一種用于石墨烯生長的載具的制作方法
【技術領域】
[0001]本實用新型涉及石墨烯制備技術領域，尤其涉及一種用于石墨烯生長的載具。
【背景技術】
[0002]石墨烯薄膜產業化中，石墨烯生長多采用半導體產業的爐管設備，部分生長基底因厚度薄導致柔軟無硬度，半導體產業爐管設備的承載載具無法承載，而且高溫下，部分生長基底會軟化容易導致部分生長基底與部分生長基底之間的粘連。半導體產業爐管的載具都是采用托舉方式設計，依賴于硅片自身的硬度和厚度，硅片厚度為2mm到6_，整個硅片質地堅硬，不能卷曲。石墨稀生長用的金屬箔片厚度在25um到80um之間，金屬箔片硬度相對較小，柔軟，易成卷，使得爐管載具無法支撐住金屬箔片，金屬箔片生長基底在制備石墨烯的過程中容易出現相互粘連的現象，影響石墨烯的制備，同時造成材料的浪費。
【實用新型內容】
[0003]本實用新型所要解決的技術問題是提供一種能避免金屬箔片生長基底在制備石墨烯的過程中出現粘連現象的用于石墨烯生長的載具。
[0004]本實用新型解決上述技術問題的技術方案如下:一種用于石墨烯生長的載具，包括立方體框架，所述立方體框架的底端上設有底擋板，所述立方體框架相對的兩個側面的內側上均設有側擋板，兩個所述側擋板相互朝向的一面上均設有若干均勻排布的側擋板槽，兩個所述側擋板上的所述側擋板槽分別一一對應，在所述立方體框架設有所述側擋板的兩個側面的頂邊上均設有若干固定槽，所述立方體框架的頂端設有若干橫向石英棒，所述橫向石英棒的兩端分別設在兩個不同側面頂邊上的所述固定槽內，相鄰的兩個所述橫向石英棒之間設有碳碳復合材料薄板，所述碳碳復合材料薄板的兩側邊分別設在兩個側擋板的側擋板槽內。
[0005]本實用新型的有益效果是:將生長基底鋪設在碳碳復合材料薄板上，將縱向石英棒依次穿過碳碳復合材料薄板和生長基底后，將生長基底置于載具上，使得所述縱向石英棒置于所述橫向石英棒的定位槽內，所述生長基底的兩個側邊分別置于兩個所述側擋板上的所述側擋板槽內，通過槽壁對生長基底進行隔壁，有效防止生長基底粘連，節省空間和重量，提升爐體加工產能，不用其他工具，可減輕載具整體重量，固定槽的是設置能很好地對橫向石英棒進行定位，避免橫向石英棒在立方體框架的頂端上移動。
[0006]在上述技術方案的基礎上，本實用新型還可以做如下改進。
[0007]進一步，所述碳碳復合材料薄板的上表面上設有若干水平設置的縱向石英棒，所述縱向石英棒與所述橫向石英棒垂直設置。
[0008]進一步，所述側擋板槽為傾斜設置的條形槽。
[0009]進一步，所述側擋板槽傾斜角度為15度至25度。
[0010]采用上述進一步方案的有益效果是:所述側擋板槽和所述底擋板槽采用豎直設置或傾斜設置的條形槽均能實現對生長基底的隔離。
[0011]進一步，所述碳碳復合材料薄板上均勻設有若干定位槽，所述縱向石英棒置于所述碳碳復合材料薄板的定位槽內。
[0012]采用上述進一步方案的有益效果是:通過定位槽能避免縱向石英棒在橫向石英棒上移動。
[0013]進一步，相鄰的兩個所述側擋板槽之間的槽間距為4.5mm至6.0mm。
[0014]進一步，所述側擋板槽的槽深為25mm至55mm。
[0015]進一步，所述立方體框架的材質為石英。
[0016]一種制備石墨烯的方法，該方法通過使用上述載具制備石墨烯，包括以下步驟:
[0017]步驟一，在切好的生長基底的上部與所述縱向石英棒相對應的位置上打孔；
[0018]步驟二，將所述生長基底鋪設在所述碳碳復合材料薄板上，所述縱向石英棒穿過所述生長基底的上部的固定孔后將所述縱向石英棒放置在所述碳碳復合材料薄板上，使得所述生長基底的兩側分別與所述碳碳復合材料薄板的兩側置于兩個所述側擋板上的同一所述側擋板槽內；
[0019]步驟三，將裝載有生長基底的載具放置于石墨烯生長裝置中，使得載具設有側擋板的一面朝向石墨烯生長裝置的進氣口，采用化學氣相沉積法沉積石墨烯薄膜；
[0020]步驟四，待石墨烯生長完成后，將載具從石墨烯生長裝置中取出，將所述生長基底從載具上取下，即得生長有石墨烯的生長基底。
[0021]采用上述進一步方案的有益效果是:將縱向石英棒穿過生長基底后，將生長基底置于載具上，使得所述橫向石英棒的兩端分別設在兩個不同側邊的頂邊上的所述固定槽內，縱向石英棒置于所述橫向石英棒上，所述生長基底的兩個側邊分別置于兩個所述側擋板上的所述側擋板槽內，通過槽壁對生長基底進行隔壁，有效防止生長基底在制備石墨烯的過程中發生粘連，節省空間和重量，提升爐體加工產能，不用其他工具，可減輕載具整體重量。
[0022]進一步，所述步驟一中所述生長基底上孔的數量為兩個或兩個以上，且與所述縱向石英棒的數量相同。
[0023]采用上述進一步方案的有益效果是:通過兩個或兩個以上孔能對生長基底有效固定。
[0024]進一步，所述步驟二中相鄰的所述生長基底的頂部通過所述橫向石英棒進行隔離。
[0025]進一步，所述步驟一中的所述生長基底為銅箔。
[0026]進一步，所述步驟一中所述生長基底上的孔的孔徑為3mm至7mm。
[0027]進一步，所述步驟一中所述生長基底上的孔的孔距為60mm至80mm。
【附圖說明】
[0028]圖1為本實用新型的結構示意圖；
[0029]圖2為本實用新型的碳碳復合材料薄板的結構示意圖；
[0030]圖3為本實用新型的生長基底的結構示意圖；
[0031]圖4為本實用新型使用示意圖；
[0032]附圖中，各標號所代表的部件列表如下:
[0033]1、立方體框架，2、底擋板，3、側擋板，4、側擋板槽，5、固定槽，6、橫向石英棒，7、碳碳復合材料薄板，8、定位槽，9、固定孔，10、縱向石英棒，11、生長基底。
【具體實施方式】
[0034]以下結合附圖對本實用新型的原理和特征進行描述，所舉實例只用于解釋本實用新型，并非用于限定本實用新型的范圍。
[0035]如圖1、圖2、圖3所示，本實用新型包括立方體框架1，所述立方體框架I的底端上設有底擋板2，所述立方體框架I相對的兩個側面的內側上均設有側擋板3，兩個所述側擋板3相互朝向的一面上均設有均勻