、中、下不同位置附件的濃度不一樣，進而導致位于晶舟上、中、下的3片監控片厚度存在差異。為了消除晶舟三個位置的厚度差異，現有的方式是通過改變所述三個位置附件的溫度設定。即，增加厚度低的位置處的溫度，降低厚度高的位置處的溫度。同時，溫度的差異勢必使得多晶硅晶粒均勻度受到影響。
[0028]請參閱圖1，圖1所示為本發明多晶硅制備之立式爐管的結構示意圖。所述多晶硅制備之立式爐管I，包括:殼體11，所述殼體11內設多晶硅制備之立式爐管I的各功能部件；外石英管12a和內石英管12b，所述外石英管12a和所述內石英管12b之間形成氣體通路12c;具有硅片131的晶舟13，所述晶舟13上設置硅片131，所述晶舟13并承載在位于所述殼體11內之底部的基座14上；間隔獨立設置的第一進氣管路15a、第二進氣管路15b、第三進氣管路15c，所述第一進氣管路15a、所述第二進氣管路15b，以及所述第三進氣管路15c之出氣口分別位于所述晶舟13的不同高度處;排氣管路16，所述排氣管路16設置在所述殼體11之異于所述第一進氣管路15a、第二進氣管路15b、第三進氣管路15c的一側之底部。
[0029]為了更直觀的揭露本發明之技術方案，凸顯本發明之有益效果，現結合【具體實施方式】為例進行闡述。在【具體實施方式】中，所述多晶硅制備之立式爐管的各功能部件之具體尺寸、位置設置等僅為列舉，不應視為對本發明技術方案的限制。
[0030]作為【具體實施方式】，所述第一進氣管路15a、第二進氣管路15b、第三進氣管路15c均為多晶硅制備之反應特氣管路。所述反應特氣管路內流通之反應特氣為硅烷氣體。所述多晶硅制備之立式爐管I內的溫度為550?630°C。所述多晶硅制備之立式爐管I內的工藝氣壓為0.2?I Torr ο
[0031]為了消除反應特氣之消耗引起的濃度差異，而最終導致的不同位置之多晶硅的粒徑分布不均勻等缺陷，優選地，所述第一進氣管路15a之出氣口位于所述晶舟13之底部基座14高度處，所述第二進氣管路15b之出氣口位于所述晶舟13之三分一的高度處，所述第三進氣管路15c之出氣口位于所述晶舟13之三分二的高度處。作為本領域技術人員，容易理解地，在保持所述第一進氣管路15a之反應特氣流量不變時，通過調整所述第二進氣管路15b和所述第三進氣管路15c之反應特氣流量，進而改變所述晶舟13之不同位置處的反應特氣濃度，使得所述反應特氣之濃度適于獲得晶粒均一的多晶硅。
[0032]請參閱圖2，并結合參閱圖1，圖2所示為通過本發明所述多晶硅制備之立式爐管制備多晶硅的方法流程圖。通過本發明所述多晶硅制備之立式爐管I制備多晶硅的方法，包括:
[0033]執行步驟S1:將硅片131設置在位于所述立式爐管I內的晶舟13上；
[0034]執行步驟S2:在保持所述第一進氣管路15a之反應特氣流量不變時，通過調整所述第二進氣管路15b和所述第三進氣管路15c之反應特氣流量，進而改變所述晶舟13之不同位置處的反應特氣濃度，使得所述反應特氣之濃度適于獲得晶粒均一的多晶硅。
[0035]顯然地，本發明多晶硅制備之立式爐管I通過設置獨立且位于所述晶舟13之不同高度處的第一進氣管路15a、第二進氣管路15b、第三進氣管路15c，通過調整反應特氣之流量，使得不同位置處的反應特氣濃度均勻，進而不再需要為了達到相同的薄膜厚度去改變晶舟13上不同點的溫度設定。同時，所述多晶硅制備之立式爐管I采用外石英管12a和內石英管12b的特定結構設置，可以有效的改善工藝制程自身的顆粒問題。本發明不僅結構簡單、工藝調整方便，而且極大的保證了工藝效率和提升了產品良率。
[0036]綜上所述，本發明多晶硅制備之立式爐管通過設置獨立且位于所述晶舟之不同高度處的第一進氣管路、第二進氣管路、第三進氣管路，并采用外石英管和內石英管的雙管特定結構，不僅結構簡單、工藝調整方便，而且極大的保證了工藝效率和提升了產品良率。
