H,4.60；N,7.10；實測元素含量(％)：C,88.24；H,4.49；N,7.06。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例9：化合物BM7的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的5-苯基-2-吡啶硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM7。質譜m/z：546.06(計算值：546.21)。理論元素含量(％)C41H26N2：C,90.08；H,4.79；N,5.12；實測元素含量(％)：C,89.96；H,4.51；N,5.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例10：化合物BM8的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的5-苯基-2-吡啶硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM8。質譜m/z：546.06(計算值：546.21)。理論元素含量(％)C41H26N2：C,90.08；H,4.79；N,5.12；實測元素含量(％)：C,89.96；H,4.51；N,5.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例11：化合物BM9的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的6-苯基-2-吡啶硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM9。質譜m/z：546.06(計算值：546.21)。理論元素含量(％)C41H26N2：C,90.08；H,4.79；N,5.12；實測元素含量(％)：C,89.96；H,4.51；N,5.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例12：化合物BM10的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的6-苯基-2-吡啶硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM10。質譜m/z：546.06(計算值：546.21)。理論元素含量(％)C41H26N2：C,90.08；H,4.79；N,5.12；實測元素含量(％)：C,89.96；H,4.51；N,5.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例13：化合物BM11的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的4-(2-吡啶基)苯硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM11。質譜m/z：546.06(計算值：546.21)。理論元素含量(％)C41H26N2：C,90.08；H,4.79；N,5.12；實測元素含量(％)：C,89.96；H,4.51；N,5.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例14：化合物BM12的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的4-(2-吡啶基)苯硼，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM12。質譜m/z：546.06(計算值：546.21)。理論元素含量(％)C41H26N2：C,90.08；H,4.79；N,5.12；實測元素含量(％)：C,89.96；H,4.51；N,5.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例15：化合物BM13的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的4-(3-吡啶基)苯硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM13。質譜m/z：546.06(計算值：546.21)。理論元素含量(％)C41H26N2：C,90.08；H,4.79；N,5.12；實測元素含量(％)：C,89.96；H,4.51；N,5.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例16：化合物BM14的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的4-(3-吡啶基)苯硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM14。質譜m/z：546.06(計算值：546.21)。理論元素含量(％)C41H26N2：C,90.08；H,4.79；N,5.12；實測元素含量(％)：C,89.96；H,4.51；N,5.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例17：化合物BM15的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的4-(4-吡啶基)苯硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM15。質譜m/z：546.06(計算值：546.21)。理論元素含量(％)C41H26N2：C,90.08；H,4.79；N,5.12；實測元素含量(％)：C,89.96；H,4.51；N,5.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例18：化合物BM16的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的4-(4-吡啶基)苯硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM16。質譜m/z：546.06(計算值：546.21)。理論元素含量(％)C41H26N2：C,90.08；H,4.79；N,5.12；實測元素含量(％)：C,89.96；H,4.51；N,5.09。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例19：化合物BM17的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的2-喹啉硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM17。質譜m/z：494.13(計算值：494.18)。理論元素含量(％)C37H22N2：C,89.85；H,4.48；N,5.66；實測元素含量(％)：C,89.56；H,4.37；N,5.56。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例20：化合物BM18的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的2-喹啉硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM18。質譜m/z：494.13(計算值：494.18)。理論元素含量(％)C37H22N2：C,89.85；H,4.48；N,5.66；實測元素含量(％)：C,89.56；H,4.37；N,5.56。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例21：化合物BM19的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的1-異喹啉硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM19。質譜m/z：494.13(計算值：494.18)。理論元素含量(％)C37H22N2：C,89.85；H,4.48；N,5.66；實測元素含量(％)：C,89.56；H,4.37；N,5.56。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例22：化合物BM20的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的1-異喹啉硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM20。質譜m/z：494.13(計算值：494.18)。理論元素含量(％)C37H22N2：C,89.85；H,4.48；N,5.66；實測元素含量(％)：C,89.56；H,4.37；N,5.56。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例23：化合物BM21的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM21。質譜m/z：624.08(計算值：624.23)。理論元素含量(％)C45H28N4：C,86.51；H,4.52；N,8.97；實測元素含量(％)：C,86.46；H,4.48；N,8.88。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例24：化合物BM22的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM22。質譜m/z：624.08(計算值：624.23)。理論元素含量(％)C45H28N4：C,86.51；H,4.52；N,8.97；實測元素含量(％)：C,86.46；H,4.48；N,8.88。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例25：化合物BM23的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的2-苯并噻唑硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM23。質譜m/z：505.94(計算值：506.09)。理論元素含量(％)C33H18N2S2：C,78.23；H,3.58；N,5.53；S,12.66；實測元素含量(％)：C,78.08；H,3.46；N,5.49；S,12.57。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例26：化合物BM24的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的2-苯并噻唑硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM24。質譜m/z：505.94(計算值：506.09)。理論元素含量(％)C33H18N2S2：C,78.23；H,3.58；N,5.53；S,12.66；實測元素含量(％)：C,78.08；H,3.46；N,5.49；S,12.57。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例27：化合物BM25的合成：
將實施例3中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的(2-苯基惡唑-5-基)硼酸，其他步驟均與實施例3相同，得到化合物BM25。質譜m/z：528.01(計算值：528.16)。理論元素含量(％)C35H20N4O2：C,79.53；H,3.81；N,10.60；O,6.05；實測元素含量(％)：C,79.48；H,3.76；N,10.53；O,6.03。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例28：化合物BM26的合成：
將實施例4中的2-吡啶硼酸替換為等摩爾的(2-苯基惡唑-5-基)硼酸，其他步驟均與實施例4相同，得到化合物BM26。質譜m/z：528.01(計算值：528.16)。理論元素含量(％)C35H20N4O2：C,79.53；H,3.81；N,10.60；O,6.05；實測元素含量(％)：C,79.48；H,3.76；N,10.53；O,6.03。上述結果證實獲得產物為目標產品。
實施例29：發光器件1的制備
選取ITO玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為40nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍EML作為發光層，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發光層上真空蒸鍍化合物BM1作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為20nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍LiF作為電子注入層，Al層作為陰極，厚度分別為1.5nm和200nm。該器件發射藍光，發射峰位435nm，開啟電壓5.30V，最大亮度1000cd/m2，最大電流效率為5.51cd/A，最大功率效率為3.25lm/W。
實施例30：發光器件2的制備
選取ITO玻璃為陽極，超聲清洗后干燥至于真空腔中，抽真空至5×10-5Pa，在上述陽極基板上真空蒸鍍NPB作為空穴傳輸層，蒸鍍速率為0.1nm/s，蒸鍍厚度為40nm。在空穴傳輸層上真空蒸鍍EML作為發光層，蒸鍍速率為0.005nm/s，蒸鍍厚度為30nm。在發光層上真空蒸鍍化合物BM26作為電子傳輸層，蒸鍍速率為0.01nm/s，蒸鍍厚度為20nm。在電子傳輸層上真空蒸鍍LiF作為電子注入層，Al層作為陰極，厚度分別為1.5nm和200nm。該器件發射藍光，發射峰位450nm，開啟電壓5.6V，最大亮度1000cd/m2，最大電流效率為5.68cd/A，最大功率效率為4.13lm/W。
以上結果表明，本發明的苯并芘衍生物應用于有機電致發光器件中，發光效率高，是性能良好的有機發光材料。
顯然，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發明的方法及其核心思想。應當指出，對于所述技術領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明原理的前提下，還可以對本發明進行若干改進和修飾，這些改進和修飾也落入本發明權利要求的保護范圍內。