本發明涉及新型的聚合物組合物、使用其的橫向電場驅動型液晶表示元件用液晶取向膜、以及具有該取向膜的基板的制造方法。進而，本發明涉及用于制造殘影特性優異的液晶表示元件的新方法。
背景技術：
：液晶表示元件作為質量輕、截面薄且耗電低的表示裝置是已知的，近年來被用于大型電視用途等，實現了顯著的發展。液晶表示元件例如是利用具備電極的一對透明基板夾持液晶層而構成的。并且，在液晶表示元件中，包含有機材料的有機膜被用作液晶取向膜使液晶在基板之間呈現期望取向狀態。即，液晶取向膜是液晶表示元件的構成部件，其形成在夾持液晶的基板的與液晶接觸的表面，承擔使液晶在該基板之間沿著特定方向取向這一作用。并且，對于液晶取向膜而言，除了使液晶沿著例如平行于基板的方向等特定方向取向這一作用之外，有時還要求對液晶預傾角進行控制這一作用。這種液晶取向膜的控制液晶取向的能力(以下稱為取向控制能力。)通過對構成液晶取向膜的有機膜進行取向處理而被賦予。作為用于賦予取向控制能力的液晶取向膜的取向處理方法，一直以來已知有刷磨法。刷磨法是指如下的方法：針對基板上的聚乙烯醇、聚酰胺、聚酰亞胺等的有機膜，用棉花、尼龍、聚酯等的布沿著恒定方向摩擦(刷磨)其表面，從而使液晶沿著摩擦方向(刷磨方向)取向。該刷磨法能夠簡便地實現較穩定的液晶取向狀態，因此可利用于以往的液晶表示元件的制造工藝。并且，作為液晶取向膜中使用的有機膜，主要選擇耐熱性等可靠性、電特性優異的聚酰亞胺系有機膜。然而，對包含聚酰亞胺等的液晶取向膜的表面進行摩擦的刷磨法存在產塵、產生靜電的問題。另外，由于近年來的液晶表示元件的高清晰化、相應基板上的電極或液晶驅動用切換能動元件所導致的凹凸，因此，無法用布均勻地摩擦液晶取向膜的表面、無法實現均勻的液晶取向。因而，作為不進行刷磨的液晶取向膜的其它取向處理方法，積極地研究了光取向法。光取向法有各種方法，通過直線偏振光或經準直的光而在構成液晶取向膜的有機膜內形成各向異性，根據該各向異性而使液晶進行取向。作為主要的光取向法，已知有分解型的光取向法。例如，對聚酰亞胺膜照射偏振紫外線，利用分子結構的紫外線吸收的偏振方向依賴性而使其發生各向異性的分解。并且，通過未分解而殘留的聚酰亞胺使液晶進行取向(例如參照專利文獻1。)。另外，還已知有光交聯型、光異構化型的光取向法。例如使用聚肉桂酸乙烯酯，照射偏振紫外線，使平行于偏振光的2個側鏈的雙鍵部分發生二聚反應(交聯反應)。并且，使液晶沿著與偏振方向垂直的方向進行取向(例如參照非專利文獻1。)。另外，使用在側鏈具有偶氮苯的側鏈型高分子時，照射偏振紫外線，使平行于偏振光的側鏈的偶氮苯部分發生異構化反應，使液晶沿著與偏振方向垂直的方向進行取向(例如參照非專利文獻2。)。如上述例子那樣，在利用光取向法對液晶取向膜進行取向處理的方法中，無需進行刷磨，不用擔心產塵、產生靜電。并且，即使針對表面具有凹凸的液晶表示元件的基板也能夠實施取向處理，從而成為適合于工業生產工藝的液晶取向膜的取向處理方法。現有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特許第3893659號公報非專利文獻非專利文獻1：M.Shadtetal.,Jpn.J.Appl.Phys.31,2155(1992).非專利文獻2：K.Ichimuraetal.,Chem.Rev.100,1847(2000).技術實現要素：發明要解決的問題如上所述，與作為液晶表示元件的取向處理方法而一直以來進行工業利用的刷磨法相比，光取向法無需刷磨工序這一工序，因此具備明顯的優點。并且，與刷磨所產生的取向控制能力基本固定的刷磨法相比，光取向法能夠變更偏振光的照射量來控制取向控制能力。然而，在光取向法想要實現與利用刷磨法時的程度相同的取向控制能力的情況下，有時需要大量的偏振光照射量或者無法實現穩定的液晶取向。例如，在上述專利文獻1所述的分解型光取向法中，需要對聚酰亞胺膜照射60分鐘的由功率500W的高壓汞燈發出的紫外光等，需要長時間且大量的紫外線照射。另外，在二聚型、光異構化型光取向法的情況下，也有時需要數J(焦耳)～數十J左右的大量紫外線照射。進而，在光交聯型、光異構化型光取向法的情況下，液晶的取向的熱穩定性、光穩定性差，因此制成液晶表示元件時，存在發生取向不良、表示殘影的問題。尤其是，橫向電場驅動型的液晶表示元件中，將液晶分子在面內進行切換，因此容易發生液晶驅動后的液晶取向偏移，由AC驅動引起的表示殘影被視作重大的課題。因此，對于光取向法而言，要求實現取向處理的高效率化、穩定的液晶取向，要求能夠對液晶取向膜高效地賦予高取向控制能力的液晶取向膜、液晶取向劑。本發明的目的在于，提供具有以高效率被賦予取向控制能力、殘影特性優異的橫向電場驅動型液晶表示元件用液晶取向膜的基板以及具有該基板的橫向電場驅動型液晶表示元件。另外，本發明的目的除了上述目的之外還在于，提供具備得以提高的電壓保持率的橫向電場驅動型液晶元件以及用于該元件的液晶取向膜。用于解決問題的方案本發明人等為了實現上述課題而進行了深入研究，結果發現下述技術方案。<1>一種聚合物組合物，其含有(A)側鏈型高分子和(B)有機溶劑，所述(A)側鏈型高分子是在特定的溫度范圍內表現出液晶性的感光性側鏈型高分子，其具有下述式(0)所示的側鏈，還具有側鏈(a)，所述側鏈(a)具有選自含氮芳香族雜環基團、酰胺基和氨基甲酸酯基中的基團。式中，A、B各自獨立地表示單鍵、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH＝CH-CO-O-或-O-CO-CH＝CH-；S為碳數1～12的亞烷基，鍵合于它們的氫原子任選被鹵素基團取代；T為單鍵或碳數1～12的亞烷基，鍵合于它們的氫原子任選被鹵素基團取代；X表示單鍵、-COO-、-OCO-、-N＝N-、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH＝CH-CO-O-或-O-CO-CH＝CH-，X的數量為2時，X任選彼此相同或不同；P和Q各自獨立地為選自由2價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5～8的脂環式烴和它們的組合組成的組中的基團；其中，X為-CH＝CH-CO-O-、-O-CO-CH＝CH-時，-CH＝CH-所鍵合的一側的P或Q為芳香環；l1為0或1；l2為0～2的整數；l1和l2均為0時，T為單鍵時A也表示單鍵；l1為1時，T為單鍵時B也表示單鍵；G為選自下述式(G-1)、(G-2)、(G-3)和(G-4)中的基團。(式中，虛線表示連接鍵；R50表示選自氫原子、鹵素原子、碳數1～3的烷基、苯基中的基團，存在多個R50時，任選彼此相同或不同；t為1～7的整數；J表示O、S、NH或NR51，R51表示選自碳數1～3的烷基和苯基中的基團)。<2>上述<1>中，(A)成分可以具有會發生光交聯、光異構化或光弗利斯重排的感光性側鏈。<3>上述<1>中，(A)成分可以具有選自由下述式(1)～(6)組成的組中的任一種感光性側鏈。式中，A、B、D各自獨立地表示單鍵、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH＝CH-CO-O-或-O-CO-CH＝CH-；S為碳數1～12的亞烷基，鍵合于它們的氫原子任選被鹵素基團取代；T為單鍵或碳數1～12的亞烷基，鍵合于它們的氫原子任選被鹵素基團取代；Y1表示選自1價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環和碳數5～8的脂環式烴中的環，或者是選自這些取代基中的相同或不同的2～6個環借助鍵合基團B鍵合而成的基團，鍵合于它們的氫原子各自獨立地任選被-COOR0(式中，R0表示氫原子或碳數1～5的烷基)、-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、鹵素基團、碳數1～5的烷基或碳數1～5的烷氧基取代；Y2為選自由2價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5～8的脂環式烴和它們的組合組成的組中的基團，鍵合于它們的氫原子各自獨立地任選被-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、鹵素基團、碳數1～5的烷基或碳數1～5的烷氧基取代；R表示羥基、碳數1～6的烷氧基，或者表示與Y1相同的定義；X表示單鍵、-COO-、-OCO-、-N＝N-、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH＝CH-CO-O-或-O-CO-CH＝CH-，X的數量為2時，X任選彼此相同或不同；Cou表示香豆素-6-基或香豆素-7-基，鍵合于它們的氫原子各自獨立地任選被-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、鹵素基團、碳數1～5的烷基或碳數1～5的烷氧基取代；q1和q2中的一者為1，另一者為0；q3為0或1；P和Q各自獨立地為選自由2價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5～8的脂環式烴和它們的組合組成的組中的基團；其中，X為-CH＝CH-CO-O-、-O-CO-CH＝CH-時，-CH＝CH-所鍵合的一側的P或Q為芳香環；l1為0或1；l2為0～2的整數；l1和l2均為0時，T為單鍵時A也表示單鍵；l1為1時，T為單鍵時B也表示單鍵；H和I各自獨立地為選自2價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環和它們的組合中的基團。<4>上述<1>～<3>的任一項中，(A)成分可以具有選自由下述式(21)～(31)組成的組中的任一種液晶性側鏈。式中，A、B、q1和q2具有與上述相同的定義；Y3為選自由1價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環和碳數5～8的脂環式烴、以及它們的組合組成的組中的基團，鍵合于它們的氫原子各自獨立地任選被-NO2、-CN、鹵素基團、碳數1～5的烷基或碳數1～5的烷氧基取代；R3表示氫原子、-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、鹵素基團、1價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、碳數5～8的脂環式烴、碳數1～12的烷基、或碳數1～12的烷氧基；l表示1～12的整數，m表示0～2的整數，其中，式(25)～(26)中，所有的m的總和為2以上，式(27)～(28)中，所有的m的總和為1以上，m1、m2和m3各自獨立地表示1～3的整數；R2表示氫原子、-NO2、-CN、鹵素基團、1價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環和碳數5～8的脂環式烴、以及烷基或烷氧基；Z1、Z2表示單鍵、-CO-、-CH2O-、-CH＝N-、-CF2-。