[0037]本領域技術人員均應了解，在不脫離本發明的精神或范圍的情況下，可以對本發明進行各種修改和變型。因而，如果任何修改或變型落入所附權利要求書及等同物的保護范圍內時，認為本發明涵蓋這些修改和變型。
【主權項】
1.一種多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述多晶硅制備之立式爐管，包括: 殼體，內設多晶硅制備之立式爐管的各功能部件； 外石英管和內石英管，所述外石英管和所述內石英管之間形成氣體通路； 具有硅片的晶舟，所述晶舟上設置硅片，所述晶舟并承載在位于所述殼體內之底部的基座上； 間隔獨立設置的第一進氣管路、第二進氣管路、第三進氣管路，所述第一進氣管路、所述第二進氣管路，以及所述第三進氣管路之出氣口分別位于所述晶舟的不同高度處； 排氣管路，設置在所述殼體之異于所述第一進氣管路、第二進氣管路、第三進氣管路的一側之底部。2.如權利要求1所述的多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述第一進氣管路、第二進氣管路、第三進氣管路均為多晶硅制備之反應特氣管路。3.如權利要求2所述的多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述反應特氣管路內流通之反應特氣為硅烷氣體。4.如權利要求1所述的多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述多晶硅制備之立式爐管內的溫度為550?630°C。5.如權利要求1所述的多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述多晶硅制備之立式爐管內的工藝氣壓為0.2?ITorr。6.如權利要求1所述的多晶硅制備之立式爐管，其特征在于，所述第一進氣管路之出氣口位于所述晶舟之底部基座高度處，所述第二進氣管路之出氣口位于所述晶舟之三分一的高度處，所述第三進氣管路之出氣口位于所述晶舟之三分二的高度處。7.—種如權利要求1所述的多晶硅制備之立式爐管制備多晶硅的方法，其特征在于，所述多晶硅制備之立式爐管制備多晶硅的方法，包括: 執行步驟SI:將硅片設置在位于所述立式爐管內的晶舟上； 執行步驟S2:在保持所述第一進氣管路之反應特氣流量不變時，通過調整所述第二進氣管路和所述第三進氣管路之反應特氣流量，進而改變所述晶舟之不同位置處的反應特氣濃度。8.如權利要求7所述多晶硅制備之立式爐管制備多晶硅的方法，其特征在于，所述晶舟之不同位置處的反應特氣濃度均勻。
【專利摘要】一種多晶硅制備之立式爐管，包括：殼體，內設立式爐管的各功能部件；外石英管和內石英管，外石英管和內石英管之間形成氣體通路；具有硅片的晶舟，晶舟上設置硅片，晶舟并承載在位于殼體內之底部的基座上；間隔獨立設置的第一進氣管路、第二進氣管路、第三進氣管路，第一進氣管路、第二進氣管路，第三進氣管路之出氣口分別位于晶舟的不同高度處；排氣管路，設置在殼體一側之底部。本發明通過設置獨立且位于不同高度處的第一進氣管路、第二進氣管路、第三進氣管路，并采用外石英管和內石英管的雙管特定結構，不僅結構簡單、工藝調整方便，而且極大的保證了工藝效率和提升了產品良率。
【IPC分類】C30B29/06, C30B28/14
【公開號】CN105543955
【申請號】CN201610107390
【發明人】江潤峰, 孫天拓, 陸葉濤
【申請人】上海華力微電子有限公司
【公開日】2016年5月4日
【申請日】2016年2月26日