<5>上述<1>～<4>的任一者中，組合物還可以包含具有烷氧基甲硅烷基以及1位和3位均被取代的脲結構的化合物來作為(D)成分。<6>一種具有橫向電場驅動型液晶表示元件用液晶取向膜的基板的制造方法，其通過具備下述工序而得到被賦予了取向控制能力的前述液晶取向膜：將上述<1>～<5>中任一項所述的聚合物組合物涂布在具有橫向電場驅動用導電膜的基板上，從而形成涂膜的工序；[II]對[I]中得到的涂膜照射偏振紫外線的工序；以及[III]將[II]中得到的涂膜進行加熱的工序。<7>一種具有橫向電場驅動型液晶表示元件用液晶取向膜的基板，其是通過上述<6>所述的制造方法而制造的。<8>一種橫向電場驅動型液晶表示元件，其具有上述<7>的基板。<9>一種橫向電場驅動型液晶表示元件的制造方法，其通過具備下述工序而得到該液晶表示元件：準備上述<7>的基板(第1基板)的工序；獲得具有下述液晶取向膜的第2基板的工序，其通過具備下述工序[I’]、[II’]和[III’]而得到被賦予了取向控制能力的液晶取向膜；以及[IV]以第1基板和第2基板的液晶取向膜隔著液晶相對的方式，對向配置第1基板和第2基板，從而得到液晶表示元件的工序，所述工序[I’]、[II’]和[III’]為：[I’]在第2基板上涂布上述<1>～<5>中任一項所述的聚合物組合物，從而形成涂膜的工序；[II’]對[I’]中得到的涂膜照射偏振紫外線的工序；以及[III’]將[II’]中得到的涂膜進行加熱的工序。<10>一種橫向電場驅動型液晶表示元件，其是通過上述<9>而制造的。<11>上述<1>所述的側鏈型高分子。發明的效果通過本發明，能夠提供具有以高效率被賦予取向控制能力、殘影特性優異的橫向電場驅動型液晶表示元件用液晶取向膜的基板以及具有該基板的橫向電場驅動型液晶表示元件。通過本發明的方法而制造的橫向電場驅動型液晶表示元件被高效地賦予了取向控制能力，因此即使長時間連續驅動也不會損害表示特性。另外，通過本發明，能夠提供在上述效果的基礎上還具備在液晶取向膜的界面吸附液晶中的離子性雜質而得以提高的電壓保持率的橫向電場驅動型液晶元件以及用于該元件的液晶取向膜。具體實施方式本發明人進行了深入研究，結果得到如下見解，從而完成了本發明。本發明的制造方法中使用的聚合物組合物具有能夠表現出液晶性的感光性側鏈型高分子(以下也簡稱為側鏈型高分子)，使用前述聚合物組合物而得到的涂膜是具有能夠表現出液晶性的感光性側鏈型高分子的膜。該涂膜無需進行刷磨處理，而是通過偏振光照射而進行取向處理。并且，在進行偏振光照射后，經由加熱該側鏈型高分子膜的工序，從而成為被賦予了取向控制能力的涂膜(以下也稱為液晶取向膜)。此時，通過偏振光照射而表現出的微小各向異性成為驅動力，液晶性的側鏈型高分子自身因自組裝化而有效地再取向。其結果，能夠作為液晶取向膜而實現高效的取向處理，得到被賦予了高取向控制能力的液晶取向膜。以下，針對本發明的實施方式進行詳細說明。<具有液晶取向膜的基板的制造方法>和<液晶表示元件的制造方法>本發明的具有液晶取向膜的基板的制造方法具備如下工序：[I]將含有(A)側鏈型高分子和(B)有機溶劑的聚合物組合物涂布在具有橫向電場驅動用導電膜的基板上而形成涂膜的工序，所述(A)側鏈型高分子是在特定的溫度范圍內表現出液晶性的感光性側鏈型高分子，還具有上述式(0)所示的側鏈；[II]對[I]中得到的涂膜照射偏振紫外線的工序；以及[III]將[II]中得到的涂膜進行加熱的工序。通過上述工序，能夠獲得被賦予了取向控制能力的橫向電場驅動型液晶表示元件用液晶取向膜，能夠獲得具有該液晶取向膜的基板。另外，除了上述得到的基板(第1基板)之外，通過準備第2基板，能夠獲得橫向電場驅動型液晶表示元件。對于第2基板，除了使用不具有橫向電場驅動用導電膜的基板來代替具有橫向電場驅動用導電膜的基板之外，通過使用上述工序[I]～[III](由于使用不具有橫向電場驅動用導電膜的基板，因此為了方便，在本申請中有時簡稱為工序[I’]～[III’])，能夠獲得具有被賦予了取向控制能力的液晶取向膜的第2基板。橫向電場驅動型液晶表示元件的制造方法具備如下工序：[IV]將上述得到的第1基板和第2基板以第1基板和第2基板的液晶取向膜隔著液晶相對的方式進行對向配置，從而得到液晶表示元件的工序。由此，能夠得到橫向電場驅動型液晶表示元件。以下，針對本發明的制造方法中具有的[I]～[III]和[IV]的各工序進行說明。<工序[I]>工序[I]中，在具有橫向電場驅動用導電膜的基板上涂布聚合物組合物而形成涂膜，所述聚合物組合物含有側鏈型高分子、有機溶劑、以及根據需要的胺化合物，進而根據需要含有作為(D)成分的具有烷氧基甲硅烷基以及1位和3位均被取代的脲結構的化合物，所述側鏈型高分子是在特定的溫度范圍內表現出液晶性的感光性的側鏈型高分子，還具有上述式(0)所示的側鏈，所述胺化合物在分子內具有含氮芳香族雜環和1個伯氨基，且前述伯氨基鍵合于脂肪族烴基或非芳香族環式烴基。<基板>針對基板沒有特別限定，要制造的液晶表示元件為透射型時，優選使用透明性高的基板。此時沒有特別限定，可以使用玻璃基板或丙烯酸類基板、聚碳酸酯基板等塑料基板等。另外，考慮到適用于反射型液晶表示元件，也可以使用硅晶片等不透明的基板。<橫向電場驅動用導電膜>基板具有橫向電場驅動用導電膜。作為該導電膜，液晶表示元件為透射型時，可列舉出ITO(IndiumTinOxide：氧化銦錫)、IZO(IndiumZincOxide：氧化銦鋅)等，不限定于這些。另外，在反射型液晶表示元件的情況下，作為導電膜，可列舉出鋁等會反射光的材料等，但不限定于這些。在基板上形成導電膜的方法可以使用現有公知的手法。<聚合物組合物>在具有橫向電場驅動用導電膜的基板上涂布聚合物組合物，尤其是在導電膜上涂布聚合物組合物。本發明的制造方法中使用的該聚合物組合物含有：(A)在特定的溫度范圍內表現出液晶性的感光性側鏈型高分子；(B)有機溶劑；以及根據期望的(C)分子內具有含氮芳香族雜環和1個伯氨基且前述伯氨基鍵合于脂肪族烴基或非芳香族環式烴基的胺化合物。<<(A)側鏈型高分子>>(A)成分是在特定的溫度范圍內表現出液晶性的感光性的側鏈型高分子，具有上述式(0)所示的側鏈，還具有側鏈(a)，所述側鏈(a)具有選自含氮芳香族雜環基團、酰胺基和氨基甲酸酯基中的基團。(A)側鏈型高分子在250nm～400nm的波長范圍的光下發生反應、且在100℃～300℃的溫度范圍內顯示液晶性即可。(A)側鏈型高分子優選具有因250nm～400nm的波長范圍的光而發生反應的感光性側鏈。(A)側鏈型高分子為了在100℃～300℃的溫度范圍內顯示液晶性而優選具有液晶原基團(mesogenicgroup)。(A)側鏈型高分子在主鏈上鍵合有具有感光性的側鏈，其能夠感應到光而發生交聯反應、異構化反應或光弗利斯重排。具有感光性的側鏈結構沒有特別限定，期望是感應到光而發生交聯反應或光弗利斯重排的結構，更期望是發生交聯反應的結構。此時，即使暴露于熱等外部應力也能夠長期穩定地保持已實現的取向控制能力。能夠表現出液晶性的感光性側鏈型高分子膜的結構只要滿足這種特性，就沒有特別限定，優選側鏈結構中具有剛直的液晶原成分。此時，將該側鏈型高分子制成液晶取向膜時，能夠獲得穩定的液晶取向。(A)側鏈型高分子通過具有上述式(0)所示的基團而給出電壓保持率(VHR)等的可靠性高的液晶取向膜。考慮這是因為：制成液晶取向膜時，上述式(0)所示的基團如交聯劑那樣地發揮作用，從而膜密度提高、離子性雜質向液晶中的溶出得以降低。此外，(A)側鏈型高分子通過包含具有選自含氮芳香族雜環基團、酰胺基和氨基甲酸酯基中的基團的側鏈(a)，能夠進一步提高電壓保持率(VHR)等的可靠性。考慮這是因為這些基團捕獲離子性雜質。該高分子的結構例如可以制成如下結構：具有主鏈和鍵合于其的側鏈，該側鏈具有聯苯基、三聯苯基、苯基環己基、苯甲酸苯酯基、偶氮苯基等液晶原成分以及鍵合于前端部的會感應到光而發生交聯反應、異構化反應的感光性基團；具有主鏈和鍵合于其的側鏈，該側鏈具有既成為液晶原成分也會發生光弗利斯重排反應的苯甲酸苯酯基。作為能夠表現出液晶性的感光性側鏈型高分子膜的結構的更具體例，優選為具有如下主鏈和如下側鏈的結構，所述主鏈由選自由烴、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富馬酸酯、馬來酸酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、乙烯基、馬來酰亞胺、降冰片烯等自由基聚合性基團和硅氧烷組成的組中的至少1種構成，所述側鏈包含上述式(0)所示的基團以及下述式(1)～(6)中的至少1種。式中，A、B、D各自獨立地表示單鍵、-O-、-CH2-、-COO-、-OCO-、-CONH-、-NH-CO-、-CH＝CH-CO-O-或-O-CO-CH＝CH-；S為碳數1～12的亞烷基，鍵合于它們的氫原子任選被鹵素基團取代；T為單鍵或碳數1～12的亞烷基，鍵合于它們的氫原子任選被鹵素基團取代；Y1表示選自1價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環和碳數5～8的脂環式烴中的環，或者是選自這些取代基中的相同或不同的2～6個環借助鍵合基團B鍵合而成的基團，鍵合于它們的氫原子各自獨立地任選被-COOR0(式中，R0表示氫原子或碳數1～5的烷基)、-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、鹵素基團、碳數1～5的烷基或碳數1～5的烷氧基取代；Y2為選自由2價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5～8的脂環式烴和它們的組合組成的組中的基團，鍵合于它們的氫原子各自獨立地任選被-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、鹵素基團、碳數1～5的烷基或碳數1～5的烷氧基取代；R表示羥基、碳數1～6的烷氧基，或者表示與Y1相同的定義；X表示單鍵、-COO-、-OCO-、-N＝N-、-CH＝CH-、-C≡C-、-CH＝CH-CO-O-或-O-CO-CH＝CH-，X的數量為2時，X任選彼此相同或不同；Cou表示香豆素-6-基或香豆素-7-基，鍵合于它們的氫原子各自獨立地任選被-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、鹵素基團、碳數1～5的烷基或碳數1～5的烷氧基取代；q1和q2中的一者為1，另一者為0；q3為0或1；P和Q各自獨立地為選自由2價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、碳數5～8的脂環式烴和它們的組合組成的組中的基團；其中，X為-CH＝CH-CO-O-、-O-CO-CH＝CH-時，-CH＝CH-所鍵合的一側的P或Q為芳香環；l1為0或1；l2為0～2的整數；l1和l2均為0時，T為單鍵時A也表示單鍵；l1為1時，T為單鍵時B也表示單鍵；H和I各自獨立地為選自2價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、吡咯環、和它們的組合中的基團。側鏈可以是選自由下述式(7)～(10)組成的組中的任一種感光性側鏈。式中，A、B、D、Y1、X、Y2和R具有與上述相同的定義；l表示1～12的整數；m表示0～2的整數，m1、m2表示1～3的整數；n表示0～12的整數(其中，n＝0時，B為單鍵)。側鏈可以為選自由下述式(11)～(13)組成的組中的任一種感光性側鏈。式中，A、X、l、m和R具有與上述相同的定義。側鏈可以為下述式(14)或(15)所示的感光性側鏈。式中，A、Y1、X、l、m1和m2具有與上述相同的定義。側鏈可以為下述式(16)或(17)所示的感光性側鏈。式中，A、X、l和m具有與上述相同的定義。此外，側鏈可以為下述式(18)或(19)所示的感光性側鏈。式中，A、B、Y1、q1、q2、m1和m2具有與上述相同的定義。R1表示氫原子、-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、鹵素基團、碳數1～5的烷基或碳數1～5的烷氧基。側鏈可以為下述式(20)所示的感光性側鏈。式中，A、Y1、X、l和m具有與上述相同的定義。此外，(A)側鏈型高分子可以具有選自由下述式(21)～(31)組成的組中的任一種液晶性側鏈。式中，A、B、q1和q2具有與上述相同的定義；Y3為選自由1價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環和碳數5～8的脂環式烴、以及它們的組合組成的組中的基團，鍵合于它們的氫原子各自獨立地任選被-NO2、-CN、鹵素基團、碳數1～5的烷基或碳數1～5的烷氧基取代；R3表示氫原子、-NO2、-CN、-CH＝C(CN)2、-CH＝CH-CN、鹵素基團、1價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環、碳數5～8的脂環式烴、碳數1～12的烷基或碳數1～12的烷氧基；l表示1～12的整數，m表示0～2的整數，其中，式(25)～(26)中，所有的m的總和為2以上，式(27)～(28)中，所有的m的總和為1以上，m1、m2和m3各自獨立地表示1～3的整數；R2表示氫原子、-NO2、-CN、鹵素基團、1價的苯環、萘環、聯苯環、呋喃環、含氮雜環和碳數5～8的脂環式烴、以及烷基或烷氧基；Z1、Z2表示單鍵、-CO-、-CH2O-、-CH＝N-、-CF2-。<<感光性側鏈型高分子的制法>>上述能夠表現出液晶性的感光性側鏈型高分子可以通過具有上述感光性側鏈的光反應性側鏈單體和液晶性側鏈單體進行聚合而得到。[具有式(0)所示側鏈的單體]作為具有前述式(0)所示側鏈的單體的更具體例，優選為具有如下聚合性基團和如下側鏈的結構，所述聚合性基團由選自由烴、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富馬酸酯、馬來酸酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、乙烯基、馬來酰亞胺、降冰片烯等自由基聚合性基團和硅氧烷組成的組中的至少1種構成，所述側鏈用上述式(0)表示。那種單體之中，作為具有環氧基的單體，具體而言，可列舉出例如(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸(3,4-環氧環己基)甲酯、烯丙基縮水甘油醚等化合物，其中，可列舉出(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸(3,4-環氧環己基)甲酯、3-乙烯基-7-氧雜雙環[4.1.0]庚烷、1,2-環氧基-5-己烯、1,7-辛二烯單環氧化物等。作為具有硫雜丙環的單體，具體而言，可列舉出例如將上述具有環氧基的單體中的環氧結構置換為硫雜丙環而成的單體等。作為具有氮丙啶的單體，具體而言，可列舉出例如將上述具有環氧基的單體中的環氧結構置換為氮丙啶或1-甲基氮丙啶而成的單體等。作為具有氧雜環丁烷基的單體，可列舉出例如具有氧雜環丁烷基的(甲基)丙烯酸酯等。這種單體之中，優選為3-(甲基丙烯酰氧基甲基)氧雜環丁烷、3-(丙烯酰氧基甲基)氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯酰氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷、3-(丙烯酰氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯酰氧基甲基)-2-三氟甲基氧雜環丁烷、3-(丙烯酰氧基甲基)-2-三氟甲基氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯酰氧基甲基)-2-苯基氧雜環丁烷、3-(丙烯酰氧基甲基)-2-苯基氧雜環丁烷、2-(甲基丙烯酰氧基甲基)氧雜環丁烷、2-(丙烯酰氧基甲基)氧雜環丁烷、2-(甲基丙烯酰氧基甲基)-4-三氟甲基氧雜環丁烷、2-(丙烯酰氧基甲基)-4-三氟甲基氧雜環丁烷，可列舉出3-(甲基丙烯酰氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷、3-(丙烯酰氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷等。作為具有硫雜環丁烷基的單體，優選為例如將具有氧雜環丁烷基的單體中的氧雜環丁烷基置換為硫雜環丁烷基而成的單體。作為具有氮雜環丁烷基(azetanegroup；アゼタン基)的單體，優選為例如將具有氧雜環丁烷基的單體中的氧雜環丁烷基置換為氮雜環丁烷基而成的單體。上述之中，從獲取性等的觀點出發，優選為具有環氧基的單體和具有氧雜環丁烷基的單體，更優選為具有環氧基的單體。其中，從獲取性的觀點出發，優選為(甲基)丙烯酸縮水甘油酯。[具有側鏈(a)的單體]作為本申請(A)成分的聚合物還包含具有選自含氮芳香族雜環基團、酰胺基和氨基甲酸酯基中的基團的側鏈(a)。通過含有所述側鏈(a)，制成液晶取向膜時，或許是因為降低離子性雜質的溶出且促進前述式(0)所示基團的交聯反應，因而能夠獲得耐久性更高的液晶取向膜。為了制造具有側鏈(a)的聚合物，使具有側鏈(a)的單體進行共聚即可。作為所述具有側鏈(a)的單體，優選為具有如下的聚合性基團且包含具有含氮芳香族雜環基團、酰胺基和氨基甲酸酯基的側鏈的結構，所述聚合性基團由選自由烴、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富馬酸酯、馬來酸酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、乙烯基、馬來酰亞胺、降冰片烯等自由基聚合性基團和硅氧烷組成的組中的至少1種構成。酰胺基和氨基甲酸酯基的NH任選被取代。作為任選被取代時的取代基，可列舉出烷基、氨基的保護基、芐基等。含氮芳香族雜環可以是含有至少1個、優選含有1個～4個選自由下述式[20a]、式[20b]和式[20c](式中，Z2為碳數1～5的直鏈或支鏈烷基)組成的組中的結構的芳香族環式烴。具體而言，可列舉出吡咯環、咪唑環、噁唑環、噻唑環、吡唑環、吡啶環、嘧啶環、喹啉環、吡唑啉環、異喹啉環、咔唑環、嘌呤環、噻二唑環、噠嗪環、吡唑啉環、三嗪環、吡唑烷環、三唑環、吡嗪環、苯并咪唑環、苯并咪唑環、喹啉環、菲咯啉環、吲哚環、喹喔啉環、苯并噻唑環、吩噻嗪環、噻二唑環、吖啶環等。進而，這些含氮芳香族雜環的碳原子上任選具有包含雜原子的取代基。這些之中，例如優選為吡啶環。這種單體之中，作為具有含氮芳香族雜環基團的單體，具體而言，可列舉出例如(甲基)丙烯酸2-(2-吡啶基羰基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(3-吡啶基羰基氧基)乙酯、(甲基)丙烯酸2-(4-吡啶基羰基氧基)乙酯等。作為具有酰胺基或氨基甲酸酯基的單體，具體而言，可列舉出例如(甲基)丙烯酸2-(4-甲基哌啶-1-基羰基氨基)乙酯、4-(6-甲基丙烯酰基氧基己基氧基)苯甲酸-N-(叔丁基氧基羰基)哌啶-4-酯、4-(6-甲基丙烯酰基氧基己基氧基)苯甲酸-2-(叔丁基氧基羰基氨基)乙酯等。[光反應性側鏈單體]光反應性側鏈單體是指：在形成高分子時，能夠形成在高分子的側鏈部位具有感光性側鏈的高分子的單體。作為側鏈所具有的光反應性基團，優選為下述結構及其衍生物。作為光反應性側鏈單體的更具體例，優選為具有如下聚合性基團和如下感光性側鏈的結構：所述聚合性基團由選自由烴、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富馬酸酯、馬來酸酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、乙烯基、馬來酰亞胺、降冰片烯等自由基聚合性基團和硅氧烷組成的組中的至少1種構成；以及，所述感光性側鏈包含上述式(1)～(6)中的至少1種，優選為例如包含上述式(7)～(10)中的至少1種的感光性側鏈、包含上述式(11)～(13)中的至少1種的感光性側鏈、上述式(14)或(15)所示的感光性側鏈、上述式(16)或(17)所示的感光性側鏈、上述式(18)或(19)所示的感光性側鏈、上述式(20)所示的感光性側鏈。本申請中，作為光反應性側鏈單體，提供下述式(1)～(11)所示的新型化合物(1)～(11)。式中，R表示氫原子或甲基；S表示碳數2～10的亞烷基；R10表示Br或CN；S表示碳數2～10的亞烷基；u表示0或1；以及Py表示2-吡啶基、3-吡啶基或4-吡啶基。[液晶性側鏈單體]液晶性側鏈單體是指如下的單體：源自該單體的高分子表現出液晶性，該高分子在側鏈部位能夠形成液晶原基團。作為側鏈所具有的液晶原基團，也可以是聯苯、苯甲酸苯酯等單獨成為液晶原結構的基團，也可以是苯甲酸等那樣地側鏈彼此通過氫鍵而成為液晶原結構的基團。作為側鏈所具有的液晶原基團，優選為下述結構。作為液晶性側鏈單體的更具體例，優選為具有如下聚合性基團和如下側鏈的結構，所述聚合性基團由選自由烴、(甲基)丙烯酸酯、衣康酸酯、富馬酸酯、馬來酸酯、α-亞甲基-γ-丁內酯、苯乙烯、乙烯基、馬來酰亞胺、降冰片烯等自由基聚合性基團和硅氧烷組成的組中的至少1種構成，所述側鏈包含上述式(21)～(31)中的至少1種。(A)側鏈型高分子可通過上述表現出液晶性的光反應性側鏈單體、具有前述式(0)所示側鏈的單體、具有側鏈(a)的單體的共聚反應來獲得。此外，可以通過不表現液晶性的光反應性側鏈單體與液晶性側鏈單體與具有前述式(0)所示側鏈的單體與具有側鏈(a)的單體的共聚來獲得，可以通過表現出液晶性的光反應性側鏈單體與液晶性側鏈單體與具有前述式(0)所示側鏈的單體與具有側鏈(a)的單體的共聚來獲得。進而，在不損害液晶性表現能力的范圍內，也可以與其它單體進行共聚。作為其它單體，可列舉出例如可工業獲取的能夠進行自由基聚合反應的單體。作為其它單體的具體例，可列舉出不飽和羧酸、丙烯酸酯化合物、甲基丙烯酸酯化合物、馬來酰亞胺化合物、丙烯腈、馬來酸酐、苯乙烯化合物和乙烯基化合物等。作為不飽和羧酸的具體例，可列舉出丙烯酸、甲基丙烯酸、衣康酸、馬來酸、富馬酸等。作為丙烯酸酯化合物，可列舉出例如丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸異丙酯、丙烯酸芐酯、丙烯酸萘酯、丙烯酸蒽酯、丙烯酸蒽基甲酯、丙烯酸苯酯、丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸異冰片酯、丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲氧基三乙二醇丙烯酸酯、丙烯酸2-乙氧基乙酯、丙烯酸四氫糠酯、丙烯酸3-甲氧基丁酯、丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、丙烯酸2-丙基-2-金剛烷基酯、丙烯酸8-甲基-8-三環癸酯、以及丙烯酸8-乙基-8-三環癸酯等。作為甲基丙烯酸酯化合物，可列舉出例如甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸異丙酯、甲基丙烯酸芐酯、甲基丙烯酸萘酯、甲基丙烯酸蒽酯、甲基丙烯酸蒽基甲酯、甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸2,2,2-三氟乙酯、甲基丙烯酸叔丁酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸異冰片酯、甲基丙烯酸2-甲氧基乙酯、甲氧基三乙二醇甲基丙烯酸酯、甲基丙烯酸2-乙氧基乙酯、甲基丙烯酸四氫糠酯、甲基丙烯酸3-甲氧基丁酯、甲基丙烯酸2-甲基-2-金剛烷基酯、甲基丙烯酸2-丙基-2-金剛烷基酯、甲基丙烯酸8-甲基-8-三環癸酯、以及甲基丙烯酸8-乙基-8-三環癸酯等。作為乙烯基化合物，可列舉出例如乙烯醚、甲基乙烯醚、芐基乙烯醚、2-羥基乙基乙烯醚、苯基乙烯醚、以及丙基乙烯醚等。作為苯乙烯化合物，可列舉出例如苯乙烯、甲基苯乙烯、氯苯乙烯、溴苯乙烯等。作為馬來酰亞胺化合物，可列舉出例如馬來酰亞胺、N-甲基馬來酰亞胺、N-苯基馬來酰亞胺、以及N-環己基馬來酰亞胺等。從可靠性的提高、對液晶取向性的影響這樣的觀點出發，本發明的側鏈型高分子中的式(0)所示側鏈的含量優選為0.1摩爾％～20摩爾％、更優選為0.5摩爾％～10摩爾％、進一步優選為1摩爾％～5摩爾％。從液晶取向性這樣的觀點出發，本發明的側鏈型高分子中的光反應性側鏈的含量優選為20摩爾％～99.9摩爾％、更優選為30摩爾％～95摩爾％、進一步優選為40摩爾％～90摩爾％。從液晶取向性這樣的觀點出發，本發明的側鏈型高分子中的液晶性側鏈的含量優選為80摩爾％以下、更優選為10摩爾％～70摩爾％、進一步優選為20摩爾％～60摩爾％。關于本發明的側鏈型高分子中的側鏈(a)的含量，從可靠性的提高、對液晶取向性的影響這樣的觀點出發，優選為20摩爾％以下、更優選為10摩爾％以下、進一步優選為5摩爾％以下。本發明的側鏈型高分子可以含有除上述式(0)所示的側鏈、光反應性側鏈、液晶性側鏈和側鏈(a)以外的其它側鏈。其含量在上述式(0)所示的側鏈、光反應性側鏈、液晶性側鏈和側鏈(a)的總含量不足100％時是其余量部分。針對本實施方式的側鏈型高分子的制造方法，沒有特別限定，可以利用工業上應用的通用方法。具體而言，可通過利用了液晶性側鏈單體、光反應性側鏈單體的乙烯基的陽離子聚合、自由基聚合、陰離子聚合來制造。這些之中，從反應控制容易度等觀點出發，特別優選為自由基聚合。作為自由基聚合的聚合引發劑，可以使用自由基聚合引發劑、可逆加成-斷裂型鏈轉移(RAFT)聚合試劑等公知的化合物。自由基熱聚合引發劑是通過加熱至分解溫度以上而產生自由基的化合物。作為這種自由基熱聚合引發劑，可列舉出例如過氧化酮類(甲乙酮過氧化物、環己酮過氧化物等)、過氧化二酰基類(過氧化乙酰、過氧化苯甲酰等)、過氧化氫類(過氧化氫、叔丁基過氧化氫、枯烯過氧化氫等)、二烷基過氧化物類(二叔丁基過氧化物、二枯基過氧化物、二月桂酰過氧化物等)、過氧化縮酮類(二丁基過氧化環己烷等)、烷基過氧化酯類(過氧化新癸酸叔丁酯、過氧化特戊酸叔丁酯、過氧化2-乙基環己甲酸叔戊酯等)、過硫酸鹽類(過硫酸鉀、過硫酸鈉、過硫酸銨等)、偶氮系化合物(偶氮雙異丁腈和2,2′-二(2-羥基乙基)偶氮雙異丁腈等)。這種自由基熱聚合引發劑可以單獨使用1種，或者，也可以組合使用2種以上。自由基光聚合引發劑只要是因光照射而引發自由基聚合的化合物，就沒有特別限定。作為這種自由基光聚合引發劑，可列舉出二苯甲酮、米蚩酮、4,4’-雙(二乙氨基)二苯甲酮、氧雜蒽酮、硫雜蒽酮、異丙基氧雜蒽酮、2,4-二乙基硫雜蒽酮、2-乙基蒽醌、苯乙酮、2-羥基-2-甲基苯丙酮、2-羥基-2-甲基-4’-異丙基苯丙酮、1-羥基環己基苯基甲酮、異丙基苯偶姻醚、異丁基苯偶姻醚、2,2-二乙氧基苯乙酮、2,2-二甲氧基-2-苯基苯乙酮、樟腦醌、苯并蒽酮、2-甲基-1-[4-(甲硫基)苯基]-2-嗎啉代丙-1-酮、2-芐基-2-二甲氨基-1-(4-嗎啉代苯基)-1-丁酮、4-二甲氨基苯甲酸乙酯、4-二甲氨基苯甲酸異戊酯、4,4’-二(叔丁基過氧基羰基)二苯甲酮、3,4,4’-三(叔丁基過氧基羰基)二苯甲酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、2-(4’-甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)均三嗪、2-(3’,4’-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)均三嗪、2-(2’,4’-二甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)均三嗪、2-(2’-甲氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)均三嗪、2-(4’-戊氧基苯乙烯基)-4,6-雙(三氯甲基)均三嗪、4-[對-N,N-二(乙氧基羰基甲基)]-2,6-二(三氯甲基)均三嗪、1,3-雙(三氯甲基)-5-(2’-氯苯基)均三嗪、1,3-雙(三氯甲基)-5-(4’-甲氧基苯基)均三嗪、2-(對二甲氨基苯乙烯基)苯并噁唑、2-(對二甲氨基苯乙烯基)苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑、3,3’-羰基雙(7-二乙氨基香豆素)、2-(鄰氯苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2-氯苯基)-4,4’,5,5’-四(4-乙氧基羰基苯基)-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2,4-二氯苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2,4-二溴苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、2,2’-雙(2,4,6-三氯苯基)-4,4’,5,5’-四苯基-1,2’-聯咪唑、3-(2-甲基-2-二甲氨基丙酰基)咔唑、3,6-雙(2-甲基-2-嗎啉代丙酰基)-9-正十二烷基咔唑、1-羥基環己基苯基甲酮、雙(5-2,4-環戊二烯-1-基)-雙(2,6-二氟-3-(1H-吡咯-1-基)-苯基)鈦、3,3’,4,4’-四(叔丁基過氧基羰基)二苯甲酮、3,3’,4,4’-四(叔己基過氧基羰基)二苯甲酮、3,3’-二(甲氧基羰基)-4,4’-二(叔丁基過氧基羰基)二苯甲酮、3,4’-二(甲氧基羰基)-4,3’-二(叔丁基過氧基羰基)二苯甲酮、4,4’-二(甲氧基羰基)-3,3’-二(叔丁基過氧基羰基)二苯甲酮、2-(3-甲基-3H-苯并噻唑-2-亞基)-1-萘-2-基-乙酮、或者2-(3-甲基-1,3-苯并噻唑-2(3H)-亞基)-1-(2-苯甲酰基)乙酮等。這些化合物可以單獨使用，也可以混合兩種以上使用。自由基聚合法沒有特別限定，可以使用乳液聚合法、懸浮聚合法、分散聚合法、沉淀聚合法、本體聚合法、溶液聚合法等。作為能夠表現出液晶性的感光性側鏈型高分子的聚合反應中使用的有機溶劑，只要是所生成的高分子會溶解的有機溶劑就沒有特別限定。以下列舉出其具體例。可列舉出：N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-乙基-2-吡咯烷酮、N-甲基己內酰胺、二甲基亞砜、四甲基脲、吡啶、二甲基砜、六甲基亞砜、γ-丁內酯、異丙醇、甲氧基甲基戊醇、二戊烯、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲乙酮、甲基異戊基酮、甲基異丙基酮、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、丁基卡必醇、乙基卡必醇、乙二醇、乙二醇單乙酸酯、乙二醇單異丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇叔丁醚、二丙二醇單甲醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二丙二醇單乙酸酯單甲醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單乙酸酯單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單乙酸酯單丙醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二異丙醚、乙基異丁醚、二異丁烯、乙酸戊酯、丁酸丁酯、丁醚、二異丁酮、甲基環己烯、丙醚、二己醚、二噁烷、正己烷、正戊烷、正辛烷、二乙醚、環己酮、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸正丁酯、丙二醇單乙醚醋酸酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、二甘醇二甲醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-乙氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺等。這些有機溶劑可以單獨使用，也可以混合使用。進而，即使是不溶解所生成的高分子的溶劑，只要在所生成的高分子不會析出的范圍內，則也可以混合至上述有機溶劑中使用。另外，在自由基聚合中，有機溶劑中的氧會成為阻礙聚合反應的原因，因此有機溶劑優選盡可能地脫氣后使用。自由基聚合時的聚合溫度能夠選擇30℃～150℃的任意溫度，優選為50℃～100℃的范圍。另外，反應可以以任意濃度進行，濃度過低時難以獲得高分子量的聚合物，濃度過高時，反應液的粘性變得過高而難以均勻地攪拌，因此單體濃度優選為1質量％～50質量％、更優選為5質量％～30質量％。反應初期以高濃度進行，其后可以追加有機溶劑。在上述自由基聚合反應中，自由基聚合引發劑相對于單體的比率較多時，所得高分子的分子量變小，自由基聚合引發劑相對于單體的比率較少時，所得高分子的分子量變大，因此自由基引發劑的比率相對于聚合單體優選為0.1摩爾％～10摩爾％。另外，也可以在聚合時追加各種單體成分、溶劑、引發劑等。[聚合物的回收]從利用上述反應得到的、能夠表現出液晶性的感光性側鏈型高分子的反應溶液中回收所生成的高分子時，將反應溶液投入至不良溶劑，使這些聚合物沉淀即可。作為用于沉淀的不良溶劑，可列舉出甲醇、丙酮、己烷、庚烷、丁基溶纖劑、庚烷、甲乙酮、甲基異丁酮、乙醇、甲苯、苯、二乙醚、甲乙醚、水等。投入至不良溶劑中而發生沉淀的聚合物可以在過濾回收后，在常壓或減壓下進行常溫干燥或加熱干燥。另外，重復進行2次～10次使沉淀回收的聚合物再溶解于有機溶劑并再沉淀回收的操作時，能夠減少聚合物中的雜質。作為此時的不良溶劑，可列舉出例如醇類、酮類、烴等，使用選自這些之中的3種以上不良溶劑時，精制效率進一步提高，故而優選。關于本發明的(A)側鏈型高分子的分子量，考慮到所得涂膜的強度、形成涂膜時的作業性、以及涂膜的均勻性時，利用GPC(GelPermeationChromatography；凝膠滲透色譜)法測定的重均分子量優選為2000～1000000，更優選為5000～100000。[聚合物組合物的制備]本發明中使用的聚合物組合物優選制備成涂布液的形式，使得適合于形成液晶取向膜。即，本發明所使用的聚合物組合物優選以用于形成樹脂覆膜的樹脂成分溶解于有機溶劑而成的溶液的形式來制備。此處，該樹脂成分是指包含上述說明的能夠表現出液晶性的感光性側鏈型高分子的樹脂成分。此時，樹脂成分的含量優選為1質量％～20質量％、更優選為3質量％～15質量％、特別優選為3質量％～10質量％。本實施方式的聚合物組合物中，前述樹脂成分可以全部均為上述能夠表現出液晶性的感光性側鏈型高分子，在不損害液晶表現能力和感光性能的范圍內，也可以混合除此之外的其它聚合物。此時，樹脂成分中的其它聚合物的含量為0.5質量％～80質量％、優選為1質量％～50質量％。這種其它聚合物可列舉出例如包含聚(甲基)丙烯酸酯、聚酰胺酸、聚酰亞胺等且不是能夠表現出液晶性的感光性側鏈型高分子的聚合物等。<(C)胺化合物>本發明中使用的聚合物組合物可以具有作為(C)成分的特定胺化合物，具體而言，可以具有在分子內具有含氮芳香族雜環和1個伯氨基、且前述伯氨基鍵合于脂肪族烴基或非芳香族環式烴基的胺化合物。這種化合物在WO2008/013285號公報中記載為(B)成分。通過含有所述胺化合物，在制成液晶取向膜時，或許是因為降低離子性雜質的溶出且促進前述式(0)所示基團的交聯反應，因而能夠獲得耐久性更高的液晶取向膜。特定的胺化合物只要在本發明所使用的聚合物組合物形成液晶取向膜時會發揮如下效果i)和/或ii)，就沒有特別限定。發揮i)在液晶取向膜的界面吸附液晶中的離子性雜質、和/或、ii)得以提高的電壓保持率。特定的胺化合物的量只要發揮上述效果就沒有特別限定，在本發明所使用的聚合物組合物100質量份中，為0.01～10質量份、優選為0.1～5質量份即可。<(D)成分>本發明的液晶取向劑中含有的(D)成分是具有烷氧基甲硅烷基以及1位和3位均被取代的脲結構的化合物(以下也稱為化合物D)。前述化合物只要在其化合物中具有1個以上的烷氧基甲硅烷基和1個以上的1位和3位均被取代的脲結構，則其它結構沒有特別限定，從獲取性等的觀點出發，優選的例子之一是下述式(d)所示的化合物。式中，X102為包含碳數1～20的脂肪族烴基或芳香族烴基的n價有機基團，n為1～6的整數，R102表示氫原子或烷基，n為2以上時，R102可以與其它R102一同形成亞烷基，或者，n為1～6時，R102可以通過還鍵合于X102而與X102一同形成環結構，L表示碳數2～20的亞烷基，R103和R104各自獨立地表示碳數1～4的烷基、碳數2～4的烯基或碳數2～4的炔基，q表示1～3的自然數。作為式(d)中的R103和R104，各自獨立地可列舉出甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、仲丁基，從原料獲取性、反應性的觀點出發，優選為甲基或乙基。作為式(d)中的L，可列舉出碳數2～20的亞烷基，從原料獲取性的觀點出發，優選為三亞甲基。作為式(d)中的q，優選為2或3，特別優選為3。作為式(d)中的n，優選為1、2或3，特別優選為1或2。(D)成分的化合物的一個方式是：X102為2價有機基團、R102為氫原子、L為三亞甲基的化合物(2-1)。這種式(2-1)所示的化合物可通過使二胺與2.05當量的三烷氧基甲硅烷基丙基異氰酸酯反應而得到。作為式(2-1)所示的化合物中的X，優選為選自下述結構式中的結構。(D)成分的化合物的一個方式是：X102為2價有機基團、R102彼此一起形成亞烷基、L為三亞甲基的化合物(2-2)。這種式(2-2)所示的化合物可通過使包含2個NH的環狀化合物與2.05當量的三烷氧基甲硅烷基丙基異氰酸酯反應而得到。作為式(2-2)所示的化合物中的X，優選為選自下述結構式中的結構。應予說明，為了方便，包括環內的氮原子進行記載。(D)成分的化合物的一個方式是：X102為2價有機基團、一個R102是氫原子、另一個R102還鍵合于X102而形成環、L為三亞甲基的化合物(2-3)。這種式(2-3)所示的化合物可通過使二胺與2.05當量的三烷氧基甲硅烷基丙基異氰酸酯反應而得到。作為式(2-3)所示的化合物中的X，優選為選自下述結構式中的結構。應予說明，為了方便，包括環內的氮原子進行記載。(D)成分的化合物的一個方式是：X102為3價有機基團、R102為氫原子、L為三亞甲基的化合物(2-4)。這種式(2-4)所示的化合物可通過使三胺化合物與3.05當量的三烷氧基甲硅烷基丙基異氰酸酯反應而得到。作為式(2-4)所示的化合物中的X，優選為選自下述結構式中的結構。(D)成分的化合物的一個方式是：X102為1價有機基、R102為氫原子、L為三亞甲基的化合物(2-5)。這種式(2-5)所示的化合物可通過使單胺化合物與1.05當量的三烷氧基甲硅烷基丙基異氰酸酯反應而得到。作為式(2-5)所示的化合物中的X，優選為選自下述結構式中的結構。(D)成分的化合物的一個方式是：X102為1價有機基團、R102鍵合于X102而形成環、L為三亞甲基的化合物(2-6)。這種式(2-6)所示的化合物可通過使包含1個NH的環狀化合物與1.05當量的三烷氧基甲硅烷基丙基異氰酸酯反應而得到。作為式(2-6)所示的化合物中的X，優選為選自下述結構式中的結構。應予說明，為了方便，包括環內的氮原子進行記載。應予說明，上述胺與異氰酸酯的反應中，關于異氰酸酯化合物的用量，相對于1個NH或NH2基反應0.98當量倍～1.2當量倍即可。更優選為1.0當量倍～1.05當量倍。作為反應溶劑，只要對反應為惰性就沒有特別限定，可列舉出例如己烷、環己烷、苯、甲苯等烴類；四氯化碳、氯仿、1,2-二氯乙烷等鹵素系烴類；二乙醚、二異丙醚、1,4-二噁烷、四氫呋喃等醚類；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮等酮類；乙腈、丙腈等腈類；醋酸乙酯、丙酸乙酯等羧酸酯類；N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、1,3-二甲基-2-咪唑啉酮等含氮非質子性極性溶劑；二甲基亞砜、環丁砜等含硫非質子性極性溶劑；吡啶、甲基吡啶等吡啶類等。這些溶劑可以單獨使用，也可以混合使用這些之中的2種以上。優選為甲苯、乙腈、醋酸乙酯、四氫呋喃，進一步優選為乙腈、四氫呋喃。溶劑的用量(反應濃度)沒有特別限定，可以不使用溶劑地實施反應，另外，使用溶劑時，相對于異氰酸酯化合物，可以使用0.1～100質量倍的溶劑。優選為0.5～30質量倍、進一步優選為1～10質量倍。反應溫度沒有特別限定，例如為-90～150℃、優選為-30～100℃、進一步優選為0℃～80℃。反應時間通常為0.05～200小時、優選為0.5～100小時。為了縮短反應時間，也可以添加催化劑，作為其例子，可列舉出月桂酸二丁基錫、二辛基錫雙(異辛基巰基乙酸酯)、二丁基錫雙(異辛基巰基乙酸酯)、二乙酸二丁基錫等有機錫化合物；三乙胺、三甲胺、三丙胺、三丁胺、二異丙基乙胺、N,N-二甲基環己胺、吡啶、四甲基丁二胺、N-甲基嗎啉、1,4-二氮雜雙環-2.2.2-辛烷、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一碳烯、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯等胺類；對甲苯磺酸、甲烷磺酸、氟硫酸等有機磺酸；硫酸、磷酸、高氯酸等無機酸；鈦酸四丁酯、鈦酸四乙酯、鈦酸四異丙酯等鈦化合物；三(2-乙基己酸)鉍等鉍系化合物；季銨鹽等。這些催化劑可以單獨使用1種，也可以組合使用2種以上。此外，這些催化劑優選為液體或者溶解于反應溶劑。添加催化劑時，相對于具有異氰酸酯基的化合物的總用量(質量)，以0.005wt％～100wt％的量使用催化劑即可，優選為0.05wt％～10wt％、進一步優選為0.1wt％～5wt％。作為催化劑，若使用有機錫化合物、鈦化合物、鉍系化合物，則優選同為0.005wt％～0.1wt％。本反應可以在常壓或加壓下進行，另外，可以是間歇式也可以是連續式。作為(D)成分的優選具體例，可列舉出S1～S4中任一者所示的化合物。(D)成分的化合物過多時，對液晶取向性、預傾角造成影響，(D)成分的化合物過少時，無法獲得本發明的效果。因此，(D)成分的化合物的添加量相對于(A)成分的聚合物優選為0.1～20質量％、更優選為1～10質量％。<有機溶劑>本發明所使用的聚合物組合物中使用的有機溶劑只要是能夠溶解樹脂成分的有機溶劑就沒有特別限定。以下列舉出其具體例。可列舉出：N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺、N-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基己內酰胺、2-吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、N-乙烯基吡咯烷酮、二甲基亞砜、四甲基脲、吡啶、二甲基砜、六甲基亞砜、γ-丁內酯、3-甲氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-乙氧基-N,N-二甲基丙酰胺、3-丁氧基-N,N-二甲基丙酰胺、1,3-二甲基咪唑啉酮、乙基戊基酮、甲基壬基酮、甲乙酮、甲基異戊基酮、甲基異丙基酮、環己酮、碳酸亞乙酯、碳酸亞丙酯、二甘醇二甲醚、4-羥基-4-甲基-2-戊酮、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇叔丁醚、二丙二醇單甲醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二丙二醇單乙酸酯單甲醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單乙酸酯單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單乙酸酯單丙醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲醚等。它們可以單獨使用，也可以混合使用。本發明中使用的聚合物組合物可以含有除上述(A)、(B)和(C)成分之外的成分。作為其例子，可列舉出在涂布聚合物組合物時提高膜厚均勻性、表面平滑性的溶劑和/或化合物，提高液晶取向膜與基板的密合性的化合物等，但不限定于此。作為提高膜厚均勻性、表面平滑性的溶劑(不良溶劑)的具體例，可列舉出以下溶劑。可列舉出例如異丙醇、甲氧基甲基戊醇、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑、甲基溶纖劑乙酸酯、乙基溶纖劑乙酸酯、丁基卡必醇、乙基卡必醇、乙基卡必醇乙酸酯、乙二醇、乙二醇單乙酸酯、乙二醇單異丙醚、乙二醇單丁醚、丙二醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇單甲醚、丙二醇叔丁醚、二丙二醇單甲醚、二乙二醇、二乙二醇單乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二丙二醇單乙酸酯單甲醚、二丙二醇單甲醚、二丙二醇單乙醚、二丙二醇單乙酸酯單乙醚、二丙二醇單丙醚、二丙二醇單乙酸酯單丙醚、3-甲基-3-甲氧基丁基乙酸酯、三丙二醇甲醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、二異丙醚、乙基異丁醚、二異丁烯、乙酸戊酯、丁酸丁酯、丁醚、二異丁酮、甲基環己烯、丙醚、二己醚、1-己醇、正己烷、正戊烷、正辛烷、二乙醚、乳酸甲酯、乳酸乙酯、醋酸甲酯、醋酸乙酯、醋酸正丁酯、丙二醇單乙醚醋酸酯、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-乙氧基丙酸甲基乙酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸、3-甲氧基丙酸、3-甲氧基丙酸丙酯、3-甲氧基丙酸丁酯、1-甲氧基-2-丙醇、1-乙氧基-2-丙醇、1-丁氧基-2-丙醇、1-苯氧基-2-丙醇、丙二醇單乙酸酯、丙二醇二乙酸酯、丙二醇-1-單甲醚-2-乙酸酯、丙二醇-1-單乙醚-2-乙酸酯、二丙二醇、2-(2-乙氧基丙氧基)丙醇、乳酸甲酯、乳酸乙酯、乳酸正丙酯、乳酸正丁酯、乳酸異戊酯等具有低表面張力的溶劑等。這些不良溶劑可以使用1種，也可以混合使用多種。使用上述那樣的溶劑時，為了不使聚合物組合物中包含的溶劑整體的溶解性顯著降低，優選為溶劑整體的5質量％～80質量％、更優選為20質量％～60質量％。作為提高膜厚均勻性、表面平滑性的化合物，可列舉出氟系表面活性劑、有機硅系表面活性劑和非離子系表面活性劑等。更具體而言，可列舉出例如Eftop(注冊商標)301、EF303、EF352(TohkemproductsCorporation制)、Megafac(注冊商標)F171、F173、R-30(DICCORPORATION制)、FluoradFC430、FC431(Sumitomo3MLimited制)、AsahiGuard(注冊商標)AG710(旭硝子株式會社制)、Surflon(注冊商標)S-382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106(AGCSEIMICHEMICALCO.,LTD.制)等。這些表面活性劑的使用比例相對于聚合物組合物中含有的樹脂成分100質量份優選為0.01質量份～2質量份、更優選為0.01質量份～1質量份。作為提高液晶取向膜與基板的密合性的化合物的具體例，可列舉出以下示出的含官能性硅烷的化合物等。可列舉出例如3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、2-氨基丙基三甲氧基硅烷、2-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-脲丙基三甲氧基硅烷、3-脲丙基三乙氧基硅烷、N-乙氧基羰基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-乙氧基羰基-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-三乙氧基甲硅烷基丙基三亞乙基三胺、N-三甲氧基甲硅烷基丙基三亞乙基三胺、10-三甲氧基甲硅烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、10-三乙氧基甲硅烷基-1,4,7-三氮雜癸烷、9-三甲氧基甲硅烷基-3,6-二氮雜壬基乙酸酯、9-三乙氧基甲硅烷基-3,6-二氮雜壬基乙酸酯、N-芐基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-芐基-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基-3-氨基丙基三乙氧基硅烷、N-雙(氧亞乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、N-雙(氧亞乙基)-3-氨基丙基三乙氧基硅烷等。進而，為了提高基板與液晶取向膜的密合性、且防止構成液晶表示元件時由背光導致的電特性降低等，可以在聚合物組合物中含有如下那樣的酚醛塑料系、含環氧基的化合物的添加劑。以下示出具體的酚醛塑料系添加劑，但不限定于該結構。作為具體的含環氧基的化合物，可例示出乙二醇二縮水甘油醚、聚乙二醇二縮水甘油醚、丙二醇二縮水甘油醚、三丙二醇二縮水甘油醚、聚丙二醇二縮水甘油醚、新戊二醇二縮水甘油醚、1,6-己二醇二縮水甘油醚、甘油二縮水甘油醚、2,2-二溴新戊二醇二縮水甘油醚、1,3,5,6-四縮水甘油基-2,4-己二醇、N,N,N’,N’,-四縮水甘油基間苯二甲胺、1,3-雙(N,N-二縮水甘油基氨基甲基)環己烷、N,N,N’,N’,-四縮水甘油基-4,4’-二氨基二苯基甲烷等。使用用于提高液晶取向膜與基板的密合性的化合物時，其用量相對于聚合物組合物中含有的樹脂成分100質量份優選為0.1質量份～30質量份、更優選為1質量份～20質量份。用量不足0.1質量份時，無法期待提高密合性的效果，多于30質量份時，液晶的取向性有時變差。作為添加劑，也可以使用光敏劑。優選為無色敏化劑和三重態敏化劑。作為光敏劑，有芳香族硝基化合物、香豆素(7-二乙氨基-4-甲基香豆素、7-羥基-4-甲基香豆素)、香豆素酮、羰基雙香豆素、芳香族2-羥基酮、以及經氨基取代的芳香族2-羥基酮(2-羥基二苯甲酮、單對(二甲氨基)-2-羥基二苯甲酮或二對(二甲氨基)-2-羥基二苯甲酮)、苯乙酮、蒽醌、氧雜蒽酮、硫雜蒽酮、苯并蒽酮、噻唑啉(2-苯甲酰基亞甲基-3-甲基-β-萘并噻唑啉、2-(β-萘甲酰基亞甲基)-3-甲基苯并噻唑啉、2-(α-萘甲酰基亞甲基)-3-甲基苯并噻唑啉、2-(4-聯苯甲酰基亞甲基)-3-甲基苯并噻唑啉、2-(β-萘甲酰基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噻唑啉、2-(4-聯苯甲酰基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噻唑啉、2-(對氟苯甲酰基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噻唑啉)、噁唑啉(2-苯甲酰基亞甲基-3-甲基-β-萘并噁唑啉、2-(β-萘甲酰基亞甲基)-3-甲基苯并噁唑啉、2-(α-萘甲酰基亞甲基)-3-甲基苯并噁唑啉、2-(4-聯苯甲酰基亞甲基)-3-甲基苯并噁唑啉、2-(β-萘甲酰基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噁唑啉、2-(4-聯苯甲酰基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噁唑啉、2-(對氟苯甲酰基亞甲基)-3-甲基-β-萘并噁唑啉)、苯并噻唑、硝基苯胺(間硝基苯胺或對硝基苯胺、2,4,6-三硝基苯胺)或硝基苊(5-硝基苊)、(2-[(間羥基對甲氧基)苯乙烯基]苯并噻唑、苯偶姻烷基醚、N-烷基化酞酮、苯乙酮縮酮(2,2-二甲氧基苯基乙酮)、萘、蒽(2-萘甲醇、2-萘羧酸、9-蒽甲醇和9-蒽羧酸)、苯并吡喃、偶氮中氮茚、梅洛香豆素(日文：メロクマリン)等。優選為芳香族2-羥基酮(二苯甲酮)、香豆素、香豆素酮、羰基雙香豆素、苯乙酮、蒽醌、氧雜蒽酮、硫雜蒽酮和苯乙酮縮酮。聚合物組合物中除了上述物質之外，只要在不損害本發明效果的范圍內，出于改變液晶取向膜的介電常數、導電性等電特性的目的，可以添加介電體、導電物質，進而出于在制成液晶取向膜時提高膜的硬度、致密度的目的，可以添加交聯性化合物。將上述聚合物組合物涂布在具有橫向電場驅動用導電膜的基板上的方法沒有特別限定。關于涂布方法，工業上通常是利用絲網印刷、膠版印刷、柔性印刷或噴墨法等進行的方法。作為其它涂布方法，有浸漬法、輥涂法、狹縫涂布法、旋涂法(旋轉涂布法)或噴涂法等，可根據目的使用它們。在具有橫向電場驅動用導電膜的基板上涂布聚合物組合物后，利用熱板、熱循環型烘箱或IR(紅外線)型烘箱等加熱手段以50～200℃、優選以50～150℃使溶劑蒸發，從而能夠得到涂膜。此時的干燥溫度優選低于側鏈型高分子的液晶相表現溫度。涂膜的厚度過厚時，在液晶表示元件的耗電方面是不利的，涂膜的厚度過薄時，液晶表示元件的可靠性有時會降低，因此優選為5nm～300nm、更優選為10nm～150nm。另外，在[I]工序之后且接下來的[II]工序之前，還可以設置將形成有涂膜的基板冷卻至室溫的工序。<工序[II]>在工序[II]中，對工序[I]中得到的涂膜照射偏振紫外線。對涂膜的膜面照射偏振紫外線時，從特定方向隔著偏振板對基板照射偏振紫外線。作為要使用的紫外線，可以使用波長為100nm～400nm范圍的紫外線。優選的是，根據要使用的涂膜種類，借助濾波器等選擇最佳的波長。并且，例如可以選擇使用波長為290nm～400nm范圍的紫外線，以便能夠選擇性地誘發光交聯反應。作為紫外線，可以使用例如由高壓汞燈發出的光。偏振紫外線的照射量取決于要使用的涂膜。關于照射量，優選設為實現ΔA的最大值(以下也稱為ΔAmax)的偏振紫外線的量的1％～70％的范圍內、更優選設為1％～50％的范圍內，所述ΔA是該涂膜的、平行于偏振紫外線的偏振方向的方向的紫外線吸光度與垂直于偏振紫外線的偏振方向的方向的紫外線吸光度之差。<工序[III]>工序[III]中，加熱在工序[II]中照射了偏振紫外線的涂膜。通過加熱而能夠對涂膜賦予取向控制能力。加熱可以使用熱板、熱循環型烘箱或IR(紅外線)型烘箱等加熱手段。加熱溫度可以考慮使所用的涂膜表現出液晶性的溫度來確定。加熱溫度優選為側鏈型高分子會表現出液晶性的溫度(以下稱為液晶表現溫度)的溫度范圍內。可預測到：在涂膜之類的薄膜表面的情況下，涂膜表面的液晶表現溫度低于整體觀察可表現出液晶性的感光性側鏈型高分子時的液晶表現溫度。因此，加熱溫度更優選為涂膜表面的液晶表現溫度的溫度范圍內。即，照射偏振紫外線后的加熱溫度的溫度范圍優選是將比所用側鏈型高分子的液晶表現溫度的溫度范圍的下限低10℃的溫度作為下限、且將比該液晶溫度范圍的上限低10℃的溫度作為上限的范圍的溫度。加熱溫度低于上述溫度范圍時，存在涂膜中的由熱帶來的各向異性增幅效果不充分的傾向，另外，加熱溫度與上述溫度范圍相比過高時，存在涂膜狀態接近于各向同性的液體狀態(各向同性相)的傾向，此時，有時難以通過自組裝化而沿一個方向再取向。需要說明的是，液晶表現溫度是指：側鏈型高分子或涂膜表面從固體相向液晶相發生相轉變的玻璃化轉變溫度(Tg)以上、且從液晶相向各向同性相(isotropicphase)發生相轉變的各向同性相轉變溫度(Tiso)以下的溫度。出于與工序[I]中記載的理由相同的理由，加熱后形成的涂膜的厚度可以優選為5nm～300nm、更優選為50nm～150nm。通過具有如上工序，在本發明的制造方法中，能夠實現對涂膜高效地導入各向異性。并且，能夠高效地制造帶液晶取向膜的基板。<工序[IV]>[IV]工序是：將在[III]中得到的橫向電場驅動用導電膜上具有液晶取向膜的基板(第1基板)與同樣地在上述[I’]～[III’]中得到的不具有導電膜的帶液晶取向膜的基板(第2基板)隔著液晶以兩者的液晶取向膜相對的方式進行對向配置，利用公知的方法制作液晶單元，從而制作橫向電場驅動型液晶表示元件的工序。需要說明的是，工序[I’]～[III’]中，除了在工序[I]中使用不具有橫向電場驅動用導電膜的基板來代替具有該橫向電場驅動用導電膜的基板之外，可與工序[I]～[III]同樣地進行。工序[I]～[III]與工序[I’]～[III’]的不同點僅在于有無上述導電膜，因此省略工序[I’]～[III’]的說明。若列舉出液晶單元或液晶表示元件的一個制作例，則可例示出如下方法：準備上述的第1基板和第2基板，在一個基板的液晶取向膜上散布間隔物，以液晶取向膜面成為內側的方式粘貼于另一個基板，減壓注入液晶并密封的方法；或者，向散布有間隔物的液晶取向膜面滴加液晶后，粘貼基板并進行密封的方法等。此時，一側的基板優選使用具有橫向電場驅動用梳齒狀結構的電極的基板。此時的間隔物直徑優選為1μm～30μm、更優選為2μm～10μm。該間隔物直徑決定用于夾持液晶層的一對基板的間距、即液晶層的厚度。本發明的帶涂膜的基板的制造方法中，將聚合物組合物涂布在基板上而形成涂膜后，照射偏振紫外線。接著，通過進行加熱而實現向側鏈型高分子膜中高效地導入各向異性，從而制造帶有具備液晶取向控制能力的液晶取向膜的基板。本發明所用的涂膜中，利用側鏈的光反應和基于液晶性的自組裝化所誘發的分子再取向的原理，實現對涂膜高效地導入各向異性。本發明的制造方法中，側鏈型高分子具有光交聯性基團作為光反應性基團的結構的情況下，使用側鏈型高分子在基板上形成涂膜后，照射偏振紫外線，接著進行加熱后，制作液晶表示元件。因此，本發明的方法中使用的涂膜通過依次進行對涂膜照射偏振紫外線和加熱處理，從而被高效地導入各向異性，能夠制成取向控制能力優異的液晶取向膜。并且，對于本發明的方法中使用的涂膜而言，優化對涂膜照射的偏振紫外線的照射量和加熱處理的加熱溫度。由此能夠實現對涂膜高效地導入各向異性。對于向本發明中使用的涂膜高效地導入各向異性而言最佳的偏振紫外線的照射量對應于使該涂膜中的感光性基團發生光交聯反應、光異構化反應或光弗利斯重排反應的量達到最佳的偏振紫外線照射量。對本發明中使用的涂膜照射偏振紫外線的結果，進行光交聯反應、光異構化反應或光弗利斯重排反應的側鏈的感光性基團少時，達不到充分的光反應量。此時，即使在其后進行加熱也不會進行充分的自組裝化。另一方面，對于本發明中使用的涂膜而言，對具有光交聯性基團的結構照射偏振紫外線的結果，進行交聯反應的側鏈的感光性基團過量時，側鏈間的交聯反應會過度推進。此時，所得膜變得剛直，有時妨礙其后通過加熱進行自組裝化。另外，對于本發明中使用的涂膜而言，對具有光弗利斯重排基團的結構照射偏振紫外線的結果，進行光弗利斯重排反應的側鏈的感光性基團變得過量時，涂膜的液晶性會過分降低。此時，所得膜的液晶性也降低，有時妨礙其后通過加熱進行自組裝化。進而，對具有光弗利斯重排基團的結構照射偏振紫外線時，若紫外線的照射量過多，則側鏈型高分子發生光分解，有時妨礙其后通過加熱進行自組裝化。因此，在本發明所使用的涂膜中，側鏈的感光性基團因偏振紫外線的照射而發生光交聯反應、光異構化反應或光弗利斯重排反應的最佳量優選設為該側鏈型高分子膜所具有的感光性基團的0.1摩爾％～40摩爾％、更優選設為0.1摩爾％～20摩爾％。通過使進行光反應的側鏈的感光性基團的量為這種范圍，其后的加熱處理中的自組裝化會高效推進，能夠在膜中高效地形成各向異性。本發明的方法所使用的涂膜中，通過偏振紫外線的照射量的優化，從而優化側鏈型高分子膜的側鏈中的感光性基團的光交聯反應、光異構化反應或光弗利斯重排反應的量。并且，與其后的加熱處理一并實現向本發明所使用的涂膜中高效地導入各向異性。此時，針對適合的偏振紫外線量，能夠基于本發明所使用的涂膜的紫外吸收的評價來進行。即，針對本發明中使用的涂膜，分別測定在偏振紫外線照射后的、平行于偏振紫外線的偏振方向的方向的紫外線吸收和垂直于偏振紫外線的偏振方向的方向的紫外線吸收。由紫外吸收的測定結果評價ΔA，所述ΔA是該涂膜的平行于偏振紫外線的偏振方向的方向的紫外線吸光度與垂直于偏振紫外線的偏振方向的方向的紫外線吸光度之差。并且，求出本發明所使用的涂膜中實現的ΔA的最大值(ΔAmax)和實現其的偏振紫外線的照射量。本發明的制造方法中，將實現該ΔAmax的偏振紫外線照射量作為基準，能夠確定在液晶取向膜的制造中照射的優選量的偏振紫外線量。本發明的制造方法中，優選將對本發明所使用的涂膜照射的偏振紫外線的照射量設為會實現ΔAmax的偏振紫外線的量的1％～70％的范圍內、更優選設為1％～50％的范圍內。在本發明所使用的涂膜中，會實現ΔAmax的偏振紫外線的量的1％～50％的范圍內的偏振紫外線的照射量相當于使該側鏈型高分子膜所具有的感光性基團整體的0.1摩爾％～20摩爾％發生光交聯反應的偏振紫外線的量。如上所述，在本發明的制造方法中，為了實現對涂膜高效地導入各向異性，以該側鏈型高分子的液晶溫度范圍作為基準，確定上述那樣的適合加熱溫度即可。因此，例如本發明所使用的側鏈型高分子的液晶溫度范圍為100℃～200℃時，期望使偏振紫外線照射后的加熱溫度為90℃～190℃。通過這樣設定，對本發明所使用的涂膜賦予更大的各向異性。通過這樣操作，通過本發明而提供的液晶表示元件對光、熱等外部應力顯示高可靠性。如上那樣操作，通過本發明方法而制造的橫向電場驅動型液晶表示元件用基板或者具有該基板的橫向電場驅動型液晶表示元件的可靠性優異，可適合地用于大畫面且高清晰的液晶電視等。以下，使用實施例來說明本發明，但本發明不限定于該實施例。實施例以下示出實施例中使用的甲基丙烯酸類單體MA1、MA2；作為具有環氧側鏈的單體的GMA、HBAGE、G1以及添加劑T1。需要說明的是，MA1和MA2分別如下合成。即，MA1是通過專利文獻(WO2011-084546)所述的合成方法而合成的。MA2是通過專利文獻(日本特開平9-118717)所述的合成方法而合成的。G1是通過下述合成例1所述的合成方法而合成的。GMA(甲基丙烯酸縮水甘油酯)、HBAGE(丙烯酸羥基丁酯縮水甘油醚)、添加劑T1(3-氨基甲基吡啶)使用了可市售購買的物質。<合成例1>特定縮水甘油基化合物(C1)的合成向羧酸衍生物(MA2)(18.4g、60mmol)的THF(四氫呋喃)溶液(184g)中添加(COCl)2(草酰氯)(11.4g、90mmol)和DMF(二甲基甲酰胺)2滴，使其在室溫下反應2小時。將該溶液濃縮而得到的固體用THF(350g)溶解。耗費1小時將該溶液滴加至縮水甘油(8.89g、120mmol)和三乙胺(13.4g、132mmol)的THF溶液(88g)，使其反應18小時。其后，添加醋酸乙酯(500g)，用水(300g)對有機相清洗3次，用硫酸鎂使其干燥。通過過濾而去除硫酸鎂后，進行濃縮而得到粗產物。使用醋酸乙酯和己烷對所得粗產物進行硅膠層析，得到白色固體形式的C1。(產量：14.9g、收率：69％)。縮水甘油基衍生物(C1)：1H-NMR(CDCl3，δppm)：8.01(d，2H)，7.01(d，2H)，6.01(s，1H)，5.56(s，1H)，4.65-4.61(m，1H)，4.18-4.12(m，3H)，4.02(t，2H)，3.36-3.32(m，1H)，2.91-2.89(m，1H)，2.74-2.72(m，1H)，1.95-1.94(m，3H)，1.86-1.79(m，2H)，1.76-1.69(m，2H)，1.57-1.44(m，4H).<合成例2>化合物A1的合成向1L四頸燒瓶中添加化合物[A](63.42g、287mmol)、化合物[B](50.00g、406mmol)、EDC(N-乙基-N’-(3-二甲基氨基丙基)碳二亞胺鹽酸鹽)(93.43g、487mmol)、DMAP(4-二甲基氨基吡啶)(4.96g、40.6mmol)、THF(500g)，在23℃下進行反應。用HPLC進行反應追蹤，確認反應結束后，將反應溶液注入至蒸餾水(3L)中，添加醋酸乙酯(1L)，通過分液操作去除水層。其后，將有機層用蒸餾水(1L)清洗2次后，將有機層用硫酸鎂干燥。其后，進行過濾，并用旋轉蒸發儀蒸餾去除溶劑，從而得到油狀化合物形式的化合物[A1]86.3g(收率為92％)。1H-NMR(400MHz,CDCl3,δppm):8.81-8.79(2H,dd),7.86-7.85(2H,dd),6.16-6.14(1H,m),5.62-5.60(1H,m),4.63-4.61(2H,m),5.62-5.60(2H,m),4.63-4.61(2H,m),4.52-4.60(2H,m),1.97-1.95(3H,m).<合成例3>化合物A2的合成向500ml四頸燒瓶中投入1-甲基哌嗪15.00g、甲苯120g，以5℃進行攪拌的條件下，耗費50分鐘滴加將甲基丙烯酸2-異氰酸根合乙酯24.40g用甲苯30g稀釋得到的溶液后，在室溫下攪拌3小時。接著，通過將反應液用旋轉蒸發儀進行減壓濃縮而調整至約一半的重量后，添加庚烷75g。接著，對以5℃攪拌一段時間而析出的晶體進行減壓抽濾后，減壓干燥而得到化合物[A2]33.26g(收率：87％、性狀：白色晶體)。1H-NMR(400MHz)ind6-DMSO：6.65ppm(m,1H),6.06ppm(s,1H),5.67ppm(s,1H),4.08ppm(t,J＝6.0Hz,2H),3.38-3.15ppm(m,6H),2.22ppm(t,J＝4.8Hz,4H),2.15ppm(s,3H),1.88ppm(s,3H)<合成例4>化合物A3的合成添加羧酸衍生物[MA2](86.39g、282mmol)、化合物[C](50.00g、310mmol)、EDC(64.87g、338mmol)、DMAP(3.45g、28.2mmol)、THF(900g)，以23℃進行反應。用HPLC進行反應追蹤，確認反應結束后，將反應溶液注入至蒸餾水(4L)中，添加醋酸乙酯(1L)，通過分液操作去除水層。其后，將有機層用蒸餾水(1L)清洗2次后，將有機層用硫酸鎂干燥。其后，進行過濾，并用旋轉蒸發儀蒸餾去除溶劑，從而得到油狀化合物形式的化合物[A3]121.7g(收率為96％)。1H-NMR(400MHz,DMSO-d6,δppm):7.92(2H,d),7.01(2H,d),7.06(1H,t),6.01(1H,m),5.65(1H,m),4.17(2H,t),4.08(2H,t),4.05-4.02(2H,m),3.29-3.26(2H,m),1.86(3H,s),1.75-1.72(2H,m),1.65-1.62(2H,m),1.50-1.36(17H,m).<合成例5>化合物A4的合成添加羧酸衍生物[MA2](69.17g、286mmol)、化合物[D](50.00g、248mmol)、EDC(51.95g、271mmol)、DMAP(2.76g、22.58mmol)、THF(700g)，以23℃進行反應。用HPLC進行反應追蹤，確認反應結束后，將反應溶液注入至蒸餾水(4L)中，添加醋酸乙酯(1L)，通過分液操作去除水層。其后，將有機層用蒸餾水(1L)清洗2次后，將有機層用硫酸鎂干燥。其后，進行過濾，并用旋轉蒸發儀蒸餾去除溶劑，從而得到油狀化合物形式的化合物[A4]100.9g(收率為91％)。1H-NMR(400MHz,DMSO-d6,δppm):7.91(2H,d),6.92(2H,d),6.01(1H,s),5.65(1H,s),4.14-4.06(2H,m),3.67-3.60(2H,m),3.34-3.27(1H,m),2.98-2.93(1H,m),1.87(3H,s),1.79-1.38(24H,m).另外，本實施例中使用的試劑簡稱如下所示。(有機溶劑)THF：四氫呋喃NMP：N-甲基-2-吡咯烷酮BC：丁基溶纖劑PB：丙二醇單丁醚(聚合引發劑)AIBN：2,2’-偶氮雙異丁腈<化合物S1的合成>向2L四頸燒瓶中投入4,4’-二氨基二苯基胺20.00g、THF300g，在冰冷攪拌下耗費30分鐘滴加將三乙氧基甲硅烷基丙基異氰酸酯50.90g用THF100g稀釋得到的溶液，然后在室溫下攪拌18小時。其后，將反應液減壓濃縮，將THF蒸餾去除至一半左右。接著，在室溫下添加乙腈720g，攪拌30分鐘后，在5℃下攪拌一段時間。將由此析出的晶體進行減壓過濾并減壓干燥，從而得到化合物S160.70g(收率：87％、性狀：白色固體)。1H-NMR(400MHz)ind6-DMSO：8.10ppm(s,2H),7.61ppm(s,1H),7.20ppm(d,J＝7.6Hz,4H),6.87ppm(d,J＝7.6Hz,4H),6.04-6.00ppm(m,2H),3.75ppm(q,J＝6.8Hz,12H),3.34ppm(s,2H),3.06-3.00ppm(m,4H),1.50-1.42ppm(m,4H),1.14ppm(t,J＝6.8Hz,18H),0.58-0.52ppm(m,4H).<化合物S2的合成>向300mL四頸燒瓶中投入1,4-二氨基苯4.00g、THF60g，在冰冷攪拌下耗費1.5小時滴加將三乙氧基甲硅烷基丙基異氰酸酯18.76g用THF20g稀釋得到的溶液，然后在室溫下攪拌18小時。其后，將反應液中析出的晶體減壓過濾，并將其轉移至其它的300mL四頸燒瓶中。接著，向其中添加乙腈100g后，在室溫下攪拌一段時間。對由此得到的晶體漿液進行減壓過濾、減壓干燥，從而得到化合物S218.98g(收率：85％、性狀：白色固體)。1H-NMR(400MHz)inCDCl3：7.60-7.47ppm(br,2H),6.51ppm(s,4H),6.46-6.30ppm(br,2H),3.81ppm(q,J＝6.8Hz,12H),3.24-3.10ppm(m,4H),1.70-1.57ppm(m,4H),1.22ppm(t,J＝6.8Hz,18H),0.67-0.62ppm(m,4H).<聚合物合成例11>將MA1(3.98g)、MA2(5.51g)、GMA(0.04g)、A1(0.07g)溶解在THF(40.0g)中，用隔膜泵進行脫氣后，添加AIBN(0.24g)并再次進行脫氣。其后，以60℃反應6小時，得到甲基丙烯酸酯的聚合物溶液。將該聚合物溶液滴加至甲醇(300ml)中，對所得沉淀物進行過濾。將該沉淀物用甲醇清洗并減壓干燥，從而得到甲基丙烯酸酯聚合物粉末P11。<聚合物合成例12～21>使用與聚合物合成例11相同的方法合成表1所示的組成。[表1]表1.<實施例11>向通過聚合物合成11得到的甲基丙烯酸酯聚合物粉末P11(0.4g)中添加N-乙基-2-吡咯烷酮(NEP)(5.1g)，在室溫下攪拌1小時而使其溶解。通過向該溶液中添加PB(4.5g)并攪拌，從而得到聚合物溶液T11。該聚合物溶液直接作為用于形成液晶取向膜的液晶取向劑。<實施例12～25>使用表2所示組成，利用與實施例11相同的方法來制備液晶取向劑，得到實施例12～25的液晶取向劑T12～T25。[表2]表2.<對照聚合物合成例1>將M1(3.98g)、M2(5.51g)溶解在THF(40.0g)中，用隔膜泵進行脫氣后，添加AIBN(0.24g)并再次進行脫氣。其后，以60℃反應6小時，得到甲基丙烯酸酯的聚合物溶液。將該聚合物溶液滴加至甲醇(300ml)，濾取所得沉淀物。將該沉淀物物用甲醇清洗并減壓干燥，從而得到甲基丙烯酸酯聚合物粉末CP1。<對照聚合物合成例2～4>使用與聚合物對照聚合物合成例1相同的方法，合成表3所示的組成。[表3]表3.<對照11>向通過對照聚合物合成例1得到的甲基丙烯酸酯聚合物粉末CP1(0.4g)中添加NEP(5.1g)，在室溫下攪拌1小時而使其溶解。通過向該溶液中添加PB(4.5g)并攪拌，得到聚合物溶液CT11。該聚合物溶液直接作為用于形成液晶取向膜的液晶取向劑。<對照12～16>使用表4所示的組成，利用與對照11相同的方法來制備液晶取向劑，從而得到對照12～16的液晶取向劑CT12～CT16。[表4]表4.<液晶單元的制作>將實施例11中得到的液晶取向劑(T11)用0.45μm的過濾器過濾后，旋涂在附帶透明電極的玻璃基板上，在70℃的熱板上干燥90秒后，形成膜厚為100nm的液晶取向膜。接著，隔著偏振板以15mJ/cm2對涂膜面照射313nm的紫外線后，用140℃的熱板加熱10分鐘，得到附帶液晶取向膜的基板。準備2片這種附帶液晶取向膜的基板，在一塊基板的液晶取向膜面上設置6μm的間隔物后，以2塊基板的刷磨方向達到平行的方式進行組合，殘留液晶注入口并密封周圍，制作單元間隙為4μm的空單元。通過減壓注入法向該空單元中注入液晶MLC-3019(MERCKCORPORATION制)，密封注入口，得到液晶經平行取向而得到的液晶單元。使用實施例12～25中得到的液晶取向劑T12～T25、對照11～16中得到的液晶取向劑CT11～CT16，同樣地制作液晶單元。<殘像評價>將上述準備的IPS模式用液晶單元設置在以偏振軸正交的方式配置的2個偏振板之間，在未施加電壓的狀態下點亮背光，調整液晶單元的配置角度以使透射光的亮度達到最小。并且，將使液晶單元從像素的第2區域達到最暗的角度旋轉至第1區域達到最暗的角度為止時的旋轉角度作為初期取向方位角來算出。接著，在60℃的烘箱中以30Hz的頻率施加168小時的16VPP交流電壓。其后，使液晶單元的像素電極與對向電極之間呈現短路狀態，直接在室溫下放置1小時。放置后，同樣操作而測定取向方位角，將交流驅動前后的取向方位角之差作為角度Δ(度)來算出。在其它實施例中同樣地測定。其結果，所有實施例中，角度Δ均為0.1以下。通過對表現出液晶性的側鏈型高分子膜照射紫外線后，在液晶表現溫度的范圍內進行加熱，或許是高分子整體因自組裝化而被高效地賦予液晶取向能力，因此長期的AC驅動后也幾乎觀測不到取向方位的偏移。<VHR評價>關于VHR的評價，在70℃的溫度下對所得液晶單元施加60μs的1V電壓，測定16.67ms后的電壓，將電壓能夠保持為何種程度作為電壓保持率進行計算。將液晶單元剛制作完成后測定的VHR記作VHR1，將測定VHR1后在背光上進行1星期熟化后測定的VHR記作VHR2。應予說明，電壓保持率的測定使用了TOYOCorporation制造的電壓保持率測定裝置VHR-1。將實施例11～25和對照11～16的液晶取向劑的VHR的結果示于表5。[表5]表5.VHR1VHR2實施例11T1197.00％97.00％實施例12T1298.50％98.30％實施例13T1398.30％98.20％實施例14T1497.70％97.70％實施例15T1598.80％98.70％實施例16T1698.50％98.50％實施例17T1797.60％97.60％實施例18T1897.60％97.60％實施例19T1997.40％97.40％實施例20T2097.30％97.10％實施例21T2197.80％97.50％實施例22T2297.30％97.30％實施例23T2397.40％97.40％實施例24T2497.40％97.40％實施例25T2596.60％96.50％對照11CT1195.00％90.50％對照12CT1295.40％91.50％對照13CT1395.80％92.30％對照14CT1495.90％92.80％對照15CT1597.90％95.40％對照16CT1697.50％95.40％由表5可知：與未共聚具有酰胺基的單體的對照11～16相比，實施例11～25中通過將具有環氧基的單體與具有酰胺基的單體這兩者進行共聚，VHR1提高。此外，還抑制了由背光熟化導致的VHR(VHR2)降低。當前第1頁1 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